JPH05210870A

JPH05210870A - 光ディスク用基板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH05210870A
Application number: JP4025229A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Sekiya; 昌彦関谷; Aritami Yonemura; 有民米村; Kiyoshi Chiba; 潔千葉
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1991-12-04
Filing date: 1992-02-12
Publication date: 1993-08-20

Abstract

(57)【要約】【目的】トラッキングサーボ用ガイドからの十分なトラ
ッキング信号強度を得つつ、かつ情報再生信号品質、お
よび製造時の歩留り、コスト等を向上させる。【構成】光ディスク用基板としては、レーザ光によるト
ラッキングサーボのための凹凸形状のガイドをデータ用
領域に隣接して形成した面を有するものであって、基板
材料が少なくとも前記ガイドを形成する部分において有
機物樹脂からなり、前記ガイドを形成した基板面上の少
なくともガイド上に誘電体膜を形成し、さらにその上に
前記ガイドによる凹凸を埋めて表面を平坦化させる平坦
化層を形成する。またその製造方法においては、樹脂も
しくはその希釈溶液を塗布して平坦化層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ等の光により情
報の記録、再生、消去等を行う光ディスクに関するもの
であり、特に、その記録膜が形成される基板に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、高密度、大容量の情報記
録媒体として種々の研究、開発、商品化が行われてい
る。そうした中で現在市販の光ディスクにおいては、情
報の記録、再生、消去等を行う際の光によるトラッキン
グサーボを行うために、記録膜を形成する基板の表面に
凹凸形状のガイドをデータ用領域に隣接して形成してい
る。このガイドとしては、基板表面に渦巻状もしくは同
心円状に配列した溝による場合などがある。そしてトラ
ッキングサーボの制御は、このガイドからの回折光を用
いて行われる。

【０００３】しかし、データ用領域に隣接してこの凹凸
形状のガイドがあることにより信号品質が低下してしま
うということが知られている。すなわちガイドによる凹
凸のために、記録層にも凹凸が形成され、それによるビ
ット形状の崩れ等が生じて信号のＣ／Ｎの低下等が起こ
る。この問題点を解決するべく、特開平3-40248 号公報
等では、十分な強度のトラッキングサーボ用信号を得る
ためにトラッキング用金属反射膜をガラス基板上に形成
し、かつ、再生信号品質を低下させないために、平坦化
層を設け、平坦面上に形成された記録層から十分な強度
の再生信号を得るという方式が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところがこの方式は、
金属反射膜を基板上に形成する際にエッチング等の煩雑
な方法を用いなければならないため、製造時の歩留り、
コスト等の点で問題があり、大量生産には不向きであ
る。

【０００５】本発明は、前述の問題点を解決すべく鑑み
なされたものである。具体的には、トラッキングサーボ
のためのガイドからの十分なトラッキング信号強度が得
られ、かつ、記録膜が平坦面に設けられるために現在市
販の光ディスクよりも高い情報再生信号品質が得られる
という新しい方式からなり、しかも製造時の歩留り、コ
スト等も、特開平3-40248 号公報記載の方式よりも大幅
に改善できるような光ディスク用基板を得ることを目的
とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる光ディス
ク用基板は、レーザ光によるトラッキングサーボための
凹凸形状のガイドをデータ用領域に隣接して形成した面
を有する光ディスク用基板において、基板材料が少なく
とも前記ガイドを形成する部分において有機物樹脂から
なり、前記ガイドを形成した基板面上の少なくともガイ
ド上に誘電体膜を形成し、さらにその上に前記ガイドに
よる凹凸を埋めて表面を平坦化させる平坦化層を形成
し、前記誘電体膜の屈折率が前記ガイドを形成する部分
の基板材料と前記平坦化層とよりも高いことを特徴とし
ている。

【０００７】また本発明にかかる光ディスク用基板の製
造方法は、前述の光ディスク用基板を製造する際に、樹
脂もしくはその希釈溶液を塗布して平坦化層を形成する
ことを特徴としている。

【０００８】本発明者らは、次のような検討により本発
明を考案するに至った。

【０００９】トラッキングサーボの制御には、ガイド部
からのトラッキングサーボ用光の回折光が用いられる。
その際には、ガイド部分からの十分な反射光強度が得ら
れることが、安定なトラッキングサーボ性能を得るため
には必要である。具体的には、そのガイドでのトラッキ
ングサーボ用光の反射率が10％以上であることが好まし
い。このような条件を満足するためには、ガイドを形成
する部分の基板材料と前記平坦化層とよりも屈折率が高
く、かつ透明性の高い材料である誘電体膜を少なくとも
ガイド上に設ければよい。そしてこの誘電体膜は、十分
な反射光強度を得るためには、トラッキングサーボ用の
光の波長において屈折率ｎ≧1.6 であることが好まし
い。

【００１０】このような材料としては、AlＮ、ZnＳ、Si
₃Ｎ₄、AlSiＮ、SiＯ、SiＯ₂、Zr ₂Ｏ₃、In₂Ｏ₃、
SnＯ₂、Ta₂Ｏ₅、AlＯＮ、SiＯＮ、ZrＯＮ、InＯＮ、
SnＯＮ、TaＯＮまたはこれらの混合体などが適用でき
る。

【００１１】より安定したトラッキングサーボ性能を
得、かつ高い再生信号強度を得るためには、トラッキン
グサーボ用の光に対する反射率が15％以上であることが
好ましい。そのためにはトラッキングサーボ用の光の波
長において、屈折率ｎ≧1.8 である材料が好ましい。

【００１２】この点ではAlSiＮ、Si₃Ｎ₄、Zr₂Ｏ₃、
Ta₂Ｏ₅、ZrＯＮ、TaＯＮ等の無機窒化物および／また
は無機酸化物が好ましく、特に耐候性の点ではAlSiＮが
好ましい。

【００１３】誘電体膜の膜厚ｄ（ｎｍ）に関しては周期
的に高反射率が得られるところがあらわれるため、その
高反射率が得られるいずれの膜厚を選択しても問題ない
が、生産性を考慮すると薄い方がよい。

【００１４】この膜厚ｄ（ｎｍ）は、誘電体膜の屈折率
によって異なるが、上述の無機窒化物、酸化物等の場合
に屈折率ｎは 1.6〜2.3 の範囲であるため、20≦ｄ≦16
0 の範囲にあることが好ましい。

【００１５】窒化物および／または酸化物の誘電体にお
いては、窒化度および／または酸化度を低くすると光の
吸収率が高くなり、記録再生特性に悪影響をおよぼす。
しかしこれと同時に屈折率が高くなり、必要な反射光量
を得るための誘電体膜の膜厚を薄くできることから、生
産性を向上させることができる。

【００１６】また、誘電体膜としては、前述の各材料の
単一材料の単層膜に限ることなく、複数の種類の複層膜
を設けてもよい。

【００１７】誘電体膜の製造方法としては、公知の真空
蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶ
Ｄ法等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光デ
ィスクとしては、高温高湿の耐環境試験での剥離等を生
じさせないために、基板との密着性が大きい条件で作製
することが好ましい。このためにはスパッタリング法が
好ましい。

【００１８】この誘電体膜は、少なくともガイド上に設
けることが必要である。また製造上の有利からは、ガイ
ドを有する基板表面全面に設けることが好ましい。

【００１９】ところで、上述のように100 ｎｍ前後の膜
厚の誘電体膜を設けた場合、その表面形状は、ガイド形
状をそのまま残したものとなっている。この表面を平坦
化するためには、粘性の低い物質を塗布するなどしてガ
イドによる凹凸を埋める必要がある。この平坦化した面
に記録膜を形成すると、情報の記録ビット形状がガイド
形状に影響されず、良好なビット形状が得られ、高い再
生信号が得られる。

【００２０】この平坦化層の膜厚ｔ（ｎｍ）は、ガイド
上の部分において50≦ｔ≦500 の範囲にあることが好ま
しい。すなわち、ガイドの深さは40ｎｍ以上であること
が好ましいことから、これを埋めるには平坦化層の膜厚
が50ｎｍ以上であることが好ましい。またトラッキング
サーボ用の光の反射率をかせぎつつ、生産性を考慮する
と、この膜厚は500 ｎｍ以下であることが好ましい。

【００２１】この平坦化層に用いる材料は、ガイドによ
る凹凸を埋めて平坦面が得られるものであれば特に限定
はない。しかし、製造上の容易さから、樹脂を用いるこ
とが好ましい。

【００２２】このような樹脂としては、光ディスクに使
用可能な樹脂であれば特に制約はない。例えば、紫外線
硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、エポキシ樹脂、シリケ
ート樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、熱可塑性
樹脂などを使用することができる。

【００２３】ただし本発明の目的の被膜を得るために
は、希釈して粘性を低くした上で塗布することが作業性
上好ましいことから、樹脂としては一般的な有機溶剤に
可溶であることが好ましい。

【００２４】光ディスクの製造工程では、生産性が高
い、保護効果が大きい等の理由により紫外線硬化樹脂や
電子線硬化樹脂がしばしば使用される。電子線硬化型樹
脂より設備的に有利な紫外線硬化樹脂が最も良く利用さ
れている。このような紫外線硬化樹脂は通常例えば、ビ
スフェノールＡ型エポキシ化合物（オリゴマー）のアク
リレートのように水酸基やエポキシ基等の官能基を持つ
化合物（オリゴマー）をアクリル化またはメタアクリル
化することによって得られる比較的分子量が大きい、オ
リゴマーのアクリレートと称される化合物と単官能
（（メタ）アクリロイルオキシ基）または２〜６個の官
能基（（メタ）アクリロイルオキシ基）を持つ化合物と
光重合開始剤等の混合された組成物として市販されてお
り容易に手に入れることができる。例えば大日本インキ
化学（株）より“ＳＤ―１７”、“ＳＤ―３０１”、三
菱レイヨン（株）より“ＵＲ―４５０２”等の名称によ
り市販されている。また電子線硬化型の樹脂としては三
菱レイヨン（株）の“ＭＨ―７１３５”などがある。

【００２５】エポキシ樹脂としては、光ディスクに使用
可能なものであれば、特に制約はない。通常のビスフェ
ノールから誘導されたものを使用することができる。た
だし、この用途上透明性が要求されるので、硬化剤の選
択には充分注意する必要がある。効果速度、透明性の点
からペンタエリスリトールから誘導されるジアミンなど
が好ましく使用される。例えば油化シエル（株）のエポ
メート“Ｎ―００２”などを好ましい硬化剤として挙げ
ることができる。

【００２６】シリケート樹脂としては多くのものが市販
されているが前述のエポキシ樹脂と同様に、光ディスク
に使用することができるものであれば使うことができ
る。例えばアルキルシロキサン等の熱硬化タイプとアク
リルシリコーン化合物等の紫外線硬化タイプなどがあ
る。例えば昭和電工（株）のガラスレジン“ＧＲ―６５
０”や信越化学の“ＫＰ―８５”、“ＫＮＳ―５３０
０”などを使用することができる。

【００２７】熱可塑性樹脂としては、記録膜に影響を与
えず、適当な溶剤、特に有機溶剤に可溶であり、均一で
透明な塗布膜を与える有機重合体を使用することができ
る。例えばポリメチルメタアクリレート、ポリエチルメ
タアクリレートのようなアクリレート樹脂、ポリアクリ
ロニトル、ポリメタアクリロニトルのようなアクリルニ
トリル樹脂、フッ化ビニル・ヘキサフルオロプロピレン
共重合体のようなフッ素樹脂、塩化ビニル、酢酸ビニル
等のビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニ
ルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹
脂等の樹脂およびそれらの混合物、共重合体等が好まし
く用いられる。

【００２８】平坦化層の形成方法としては、スピンコー
ト、スクリーン印刷、ロールコート、スプレーコート、
ディッピング、スパッタコート等が使用可能である。こ
こで樹脂を硬化させたものからなる平坦化層を形成する
際、作業性からは樹脂もしくはその希釈溶液を塗布して
形成する方法が好ましい。さらに生産性、コスト等をも
考慮した場合には、前述の方法の中でも、スピンコート
法が好ましい。

【００２９】ここでスピンコート法による場合、前述の
膜厚で平坦化層を形成するには、塗布時の樹脂原料を溶
媒で希釈するなどして粘性率を低くする必要がある。そ
の際には温度20℃での硬化前の粘性率が、膜厚 200〜50
0 ｎｍとするためには50ｃＰ以下、膜厚50〜200 ｎｍと
するためには30ｃＰ以下であることが好ましい。

【００３０】希釈用の溶媒としては、有機物樹脂基板を
用いる場合、基板への化学的なダメージを与えないもの
であり、かつ、樹脂硬化時には大部分揮発するような物
質であれば特に限定されないが、毒性等も考慮した取扱
い易さの点から、イソプロピルアルコール、ブチルアル
コール、エチルアルコール等が好ましい。

【００３１】一方、基板表面に設けられているガイドの
深さは、安定したトラッキング性能を得るためには40ｎ
ｍ以上の深さのガイドを設けることが好ましい。さらに
より安定したトラッキング性能を得るためには、70ｎｍ
以上の深さのガイドを設けることが好ましい。このと
き、ガイドの形状は特に限定するものではない。しか
し、ガイドおよびガイド上の誘電体膜からの反射の効果
を有利にするためにはＶ形状の溝が好ましい。

【００３２】基板材料は、少なくともガイドを形成する
部分においては、有機物樹脂を用いることが生産性から
好ましい。このとき、全体を有機物樹脂で形成した基
板、あるいは２Ｐ法によりガラス基板上にガイドを形成
する部分だけ硬化性樹脂の層を形成した基板にすること
もできる。

【００３３】この基板材料に用いる有機物樹脂としは、
ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、
２―メチルペンテン樹脂、ポリオレフィン樹脂、あるい
はそれらの共重合体等を用いることができる。中でも機
械強度、耐候性、耐熱性、透湿性、ならびに低価格であ
る点でポリカーボネート樹脂が好ましい。そしてこのポ
リカーボネード樹脂を用いて基板材料全体を形成するこ
とが、生産性からは好ましい。

【００３４】本発明による光ディスク用基板は上述のよ
うな手段で作製することができるが、その上に形成され
る記録膜の種類は特に限定されない。現在市販が開始さ
れているところの、希土類遷移金属非晶質合金などを用
いた光磁気記録膜をはじめ、無機及び有機の相変化記録
膜、追記型記録膜等、全てが使用可能である。また、そ
の構成に関しても特に限定はない。具体的には記録層を
透明誘電体層でサンドイッチした構成、記録層のレーザ
光入射側と反対側の面に金属反射層を設けた構成、更に
は保護層として無機および／または有機保護層を設けた
構成等、あらゆる構成が適用可能である。

【００３５】また、現行の光ディスクに形成されている
トラッキングサーボのための凹凸形状のガイドは、約1.
6 μｍピッチの同心円状もしくは渦巻状のものである
が、本発明はこの形状に限定されるものではない。また
このトラックピッチが1.6 μｍより狭いものに対しても
適用可能であることは言うまでもない。

【００３６】

【実施例、比較例１、２】以下のようにして図１、図
２、図３に示す構成の光磁気記録媒体を作成し評価し
た。図において、１はガイドを表面に形成した基板、２
はガイド上の誘電体層、３は平坦化層、４は記録層下の
誘電体層、５は記録層、６は記録層上の誘電体層、７は
金属反射層、８は有機保護層である。

【００３７】まず、表面にサーボトラック用のガイドを
形成したポリカーボネート樹脂（ＰＣ）による基板１を
用意した。この基板１は、外形が直径 130ｍｍ、厚さ
1.2ｍｍの円盤で、表面にサーボトラック用ガイドとし
て 1.6μｍピッチで深さ70ｎｍの溝が渦巻状に形成して
ある。

【００３８】この基板１を用いて記録層を形成する際
に、ガイド上の誘電体層とさらに平坦化層を設けたもの
（実施例）、ガイド上の誘電体層を設けずに平坦化層の
みを設けたもの（比較例１）、ガイド上の誘電体層と平
坦化層の両方を設けなかったもの（比較例２）の３種類
を、次のようにして作成した。

【００３９】まず基板１を３ターゲットの高周波マグネ
トロンスパッタ装置（アネルバ製ＳＰＦ―４３０Ｈ型）
の真空槽内に固定し、 5.3×10^-5Paになるまで排気す
る。なお、膜形成において基板１は15rpm で回転させ
た。そしてガイド上の誘電体層２として、AlSiＮ膜を次
のようにして形成した。すなわち、ターゲットとしては
直径 100ｍｍ、厚さ 5ｍｍの円盤状のAlSi（50:50 ）の
焼結体を用い、真空槽内にAr／Ｎ₂混合ガス（Ｎ₂ 30v
ol％）を導入し、圧力 0.4Paになるようにガス流量を調
整した。そして放電電力 400Ｗ、放電周波数 13.56ＭHz
で高周波スパッタリングを行い、ガイド上の誘電体層２
としてAlSiＮ膜を80ｎｍ堆積した。

【００４０】この基板をスパッタリング装置から取り出
し、スピンコーターに取りつけた。そして基板を3000rp
m で回転させながら、紫外線硬化性のフェノールノボラ
ックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。このとき、
樹脂は塗布前にブチルアルコールによって希釈し、温度
20℃にて粘性率がおよそ40ｃＰとなるように調整した。
塗布後、スピンコーターから取りはずし、紫外線照射装
置を通過させて樹脂を硬化させ、ガイド上以外の領域で
の厚さが約 250ｎｍとなる平坦化層３を設けた（実施
例）。

【００４１】また基板１に対して、ガイド上の誘電体層
２を設けずに、直接実施例と同様の方法で平坦化層３を
約 250ｎｍとなるように設けた（比較例１）。

【００４２】これらの基板と、ガイド上の誘電体層２と
平坦化層３を設けていない、直径 130ｍｍ、厚さ 1.2ｍ
ｍの円盤で、 1.6μｍピッチのグルーブを有するポリカ
ーボネート樹脂（ＰＣ）のディスク基板１（比較例２）
とを、再び３ターゲットの高周波マグネトロンスパッタ
装置（アネルバ製ＳＰＦ―４３０Ｈ型）の真空槽内に固
定し、 5.3×10^-5Paになるまで排気する。なお、膜形成
において基板１は15rpm で回転させた。

【００４３】これら３つの基板上に、以下の手順で全く
同じ構成からなる光磁気記録媒体用の多層膜を形成し
た。

【００４４】まず記録層下の誘電体層４としてAlSiＮ膜
を形成した。すなわち、ターゲットとしては直径 100ｍ
ｍ、厚さ 5ｍｍの円盤状のAlSi（50:50 ）の焼結体を用
い、真空槽内にAr／Ｎ₂混合ガス（Ｎ₂ 30vol％）を導
入し、圧力 0.4Paになるようにガス流量を調整した。放
電電力 400Ｗ、放電周波数 13.56ＭHzで高周波スパッタ
リングを行い、誘電体層４としてAlSiＮ膜を 110ｎｍ堆
積した。

【００４５】次に光磁気記録層５として、ターゲットを
TbFeCo（22:71:7 ）合金の円盤に変え、スパッタリング
ガスを純Ar（純度99.999％）とし、圧力0.67Pa、放電電
力 100ＷでTbFeCo合金膜（Tc＝ 190℃）を20ｎｍ堆積し
た。

【００４６】続いて、記録層上の誘電体層６としてター
ゲットを前記のAlSiの焼結体ターゲットに戻し、スパッ
タリングガスもAr／Ｎ₂混合ガス（Ｎ₂ 30vol％）に戻
し、第１の透明誘電体層４と同様の放電条件で、AlSiＮ
膜を25ｎｍ堆積した。

【００４７】最後に、金属反射膜７を形成した。ターゲ
ットとしては、直径 100ｍｍ、厚さ5ｍｍのAlの円盤上
にTiのチップ（ 5× 5× 1ｍｍ）を適当数配置したもの
を用い、スパッタリングガスを純Ar（純度99.999％）に
変え、記録層５と同様の放電条件で金属反射層７として
AlTi（98:2）を80ｎｍ堆積した。

【００４８】このサンプルを再度スパッタリング装置か
ら取り出し、スピンコーターに取り付けた。ディスクを
3000rpm で回転させながら紫外線硬化性のフェノールノ
ボラックエポキシアクリレート樹脂を塗布した後、紫外
線照射装置を通過させて樹脂を硬化させ、約20μｍの有
機保護層８を設けた。この際には、約20μｍと厚い膜厚
で設定するため、ブチルアルコールで希釈を行い、粘性
率 500ｃＰ前後の状態で塗布した。

【００４９】以上の手順で、図１（実施例）、図２（比
較例１）、図３（比較例２）に示す構成の光磁気記録媒
体を得た。

【００５０】これら各サンプルのＣ／Ｎの記録パワー依
存性を測定した。測定には、光磁気記録再生装置（パル
ステック工業製ＤＤＵ―１０００型）を用い、半径30ｍ
ｍ位置のトラックにおいて、ディスク回転速度1800rpm
、信号周波数 3.7ＭHz（パルスduty33％）、外部磁場
300Oe、再生パワー 1.5ｍＷとし、記録パワーを変化さ
せてＣ／Ｎを測定した。そしてＣ／Ｎが最大となる記録
パワーと、その時のＣ／Ｎ値を求めた。

【００５１】その結果実施例と比較例２のサンプルで
は、安定したトラッキングサーボ状態が得られた。しか
し比較例１のサンプルは、トラッキングサーボができ
ず、Ｃ／Ｎの測定も不能であった。そしてＣ／Ｎが最大
となる記録パワーは、実施例、比較例２ともに 5.5ｍ
Ｗ、そのときのＣ／Ｎ値は51dB（実施例）と48dB（比較
例２）であった。

【００５２】

【発明の効果】本発明は、以上詳述したごとく、安定な
トラッキングサーボ性能を確保しつつ、従来よりも高い
Ｃ／Ｎを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例の積層構成

【図２】比較例１の積層構成

【図３】比較例２の積層構成

【符号の説明】

１ガイドを表面に形成した基板２ガイド上の誘電体層３平坦化層４記録層下の誘電体層５記録層６記録層上の誘電体層７金属反射層８有機保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光によるトラッキングサーボための
凹凸形状のガイドをデータ用領域に隣接して形成した面
を有する光ディスク用基板において、基板材料が少なく
とも前記ガイドを形成する部分において有機物樹脂から
なり、前記ガイドを形成した基板面上の少なくともガイ
ド上に誘電体膜を形成し、さらにその上に前記ガイドに
よる凹凸を埋めて表面を平坦化させる平坦化層を形成
し、前記誘電体膜の屈折率が前記ガイドを形成する部分
の基板材料と前記平坦化層とよりも高いことを特徴とす
る光ディスク用基板。
【請求項２】誘電体膜が少なくともガイド側の基板面全
面に形成された請求項１記載の光ディスク用基板。
【請求項３】基板材料全体がポリカーボネート樹脂から
なる請求項１〜２のいずれかに記載の光ディスク用基
板。
【請求項４】ガイドの深さが40ｎｍ以上である請求項１
〜３のいずれかに記載の光ディスク用基板。
【請求項５】ガイドの深さが70ｎｍ以上である請求項４
記載の光ディスク用基板。
【請求項６】誘電体膜の屈折率ｎが、トラッキングサー
ボのために用いる光の波長において、ｎ≧1.6 である請
求項１〜５のいずれかに記載の光ディスク用基板。
【請求項７】誘電体膜の屈折率ｎが、トラッキングサー
ボのために用いる光の波長において、ｎ≧1.8 である請
求項６記載の光ディスク用基板。
【請求項８】誘電体膜が無機窒化物および／または無機
酸化物からなる請求項６〜７のいずれかに記載の光ディ
スク用基板。
【請求項９】誘電体膜がAlSiＮからなる請求項１〜８の
いずれかに記載の光ディスク用基板。
【請求項１０】誘電体膜の膜厚ｄ（ｎｍ）が、20≦ｄ≦
160 の範囲にある請求項８〜９のいずれかに記載の光デ
ィスク用基板。
【請求項１１】平坦化層が樹脂を硬化させたものからな
る請求項１〜１０のいずれかに記載の光ディスク用基
板。
【請求項１２】平坦化層の膜厚ｔ（ｎｍ）が、ガイド上
の部分において50≦ｔ≦500 の範囲にある請求項１〜１
１のいずれかに記載の光ディスク用基板。
【請求項１３】請求項１１〜１２のいずれかに記載の光
ディスク用基板の製造方法において、樹脂もしくはその
希釈溶液を塗布して平坦化層を形成することを特徴とす
る光ディスク用基板の製造方法。
【請求項１４】樹脂もしくはその希釈溶液をスピンコー
ト法により塗布して平坦化層を形成する請求項１３記載
の光ディスク用基板の製造方法。
【請求項１５】樹脂もしくはその希釈溶液が、硬化前に
は20℃にて粘性率50ｃＰ以下である請求項１４記載の光
ディスク用基板の製造方法。
【請求項１６】樹脂もしくはその希釈溶液が、硬化前に
は20℃にて粘性率30ｃＰ以下である請求項１４記載の光
ディスク用基板の製造方法。