JPH05206363A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05206363A JPH05206363A JP3710992A JP3710992A JPH05206363A JP H05206363 A JPH05206363 A JP H05206363A JP 3710992 A JP3710992 A JP 3710992A JP 3710992 A JP3710992 A JP 3710992A JP H05206363 A JPH05206363 A JP H05206363A
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- bonding wire
- semiconductor device
- semiconductor chip
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 本発明は、バスバーと接触させることなく、
ボンディングワイヤの長さを減少でき、信頼性の向上,
コストダウン,及び薄型化を図ることを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置は、バスバー3の表面に
少なくともそのエッヂより両側に広がった絶縁部材11
を被覆し、インナーリード2と半導体チップ4をボンデ
ィングワイヤ6で最短距離で接続した構成を有する。
ボンディングワイヤの長さを減少でき、信頼性の向上,
コストダウン,及び薄型化を図ることを目的とする。 【構成】 本発明の半導体装置は、バスバー3の表面に
少なくともそのエッヂより両側に広がった絶縁部材11
を被覆し、インナーリード2と半導体チップ4をボンデ
ィングワイヤ6で最短距離で接続した構成を有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はタブを持たないリードフ
レームに半導体チップ(IC素子)を実装した半導体装
置に関し、特に、電気的信頼性の向上,高密度化,及び
薄型化を図った半導体装置に関する。
レームに半導体チップ(IC素子)を実装した半導体装
置に関し、特に、電気的信頼性の向上,高密度化,及び
薄型化を図った半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】リードフレームに半導体チップ(IC素
子)を実装する実装方式の場合、一般にリードフレーム
のタブ(アイランド)と呼ばれる部分に半導体チップが
チップボンドされている。その場合、半導体チップのボ
ンディングパッド(電極部)とインナーリード部とはボ
ンディングワイヤを介して結線されており、そのために
半導体チップとインナーリード部との間に結線に空間的
余裕を与えるだけの長さの隙間が形成されている。
子)を実装する実装方式の場合、一般にリードフレーム
のタブ(アイランド)と呼ばれる部分に半導体チップが
チップボンドされている。その場合、半導体チップのボ
ンディングパッド(電極部)とインナーリード部とはボ
ンディングワイヤを介して結線されており、そのために
半導体チップとインナーリード部との間に結線に空間的
余裕を与えるだけの長さの隙間が形成されている。
【0003】しかし、最近では半導体集積回路の高集積
化,及び高密度化に伴って、半導体チップが大型化する
傾向にあり、上記のような半導体装置では寸法が大きな
半導体チップを実装することが困難であった。すなわ
ち、半導体チップが大きくなると、半導体チップとイン
ナーリード部との間に結線に必要なだけの長さの隙間を
設ける余裕がなくなると共に、インナーリード部の樹脂
封止長さを確保できないという問題があった。
化,及び高密度化に伴って、半導体チップが大型化する
傾向にあり、上記のような半導体装置では寸法が大きな
半導体チップを実装することが困難であった。すなわ
ち、半導体チップが大きくなると、半導体チップとイン
ナーリード部との間に結線に必要なだけの長さの隙間を
設ける余裕がなくなると共に、インナーリード部の樹脂
封止長さを確保できないという問題があった。
【0004】そこで、このような問題を解決するため
に、特開昭59−92556号公報や特開昭61−24
1959号公報に示される半導体装置が提案されてい
る。
に、特開昭59−92556号公報や特開昭61−24
1959号公報に示される半導体装置が提案されてい
る。
【0005】図5,及び図6には、上記公報に示される
半導体装置の構成が示されている。この半導体装置は、
タブを持たないリードフレームを使用して、インナーリ
ード部2,及びバスバー3を半導体チップ4の上部まで
延設して、絶縁体5を介して半導体チップ4とインナー
リード部2,及びバスバー3を固定した構成を有してい
る。インナーリード部2の先端と半導体チップ4の電極
端子10はボンディングワイヤ6aを介して、また、バ
スバー3と半導体チップ4の電極端子10はボンディン
グワイヤ6bを介してそれぞれ接続され、ボンディング
ワイヤ6aはバスバー3との接触(ショート)を避ける
ために上方に高くループしてバスバー3をまたいだかた
ちとなっている。
半導体装置の構成が示されている。この半導体装置は、
タブを持たないリードフレームを使用して、インナーリ
ード部2,及びバスバー3を半導体チップ4の上部まで
延設して、絶縁体5を介して半導体チップ4とインナー
リード部2,及びバスバー3を固定した構成を有してい
る。インナーリード部2の先端と半導体チップ4の電極
端子10はボンディングワイヤ6aを介して、また、バ
スバー3と半導体チップ4の電極端子10はボンディン
グワイヤ6bを介してそれぞれ接続され、ボンディング
ワイヤ6aはバスバー3との接触(ショート)を避ける
ために上方に高くループしてバスバー3をまたいだかた
ちとなっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、提案されてい
る半導体装置によると、半導体チップとインナーリード
部を接続するボンディングワイヤを、バスバーとの接触
をさけるために上方に長く張り出させているため、他の
ボンディングワイヤと接触してショートする可能性が非
常に高く、また、ボンディングワイヤの使用量が多くな
るため、コストアップを招く。更に、高くループさせて
いるため半導体装置の厚さが増大するという不都合があ
る。
る半導体装置によると、半導体チップとインナーリード
部を接続するボンディングワイヤを、バスバーとの接触
をさけるために上方に長く張り出させているため、他の
ボンディングワイヤと接触してショートする可能性が非
常に高く、また、ボンディングワイヤの使用量が多くな
るため、コストアップを招く。更に、高くループさせて
いるため半導体装置の厚さが増大するという不都合があ
る。
【0007】従って、本発明の目的はバスバーと接触さ
せることなくボンディングワイヤの長さを減少でき、信
頼性の向上,コストダウン,及び薄型化を図ることがで
きる半導体装置を提供することである。
せることなくボンディングワイヤの長さを減少でき、信
頼性の向上,コストダウン,及び薄型化を図ることがで
きる半導体装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、バスバーと接触させることなくボンディングワイヤ
の長さを減少でき、信頼性の向上,コストダウン,及び
薄型化を図るため、バスバーの表面に、少なくともその
エッヂより両側に広がった絶縁部材を被覆し、インナー
リードと半導体チップをボンディングワイヤで最短距離
で接続した半導体装置を提供するものである。
み、バスバーと接触させることなくボンディングワイヤ
の長さを減少でき、信頼性の向上,コストダウン,及び
薄型化を図るため、バスバーの表面に、少なくともその
エッヂより両側に広がった絶縁部材を被覆し、インナー
リードと半導体チップをボンディングワイヤで最短距離
で接続した半導体装置を提供するものである。
【0009】バスバーの表面に被覆される絶縁部材は、
例えば、絶縁性の接着剤,或いは塗料をバスバーの表面
に塗布し、これを所定の治具により加圧,加熱してバス
バーのエッヂよりはみ出すように整形することにより形
成することができる。
例えば、絶縁性の接着剤,或いは塗料をバスバーの表面
に塗布し、これを所定の治具により加圧,加熱してバス
バーのエッヂよりはみ出すように整形することにより形
成することができる。
【0010】
【作用】上記構成を有する本発明の半導体装置は、イン
ナーリードと半導体チップを接続するボンディングワイ
ヤをバスバーから回避させなくてもボンディングワイヤ
の絶縁が図れるため、ボンディングワイヤ6を最短距離
で接続でき、他のボンディングワイヤとの接触を防ぐと
共に、薄型化を実現でき、更に、ボンディングワイヤの
使用量を低減してコストダウンを図ることができる。ま
た、絶縁部材をバスバーの幅より広くした理由は、ボン
ディングワイヤを最短距離で接続した場合に、単にバス
バーの表面に絶縁部材を被覆しただけでは、ボンディン
グワイヤがバスバーのエッヂに接触する恐れがあるから
である。
ナーリードと半導体チップを接続するボンディングワイ
ヤをバスバーから回避させなくてもボンディングワイヤ
の絶縁が図れるため、ボンディングワイヤ6を最短距離
で接続でき、他のボンディングワイヤとの接触を防ぐと
共に、薄型化を実現でき、更に、ボンディングワイヤの
使用量を低減してコストダウンを図ることができる。ま
た、絶縁部材をバスバーの幅より広くした理由は、ボン
ディングワイヤを最短距離で接続した場合に、単にバス
バーの表面に絶縁部材を被覆しただけでは、ボンディン
グワイヤがバスバーのエッヂに接触する恐れがあるから
である。
【0011】
【実施例】以下、本発明の半導体装置について添付図面
を参照しつつ詳細に説明する。
を参照しつつ詳細に説明する。
【0012】図1には、本発明の一実施例の半導体装置
の部分的な構成が示されている。この半導体装置は、リ
ードフレームのインナーリード2,及びバスバー3と、
当該インナーリード2,及びバスバー3に絶縁体5を介
して固定された半導体チップ4と、バスバー3の表面に
形成された絶縁部材11と、インナーリード2の先端と
半導体チップ4の電極端子10を電気的に接続するボン
ディングワイヤ6より構成されている。
の部分的な構成が示されている。この半導体装置は、リ
ードフレームのインナーリード2,及びバスバー3と、
当該インナーリード2,及びバスバー3に絶縁体5を介
して固定された半導体チップ4と、バスバー3の表面に
形成された絶縁部材11と、インナーリード2の先端と
半導体チップ4の電極端子10を電気的に接続するボン
ディングワイヤ6より構成されている。
【0013】絶縁部材11は、バスバー3のエッヂより
両側に広がってバスバー3の表面を被覆しており、これ
を超えるようにしてボンディングワイヤ6が半導体チッ
プ4の電極端子10に最短距離で接続されている。
両側に広がってバスバー3の表面を被覆しており、これ
を超えるようにしてボンディングワイヤ6が半導体チッ
プ4の電極端子10に最短距離で接続されている。
【0014】この半導体装置は、図2より図4に示され
る製造プロセスを経て製造することができる。まず、図
2に示すように、リードフレームのインナーリード2の
先端部,及びバスバー3の下部に絶縁体5を設け、バス
バー3の表面に絶縁性接着剤7をディスペンサによって
塗布する。
る製造プロセスを経て製造することができる。まず、図
2に示すように、リードフレームのインナーリード2の
先端部,及びバスバー3の下部に絶縁体5を設け、バス
バー3の表面に絶縁性接着剤7をディスペンサによって
塗布する。
【0015】次に、図3に示すように、絶縁体5の下方
に加熱用治具8を配置し、絶縁性接着剤7を加熱して乾
燥させる。
に加熱用治具8を配置し、絶縁性接着剤7を加熱して乾
燥させる。
【0016】更に、この状態で図4に示すように、絶縁
性接着剤7を加圧用治具9で加圧して圧縮し、絶縁性接
着剤7をバスバー3のエッヂより両側に広がるように偏
平状にする。
性接着剤7を加圧用治具9で加圧して圧縮し、絶縁性接
着剤7をバスバー3のエッヂより両側に広がるように偏
平状にする。
【0017】最後に、半導体チップ4を絶縁体5の下部
に固定し、インナーリード2の先端と半導体チップ4の
電極端子10をボンディングワイヤ6で接続して、図1
に示す半導体装置とする。
に固定し、インナーリード2の先端と半導体チップ4の
電極端子10をボンディングワイヤ6で接続して、図1
に示す半導体装置とする。
【0018】このような半導体装置は、バスバー3の表
面にバスバー3のエッヂより両側に広がった絶縁部材1
1が被覆されているため、インナーリード2と電極端子
10を接続するボンディングワイヤ6をバスバー3から
回避させなくてもボンディングワイヤ6の絶縁を図るこ
とができる。このため、ボンディングワイヤ6を最短距
離で接続することができ、コストダウン,及び装置の薄
型化を実現することができる。また、絶縁部材11をバ
スバー3の幅より広くした理由は、ボンディングワイヤ
6を最短距離で接続した場合、単にバスバー3の表面に
絶縁部材11を被覆しただけでは、ボンディングワイヤ
6がバスバー3のエッヂに接触するためである。
面にバスバー3のエッヂより両側に広がった絶縁部材1
1が被覆されているため、インナーリード2と電極端子
10を接続するボンディングワイヤ6をバスバー3から
回避させなくてもボンディングワイヤ6の絶縁を図るこ
とができる。このため、ボンディングワイヤ6を最短距
離で接続することができ、コストダウン,及び装置の薄
型化を実現することができる。また、絶縁部材11をバ
スバー3の幅より広くした理由は、ボンディングワイヤ
6を最短距離で接続した場合、単にバスバー3の表面に
絶縁部材11を被覆しただけでは、ボンディングワイヤ
6がバスバー3のエッヂに接触するためである。
【0019】尚、上記実施例では、絶縁性接着剤として
熱可塑性のポリエーテルアミドイミドを用いた。ディペ
ンサ塗布時はこれを溶媒で樹脂重量比20%程度に希釈
し、更に、第1次乾燥で50%程度にまで濃縮してテフ
ロン等の剥離性の良い材質からなる平板(加圧治具9)
で加圧して樹脂層を成形した。その後、第2次乾燥とし
て250℃の加熱を行い残存溶媒を0.5%以下とし
た。
熱可塑性のポリエーテルアミドイミドを用いた。ディペ
ンサ塗布時はこれを溶媒で樹脂重量比20%程度に希釈
し、更に、第1次乾燥で50%程度にまで濃縮してテフ
ロン等の剥離性の良い材質からなる平板(加圧治具9)
で加圧して樹脂層を成形した。その後、第2次乾燥とし
て250℃の加熱を行い残存溶媒を0.5%以下とし
た。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によると、バスバーの表面に、少なくともそのエッヂ
より両側に広がった絶縁部材を被覆し、インナーリード
と半導体チップをボンディングワイヤで最短距離で接続
したため、バスバーと接触させることなくボンディング
ワイヤの長さを減少でき、信頼性の向上,コストダウ
ン,及び薄型化を図ることができる。
置によると、バスバーの表面に、少なくともそのエッヂ
より両側に広がった絶縁部材を被覆し、インナーリード
と半導体チップをボンディングワイヤで最短距離で接続
したため、バスバーと接触させることなくボンディング
ワイヤの長さを減少でき、信頼性の向上,コストダウ
ン,及び薄型化を図ることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す断面図。
【図2】本発明の一実施例の製造プロセスを示す断面
図。
図。
【図3】本発明の一実施例の製造プロセスを示す断面
図。
図。
【図4】本発明の一実施例の製造プロセスを示す断面
図。
図。
【図5】従来の半導体装置を示す断面図。
【図6】従来の半導体装置を示す断面図。
1 リードフレーム 2 イ
ンナーリード 3 バスバー 4 半
導体チップ 5 絶縁体 6 ボ
ンディングワイヤ 7 絶縁性接着剤 8 加
熱治具 9 加圧治具 10 電
極端子 11 絶縁部材
ンナーリード 3 バスバー 4 半
導体チップ 5 絶縁体 6 ボ
ンディングワイヤ 7 絶縁性接着剤 8 加
熱治具 9 加圧治具 10 電
極端子 11 絶縁部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮川 剛 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】 リードフレームのインナーリード,及び
バスバー等に絶縁体を介して固定され、前記インナーリ
ード,バスバー等とボンディングワイヤを介して接続さ
れた半導体チップを備えた半導体装置において、 前記バスバーは、そのエッヂより両側に広がった絶縁部
材によって少なくとも表面が被覆され、 前記ボンディングワイヤは、前記バスバーのエッヂより
突出した前記絶縁部材を超えて前記半導体チップに接続
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4037109A JP2817821B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4037109A JP2817821B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05206363A true JPH05206363A (ja) | 1993-08-13 |
JP2817821B2 JP2817821B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=12488437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4037109A Expired - Lifetime JP2817821B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2817821B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124957A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
US7199477B1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-04-03 | Altera Corporation | Multi-tiered lead package for an integrated circuit |
JP2012119508A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63188942U (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-05 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP4037109A patent/JP2817821B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63188942U (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-05 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124957A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-17 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
US7199477B1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-04-03 | Altera Corporation | Multi-tiered lead package for an integrated circuit |
JP2012119508A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2817821B2 (ja) | 1998-10-30 |
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