JP2817821B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はタブを持たないリードフ
レームに半導体チップ（ＩＣ素子）を実装した半導体装
置に関し、特に、電気的信頼性の向上，高密度化，及び
薄型化を図った半導体装置に関する。
レームに半導体チップ（ＩＣ素子）を実装した半導体装
置に関し、特に、電気的信頼性の向上，高密度化，及び
薄型化を図った半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームに半導体チップ（ＩＣ素
子）を実装する実装方式の場合、一般にリードフレーム
のタブ（アイランド）と呼ばれる部分に半導体チップが
チップボンドされている。その場合、半導体チップのボ
ンディングパッド（電極部）とインナーリード部とはボ
ンディングワイヤを介して結線されており、そのために
半導体チップとインナーリード部との間に結線に空間的
余裕を与えるだけの長さの隙間が形成されている。
子）を実装する実装方式の場合、一般にリードフレーム
のタブ（アイランド）と呼ばれる部分に半導体チップが
チップボンドされている。その場合、半導体チップのボ
ンディングパッド（電極部）とインナーリード部とはボ
ンディングワイヤを介して結線されており、そのために
半導体チップとインナーリード部との間に結線に空間的
余裕を与えるだけの長さの隙間が形成されている。
【０００３】しかし、最近では半導体集積回路の高集積
化，及び高密度化に伴って、半導体チップが大型化する
傾向にあり、上記のような半導体装置では寸法が大きな
半導体チップを実装することが困難であった。すなわ
ち、半導体チップが大きくなると、半導体チップとイン
ナーリード部との間に結線に必要なだけの長さの隙間を
設ける余裕がなくなると共に、インナーリード部の樹脂
封止長さを確保できないという問題があった。
化，及び高密度化に伴って、半導体チップが大型化する
傾向にあり、上記のような半導体装置では寸法が大きな
半導体チップを実装することが困難であった。すなわ
ち、半導体チップが大きくなると、半導体チップとイン
ナーリード部との間に結線に必要なだけの長さの隙間を
設ける余裕がなくなると共に、インナーリード部の樹脂
封止長さを確保できないという問題があった。
【０００４】そこで、このような問題を解決するため
に、特開昭５９−９２５５６号公報や特開昭６１−２４
１９５９号公報に示される半導体装置が提案されてい
る。
に、特開昭５９−９２５５６号公報や特開昭６１−２４
１９５９号公報に示される半導体装置が提案されてい
る。
【０００５】図５、及び図６には、上記公報に示される
半導体装置の構成が示されている。この半導体装置は、
タブを持たないリードフレームを使用して、インナーリ
ード部２、及びバスバー３を半導体チップ４の上部まで
延設して、絶縁体５を介して半導体チップ４とインナー
リード部２、及びバスバー３を固定した構成を有してい
る。インナーリード部２の先端と半導体チップ４の電極
端子１０はボンディングワイヤ６を介して、また、バス
バー３と半導体チップ４の電極端子１０はボンディング
ワイヤ６を介してそれぞれ接続され、上記インナーリー
ド部２の先端と半導体チップ４の電極端子１０間のボン
ディングワイヤ６はバスバー３との接触（ショート）を
避けるために上方に高くループしてバスバー３をまたい
だかたちとないる。
半導体装置の構成が示されている。この半導体装置は、
タブを持たないリードフレームを使用して、インナーリ
ード部２、及びバスバー３を半導体チップ４の上部まで
延設して、絶縁体５を介して半導体チップ４とインナー
リード部２、及びバスバー３を固定した構成を有してい
る。インナーリード部２の先端と半導体チップ４の電極
端子１０はボンディングワイヤ６を介して、また、バス
バー３と半導体チップ４の電極端子１０はボンディング
ワイヤ６を介してそれぞれ接続され、上記インナーリー
ド部２の先端と半導体チップ４の電極端子１０間のボン
ディングワイヤ６はバスバー３との接触（ショート）を
避けるために上方に高くループしてバスバー３をまたい
だかたちとないる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、提案されてい
る半導体装置によると、半導体チップとインナーリード
部を接続するボンディングワイヤを、バスバーとの接触
をさけるために上方に長く張り出させているため、他の
ボンディングワイヤと接触してショートする可能性が非
常に高く、また、ボンディングワイヤの使用量が多くな
るため、コストアップを招く。更に、高くループさせて
いるため半導体装置の厚さが増大するという不都合があ
る。
る半導体装置によると、半導体チップとインナーリード
部を接続するボンディングワイヤを、バスバーとの接触
をさけるために上方に長く張り出させているため、他の
ボンディングワイヤと接触してショートする可能性が非
常に高く、また、ボンディングワイヤの使用量が多くな
るため、コストアップを招く。更に、高くループさせて
いるため半導体装置の厚さが増大するという不都合があ
る。
【０００７】従って、本発明の目的はバスバーと接触さ
せることなくボンディングワイヤの長さを減少でき、信
頼性の向上，コストダウン，及び薄型化を図ることがで
きる半導体装置を提供することである。
せることなくボンディングワイヤの長さを減少でき、信
頼性の向上，コストダウン，及び薄型化を図ることがで
きる半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、バスバーと接触させることなくボンディングワイヤ
の長さを減少でき、信頼性の向上、コストダウン、及び
薄型化を図るため、バスバーのボンディングワイヤ側の
表面に、少なくともそのエッヂより幅方向の両側に広が
った絶縁部材を被覆し、インナーリードと半導体チップ
をボンディングワイヤで最短距離で接続した半導体装置
を提供するものである。
み、バスバーと接触させることなくボンディングワイヤ
の長さを減少でき、信頼性の向上、コストダウン、及び
薄型化を図るため、バスバーのボンディングワイヤ側の
表面に、少なくともそのエッヂより幅方向の両側に広が
った絶縁部材を被覆し、インナーリードと半導体チップ
をボンディングワイヤで最短距離で接続した半導体装置
を提供するものである。
【０００９】バスバーの表面に被覆される絶縁部材は、
例えば、絶縁性の接着剤，或いは塗料をバスバーの表面
に塗布し、これを所定の治具により加圧，加熱してバス
バーのエッヂよりはみ出すように整形することにより形
成することができる。
例えば、絶縁性の接着剤，或いは塗料をバスバーの表面
に塗布し、これを所定の治具により加圧，加熱してバス
バーのエッヂよりはみ出すように整形することにより形
成することができる。
【００１０】
【作用】上記構成を有する本発明の半導体装置は、イン
ナーリードと半導体チップを接続するボンディングワイ
ヤをバスバーから回避させなくてもボンディングワイヤ
の絶縁が図れるため、ボンディングワイヤ６を最短距離
で接続でき、他のボンディングワイヤとの接触を防ぐと
共に、薄型化を実現でき、更に、ボンディングワイヤの
使用量を低減してコストダウンを図ることができる。ま
た、絶縁部材をバスバーの幅より広くした理由は、ボン
ディングワイヤを最短距離で接続した場合に、単にバス
バーの表面に絶縁部材を被覆しただけでは、ボンディン
グワイヤがバスバーのエッヂに接触する恐れがあるから
である。
ナーリードと半導体チップを接続するボンディングワイ
ヤをバスバーから回避させなくてもボンディングワイヤ
の絶縁が図れるため、ボンディングワイヤ６を最短距離
で接続でき、他のボンディングワイヤとの接触を防ぐと
共に、薄型化を実現でき、更に、ボンディングワイヤの
使用量を低減してコストダウンを図ることができる。ま
た、絶縁部材をバスバーの幅より広くした理由は、ボン
ディングワイヤを最短距離で接続した場合に、単にバス
バーの表面に絶縁部材を被覆しただけでは、ボンディン
グワイヤがバスバーのエッヂに接触する恐れがあるから
である。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の半導体装置について添付図面
を参照しつつ詳細に説明する。
を参照しつつ詳細に説明する。
【００１２】図１には、本発明の一実施例の半導体装置
の部分的な構成が示されている。この半導体装置は、リ
ードフレームのインナーリード２，及びバスバー３と、
当該インナーリード２，及びバスバー３に絶縁体５を介
して固定された半導体チップ４と、バスバー３の表面に
形成された絶縁部材１１と、インナーリード２の先端と
半導体チップ４の電極端子１０を電気的に接続するボン
ディングワイヤ６より構成されている。
の部分的な構成が示されている。この半導体装置は、リ
ードフレームのインナーリード２，及びバスバー３と、
当該インナーリード２，及びバスバー３に絶縁体５を介
して固定された半導体チップ４と、バスバー３の表面に
形成された絶縁部材１１と、インナーリード２の先端と
半導体チップ４の電極端子１０を電気的に接続するボン
ディングワイヤ６より構成されている。
【００１３】絶縁部材１１は、バスバー３のエッヂより
両側に広がってバスバー３の表面を被覆しており、これ
を超えるようにしてボンディングワイヤ６が半導体チッ
プ４の電極端子１０に最短距離で接続されている。
両側に広がってバスバー３の表面を被覆しており、これ
を超えるようにしてボンディングワイヤ６が半導体チッ
プ４の電極端子１０に最短距離で接続されている。
【００１４】この半導体装置は、図２より図４に示され
る製造プロセスを経て製造することができる。まず、図
２に示すように、リードフレームのインナーリード２の
先端部，及びバスバー３の下部に絶縁体５を設け、バス
バー３の表面に絶縁性接着剤７をディスペンサによって
塗布する。
る製造プロセスを経て製造することができる。まず、図
２に示すように、リードフレームのインナーリード２の
先端部，及びバスバー３の下部に絶縁体５を設け、バス
バー３の表面に絶縁性接着剤７をディスペンサによって
塗布する。
【００１５】次に、図３に示すように、絶縁体５の下方
に加熱用治具８を配置し、絶縁性接着剤７を加熱して乾
燥させる。
に加熱用治具８を配置し、絶縁性接着剤７を加熱して乾
燥させる。
【００１６】更に、この状態で図４に示すように、絶縁
性接着剤７を加圧用治具９で加圧して圧縮し、絶縁性接
着剤７をバスバー３のエッヂより両側に広がるように偏
平状にする。
性接着剤７を加圧用治具９で加圧して圧縮し、絶縁性接
着剤７をバスバー３のエッヂより両側に広がるように偏
平状にする。
【００１７】最後に、半導体チップ４を絶縁体５の下部
に固定し、インナーリード２の先端と半導体チップ４の
電極端子１０をボンディングワイヤ６で接続して、図１
に示す半導体装置とする。
に固定し、インナーリード２の先端と半導体チップ４の
電極端子１０をボンディングワイヤ６で接続して、図１
に示す半導体装置とする。
【００１８】このような半導体装置は、バスバー３の表
面にバスバー３のエッヂより両側に広がった絶縁部材１
１が被覆されているため、インナーリード２と電極端子
１０を接続するボンディングワイヤ６をバスバー３から
回避させなくてもボンディングワイヤ６の絶縁を図るこ
とができる。このため、ボンディングワイヤ６を最短距
離で接続することができ、コストダウン，及び装置の薄
型化を実現することができる。また、絶縁部材１１をバ
スバー３の幅より広くした理由は、ボンディングワイヤ
６を最短距離で接続した場合、単にバスバー３の表面に
絶縁部材１１を被覆しただけでは、ボンディングワイヤ
６がバスバー３のエッヂに接触するためである。
面にバスバー３のエッヂより両側に広がった絶縁部材１
１が被覆されているため、インナーリード２と電極端子
１０を接続するボンディングワイヤ６をバスバー３から
回避させなくてもボンディングワイヤ６の絶縁を図るこ
とができる。このため、ボンディングワイヤ６を最短距
離で接続することができ、コストダウン，及び装置の薄
型化を実現することができる。また、絶縁部材１１をバ
スバー３の幅より広くした理由は、ボンディングワイヤ
６を最短距離で接続した場合、単にバスバー３の表面に
絶縁部材１１を被覆しただけでは、ボンディングワイヤ
６がバスバー３のエッヂに接触するためである。
【００１９】尚、上記実施例では、絶縁性接着剤として
熱可塑性のポリエーテルアミドイミドを用いた。ディペ
ンサ塗布時はこれを溶媒で樹脂重量比２０％程度に希釈
し、更に、第１次乾燥で５０％程度にまで濃縮してテフ
ロン等の剥離性の良い材質からなる平板（加圧治具９）
で加圧して樹脂層を成形した。その後、第２次乾燥とし
て２５０℃の加熱を行い残存溶媒を０．５％以下とし
た。
熱可塑性のポリエーテルアミドイミドを用いた。ディペ
ンサ塗布時はこれを溶媒で樹脂重量比２０％程度に希釈
し、更に、第１次乾燥で５０％程度にまで濃縮してテフ
ロン等の剥離性の良い材質からなる平板（加圧治具９）
で加圧して樹脂層を成形した。その後、第２次乾燥とし
て２５０℃の加熱を行い残存溶媒を０．５％以下とし
た。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によると、バスバーのボンディングワイヤ側の表面
に、少なくともそのエッヂより幅方向の両側に広がった
絶縁部材を被覆し、インナーリードと半導体チップをボ
ンディングワイヤで最短距離で接続したため、バスバー
と接触させることなくボンディングワイヤの長さを減少
でき、信頼性の向上、コストダウン、及び薄型化を図る
ことができる。
置によると、バスバーのボンディングワイヤ側の表面
に、少なくともそのエッヂより幅方向の両側に広がった
絶縁部材を被覆し、インナーリードと半導体チップをボ
ンディングワイヤで最短距離で接続したため、バスバー
と接触させることなくボンディングワイヤの長さを減少
でき、信頼性の向上、コストダウン、及び薄型化を図る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の一実施例の製造プロセスを示す断面
図。
図。
【図３】本発明の一実施例の製造プロセスを示す断面
図。
図。
【図４】本発明の一実施例の製造プロセスを示す断面
図。
図。
【図５】従来の半導体装置を示す断面図。
【図６】従来の半導体装置を示す断面図。
１ リードフレーム ２ イ
ンナーリード ３ バスバー ４ 半
導体チップ ５ 絶縁体 ６ ボ
ンディングワイヤ ７ 絶縁性接着剤 ８ 加
熱治具 ９ 加圧治具 １０ 電
極端子 １１ 絶縁部材
ンナーリード ３ バスバー ４ 半
導体チップ ５ 絶縁体 ６ ボ
ンディングワイヤ ７ 絶縁性接着剤 ８ 加
熱治具 ９ 加圧治具 １０ 電
極端子 １１ 絶縁部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川村 敏雄 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (72)発明者 宮川 剛 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社 システムマテリアル研究所 内 (56)参考文献 実開 昭63−188942（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームのインナーリード、及びバ
スバー等に絶縁体を介して固定され、前記インナーリー
ド、バスバー等とボンディングワイヤを介して接続され
た半導体チップを備えた半導体装置において、 前記バスバーは、そのエッヂより幅方向の両側に広がっ
た絶縁部材によって前記ボンディングワイヤ側の表面が
被覆され、 前記ボンディングワイヤは、前記バスバーのエッヂより
幅方向に突出した前記絶縁部材を超えて前記半導体チッ
プに接続されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037109A JP2817821B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037109A JP2817821B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05206363A JPH05206363A (ja) | 1993-08-13 |
| JP2817821B2 true JP2817821B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=12488437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037109A Expired - Lifetime JP2817821B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2817821B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2586835B2 (ja) * | 1994-10-28 | 1997-03-05 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路 |
| US7199477B1 (en) * | 2000-09-29 | 2007-04-03 | Altera Corporation | Multi-tiered lead package for an integrated circuit |
| JP2012119508A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525236Y2 (ja) * | 1987-05-28 | 1993-06-25 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP4037109A patent/JP2817821B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05206363A (ja) | 1993-08-13 |
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