JPH05204159A - ポジ型感放射線混合物、およびこの混合物を使用して製造された感放射線記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】酸によって開裂できる化合物との組み合わせで
酸発生化合物をベースとする感放射線混合物（光分解生
成物として腐食作用を有していない酸を与える）および
この混合物を用いて製造された感放射線記録材料を提供
する。 【構成】ａ）化学線の作用下で強酸を発生する化合物、 ｂ）酸によって開裂できる少なくとも１個のＣ−Ｏ−Ｃ
またはＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物および ｃ）水に不溶性であり且つ水性アルカリ性溶液に可溶性
または少なくとも膨潤性である高分子結合剤を有するポ
ジ型感放射線混合物であって、化合物（ａ）は１−スル
ホニルオキシ−２−ピリドンである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、 ａ）化学線の作用下で強酸を発生する化合物、 ｂ）酸によって開裂できる少なくとも１個のＣ−Ｏ−Ｃ
またはＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物、および ｃ）水に不溶性であり且つ水性アルカリ性溶液に可溶性
または少なくとも膨潤性である高分子結合剤を有するポ
ジ型感放射線混合物に関する。

【０００２】また、本発明は、この混合物を使用して製
造され且つフォトレジスト、電子部品、印刷版を製造す
るために、または化学ミリングに好適である感放射線記
録材料に関する。

【０００３】

【従来の技術】マイクロエレクトロニック回路を製造す
るために、数種のリソグラフィ技術が現在使用されてい
る。通常のジアゾナフトキノン／ノボラック処方物に通
常適用するｇ線リソグラフィ（４３６nm）を使用して、
最小０．８μｍまでの解像度を有するレジスト画像は、
製造できる。レジスト層上の一層微細な構造物（最小
０．５μｍまで）の画像が、ｉ線リソグラフィ（３６５
nm）によって得ることができる。ｉ線リソグラフィのよ
り最近の修正、例えば、相シフトマスクテクノロジー
は、構造物の大きさの更なる減少を可能にし、その画像
は最小約０．３５μｍまでまたはそれ以下まで正しく形
成される。一層高い解像度は、ＵＶ２フォトレジストを
使用して達成できる。この場合には、ＵＶ２広バンド露
光（２４０〜２６０nm）または２４８nmで放出するＫｒ
Ｆエキシマレーザでの露光による。２種の照射技術が使
用される。構造物の大きさを例えばチップ製作において
１μｍ未満の範囲に継続的に減少することは、修正リソ
グラフィ技術を必要とする。このような微細構造の画像
を形成するためには、高エネルギー紫外光、電子ビー
ム、Ｘ線などの短波長の放射線が、使用されている。感
放射線混合物は、短波放射線に適していなければならな
い。感放射線混合物によって満たされなければならない
要件の列挙は、C. G.Willson による文献「Organic Res
ist Materials-Theory and Chemistry 」（L.F. Thomps
on, C. G. Willson, M. J. Bowden編のIntroduction to
Microlithography, Theory, Materials, and Processi
ng, ACS Symp. Ser.,２１９，８７（１９８３），アメ
リカン・ケミカル・ソサエティー、ワシントン〕に与え
られている。それゆえ、より最近のテクノロジー、例え
ば、中ＵＶまたは遠ＵＶリソグラフィ〔例えば、波長３
０５nm（ＸｅＦ）、２４８nm（ＫｒＦ）、１９３nm（Ａ
ｒＦ）のエキシマレーザで露光〕、電子ビームリソグラ
フィまたはＸ線リソグラフィで使用でき、更に好ましく
は広スペクトル領域内で感受性であり、対応的に通常の
ＵＶリソグラフィでも使用できる感放射線混合物の要求
が増大していた。

【０００４】水に不溶性であり且つ水性アルカリ性溶液
に可溶性または少なくとも膨潤性である結合剤および化
学線の作用下で強酸を発生する成分に加えて、必須成分
として、酸によって開裂でき、例えばＣ−Ｏ−Ｃまたは
Ｃ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物を含有する混合物は、
一般原則として、例えば、ＤＥ−Ａ第２，３０６，２４
８号明細書（＝米国特許第３，７７９，７７８号明細
書）から既知である。

【０００５】照射時に強酸を発生する化合物として、特
に、オニウム塩、例えば、ＨＳｂＦ₆ 、ＨＡｓＦ₆ 、Ｈ
ＰＦ₆ などの非求核酸のジアゾニウム塩、ホスホニウム
塩、スルホニウム塩およびヨードニウム塩が、従来使用
されてきた〔J. V. Crivello, Polym. Eng. Sci., ２３
（１９８３）９５３〕。更に、ハロゲン化合物、特にト
リクロロメチルトリアジン誘導体、トリクロロメチルオ
キサジアゾール誘導体およびｏ−キノンジアジドスルホ
ニルクロリドが推奨されてきた。

【０００６】これらの化合物は、ネガ型またはポジ型感
放射線混合物で使用されている。しかしながら、このよ
うな光分解酸発生剤の使用は、各種の応用分野での可能
な用途を徹底的に制限する或る不利も伴う。このよう
に、例えば、オニウム塩の多くは、毒性である。それら
の溶解度は、多くの溶媒で不十分であり、このことは若
干の溶媒のみがコーティング溶液を調製するのに好適で
ある理由である。更に、オニウム塩を使用する時には、
特にマイクロリトグラフィで、プロセスを妨害させるこ
とがある望ましくない異原子が時々導入される。更に、
オニウム塩は、ブレンステッド酸を生成し、このブレン
ステッド酸は光分解において非常に激しい腐食作用を有
する。これらの酸は、感受性基板を攻撃し、それゆえこ
のような混合物の使用は不満足な結果をもたらす。前に
既述のように、ハロゲン化合物、そしてまたキノンジア
ジドスルホン酸クロリドも、激しい腐食作用を有するハ
ロゲン化水素酸を生成する。加えて、このような化合物
は、或る基板上で限定された貯蔵寿命のみを有し且つこ
のことは中間層を基板と（ａ）型の化合物を含有する感
放射線層との間に挿入することによって改善されたが、
このことは、欠陥の望ましくない増大および軽減された
再現性をもたらす（ＤＥ−Ａ第３，６２１，３７６号明
細書＝米国特許第４，８４０，８６７号明細書）。

【０００７】F. M. Houlihan等によるより最近の論文Ｓ
ＰＩＥ９２０，６７（１９８８）には、前記酸発生剤に
加えて、露光時に低い移行傾向を有するスルホン酸を発
生するニトロベンジルトシレートも或る酸不安定レジス
ト処方物で使用できることは、ポジ型システムを参照す
ることによって示された。これらの結果から、このよう
な化合物が光硬化性系にも使用できると推論できる。し
かしながら、このようにして達成された感度およびフォ
トレジストの熱安定性は、不十分であることが証明され
た。

【０００８】ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ン酸エステル、オキシムスルホネート、１，２−ジスル
ホン、ビス−スルホニル−ジアゾメタン（ＤＥ−Ａ第
３，９３０，０８６号明細書）およびスルホニルカルボ
ニルジアゾメタン（ＤＥ−Ａ第３，９３０，０８７号明
細書）を有するレジスト処方物も、既に開示されてい
る。化学線の作用下で、すべてのこれらの化合物は、腐
食作用を有していないスルホン酸を発生する。しかしな
がら、それらは、適切な熱安定性をしばしば有していな
い。更に、光化学反応は、不満足な量子収率で進行す
る。レジスト処方物は、波長２４８nmの放射線をかなり
の程度吸収する。この波長の放射線に対する感度は、５
０〜１００mJ／cm² の範囲内である。実際に生ずるよう
に０．５μｍ以下の桁を有する構造物の画像は、このよ
うなレジストによっては形成できない。

【０００９】また、メタン−、エタン−、プロパン−、
ブタン−、ベンゼン−、トルエン−またはナフタレンス
ルホン酸で完全にエステル化された１，２，３−トリヒ
ドロキシベンゼンをポジ型フォトレジスト系において光
活性酸発生剤として使用することは既知である（T. Uen
o 等，“Polymers for Microelectronics-Science and
Technology”中のChemical Amplification Positive Re
sist Systems UsingNovel Sulfonates as Acid Generat
ors ，Y. Tanata 等編，Kodansha-Weinheim-New York,
１９８９、６６頁〜６７頁）。しかしながら、これらの
レジスト系は、実際には使用されていない。その理由
は、それらの熱安定性および耐プラズマエッチング性が
不十分であり且つ現像後に溝中のレジスト残存物および
許容できないレジストプロフィールが観察されるからで
ある。これらのレジスト系の感度は、ＵＶ２範囲に制限
されている。

【００１０】この分野で今までに行われた徹底的な研究
活動にも拘らず、遠ＵＶ領域〔ＤＵＶ（２００〜３００
nm）〕、そしてまた中ＵＶ領域〔ＭＵＶ（３００〜３５
０nm）〕および近ＵＶ領域〔ＮＵＶ（３５０〜４５０n
m）〕での高感度および高い解像度を有し、且つ短い照
射時にさえ、腐食作用を有しておらず且つ（ｂ）型の化
合物を開裂するのに十分な程強い十分な量の酸を放出
し、且つ加えて水性アルカリ性媒体中でも現像できるポ
ジ型感放射線記録材料を与えることができる感放射線混
合物は、現在既知ではない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】それゆえ、本発明の目
的は、酸によって開裂できる化合物との組み合わせで酸
発生化合物をベースとする感放射線混合物（酸を光分解
的に発生する化合物（ａ）はすべての既知の基板上でで
きるだけ安定であるべきであり且つ光分解生成物として
腐食作用を有していない酸を与える）を提案することに
ある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この目的は、 ａ）化学線の作用下で強酸を発生する化合物、 ｂ）酸によって開裂できる少なくとも１個のＣ−Ｏ−Ｃ
またはＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物および ｃ）水に不溶性であり且つ水性アルカリ性溶液に可溶性
または少なくとも膨潤性である高分子結合剤を有するポ
ジ型感放射線混合物であって、化合物（ａ）は式（Ｉ）

【００１３】

【化５】 （式中、Ｒ¹ は水素原子またはアルキル、シクロアルキ
ル、アリール、アラルケニル、ヘテロアリールまたはヘ
テロアラルケニル基であり、Ｒ² は水素、塩素、臭素ま
たはアルキル、シクロアルキル、アリールまたはヘテロ
アリール基であり、またはＲ¹ およびＲは一緒に５〜８
員環を形成し、Ｒ³ は水素またはアルキル基であり、Ｒ
⁴ は水素、ハロゲン、ニトロ、アシルアミノ、シアノ、
チオシアナトまたはアルキル、アルケニル、アルキニ
ル、アリール、アラルキル、アルキルチオ、アリールチ
オまたはシクロアルキルチオ基であり、Ｒ⁵ は水素また
はアルキルまたはアリール基であり、またはＲ⁴ および
Ｒ⁵ は一緒に５〜８員環を形成し、Ｒ⁶ は水素、ハロゲ
ン、ニトロ、アシルアミノ、シアノ、チオシアナトまた
はアルキル、アルケニル、アルコキシアルキル、アリー
ル、アラルキル、アルキルチオ、シクロアルキルチオま
たはアリールチオ基であり、Ｒ⁷ はアルキルまたはシク
ロアルキル基、過フッ素化または高フッ素化アルキル基
またはアリール、アリールアルキルまたはヘテロアリー
ル基またはアルキレンまたはアリーレン基であり、ｎは
０〜３の整数であり、ｍは１または２の数である）の１
−スルホニルオキシ−２−ピリドンであることを特徴と
するポジ型感放射線混合物によって達成される。

【００１４】化学線の作用下で、化合物（ａ）は、特定
の化学反応、例えば、遊離基重合を開始することができ
る反応性中間段階を生ずる。しかしながら、照射時に、
それらは、カチオン重合、架橋反応、酸不安定化合物の
開裂などの反応を触媒する有機酸を特に発生するか、塩
基と反応でき、このことは、例えば、指示薬染料の色変
化において現われることができる。

【００１５】Ｒ¹ がアルキルまたはシクロアルキル基ま
たは式II

【００１６】

【化６】 〔式中、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は同一または異種であり、水素
または低級アルキルまたはアリール基であり、Ｒ¹⁰〜Ｒ
¹⁴は同一または異種であり、水素、アルキル、アルケニ
ル、アルコキシ、アルキルチオまたはアルカンスルホニ
ル基（各々は６個までの炭素原子を有する）、炭素数８
までのシクロアルキルオキシ、シクロアルキルチオまた
はシクロアルカンスルホニル基、フェニル、スチリル、
フェノキシ、フェニルチオ、ベンゼンスルホニル、フェ
ニルアルコキシ、フェニルアルキルチオまたはフェニル
アルカンスルホニル基（芳香環上で置換してもよく且つ
アルキル鎖中に３個までの炭素原子を有する）、ヒドロ
キシル、ハロゲン、トリフルオロメチル、ニトロ、シア
ノ、アルコキシカルボニル、カルバモイル（窒素上で５
〜７員環を形成するために結合してもよい１または２個
のアルキル基で置換してもよい）、スルファモイル（窒
素上で５〜７員環を形成するために結合してもよい１ま
たは２個のアルキル基で置換してもよい）、アルカンス
ルホニルオキシ、アリールスルホニルオキシ、アシルア
ミノ、アルキルアミノまたはアリールアミノであり、ま
たは２個の相互に隣接する置換基Ｒ¹⁰〜Ｒ¹⁴は１または
２個の更に他の縮合環を形成し、ｏは０または１の数で
ある〕のアリール基である式Ｉの化合物は、好ましい。

【００１７】加えて、Ｒ¹ が、式III

【００１８】

【化７】 の、３個までのヘテロ原子を有する５または６員複素環
式環である式Ｉの化合物も、好ましい。

【００１９】最後に、Ｒ¹ がフェロセニル基であり、Ｒ
² が水素、塩素、臭素、アルキル、シクロアルキルまた
は式IIまたはIII の基であり、またはＲ¹ およびＲ² が
一緒に５〜８員環を形成し、Ｒ³ が水素またはアルキル
基であり、Ｒ⁴ が水素、ハロゲン、ニトロ、アシルアミ
ノ、シアノ、チオシアナトまたはアルキル、アリール、
アルキルチオ、アリールチオまたはシクロアルキルチオ
基であり、Ｒ⁵ が水素またはアルキルまたはアリール基
であり、またはＲ⁴ およびＲ⁵ が一緒に５〜８員環を形
成し、Ｒ⁶ が水素、ハロゲン、ニトロ、アシルアミノ、
シアノ、チオシアナトまたはアルキル、アリール、アル
キルチオ、アリールチオまたはシクロアルキルチオ基で
あり、Ｒ⁷ がアルキルまたはシクロアルキル基、過フッ
素化または高フッ素化アルキル基またはアリール、アリ
ールアルキルまたはヘテロアリール基またはアルキレン
またはアリーレン基であり、ｍが１または２の数であ
り、ｎが０〜３の整数である式Ｉの化合物も、好まし
い。

【００２０】Ｒ⁷ が炭素数１〜４のアルキル基、炭素数
１〜４の高フッ素化アルキル基または過フッ素化アルキ
ル基または式IV

【００２１】

【化８】 〔式中、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁹は同一または異種であり、水素原子
またはハロゲン原子、好ましくはフッ素、塩素または臭
素、アルキル基（６個までの炭素原子を有し且つ非置換
であるかハロゲン原子、好ましくは塩素または臭素、ア
リールまたはアリールオキシ基で置換されている）（個
々のメチレン基は酸素または硫黄原子で置換でき、各々
の場合にこれらの基の２つは５または６員環を形成する
ために結合できる）、炭素数８までのシクロアルキル
基、炭素数６までのアルケニル基または炭素数１０まで
のアリールまたはアリールオキシ基であり、基Ｒ¹⁵〜Ｒ
¹⁹中の炭素原子の合計数は１２以下である〕のアリール
基である式Ｉの化合物が、特に好ましい。

【００２２】Ｒ⁷ が炭素数１０までのナフチルまたはヘ
テロアリール基、炭素数６までのアルキレン基または炭
素数１４までのアリーレンまたはヘテロアリーレン基で
ある式Ｉの化合物も、好ましい。

【００２３】Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ およびＲ⁶ が水素原子で
あり、Ｒ⁵ がメチル基であり、Ｒ⁷ がメチル、エチル、
トリフルオロメチル、１，１，２，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロピル、フェニル、トリル、４−フルオロフ
ェニル、４−クロロフェニル、４−ブロモフェニルまた
は４−ニトロフェニル基であり、ｍが１の数であり、ｎ
が０または１の数である式Ｉの化合物が、非常に特に好
ましい。

【００２４】詳細には、特に好ましい化合物のうち、基
Ｒ⁷ は、例えば、下記意味を有することができる：メチ
ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ヘキシ
ル、オクチル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オク
タデシル、１０−カンフィル、クロロメチル、２−クロ
ロエチル、３−クロロプロピル、ジクロロメチル、トリ
クロロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチ
ル、２，２，２−トリフルオロエチル、３，３，３，
２，１，１−ヘキサフルオロプロピル、ペルフルオロヘ
キシル、トリメチルシリルメチル、メタンスルホニルメ
チル、フェニル、ベンジル、４−アセチルフェニル、４
−アセチルアミノフェニル、２−、３−または４−ブロ
モフェニル、２−、３−または４−クロロフェニル、２
−、３−または４−フルオロフェニル、４−ヨードフェ
ニル、２−シアノフェニル、４−シアノフェニル、２
−、３−または４−メチルフェニル、４−エチルフェニ
ル、４−プロピルフェニル、４−イソプロピルフェニ
ル、４−イソブチルフェニル、４−ｔ−ブチルフェニ
ル、４−ｔ−アミルフェニル、４−ヘキシルフェニル、
４−メトキシフェニル、４−ブトキシフェニル、４−ヘ
キサデシルオキシフェニル、２−、３−または４−トリ
フルオロメチルフェニル、２−または４−トリフルオロ
メトキシフェニル、２−、３−または４−ニトロフェニ
ル、３−または４−カルボキシフェニル、２−メトキシ
カルボニルフェニル、４−テトラフルオロエトキシフェ
ニル、β−スチリル、４−アセチルアミノ−３−クロロ
フェニル、４−アセチルアミノ−３−フルオロフェニ
ル、３，５−ビストリフルオロメチルフェニル、２，５
−ビス−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−フェ
ニル、２，５−ジメチルフェニル、２，４−、２，５−
または３，４−ジメトキシフェニル、２，４−ジイソプ
ロピルフェニル、５−ブロモ−２−メトキシフェニル、
２−または３−クロロ−４−フルオロフェニル、３−ク
ロロ−２−メチルフェニル、３−クロロ−４−メトキシ
フェニル、２−クロロ−６−メチルフェニル、２−クロ
ロ−４−トリフルオロメチルフェニル、５−クロロ−２
−メトキシフェニル、５−フルオロ−２−メチルフェニ
ル、２，５−または３，４−ジブロモフェニル、２，３
−、２，４−または２，５−、２，６−、３，４−また
は３，５−ジクロロフェニル、２−（２，４−ジクロロ
フェノキシ）−フェニル、４−（２−クロロ−６−ニト
ロフェノキシ）−フェニル、４−（３−クロロ−２−シ
アノフェノキシ）−フェニル、２，４−または２，５−
ジフルオロフェニル、３−カルボキシ−４−クロロフェ
ニル、４−クロロ−３−ニトロフェニル、２−メチル−
５−ニトロフェニル、４−クロロ−３−または２−クロ
ロ−５−トリフルオロメチルフェニル、４−（２，２−
ジクロロシクロプロピル）−フェニル、２，４−ジニト
ロフェニル、４−ジメチルアミノ−３−ニトロフェニ
ル、２−ニトロ−４−トリフルオロメチルフェニル、
２，４，６−トリメチルフェニル、２，４，６−トリイ
ソプロピルフェニル、２，３，４−、２，４，５−また
は２，４，６−トリクロロフェニル、４−クロロ−２，
５−ジメチルフェニル、２，４−ジクロロ−５−メチル
フェニル、３，５−ジクロロ−２−ヒドロキシフェニ
ル、３，５−ジクロロ−４−（４−ニトロフェノキシ）
−フェニル、４−（２−クロロ−４−ニトロフェノキ
シ）−３，５−ジクロロフェニル、４−ブロモ−２，５
−ジフルオロフェニル、２，４−ジメチル−３−ニトロ
フェニル、３，５−ジニトロ−４−メチルフェニル、
２，３，５，６−テトラメチルフェニル、４−メトキシ
−２，３，６−トリメチルフェニル、２，５−ジブロモ
−３，６−ジフルオロフェニル、２，３，４，５，６−
ペンタフルオロフェニル、１−または２−ナフチル、５
−ジアゾ−６−オキソ−５，６−ジヒドロ−１−ナフチ
ル、６−ジアゾ−５−オキソ−５，６−ジヒドロ−１−
ナフチル、５−ジアゾ−６−オキソ−５，６−ジヒドロ
−８−ナフチル、５−ジアゾ−３−メトキシ−６−オキ
ソ−５，６−ジヒドロ−８−ナフチル、５−ジメチルア
ミノ−１−ナフチル、１−アントラセニル、２−アント
ラキノニル、８−キノリニル、２−チエニル、５−クロ
ロ−２−チエニル、４−ブロモ−２，５−ジクロロ−３
−チエニル、４，５−ジブロモ−２−チエニル、２，３
−ジクロロ−５−チエニル、２−ブロモ−３−クロロ−
５−チエニル、３−ブロモ−２−クロロ−５−チエニ
ル、３−ブロモ−５−クロロ−２−チエニル、２，５−
ジクロロ−３−チエニル、２−（２−ピリジル）−５−
チエニル、５−クロロ−１，３−ジメチル−４−ピラゾ
リル、３，５−ジメチル−４−イソキサゾリル、２，４
−ジメチル−５−チアゾリル、２−アセチルアミノ−４
−メチル−５−チアゾリルまたは１，４−ブチレン、２
−オキソ−１，３−プロピレン、１，２または１，３−
フェニレン、３−メチル−１，２−フェニレン、２，
４，６−トリメチル−１，３−フェニレン、４，４′−
ビフェニレン、４，４′−メチレンジフェニレン、４，
４′−オキシビフェニレン、１，５−ナフチレン、２−
クロロ−３，５−チエニレン、２−（１−メチル−５−
トリフルオロメチルピラゾール−３−イル）−３，５−
チエニレン。

【００２５】詳細には、特に好ましい化合物のうち、基
Ｒ¹ は、例えば、下記意味を有することができる：メチ
ル、クロロメチル、ブロモメチル、エチル、プロピル、
イソプロピル、ブチル、イソブチル、ヘキシル、シクロ
ヘキシル、オクチル、フェニル、４−アセチルアミノフ
ェニル、４−アセトキシフェニル、３−または４−ベン
ジルオキシフェニル、３−ベンジルオキシ−４−メトキ
シフェニル、４−ベンジルオキシ−３−メトキシフェニ
ル、４−ビフェニル、３，５−ビス（トリフルオロメチ
ル）−フェニル、２−、３−または４−フルオロフェニ
ル、２−、３−または４−クロロフェニル、２−、３−
または４−ブロモフェニル、４−ヨードフェニル、２
−、３−または４−シアノフェニル、２−、３−または
４−メチルフェニル、２−、３−または４−エチルフェ
ニル、２−、３−または４−プロピルフェニル、２−、
３−または４−イソプロピルフェニル、２−、３−また
は４−ブチルフェニル、２−、３−または４−イソブチ
ルフェニル、２−、３−または４−sec −ブチルフェニ
ル、２−、３−または４−ｔ−ブチルフェニル、２−、
３−または４−ペンチルフェニル、２−、３−または４
−ヘキシルフェニル、２−、３−または４−シクロヘキ
シルフェニル、２−、３−または４−ノニルフェニルま
たは２−、３−または４−ドデシルフェニル、２−、３
−または４−メトキシフェニル、２−、３−または４−
エトキシフェニル、２−、３−または４−イソプロポキ
シフェニル、２−、３−または４−ブトキシフェニル、
２−、３−または４−ペントキシフェニル、２−、３−
または４−オクチルオキシフェニル、または２−、３−
または４−デシルオキシフェニル、２，３−、２，４
−、２，６−、３，４−または３，５−ジフルオロフェ
ニル、２，３−、２，４−、２，６−、３，４−または
３，５−ジクロロフェニル、２，３−、２，４−、２，
６−、３，４−または３，５−ジブロモフェニル、３−
（３，４−ジクロロフェノキシ）−フェニル、３−
（３，５−ジクロロフェノキシ）−フェニル、３−ブロ
モ−４−フルオロフェニル、５−ブロモ−２，４−ジメ
トキシフェニル、２−クロロ−６−フルオロフェニル、
２−クロロ−５−、２−クロロ−６−、４−クロロ−３
−または５−クロロ−２−ニトロフェニル、３−（４−
クロロフェノキシ）−フェニル、３，４−ビスベンジル
オキシフェニル、２，３−、２，４−、２，５−、３，
４−または３，５−ジメトキシフェニル、２，３−、
２，４−、２，５−、３，４−または３，５−ジエトキ
シフェニル、２，３−、２，４−、２，５−、３，４−
または３，５−ジブトキシフェニルまたは２，３−、
２，４−、２，５−、３，４−または３，５−ジヘキシ
ルオキシフェニル、２，４−ジメトキシ−３−メチルフ
ェニル、２−エトキシ−５−メトキシフェニル、３−ク
ロロ−４−メチルフェニル、２，４−または２，５−ジ
メチルフェニル、２−、３−または４−メトキシエチル
フェニル、２−、３−または４−エトキシエチルフェニ
ル、２−、３−または４−ブトキシエチルフェニル、
２，６−ジニトロフェニル、２，４，６−トリメチルフ
ェニル、３，４，５−トリメトキシフェニル、３，４，
５−トリエトキシフェニル、２，３−または３，４−メ
チレンジオキシフェニル、２−または３−チエニル、２
−フルオレニル、９−アントリル、１−ピレニル、９−
フェナントリル、５−ブロモ−２−チエニル、３−メチ
ル−２−チエニル、５−メチル−２−チエニル、５−ニ
トロフリル、１０−クロロ−９−アントリルまたはフェ
ロセニル。

【００２６】これらの基は、これらの基をベースとする
出発化合物が市販されているという理由で特に好まし
い。しかしながら、更に他の化合物は、当業者の精通し
た方法によって単純な方式で製造できる。

【００２７】前記化合物は、２００〜５５０nmの範囲内
の吸収極大を有し、それゆえＵＶ２放射線（２２０〜２
８０nm）、ＵＶ３放射線（３００〜３５０nm）またはＵ
Ｖ４放射線（３５０〜４５０nm）の高エネルギー紫外
線、そしてまた高エネルギー可視光線（４５０〜５５０
nm）の照射に非常によく適している。それらは、波長＜
２２０nmの放射線の照射時にさえ高い活性を示す。しか
しながら、この領域での高い吸収のため、それらは、い
わゆる「トップレーヤー画像形成」法に優先的に適用で
きる。

【００２８】１−ベンゼンスルホニルオキシ−および１
−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２−ピリドン
およびその製法は、既知である（E. C. Taylor等，J. O
rg.Chem., ３５，１６７２，１９７０）。しかしなが
ら、これらの化合物の放射線感度は、認識されなかっ
た。新規の１−スルホニルオキシ−２−ピリドンは、同
時出願の独国特許出願Ｐ第４１ １２ ９６７．９号明
細書に記載されている。

【００２９】ロイコ染料を含有する感放射線混合物にお
いて１−スルホニルオキシ−２−ピリドンを光酸化剤と
して使用することは、米国特許第４，４２５，４２４号
明細書に開示されている。このような混合物において
は、光酸化剤は、照射時に、例えばロイコ染料の酸化を
生じ、このようにして強い色変化を受け且つ露光部と未
露光部との間の目視コントラストを生ずる。このような
色変化は、複写結果を露光後現像前に評価することを可
能にするために、例えば印刷版の製版においては工業上
望ましい。

【００３０】本発明に係る感放射線混合物は、広いスペ
クトル範囲にわたっての高感度によって区別される。そ
れは、高い熱安定性を示し且つ原稿の非常に微細な構造
の精密な詳細を再現することを可能にする。照射時に発
生する酸は、腐食作用を有しておらず、それゆえ混合物
は感受性基板材料上にも使用できる。

【００３１】驚異的なことに、本発明に係る混合物を照
射する時には、スルホン酸は、高い量子収率で発生す
る。高分子量のため、スルホン酸は、感放射線層への拡
散または移動度のはるかに減少された傾向を示す。高い
酸発生効率は、本発明に係る混合物が実質上増大された
感度を示すことを意味する。本発明に係るポジ型感放射
線混合物は、高い耐熱性および耐プラズマエッチング性
を追加的に示すだけではなく、１／２μｍ範囲、時々１
／２μｍ未満の範囲での解像を可能にする顕著なリソグ
ラフィ特性も示す。造像的に照射した後に現像した後、
詳細に真実のマスクの画像が、得られる。レジストエリ
アは、急勾配のフランクを示す。照射部においては、レ
ジスト層は、完全に離され、即ち、層の残存物または残
渣は、基板上には残らない。光分解で発生するスルホン
酸は、レジスト成分（ｂ）の効率的な開裂をもたらし、
このことは高感度ポジ型混合物の製造を可能にする。

【００３２】式Ｉの１−スルホニルオキシ−２−ピリド
ンは、高エネルギー短波放射線によっても活性化できる
こと、および例えば高エネルギーＵＶ２放射線（２４８
nm）用高感度フォトレジストの製造がこのように可能で
あることは更に驚異的であった。しかしながら、特に、
まだ十分なスペクトル感度があり、このことは通常の光
学的リソグラフィの範囲内でさえ（４３６nm）分子の開
裂をもたらしてスルホン酸を与えることは予想外であっ
た。

【００３３】本発明に係る混合物においては、１−スル
ホニルオキシ−２−ピリドンは、波長約２２０〜５００
nmの放射線に対して混合物の残りの成分よりも高いモル
吸収を示すべきである。

【００３４】本発明に係る混合物を使用して製造される
記録材料は、最も厳しい要件を満たす画像弁別（differ
entiation)を示し、コントラストおよび解像力の向上を
示す。例えば、本発明に係る混合物は、高エネルギーＵ
Ｖ２放射線（例えば、２４８nm）用高感度ポジ型フォト
レジストを製造させる。

【００３５】本発明に係る混合物が広いスペクトル範囲
にわたって感受性であるので、化学線は、一般に、造像
的照射に好適である。化学線は、この文脈で、そのエネ
ルギーが少なくとも短波可視光線（＜５５０nm）のもの
に対応する放射線を意味すると理解すべきである。特
に、１５０〜５５０nm、好ましくは２００〜４５０nm、
特に好ましくは２４０〜４４０nmの範囲内の紫外線、し
かしまた電子ビームまたはＸ線が、ここで好適である。

【００３６】更に、多官能スルホン酸エステルは、オニ
ウム塩、ハロゲン化合物、特にトリクロロメチルトリア
ジン誘導体またはトリクロロメチルオキサジアゾール誘
導体、１，２−ジスルホン、ｏ−キノンジアジドスルホ
ニルクロリドまたは有機金属／有機ハロゲン組み合わせ
と組み合わせこともできる。しかしながら、ビス（スル
ホニル）ジアゾメタンおよびスルホニル−カルボニルジ
アゾメタンとの混合物も、可能である。しかしながら、
このような混合物においては、前記不利が再び現れるこ
とがある。

【００３７】本発明に係る混合物中の酸発生化合物
（ａ）の含量は、一般に、混合物中の固形分の全重量に
対して０．５〜２５重量％、好ましくは１〜１５重量％
である。

【００３８】下記の種類の化合物は、とりわけ、本発明
に係る感放射線混合物で酸開裂性化合物（ｂ）として好
適であることが証明された。

【００３９】１）少なくとも１個のオルトカルボン酸エ
ステル基および／またはカルボン酸アミドアセタール基
を有するもの（この化合物は重合体特性も有し且つ前記
基は主鎖または側鎖で生ずることが可能である）（ＤＥ
−Ａ第２，６１０，８４２号明細書および第２，９２
８，６３６号明細書）、 ２）主鎖に反復アセタールおよび／またはケタール基を
有するオリゴマーまたは重合体化合物（ＤＥ−Ａ第２，
３０６，２４８号明細書および第２，７１８，２５４号
明細書）、 ３）少なくとも１個のエノールエーテル基またはＮ−ア
シルイミノカーボネート基を有する化合物（ＥＰ−Ａ第
０，００６，６２６号明細書および第０，００６，６２
７号明細書）、 ４）β−ケトエステルまたはβ−ケトアミドの環式アセ
タールまたはケタール（ＥＰ−Ａ第０，２０２，１９６
号明細書）、 ５）シリルエーテル基を有する化合物（ＤＥ−Ａ第３，
５４４，１６５号明細書および第３，６０１，２６４号
明細書）、 ６）シリルエノールエーテル基を有する化合物（ＤＥ第
３，７３０，７８５号明細書および第３，７３０，７８
３号明細書）、 ７）現像液中の溶解度０．１〜１００ｇ／リットルを有
するアルデヒドおよびケトンのモノアセタールまたはモ
ノケタール（ＤＥ−Ａ第３，７３０，７８７号明細
書）、 ８）第三級アルコールをベースとするエーテル（米国特
許第４，６０３，１０１号明細書） ９）カルボン酸エステルおよびカーボネート（そのアル
コール成分は第三級アルコール、アリルアルコールまた
はベンジルアルコールである）〔米国特許第４，４９
１，６２８号明細書およびJ. M. Frechet 等，J. Imagi
ng Sci. ３０，５９−６４（１９８６）〕および １０）Ｎ，Ｏ−アセタール（先行の刊行物ではない独国
特許出願Ｐ第４１ １２ ９６８．７号明細書）。

【００４０】化合物（ｂ）または化合物（ｂ）の組み合
わせは、感放射線混合物中の固形分の全重量の１〜６０
重量％、好ましくは５〜５０重量％のシェアを構成す
る。

【００４１】本発明に係る感放射線混合物は、水に不溶
性であるが水性アルカリ性溶液に可溶性または少なくと
も膨潤性である少なくとも１種の高分子結合剤（ｃ）も
含有する。結合剤は、本発明に係る感放射線混合物の他
の成分とよく相容すること、そして特に１９０〜３００
nmの波長範囲内での最低の可能な特性吸収、即ち、高い
透明性を有することにより特に区別される。

【００４２】通常の応用、即ち、近ＵＶ範囲内での光源
を使用しての応用の場合には、一般に光活性成分として
のナフトキノンジアジドと併用されるノボラック縮合樹
脂をベースとする結合剤は、この目的に特に好適であ
る。このようなフェノール−ホルムアルデヒド縮合物
は、数多く記載されており且つフェノール成分としてフ
ェノール、３種の位置異性体クレゾールまたは他のアル
キルフェノール、例えば、キシレノールを含有できる。
ホルムアルデヒドに加えて、他のアルデヒドも、重合体
を製造するのに利用できる。しかしながら、後述のヒド
ロキシル基を含有する重合体も、近ＵＶ光の照射の場合
に使用でき、これらは５０％まで、好ましくは２０％ま
での割合の前記ノボラック重合体と混合できる。

【００４３】しかしながら、ＵＶ２範囲内での応用の場
合には、異なる高分子物質が必要とされる。特に、これ
らは、一般にナフトキノンジアジドとの組み合わせで光
活性成分として使用されるノボラックを包含しない。ノ
ボラックは、露光部で、短波放射線への造像的露光後の
水性アルカリ性現像液中の溶解度の増大を示すが、露光
に望まれる波長範囲内での特性吸収は、望ましくない程
高い。

【００４４】しかしながら、ノボラック縮合樹脂は、結
合剤として好適な高い透明性の他の結合剤との混合物と
して使用できる。ここで混合比は、ノボラック樹脂と混
合すべき結合剤の性状に主として依存する。特に重要な
因子は、前記波長範囲内での結合剤の特性吸収度、そし
てまた感放射線混合物の他の成分との混和性である。し
かしながら、一般に、本発明に係る感放射線混合物の結
合剤は、ノボラック縮合樹脂３０重量％まで、特に２０
重量％までを含有できる。

【００４５】好適な結合剤は、４−ヒドロキシスチレン
およびそれらのアルキル誘導体、例えば、３−メチル−
４−ヒドロキシスチレン、２，３−または３，５−ジメ
チル−４−ヒドロキシスチレンの単独重合体または共重
合体、および他のビニルフェノール、例えば、２−また
は３−ヒドロキシスチレンまたはアクリル酸とフェノー
ル基を含有する芳香族化合物とのエステルまたはアミド
の単独重合体または共重合体である。スチレン、（メ
タ）アクリル酸メチルなどの重合性化合物は、コモノマ
ーとして使用できる。

【００４６】増大された耐プラズマ性を有する混合物
は、ケイ素含有ビニル単量体、例えば、ビニルトリメチ
ルシランも結合剤の製造に使用する時に得られる。これ
らの結合剤の透明性は、一般に、遠ＵＶ範囲内高く、そ
れゆえ改善された構造化が可能である。

【００４７】マレイミドの単独重合体または共重合体は
同等によく、共に使用される。これらの結合剤も、遠Ｕ
Ｖ範囲内で高い透明性を示す。好ましくは使用するコモ
ノマーは、スチレン、置換スチレン、ビニルエーテル、
ビニルエステル、ビニルシリル化合物または（メタ）ア
クリレートである。

【００４８】最後に、スチレンの共重合体は、水性アル
カリ性溶液中の溶解度の増大を生ずるコモノマーと併用
することもできる。これらとしては、例えば、無水マレ
イン酸およびマレイン酸半エステルが挙げられる。

【００４９】前記結合剤は、感放射線混合物の光学的品
質を損傷しないならば互いに混合することもできる。し
かしながら、結合剤混合物は、好ましくない。

【００５０】結合剤含量は、一般に、感放射線混合物の
固体成分の全重量に対して３０〜９５重量％、好ましく
は４０〜９０重量％、特に好ましくは５０〜８５重量％
である。

【００５１】波長約２２０〜５００nmの放射線に対する
結合剤または結合剤組み合わせの吸光は、０．５μｍ^-1
未満、好ましくは０．３μｍ^-1未満であるべきである。

【００５２】適当ならば、染料、顔料、可塑剤、湿潤剤
および流動剤、そしてまたポリグリコールおよびセルロ
ースエーテル、例えば、エチルセルロースも、可撓性、
接着性、光沢などの特殊な要件を満たすために本発明に
係る感放射線混合物に添加できる。

【００５３】基板を被覆すべき時には、本発明に係る感
光性混合物は、便宜上、溶媒または溶媒の組み合わせに
溶解する。エチレングリコールおよびプロピレングリコ
ールおよびそれらに由来するモノアルキルエーテルおよ
びジアルキルエーテル、特にモノメチルエーテルおよび
ジメチルエーテルおよびモノエチルエーテルおよびジエ
チルエーテル、脂肪族（Ｃ₁ 〜Ｃ₆ ）カルボン酸および
（Ｃ₁ 〜Ｃ₈ ）アルカノールまたは（Ｃ₁ 〜Ｃ₈ ）アル
カンジオールまたは（Ｃ₁ 〜Ｃ₆ ）アルコキシ−（Ｃ₁
〜Ｃ₈ ）アルカノールに由来するエステル、例えば、酢
酸エチル、酢酸ヒドロキシエチル、酢酸アルコキシエチ
ル、酢酸ｎ−ブチル、プロピレングリコールモノアルキ
ルエーテルアセテート、特にプロピレングリコールメチ
ルエーテルアセテート，および酢酸アミル；テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどのエーテル；メチルエチルケ
トン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シ
クロヘキサノンなどのケトン；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのＮ，Ｎ−
ジアルキルカルボン酸アミド、そしてまたヘキサメチル
ホスホトリアミド、１−メチルピロリジン−２−オンお
よびブチロラクトン、そしてまたこれらの所望の混合物
は、この目的に特に好適である。これらのうち、グリコ
ールエーテル、脂肪族エステルおよびケトンが、特に好
ましい。

【００５４】溶媒または溶媒混合物の選択は、結局、使
用する被覆法、所望の層厚および乾燥条件に依存する。
また、溶媒は、使用する条件下で他の層成分に対して化
学的に不活性でなければならない。

【００５５】前記溶媒を使用して調製する混合物は、一
般に、固形分５〜６０重量％、好ましくは５０重量％ま
でを有する。

【００５６】最後に、本発明は、本質上基板およびその
上に配置された本発明に係る感放射線混合物の感放射線
層からなる感放射線記録材料にも関する。

【００５７】可能な基板は、コンデンサ、半導体、多層
プリント回路または集積回路を構成または製造できるす
べての材料である。熱的に酸化でき且つ／またはアルミ
ニウムで被覆でき、且つまたドーピングすることもでき
るシリコン基板は、特に言及するに値する。加えて、半
導体テクノロジーで通例であるすべての他の基板、例え
ば、窒化ケイ素、ヒ化ガリウムおよびリン化インジウム
は、可能である。更に、液晶ディスプレイの製作から既
知の基板、例えば、ガラスまたはインジウム−スズ酸化
物、そしてまた金属プレートおよび箔、例えば、アルミ
ニウム、銅または亜鉛箔、バイメタルおよびトリメタル
箔、そしてまた金属が蒸着された非導電性箔、および紙
は、可能である。これらの基板は、熱前処理し、表面を
粗面化し、わずかに食刻するか、または所望の性質を改
善するために、例えば、親水性を高めるために化学薬品
で前処理することができる。

【００５８】感放射線層の基板表面へのより良い凝集性
および／またはより良い接着性を付与するために、この
層は、接着促進剤を含有できる。同じ効果は、接着促進
中間層によって達成できる。シリコンまたはシリカ基板
の場合には、アミノシラン型の接着促進剤、例えば、３
−アミノプロピルトリエトキシシランまたはヘキサメチ
ルジシラザンが、この目的に使用される。

【００５９】凸版印刷、平版印刷、スクリーン印刷およ
びフレキソ印刷用印刷版などの光機械的記録層の製造に
好適な支持体は、特にアルミニウムプレート（予め陽極
酸化、木理および／またはシリケート処理してもよ
い）、そしてまた、亜鉛プレート、鋼プレート（クロム
メッキしてもよい）、そしてまたプラスチックフィルム
および紙である。

【００６０】本発明に係る記録材料は、化学線を使用し
て造像的に露光する。好適な放射線源は、特にメタルハ
ライドランプ、カーボンアークランプ、キセノンランプ
および水銀蒸気ランプである。同様に、露光は、レーザ
線、電子ビーム、Ｘ線などの高エネルギー放射線を使用
して行うことができる。しかしながら、１９０〜２６０
nmの波長の光を放出できるランプ、即ち、特にキセノン
ランプおよび水銀蒸気ランプが、特に好ましい。更に、
レーザ光源、例えば、エキシマレーザ、特にそれぞれ２
４８および１９３nmで放出するＫｒＦまたはＡｒＦレー
ザも使用できる。放射線源は、前記波長範囲内で適当な
放出を示さなければならない。

【００６１】感光性層の厚さは、所期の用途に依存す
る。一般に、それは、０．１〜１００μｍ、好ましくは
１〜１０μｍである。

【００６２】また、本発明は、感放射線記録材料の製法
に関する。感放射線混合物は、吹付け、流し塗、ローリ
ング、ワーラー被覆および浸漬被覆により基板に適用で
きる。次いで、溶媒は、蒸発によって除去し、それゆ
え、感放射線層が基板の表面上に残る。溶媒の除去は、
層を１５０℃までの温度に加熱することによって促進で
きる。しかしながら、混合物は、先ず前記方法で一時的
支持体に適用し、混合物を加圧下に高温でこの支持体か
ら最後の支持体材料に転写することもできる。一時的支
持体として使用する材料は、一般原則として支持体材料
としても好適であるすべての材料であることができる。
その後、層は、造像的に照射し、必要ならば、加熱して
開裂反応を促進する。次いで、層は、層の照射部を溶解
し且つ除去する現像液で処理し、それゆえ造像的照射に
使用する原稿の画像は、基板表面上に残る。

【００６３】好適な現像液は、特にアルカリ金属イオ
ン、アルカリ土類金属イオンおよび／またはアンモニウ
ムイオンのケイ酸塩、メタケイ酸塩、水酸化物、リン酸
水素塩およびリン酸二水素塩、炭酸塩または炭酸水素
塩、そしてまたアンモニアなどを含有する水溶液であ
る。金属イオンを含まない現像液は、ＥＰ−Ａ第０，０
２３，７５８号明細書、第０，０６２，７３３号明細書
および第０，０９７，２８２号明細書および米国特許第
４，１４１，７３３号明細書、第４，６２８，０２３号
明細書および第４，７２９，９４１号明細書に記載され
ている。現像液中のこれらの物質の含量は、一般に、現
像液の重量に対して０．１〜１５重量％、好ましくは
０．５〜５重量％である。好ましくは、金属イオンを含
まない現像液が、使用される。少量の湿潤剤は、層の可
溶性部の分離を容易にするために現像液に添加できる。

【００６４】現像された層構造物は、後硬化できる。こ
のことは、一般に、熱板上で流動温度未満の温度まで加
熱した後、全面積をキセノン／水銀蒸気ランプ（２００
〜２５０nmの範囲）からの紫外光に露光することによっ
て行う。この後硬化の結果、画像構造物は、架橋され、
それゆえ、構造物は、一般に２００℃よりも高い温度ま
で流れ抵抗性を有する。後硬化は、単に高エネルギー紫
外光の多線量の照射によって、温度上昇なしに行うこと
もできる。

【００６５】本発明に係る感放射線混合物は、リソグラ
フィによる集積回路または個別の電気部品の製作におい
て使用される。その理由は、それらが特に波長１９０〜
３００nmの光の照射の場合に高い光感度を示すからであ
る。混合物は露光時に非常によく漂白するので、既知の
混合物を使用して可能であるものよりも微細な構造物
が、得ることができる。現像されたレジスト層は、爾後
のプロセス工程用マスクとしてここで役立つ。このよう
な工程の例は、層支持体のエッチング、イオンの層支持
体への移植または金属または他の物質の層支持体上への
沈殿である。

【００６６】

【実施例】下記例は、本発明を説明するものであって、
制限しようとするものではない。下記テキストにおい
て、p.b.w.は重量部を意味し、p.b.v.は容量部を意味
し、これらはｇ対cm³ と同じ重量部の関係を有する。製造例１ 段階１ 塩化アセチル８８p.b.w.および２，３−ジメチルクロト
ン酸メチル１２８p.b.w.を１５℃で塩化メチレン２５０
p.b.v.中の三塩化アルミニウム２８０p.b.w.に滴下し
た。溶液を還流下に３時間加熱し、冷却後、氷上に注い
だ。有機相を分離した後、残りの混合物を塩化メチレン
５００p.b.v.と共に十分に攪拌した。合わせた有機相を
水洗し、次いで、水２００p.b.v.中の塩酸ヒドロキシル
アミン７６p.b.w.の溶液をゆっくりと加えた。加熱開始
で、塩化メチレンは留去した。溶液を３時間１２０℃の
浴温に加熱した。冷却後、それをｎ−ヘキサンで抽出し
た。残りの水溶液のpHを５％水酸化ナトリウム溶液で５
に調整し、析出する沈殿を吸引下に濾別し、水でこす
り、再度吸引下に濾別し、乾燥した。これは、融点１３
０℃を有する１−ヒドロキシ−３，４，６−トリメチル
−２−ピリドン８２p.b.w.を与えた。

【００６７】段階２ 設定温度が一定のままであるような方式で、塩化メチレ
ン２０p.b.v.中のトリエチルアミン３．４p.b.w.の溶液
を塩化メチレン６０p.b.v.中の前記化合物５．０p.b.w.
と塩化４−フルオロベンゼンスルホニル６．８p.b.w.と
の５℃に冷却された溶液に攪拌下にゆっくりと滴下し
た。次いで、溶液を室温に加熱し、７２時間攪拌した。
次いで、有機相を水洗し、乾燥し、濃縮した。これは、
融点１２０℃を有する粗生成物１０．８p.b.w.を与え
た。これを再度塩化メチレンに溶解し、シリカゲルカラ
ム上に通過させた。使用した溶媒は、塩化メチレンであ
った。合わせた生成物画分を濃縮した。これは、融点１
２３℃を有する１−（４−フルオロベンゼンスルホニル
オキシ）−３，４，６−トリメチル−２−ピリドン８．
６p.b.w.を与えた。

【００６８】 分析： 計算値 Ｃ ５４．０１％ Ｈ ４．５３％ Ｎ ４．５０％ (311.34) 実測値 Ｃ ５３．９％ Ｈ ４．７％ Ｎ ４．６％製造例２ 段階１ 温度を適切に保持するような方式で、３−メチルクロト
ン酸メチル２３０p.b.w.を５０〜６０℃で塩化エチレン
２５０p.b.v.および塩化クロロアセチル２８２p.b.w.中
の三塩化アルミニウム５３２p.b.w.の懸濁液に加えた。
次いで、混合物を１時間６５〜７０℃に加熱し、氷上に
注いだ。水相を塩化メチレンで抽出し、有機相を水、飽
和炭酸水素ナトリウム溶液で洗浄した。硫酸ナトリウム
上で乾燥した後、生成物を分別蒸留した。収量２８０p.
b.w.（７４％）、沸点１２０〜１２２℃／５mmHg。

【００６９】段階２ 前記生成物３８２p.b.w.を氷酢酸１０００p.b.v.と濃硫
酸１０p.b.v.との混合物に溶解し、溶液を沸騰まで加熱
した。計算量の酢酸メチルを短いカラムによって留去し
た。次いで、氷酢酸を真空中で除去し、残渣を氷水に注
ぎ、ピロンが結晶化した。更なる精製のために、分離さ
れた生成物は、１１６〜１１７℃／２mmHgで蒸留でき
る。四塩化炭素からの再結晶後、これは、６−クロロメ
チル−４−メチル−２−ピロン２９６p.b.w.を与えた。
収率：９８％，融点７８℃。

【００７０】段階３ 前記生成物３２０p.b.w.をトリフェニルホスフィン５４
０p.b.w.とアセトニトリル１５００p.b.v.と一緒に還流
下に８時間加熱した。混合物を氷中で冷却し、沈殿した
生成物を吸引下に濾別した。母液を濃縮し、更なる生成
物が沈殿し、これを吸引下に濾別した。これは、塩化
（４−メチル−６−オキソ−６Ｈ−ピロン−２−イルメ
チル）−トリフェニルホスホニウム７９９p.b.w.を与え
た。

【００７１】段階４ 前記生成物１０６p.b.w.を４−クロロベンズアルデヒド
３５．５p.b.w.と一緒にメタノール２００p.b.v.に溶解
した。メタノール１５０p.b.v.中のナトリウム６p.b.w.
の溶液を前記溶液に注ぎ、混合物は一時的な赤色を取り
且つ高度に発熱的に反応した。混合物を室温で６時間攪
拌し、−２５℃に冷却し、沈殿した生成物を吸引下に濾
別した。後者を冷却メタノールで洗浄し、水とともに攪
拌し、再度吸引下に濾過した。これは、アセトニトリル
から再結晶できる６−（４−クロロスチリル）−４−メ
チル−２−ピロン２６p.b.w.を与えた。融点１４４℃。

【００７２】段階５ 前記生成物２２．５p.b.w.を塩酸ヒドロキシルアミン９
p.b.w.および２−アミノピリジン１１０p.b.w.とともに
約７０℃に加熱した。混合物をこの温度で７２時間放置
した（更なる３．３p.b.w.の塩酸ヒドロキシルアミンを
３、１８、３０、４２時間後に各時間に加えた）。混合
物が冷却した後、塩化メチレンに取り上げ、希塩酸、水
で洗浄した。有機相を脱イオン水７００p.b.v.中の水酸
化ナトリウム１０p.b.w.の溶液中で攪拌し、得られたナ
トリウム塩を濾別し、熱水６００p.b.v.に溶解した。水
溶液を氷酢酸の添加によってpH５に調整し、冷却した。
このようにして結晶化する粗生成物を吸引下に濾別し、
乾燥した。これは、融点 １９５℃を有する粗生成物１
５p.b.w.を与え、これを塩化メチレンから再結晶した。
これは、融点２０５℃を有する〔６−（４−クロロスチ
リル）−１−ヒドロキシ−４−メチル−２−ピリドン〕
の帯黄色の結晶を与えた。

【００７３】 分析： 計算値 Ｃ ６４．２５％ Ｈ ４．６２％ Ｎ ５．３５％ (261.70) 実測値 Ｃ ６４．２％ Ｈ ４．６％ Ｎ ５．４％ 段階６ 塩化メチレン２０p.b.v.中のトリエチルアミン１．８５
p.b.w.を１０℃で塩化メチレン５０p.b.v.中の前記生成
物４p.b.w.と塩化メタンスルホニル２０p.b.w.との溶液
に滴下した。溶液を室温で更なる２４時間攪拌し、振と
うによって水で抽出し、溶媒を回転蒸発器中で除去し
た。結晶性生成物を乾燥し、シリカゲルカラム上に通過
し、塩化メチレンで溶離した。合わせた生成物画分は、
濃縮後、分解点１９０℃を有する６−（４−クロロスチ
リル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２
−ピリドン４．２p.b.w を与えた。試料をアセトニトリ
ルから再結晶し、融点１９３℃を有する生成物を与え
た。

【００７４】 分析： 計算値 Ｃ ５３．０２％ Ｈ ４．１５％ Ｎ ４．１２％ (339.77) 実測値 Ｃ ５２．７％ Ｈ ４．４％ Ｎ ４．２％製造例３ 段階１ ４，６−ジフェニル−２−ピロン１１．２p.b.w.を８０
℃で２−アミノピリジン３０p.b.w.と塩酸ヒドロキシル
アミン１０．４p.b.w.と一緒に２２時間攪拌した。混合
物が冷却した後、塩化メチレン２００p.b.v.を加えた。
次いで、有機相を濃塩酸３０p.b.v と水２００p.b.v と
の溶液、次いで、水単独で洗浄し、振とうによって水酸
化ナトリウム１０p.b.w.と水３００p.b.w.との溶液で２
回抽出し、水性抽出物を氷酢酸の添加によってpH４に調
整した。沈殿を吸引下に濾別し、水洗し、乾燥した。収
量は、融点１５９℃を有する１−ヒドロキシ−４，６−
ジフェニル−２−ピリドン１０．６p.b.w.であった。

【００７５】段階２ 温度が一定のままであるような方式で、塩化メチレン２
０p.b.v.中のトリエチルアミン２．１p.b.w.の溶液を塩
化メチレン５０p.b.v.中の前記化合物５．０p.b.w.と塩
化４−クロロベンゼンスルホニル４．６４p.b.w.との５
℃に冷却された溶液に攪拌下にゆっくりと加えた。溶液
を室温に加熱し、１２０時間攪拌した。次いで、有機相
を水洗し、乾燥し、濃縮した。これは、粗生成物８．６
p.b.w.を与えた。これを熱ジイソプロピルエーテル中で
２回熟成し、吸引下に濾別した。その後、それをアセト
ニトリルから再結晶した。これは、１−（４−クロロベ
ンゼンスルホニルオキシ）−４，６−ジフェニル−２−
ピリドン７．１p.b.w.を与えた。化合物は、分解点１６
５℃を有していた。

【００７６】 分析： 計算値 Ｃ ６３．０８％ Ｈ ３．６８％ Ｎ ３．２０％ (437.91) 実測値 Ｃ ６３．３％ Ｈ ３．７％ Ｎ ３．３％製造例４ 段階１ ６−シクロヘキシル−１−ヒドロキシ−４−メチル−２
−ピリドン４１．４p.b.w.を濃硫酸２２０p.b.w.に溶解
し、氷冷しながら、硝酸ナトリウム１８p.b.w.（重量）
を１時間かけて加えた。溶液を０℃で更なる７時間攪拌
し、氷上に注ぎ、塩化メチレンで抽出した。有機相を数
回水洗し、乾燥し、濾過し、濃縮した。残渣をメタノー
ルに溶解し、再沈殿し、次いで、四塩化炭素から再結晶
した。これは、３位でニトロ化され且つ融点１６０℃を
有する生成物１１．６p.b.w.を与えた。

【００７７】段階２ 温度が一定のままであるような方式で、塩化メチレン２
０p.b.v.中のトリエチルアミン２．６p.b.w.の溶液を塩
化メチレン５０p.b.v.中の前記化合物６．０p.b.w.と塩
化メタンスルホニル３．０p.b.w.との５℃に冷却された
溶液に攪拌下にゆっくりと加えた。溶液を室温に加熱
し、１００時間攪拌した。次いで、有機相を水洗し、乾
燥し、濃縮した。これは、融点約１７０℃を有する粗生
成物８．３p.b.w.を与えた。これを塩化メチレンに溶解
し、溶媒として塩化メチレンを使用してシリカゲルカラ
ム上でクロマトグラフを行った。得られた画分を濃縮し
て、６−シクロヘキシル−１−メタンスルホニルオキシ
−４−メチル−３−ニトロ−２−ピリドン７．２p.b.w.
を与えた。化合物は、１６９℃で溶融した。

【００７８】 分析： 計算値 Ｃ ４７．２６％ Ｈ ５．４９％ Ｎ ８．４８％ (330.37) 実測値 Ｃ ４７．１％ Ｈ ５．５％ Ｎ ８．５％製造例５ 段階１ １−ヒドロキシ−４，６−ジメチル−２−ピリドン５０
p.b.w.をベンゼンスルフィン酸ナトリウム１３１p.b.
w.、パラホルムアルデヒド２４p.b.w.および氷酢酸２５
０p.b.w.と一緒に１３０℃で８時間攪拌した。冷却後、
沈殿した生成物を吸引下に濾別し、水、メタノールで洗
浄し、乾燥した。

【００７９】段階２ ナトリウム６．０p.b.w.をメタノール９０p.b.w.に溶解
し、前記化合物２７p.b.w.を加えた。溶液を８０℃で約
１２０時間攪拌した。混合物が冷却した後、溶媒を除
き、水に溶解し、濃塩酸でpH３に調整した。沈殿を濾別
し、残りの母液を塩化メチレンで抽出した。有機相を洗
浄し、乾燥し、濃縮した。残渣をメタノールから再結晶
し、融点１２０℃を有する目的生成物１０．２p.b.w.を
与えた。

【００８０】段階３ 設定温度が一定のままであるような方式で、塩化メチレ
ン２０p.b.v.中のトリエチルアミン３．０p.b.w.の混合
物を塩化メチレン５０p.b.w.中の前記化合物６．０p.b.
w.と塩化４−メタンスルホニル３．４p.b.w.との５℃に
冷却された溶液に攪拌下にゆっくりと加えた。混合物を
室温に加熱し、８０時間攪拌した。次いで、有機相を水
洗し、乾燥し、濃縮した。これは、粘稠な粗生成物１
０．２p.b.w.を与えた。これを塩化メチレンに溶解し、
溶媒として塩化メチレンを使用してシリカゲルカラム上
でクロマトグラフを行った。得られた画分を濃縮して、
粗１−メタンスルホニルオキシ−３，５−ビス−メトキ
シメチル−４，６−ジメチル−２−ピリドン５．９p.b.
w.を与えた。ジイソプロピルエーテルからの再結晶後、
７３℃で溶融する純粋な生成物４．８p.b.w.が残った。

【００８１】 分析： 計算値 Ｃ ４７．２０％ Ｈ ６．２７％ Ｎ ４．５９％ (305.36) 実測値 Ｃ ４６．９％ Ｈ ６．６％ Ｎ ４．６％製造例６ 段階１ 塩化メチレン２５p.b.w.中の塩化シアノアセチル２３．
６p.b.w.の混合物を２０℃の温度で塩化メチレン２００
p.b.v.中のＯ−ベンジルヒドロキシルアミン２８p.b.w.
およびトリエチルアミン２３．７p.b.w.に２０分かけて
滴下した。溶液を更なる１時間攪拌した後、水洗し、乾
燥し、濃縮した。これは、Ｎ−ベンジルオキシ−２−シ
アノアセトアミド４５p.b.w.を与えた。

【００８２】段階２ 前記生成物２４p.b.w.、アセチルアセトン１２．７p.b.
w.およびジエチルアミン１p.b.w.をエタノール５０p.b.
v.に溶解し、還流下に１．５時間加熱した。溶液を−２
０℃に冷却し、沈殿した結晶（所望の１−ベンジルオキ
シ−３−シアノ−４，６−ジメチル−２−ピリドン）を
吸引下に濾別した。

【００８３】段階３ 前記生成物２８p.b.w.をオートクレーブ中でメタノール
４００p.b.v.に溶解し、１０％パラジウム／硫酸バリウ
ム触媒１p.b.w.を加えた。混合物を室温において水素で
水素添加し、水素２．８リットルが吸収された。混合物
の未溶解成分を濾別し、溶液を濃縮した。これは、融点
２４０℃を有する３−シアノ−１−ヒドロキシ−４，６
−ジメチル−２−ピリドン１６．５p.b.w.を与えた。

【００８４】段階４ 設定温度が一定のままであるような方式で、塩化メチレ
ン２０p.b.v.中のトリエチルアミン２．０p.b.w.の溶液
を塩化メチレン５０p.b.v.中の前記化合物２．９p.b.w.
と塩化４−メタンスルホニル２．３p.b.w.との５℃に冷
却された溶液に攪拌下にゆっくりと加えた。室温に加熱
した後、溶液を更なる１００時間攪拌し、水洗し、乾燥
し、濃縮した。これは、融点約１５０℃を有する粗生成
物４．０p.b.w.を与えた。これを塩化メチレンに溶解
し、溶媒として塩化メチレンを使用してシリカゲルカラ
ム上でクロマトグラフを行った。得られた画分を濃縮し
て、粗３−シアノ−１−メタンスルホニルオキシ−４，
６−ジメチル−２−ピリドン３．２p.b.w.を与えた。ｎ
−ヘキサンからの再結晶および乾燥は、１５１℃で溶融
し、再度凝固し且つ１６７℃で第二の鋭い融点を示す純
粋な生成物３．０p.b.w.を与えた。

【００８５】 分析： 計算値 Ｃ ４４．６２％ Ｈ ４．１６％ Ｎ １１．５７％ (242.27) 実測値 Ｃ ４４．３％ Ｈ ４．２％ Ｎ １１．４％製造例７ 段階１ 塩化イソブチリル１０６p.b.w.と３−メチルクロトン酸
メチル１３７p.b.w.との混合物を約１０℃で塩化メチレ
ン３５０p.b.v.中の三塩化アルミニウム３８０p.b.w.に
２時間かけて滴下した。混合物を還流下に１５時間加熱
し、冷却後、氷上で分解した。更なる塩化メチレンの添
加後、混合物を十分に攪拌し、有機相を分離し、水洗
し、乾燥した。溶媒を濃縮した後、残渣を真空中で蒸留
した。収量：６−イソプロピル−４−メチル−２−ピロ
ン１６４p.b.w.、沸点９５〜１１０℃／１mmHg。

【００８６】段階２ 塩酸ヒドロキシルアミン１６p.b.w.を水１０p.b.w.とメ
タノール１００p.b.w.との混合物に溶解し、前記生成物
３６．８p.b.w.を加えた。室温で２時間攪拌後、水３０
p.b.w.中の水酸化ナトリウム２０p.b.w.を溶液に加え、
攪拌を１時間続け、水２００p.b.w.を加え、溶液を塩化
メチレンで抽出した。次いで、水相をpH４に調整し、沈
殿した生成物（１−ヒドロキシ−６−イソプロピル−４
−メチル−２−ピリドン）を吸引下に濾別し、乾燥し
た。

【００８７】段階３ 設定温度が一定のままであるような方式で、塩化メチレ
ン３０p.b.v.中のトリエチルアミン２．８p.b.w.の溶液
を塩化メチレン５０p.b.v.中の前記化合物４．０p.b.w.
と塩化４−メタンスルホニル３．４５p.b.w.との５℃に
冷却された溶液に攪拌下にゆっくりと加えた。混合物を
室温に加熱し、３５時間攪拌した。次いで、有機相を水
洗し、乾燥し、濃縮した。これは、融点約１１０℃を有
する粗生成物６．２p.b.w.を与えた。これを塩化メチレ
ンに溶解し、溶媒として塩化メチレンを使用してシリカ
ゲルカラム上でクロマトグラフを行った。得られた画分
を濃縮して、６−イソプロピル−１−メタンスルホニル
オキシ−４−メチル−２−ピリドン４．９p.b.w.を与え
た。ジイソプロピルエーテルからの再結晶は、１１３℃
で溶融した生成物３．９p.b.w.を与える。

【００８８】 分析： 計算値 Ｃ ４８．９６％ Ｈ ６．１６％ Ｎ ５．７１％ (245.31) 実測値 Ｃ ４９．２％ Ｈ ６．３％ Ｎ ５．６％製造例８ 段階１ 亜リン酸トリエチル１０８p.b.w.を蒸留装置において１
００℃で６−クロロメチル−４−メチル−２−ピロン
（製造例１、第二段階参照）７９．３p.b.w.に攪拌下に
ゆっくりと滴下した。この段階で、塩化エチルは、蒸留
してレシーバーに移った。塩化エチルの排除が静まった
時に、浴温を１３０℃によっくりと昇温し、混合物をこ
の温度で大体更なる６時間攪拌した。この時間後、更に
３２０p.b.w.の６−クロロメチル−４−メチル−２−ピ
ロンを混合物に加え、亜リン酸トリエチル４３２p.b.w.
を１４０℃の浴温でゆっくりと滴下した。混合物をこの
温度で更なる９時間再攪拌した。冷却後、混合物の揮発
性成分を次いで油ポンプの真空中で７０℃において約３
時間かけて留去した。６−ジエトキシ−ホスホリルメチ
ル−４−メチル−２−ピロン６１０p.b.w.が、粘稠な残
渣として残り、これは若干の時間後に結晶化し始めた。

【００８９】段階２ 水素化ナトリウム（８０％懸濁液）７．７５p.b.w.を不
活性ガス下で強攪拌下にベンゾフェノン４５．５p.b.w.
と前記化合物６５p.b.w.と１，２−ジメトキシエタン２
００p.b.v.との混合物に加え、混合物を７０℃で２４時
間攪拌した。混合物を塩化メチレンに取り上げ、数回水
洗し、乾燥し、回転蒸発器中で濃縮した。これは、２成
分を含有する粗生成物７４．３p.b.w.を与え、溶媒とし
て塩化メチレンを使用してシリカゲルカラム上で分離し
た。高い保持時間を有する生成物を含有する画分を合わ
せ、濃縮した。これは、ヘキサンから再結晶できる結晶
性６−（２，２−ジフェニルビニル）−４−メチル−２
−ピロン５５p.b.w.を与えた。段階３前記生成物２０p.
b.w.を塩酸ヒドロキシルアミン５．６p.b.w.およびアミ
ノピリジン８０p.b.w.と共に約７５℃に加熱した。混合
物をこの温度で５８時間放置した（更なる２．８p.b.w.
の塩酸ヒドロキシルアミンを６、２２、３２時間後の各
々の時間に加えた）。混合物が冷却した後、塩化メチレ
ンに取り上げ、希塩酸、水で洗浄し、乾燥し、濃縮し
た。得られた残渣２２p.b.w.をアセトニトリルから再結
晶した。これは、融点１６９℃を有する黄色の生成物
〔６−（２，２−ジフェニルビニル）−１−ヒドロキシ
−４−メチル−２−ピリドン〕１４p.b.w.を与えた。

【００９０】 分析： 計算値 Ｃ ７９．１８％ Ｈ ５．６５％ Ｎ ４．６２％ (303.26) 実測値 Ｃ ７９．０％ Ｈ ５．８％ Ｎ ４．５％ 第四段階 塩化メチレン２０p.b.v.中のトリエチルアミン３p.b.w.
を５〜１０℃において塩化メチレン７０p.b.v.中の前記
生成物８p.b.w.と塩化メタンスルホニル３．５p.b.w.と
の溶液に滴下した。混合物を室温で更なる２４時間攪拌
し、振とうによって水で抽出し、溶媒を回転蒸発器中で
除去した。約１２．５p.b.w.の量の粘稠な残渣は、放置
時に結晶化し、融点約１３０℃を有していた。粗生成物
をシリカゲルカラム上で塩化メチレンで溶離した。濃縮
後、合わせた生成物画分は、融点１４０℃を有する６−
（２，２−ジフェニルビニル）−１−メタンスルホニル
オキシ−４−メチル−２−ピリドン８．２p.b.w.を与え
た。

【００９１】 分析： 計算値 Ｃ ６６．１２％ Ｈ ５．０２％ Ｎ ３．６７％ (381.44) 実測値 Ｃ ６５．７％ Ｈ ５．１％ Ｎ ３．４％製造例９ 段階１ 塩化（４−メチル−６−オキソ−６Ｈ−ピロン−２−イ
ルメチル）−トリフェニルホスホニウム（製造例１、第
三段階参照）８５p.b.w.およびアントラセン−９−カル
ボアルデヒド４１．２p.b.w.をメタノール２００p.b.v.
に分散した。メタノール１００p.b.v.中のナトリウム５
p.b.w.の溶液を分散液に攪拌下にかなり迅速に加え、混
合物は昇温した。これを約５０℃で１時間、次いで、室
温で更なる７２時間攪拌した後、−２５℃に冷却し、沈
殿した生成物を吸引下に濾別した。生成物をメタノール
で洗浄し、次いで、水と共に攪拌し、再度吸引下に濾別
した。これは、融点約２００℃を有する６−（２−アン
トラセン−９−イルビニル）−４−メチル−２−ピロン
５２p.b.w.を与えた。これは、アセトニトリルから再結
晶した時に融点２０３℃を示した。

【００９２】段階２ 前記ピロン２０p.b.w.を塩酸ヒドロキシルアミン５．６
p.b.w.および２−アミノピリジン８０p.b.w.と共に７０
℃に加熱した。混合物をこの温度に７２時間放置した
（更なる２．８p.b.w.の塩酸ヒドロキシルアミンを７、
２３、３２時間の後の各々の時間に加えた）。混合物が
冷却した後、塩化メチレンに取り上げ、希塩酸、水で洗
浄する。生成物の一部は、このようにして沈殿した。有
機相を回転蒸発器中で濃縮した。残渣をジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）から再結晶した。得られた結晶を沈殿
した生成物と一緒に、ＤＭＦから再度再結晶し、メタノ
ールで洗浄した。これは、融点＞２６０℃を有する分析
上純粋なオレンジ色の粉末〔６−（２−アントラセン−
９−イルビニル）−１−ヒドロキシ−４−メチル−２−
ピリドン〕１２．６p.b.w.を与えた。

【００９３】 分析： 計算値 Ｃ ８０．７１％ Ｈ ５．２４％ Ｎ ４．２８％ (327.39) 実測値 Ｃ ８０．９％ Ｈ ５．４％ Ｎ ４．３％ 段階３ 前記化合物４．５p.b.w.および塩化メタンスルホニル
１．８３p.b.w.を塩化メチレン５０p.b.v.に溶解し、溶
液を５℃に冷却した。塩化メチレン２０p.b.v.中のトリ
エチルアミン１．６p.b.w.の混合物を溶液にゆっくりと
滴下した。混合物を室温で更なる３日間攪拌した。有機
相を水洗し、乾燥し、溶媒を回転蒸発器中で取り除い
た。残渣を再度塩化メチレンに取り上げ、溶媒として塩
化メチレンを使用してシリカゲルカラム上で溶離した。
明確に同定できる主要画分を捕集し、溶媒を除き、残り
のフォーム状生成物を加温ジイソプロピルエーテルと共
に攪拌した。乾燥後、これは、爆燃と共に１８０℃の温
度で分解する６−（２−アントラセン−９−イルビニ
ル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−
ピリドン１．９p.b.w.を与えた。

【００９４】 分析： 計算値 Ｃ ６８．１３％ Ｈ ４．７２％ Ｎ ３．４６％ (405.48) 実測値 Ｃ ６８．１％ Ｈ ４．９％ Ｎ ３．３％製造例１０ 段階１ ６−ジエトキシホスホリルメチル−４−メチル−２−ピ
ロン（製造例２、第一段階参照）２６p.b.w.および４−
トリフルオロメチルベンズアルデヒド１７．４p.b.w.を
１，２−ジメトキシエタン８０p.b.v.に溶解した。次い
で、反応混合物が５０℃よりも高い温度に昇温しないよ
うな方式で、窒素下で、８０％水素化ナトリウム分散液
３．２p.b.w.を少しずつ加えた。それをこの温度で更な
る１８時間攪拌し、冷却後、塩化メチレンで希釈した。
溶液を数回水洗し、乾燥し、濃縮した。結晶性粉末２
６．９p.b.w.が残り、これを、溶媒として塩化メチレン
を使用してシリカゲルカラム上で溶離した。濃縮後、主
要画分は、融点１５５℃の粉末１８．９p.b.w.を与え、
これは所望の分析上純粋な４−メチル−６−（４−トリ
フルオロメチルスチリル）−２−ピロンであることが証
明された。

【００９５】段階２ 前記生成物１５p.b.w.、イミダゾール４５p.b.w.、Ｎ−
メチルピロリドン５p.b.w.および塩酸ヒドロキシルアミ
ン５．６p.b.w.を７５℃で攪拌下に５５時間加熱した。
更なる２．８p.b.w.の塩酸ヒドロキシルアミンを８、２
４、３２時間の反応時間後の各々の時間に加えた。混合
物が冷却した後、塩化メチレンに取り上げ、水洗し、乾
燥し、濃縮した。これは、粗生成物１４．６p.b.w.を与
えた。これをエチレングリコールモノメチルエーテルか
ら再結晶した。晶出した１−ヒドロキシ−４−メチル−
６−（４−トリフルオロメチルスチリル）−２−ピリド
ンは、融点２３０℃を示した。

【００９６】 分析： 計算値 Ｃ 61.02% Ｈ 4.10% Ｆ 19.30% Ｎ 4.74% (295.28) 実測値 Ｃ 61.3% Ｈ 4.1% 段階３ 前記化合物１．８p.b.w.および塩化４−ブロモベンゼン
スルホニル１．９p.b.w.を塩化メチレン４０p.b.v.に溶
解し、溶液を５℃に冷却した。塩化メチレン５p.b.v.中
のトリエチルアミン１．０p.b.w.の混合物を溶液にゆっ
くりと滴下した。攪拌を室温で更なる６６時間続けた。
有機相を水洗し、乾燥し、溶媒を回転蒸発器中で取り除
いた。残渣（３．２p.b.w.）を再度塩化メチレンに取り
上げ、溶媒として塩化メチレン／メタノール（９９／
１）を使用してシリカゲルカラム上で溶離した。明確に
同定できる主要画分を捕集し、溶媒を除き、残りのフォ
ーム状生成物を加温ジイソプロピルエーテルと共に攪拌
し、生成物の結晶化が生じた。乾燥後、これは、１５８
℃の温度で溶融する１−（４−ブロモベンゼンスルホニ
ルオキシ）−４−メチル−６−（４−トリフルオロメチ
ルスチリル）−２−ピリドン２．２p.b.w.を与えた。

【００９７】 分析： 計算値 Ｃ 49.04% Ｈ 2.94% Ｎ 2.72% Ｆ 11.08% (514.33) 実測値 Ｃ 48.6% Ｈ 3.1% Ｎ 2.7% 表１中の化合物１１〜７５も、同様の方法で製造でき
る。表示の化合物の若干およびその製法は、同時出願の
特許出願に詳述されている。応用例 以下に示す例１〜２０は、異なるエネルギーの放射線を
使用してのマイクロリソグラフィにおける記録材料のた
めの本発明に係る混合物の適合性を実証する。本発明に
係る混合物が最新技術よりも優れていることは、比較例
２１および２２を参照することによって実証される。例
２３および２４は、プリント回路および平版印刷版にお
ける混合物の応用性を証明する。付録に表示の化合物の
基本的な放射線感度は、例３５〜７３を参照することに
よって実証される。例１ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の１０５〜１２０℃の軟
化範囲を有するクレゾール−ホルムアルデヒドノボラッ
ク７．５p.b.w.、 ＥＰ−Ａ第３１２，７５１号明細書の製造例１と同様に
製造したピペロナールビス−（ブトキシエチル）−アセ
タール２．５p.b.w.、および６−（４−クロロスチリ
ル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−
ピリドン０．７p.b.w.から調製した。溶液を孔径０．２
μｍの濾過器で濾過し、接着剤促進剤（ヘキサメチルジ
シラザン）で処理されたウェーハ上に３，１００rpm で
ワーラー被覆した。熱板上で１００℃において１分間乾
燥した後、層厚は、１．１０μｍであった。

【００９８】記録材料をエネルギー１１５mJ／cm² で３
６５nmでキセノン−水銀蒸気ランプの放射線に原稿下で
造像的に露光し、２分間９０℃に加熱した。

【００９９】下記組成 メタケイ酸ナトリウム×９Ｈ₂ Ｏ ５．３p.b.w. リン酸三ナトリウム×１２Ｈ₂ Ｏ ３．４p.b.w. リン酸二水素ナトリウム０．３p.b.w.および脱イオン水
９１p.b.w.の０．３Ｎアルカリ性現像液を使用して、記
録材料を現像した。

【０１００】現像時間９０秒後、これは、急勾配レジス
トフランクを有するマスクの無欠陥ネガ画像を与え、＜
０．７μｍの構造物も真に詳細に解像された。走査電子
顕微鏡測定によるレジストプロフィールのフランクの検
査は、これらが基板表面に事実上垂直に整列されている
ことを証明した。例２ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の平均分子量３２，００
０を有するスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン（２０：
８０）の共重合体７．５p.b.w.、ＥＰ−Ａ第３１２，７
５１号明細書の製造例１と同様に製造した３，４−ジメ
トキシベンズアルデヒドビス（フェノキシエチル）−ア
セタール２．５p.b.w.、および（４−フルオロベンゼン
スルホニルオキシ）−３，４，６−トリメチル−２−ピ
リドン０．７p.b.w.から調製した。溶液を孔径０．２μ
ｍの濾過器で濾過し、接着剤促進剤（ヘキサメチルジシ
ラザン）で処理されたウェーハ上に３，０００rpm でワ
ーラー被覆した。熱板上で１００℃において１分間乾燥
した後、層厚は、１．０８μｍであった。

【０１０１】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー８８mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光し、
１分間１００℃に加熱し、次いで、例１に記載の現像液
を使用して加工した。

【０１０２】現像時間９０秒後、これは、高いフランク
安定性を有するマスクの無欠陥画像を与え、＜０．５５
μｍの構造物もここで真に詳細に解像された。例３ 例２に従って製造したウェーハに１０８mJ／cm² のエネ
ルギーで波長２４８nmのＫｒＦエキシマレーザからの紫
外光を原稿下で照射した。現像後、原稿に真実の画像が
例２と同様に得られ、１ミクロン未満の領域内の構造物
も真に詳細に再現された。例４ 波長４３６nmの紫外光を使用する以外は、例１の実験を
繰り返した。１３５mJ／cm² の露光エネルギーは、原稿
の鋭角画像を得るのに使用しなければならなかった。例５ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の１６５〜１８０℃の軟
化範囲をスチレンとマレイミドとの１：１共重合体７．
５p.b.w.、 ＤＥ−Ａ第３，７３０，７８７号明細書の製造例１と同
様に製造したベンズアルデヒドビス（フェノキシエチ
ル）アセタール２．５p.b.w.、 ６−（４−クロロスチリル）−１−メタンスルホニルオ
キシ−４−メチル−２−ピリドン０．７p.b.w.から調製
した。溶液を孔径０．２μｍの濾過器で濾過し、接着剤
促進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理されたウェー
ハ上に３，５００rpm でワーラー被覆した。熱板上で１
００℃において１分間乾燥した後、層厚は、１．００μ
ｍであった。

【０１０３】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー１００mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光し
た。次いで、露光された材料を室温で１５分間貯蔵し
た。

【０１０４】０．０２Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を使用して、記録材料を現像し、露光部は６０
秒以内に残渣なしに離された。

【０１０５】もう１度、満足な急勾配のレジストフラン
クを有するマスクの無欠陥画像が、得られた。暗所での
損失は、＜２０nmであった。＜０．６μｍの構造物は、
真に詳細に解像された。例６ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の１６５〜１８０℃の軟
化範囲をスチレンとマレイミドとの１：１共重合体７．
５p.b.w.、 ３，４−メチレンジオキシベンズアルデヒドビス（フェ
ノキシエチル）−アセタール２．０p.b.w.および６−シ
クロヘキシル−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチ
ル−３−ニトロ−２−ピリドン０．８p.b.w.から調製し
た。溶液を孔径０．２μｍの濾過器で濾過し、接着剤促
進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理されたウェーハ
上に３，２００rpm でワーラー被覆した。熱板上で１０
０℃において１分間乾燥した後、層厚は、１．０６μｍ
であった。

【０１０６】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー１００mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光
し、９０秒間９５℃に加熱した。

【０１０７】０．０２Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を使用して、記録材料を現像し、露光部は９０
秒以内に残渣なしに離され、真に詳細に原稿の画像を得
ることができた。画像のエッジスティープネスは、８５
°よりも大きかった。例７ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の例２に記載の共重合体
７．５p.b.w.、 ７，７−ビス−ヒドロキシメチルノナノール１モルとト
リメチルオルトホルメート１モルとの縮合によって製造
されたポリオルトエステル２．５p.b.w.、および１−メ
タンスルホニルオキシ−３，５−ビス−メトキシメチル
−４，６−ジメチル−２−ピリドン０．８p.b.w.から調
製した。溶液を孔径０．２μｍの濾過器で濾過し、接着
剤促進剤（ヘキサメチルジシラザン）で処理されたウェ
ーハ上に３，２００rpm でワーラー被覆した。熱板上で
１００℃において１分間乾燥した後、層厚は、０．９８
μｍであった。

【０１０８】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー１００mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光
し、更なる９０秒間１００℃に加熱した。

【０１０９】０．２７Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を使用して、記録材料を現像し、露光部は６０
秒以内に残渣を残さずに離され、真に詳細に原稿の画像
を得ることができた。最小０．４５μｍまでの線および
ギャップは、マスクに真実に再現された。例８ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の１０５〜１２０℃の軟
化範囲を有するクレゾール−ホルムアルデヒドノボラッ
ク７．５p.b.w.、 ベンズアルデヒド１モルとジエチレングリコール１モル
との縮合によって製造されたオリゴマーアセタール２．
５p.b.w.、および１−（４−ブロモベンゼンスルホニル
オキシ）−４−メチル−６−（４−トリフルオロメチル
スチリル）−２−ピリドン０．７p.b.w.から調製した。
溶液を孔径０．２μｍの濾過器で濾過し、接着剤促進剤
（ヘキサメチルジシラザン）で処理されたウェーハ上に
３，１００rpm でワーラー被覆した。熱板上で１００℃
において１分間乾燥した後、層厚は、１．０５μｍであ
った。

【０１１０】記録材料をエネルギー８５mJ／cm² で３６
５nmでキセノン−水銀蒸気ランプの紫外線に原稿下で造
像的に露光し、次いで、室温で２分間貯蔵した後、９０
秒間１１５℃に加熱した。

【０１１１】例１に記載の現像液を使用して、記録材料
を現像した。

【０１１２】現像時間９０秒後、急勾配の実質上垂直な
レジストフランクを有するマスクの無欠陥ポジ画像が、
再度得られ、＜０．６μｍの構造物も真に詳細に解像さ
れた。例９ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の平均分子量３２，００
０を有するスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体
（２０／８０）７．５p.b.w.、例１で使用したアセター
ル２．０p.b.w.および６−（２−アントラセン−９−イ
ルビニル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル
−２−ピリドン０．７p.b.w.から調製した。溶液を孔径
０．２μｍの濾過器で濾過し、接着剤促進剤（ヘキサメ
チルジシラザン）で処理されたウェーハ上に３，０００
rpm でワーラー被覆した。熱板上で１００℃において１
分間乾燥した後、層厚は、１．１μｍであった。干渉フ
ィルターを使用して、記録材料をキセノン−水銀蒸気ラ
ンプで２４８±１０nmおよびエネルギー７５mJ／cm² の
放射線に原稿下で造像的に露光し、前の例に記載のよう
に貯蔵し、熱処理し、次いで、例１に記載の現像液を使
用して加工した。

【０１１３】現像時間１２０秒後、高いフランク安定性
を有するマスクの無欠陥ポジ画像が得られ、＜０．６μ
ｍの構造物はここで再度真に詳細に解像された。例１０〜１３ 前記記録材料を３６５、４０５、４３６、４４２および
４８８nmの波長の放射線に露光し、１０５、１１５、９
８、９５および１２５mJ／cm² の線量が最小０．７μｍ
までの試験構造物の定性的に完全な再現に必要であっ
た。例１４ 例９に従って製造したウェーハに６５mJ／cm² のエネル
ギーで波長２４８nmのＫｒＦエキシマレーザからの紫外
光を原稿下で照射した。次いで、ウェーハを室温で１５
分間貯蔵し、熱板上で約４５秒間１１０℃に加熱した。
現像後、原稿に真実のポジ画像が例９と同様に得られ、
１ミクロン未満の範囲内の構造物も真に詳細に再現され
た。例１５ 波長４３６nmの紫外光を使用する以外は、例８の実験を
繰り返した。１３５mJ／cm² の露光エネルギーは、原稿
のポジ鋭角画像を得るのに使用しなければならなかっ
た。例１６ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート４２p.b.w.中の１６５〜１８０℃の軟
化範囲を有する１：１スチレン／マレイミド共重合体
７．５p.b.w.、 ベンズアルデヒドジメチルアセタール１モルとＮ−プロ
ピルカルバミン酸２−ヒドロキシエチル２モルとを反応
させることによって製造されたオリゴマーＮ−Ｏ−アセ
タール（同時出願の独国特許出願第４１ １２ ９６
８．７号明細書の例１参照）２．０p.b.w.および１−
（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）−４，６−ジ
フェニル−２−ピリドン０．７p.b.w.から調製した。溶
液を孔径０．２μｍの濾過器で濾過し、接着剤促進剤
（ヘキサメチルジシラザン）で処理されたウェーハ上に
３，１００rpm でワーラー被覆した。熱板上で１００℃
において１分間乾燥した後、層厚は、１．０５μｍであ
った。

【０１１４】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー８５mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光し、
次いで、２分間１０５℃に加熱した。

【０１１５】０．０２Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を使用して、記録材料を現像し、露光部は６０
秒以内に残渣を残さずに離される一方、未露光部は損失
を事実上示さなかった。

【０１１６】もう１度、満足な急勾配のレジストフラン
クを有するマスクの無欠陥ポジ画像が、得られた。Rudo
lph によって作られた層厚測定器を使用しての測定に従
って、ブライト光の損失は、＜１０nmであった。＜０．
５５μｍの構造物も真に詳細に解像された。例１７ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート３０p.b.w.中のピロカテコールモノメ
タクリレート１０％とメタクリル酸２−ｔ−ブトキシカ
ルボニルオキシフェニル７０％とマレイミド２０％との
三元共重合体（独国特許出願Ｐ第４１ ０６ ５５８．
１号明細書の例１１と同様に製造）１０p.b.w.および１
−（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）−４，６−
ジフェニル−２−ピリドン０．３p.b.w.から調製した。
溶液を孔径０．２μｍの濾過器で濾過し、接着剤促進剤
（ヘキサメチルジシラザン）で処理されたウェーハ上に
４，５００rpm でワーラー被覆した。熱板上で１００℃
において１分間乾燥した後、層厚は、１．０３μｍであ
った。

【０１１７】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー８５mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光し
た。次いで、ウェーハを８５℃で１分間加熱する。

【０１１８】０．２７Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウ
ム水溶液を使用して、記録材料を現像し、露光部は６０
秒以内に残渣を残さずに離される一方、未露光部は損失
を事実上示さなかった。試験原稿中で＜０．５μｍの構
造物も真に詳細に解像された。例１８ 例８からの記録材料にゴールド・オン・シリコンマスク
を通してシンクロトロン放射線（BESSY 、ベルリン、７
５４ＭｅＶ）を２２５mJ／cm² の線量で照射した。実験
的組立体は、A. HeubergerによりMicroelectr. Eng.,
３，５３５（１９８５）に記載されている。例７に記載
の現像液および現像時間７０秒を使用して現像した後、
これは、＜０．４μｍの構造物までマスクの無欠陥画像
を与えた。レジストフランクは、平らな基板表面に事実
上垂直であった。例１９ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート３０p.b.w.中の平均分子量３，５００
およびシリル化度０．６を有するシリル化ポリ−４−ヒ
ドロキシスチレン樹脂（ＤＥ−Ａ第３，８０４，５３３
号明細書に従って製造）９p.b.w.および６−（４−クロ
ロスチリル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチ
ル−２−ピロドン０．８p.b.w.から調製した。溶液を孔
径０．２μｍの濾過器で濾過し、接着剤促進剤（ヘキサ
メチルジシラザン）で処理されたウェーハ上に４，７０
０rpm でワーラー被覆した。熱板上で１００℃において
１分間乾燥した後、層厚は、１．０８μｍであった。

【０１１９】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー４５mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光し
た。次いで、ウェーハを室温で１０分間貯蔵した。

【０１２０】０．２Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液を使用して、記録材料を現像し、露光部は６０秒
以内に残渣を残さずに離される一方、未露光部は損失を
事実上示さなかった。試験原稿中の＜０．８μｍの構造
物も真に詳細に解像された。 例２０ コーティング溶液をプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート３０p.b.w.中の平均分子量６，５００
を有するポリ−４−ヒドロキシスチレンと３，４−ジヒ
ドロ−２Ｈ−ピランとの反応生成物（転化率７４％）９
１０p.b.w.および１−メタンスルホニルオキシ−３，５
−ビス−メトキシメチル−４，６−ジメチル−２−ピリ
ドン０．８p.b.w.から調製した。溶液を孔径０．２μｍ
の濾過器で濾過し、接着剤促進剤（ヘキサメチルジシラ
ザン）で処理されたウェーハ上に４，２００rpm でワー
ラー被覆した。熱板上で１００℃において１分間乾燥し
た後、層厚は、０．９８μｍであった。

【０１２１】干渉フィルターを使用して、記録材料をキ
セノン−水銀蒸気ランプで２４８±１０nmおよびエネル
ギー５５mJ／cm² の放射線に原稿下で造像的に露光し
た。次いで、ウェーハを１分間１００℃に加熱した。

【０１２２】０．２Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム
水溶液を使用して、記録材料を現像し、露光部は６０秒
以内に残渣を残さずに離される一方、未露光部は損失を
事実上示さなかった。試験原稿中の＜０．６μｍの構造
物も真に詳細に解像された。 例２１および２２（比較例） 例９で使用した酸発生化合物を同じ量のトリフェニルス
ルホニウムヘキサフルオロホスフェート（例２１）また
は２−ニトロベンジルトシレート（例２２）に取り替え
るような方式で、例９のレジスト処方物を修正した。干
渉フィルターを使用して２４８±１０nmおよびそれぞれ
エネルギー６５およびおよび９５mJ／cm² の放射線に露
光し、例１に記載の組成の現像液中で現像した後、実施
に好適な画像弁別を示さない構造物が、得られた。

【０１２３】オニウム塩を使用した時には（例２１）、
いわゆる「コーティングフット」を有する構造物が得ら
れ、即ち、レジストの残渣は露光部で基板に接着する一
方、トシルエステルを使用した時には（例２２）、裸の
基板表面と部分的に重なる表面架橋（「リップ」）が可
視であった。両方の場合とも、許容可能な構造化は、こ
のように得ることができなかった。波長４３６nmの放射
線への露光の場合には、画像弁別は、いずれも場合にも
達成されなかった。例２３ オフセット印刷版を製版するために、機械的に粗面化さ
れ且つ前処理されたアルミニウム箔を下記組成：プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート９０p.b.
w.中の１０５〜１２０℃の軟化範囲を有するクレゾール
−ホルムアルデヒドノボラック７．５p.b.w.、 ２−エチルブチルアルデヒド１モルとトリエチレングリ
コール１モルとから製造されたポリアセタール２．３p.
b.w.、 ６−（４−クロロスチリル）−１−メタンスルホニルオ
キシ−４−メチル−２−ピリドン０．５p.b.w.およびク
リスタルバイオレットベース０．０５p.b.w.のコーティ
ング溶液でワーラー被覆した。層の乾燥後（層重量約
２．５ｇ／ m² ）層をポジ試験原稿下で３０秒間露光
し、２０分間貯蔵し、下記組成：脱イオン水９７．７p.
b.w.中の 水酸化ナトリウム０．５p.b.w. メタケイ酸ナトリウム×９Ｈ₂ Ｏ ０．８p.b.w. ２−ｎ−ブトキシエタノール１．０p.b.w.の現像液を使
用して現像した。

【０１２４】水ですすいだ後、印刷版は、１％リン酸で
拭き取ることによって印刷の準備ができていた。印刷機
にクランプした後、６２，０００の完全な印刷物が、得
られた。例２４ ドライエッチ−およびポジ電着−レジストの溶液は、下
記組成物：ブタノン３０p.b.w.中の例１に記載のノボラ
ック１２．５p.b.w. ブチルアルデヒドとジエチレングリコールとの縮合によ
って製造された平均分子量約１，４００を有するオリゴ
マー脂肪族ポリアセタール１０．０p.b.w.６−（４−メ
トキシスチリル）−４−メチル−１−（４−ニトロベン
ゼンスルホニルオキシ）−２−ピロドン０．５p.b.w.お
よびクリスタルバイオレット０．１p.b.w.を調製するこ
とによって調製した。この目的に通常の２５μｍ厚のポ
リエチレンテレフタレートフィルムをこの溶液で被覆し
て乾燥層厚１８μｍを与えた。乾燥レジストフィルムの
表面を更に他のポリエチレンテレフタレートフィルムに
積層した。カバーフィルムを剥離した後、乾燥フィルム
を熱圧下で黄銅プレートに積層した。冷却し、支持体フ
ィルムを剥離した後、プレートを原稿を通して露光し、
良好な画像コントラストが短い加熱後に可視であった。
例１に記載の組成の現像液を使用して、露光部を噴霧現
像した。次いで、市販の塩化鉄（III)溶液を使用して、
プレートを平滑なフランクまで食刻した。得られたミル
ド製品は、分離前にさらに一層加工できる。例２５〜７５ 例９と同様に、酸発生化合物を同じ量の本発明に係る別
の１−スルホニルオキシ−２−ピリドン（化合物番号で
表記）に取り替えたコーティング溶液を調製した。コー
ティング溶液を例９と同様にアルミニウムシート上にワ
ーラー被覆して乾燥層厚約２．０μｍを与え、次いで、
１５ステップおよび濃度差０．１５／ステップを有する
灰色のウェッジマスクを通して異なる波長（２４８±１
０nm、３６５±５nm、４３６±５nm）の放射線に露光し
た。次いで、露光されたシートを１分間１００℃に加熱
した後、例１に記載の現像液を使用して現像した。現像
時に、混合物は、低い露光線量のウェッジステップに対
応するエリアでは現像液によって攻撃されない一方、フ
ィルムの完全な分離が、大きい露光線量の場合に生じ
た。次いで、造像的に残り且つ現像液によっては完全に
は離されないウェッジステップに対応するスッテプの最
高数は、感度の尺度として評価した。より高いステップ
数は、より高い感度を意味する。結果を表IIに総括す
る。表Ｉ １） １−（４−フルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−３，４，６−トリメチル−２−ピリドン ２） ６−（４−クロロスチリル）−１−メタンスル
ホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ３） １−（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）
−４，６−ジフェニル−２−ピリドン ４） ６−シクロヘキシル−１−メタンスルホニルオ
キシ−４−メチル−３−ニトロ−２−ピリドン ５） １−メタンスルホニルオキシ−３，５−ビス−
メトキシメチル−４，６−ジメチル−２−ピリドン ６） ３−シアノ−１−メタンスルホニルオキシ−
４，６−ジメチル−２−ピリドン ７） ６−イソプロピル−１−メタンスルホニルオキ
シ−４−メチル−２−ピリドン ８） ６−（２，２−ジフェニルビニル）−１−メタ
ンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ９） ６−（２−アントラセン−９−イルビニル）−
１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリド
ン １０） １−（４−ブロモベンゼンスルホニルオキシ）
−４−メチル−６−（４−トリフルオロメチルスチリ
ル）−２−ピリドン １１） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（４−ニトロフェニル）−２−ピリドン １２） １−ベンゼンスルホニルオキシ−６−イソプロ
ピル−４−メチル−２−ピリドン １３） １−エタンスルホニルオキシ−６−（４−メト
キシフェニル）−４−メチル−２−ピリドン １４） ６−（３−クロロ−４−メトキシフェニル）−
４−メチル−１−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキ
シ）−２−ピリドン １５） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−３
−メチルメルカプト−６−フェニル−２−ピリドン １６） １−ベンゼンスルホニルオキシ−６−ブチル−
４−メチル−５−ニトロ−２−ピリドン １７） １−ブタンスルホニルオキシ−４−プロピル−
６−ｐ−トリル−２−ピリドン １８） ３−ブロモ−６−（３，４−ジクロロフェニ
ル）−４−メチル−１−（トルエン−４−スルホニルオ
キシ）−２−ピリドン １９） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−〔１〕ナフチル−２−ピリドン ２０） ５−シアノ−６−シクロヘキシル−１−〔４−
（２−メトキシエトキシ）ベンゼンスルホニルオキシ〕
−４−メチル−２−ピリドン ２１） ６−（４−ベンジルオキシフェニル）−４−エ
チル−３−フェニルメルカプト−１−トリフルオロメタ
ンスルホニルオキシ−２−ピリドン ２２） ３，５−ジブロモ−１−（４−フルオロベンゼ
ンスルホニルオキシ）−４−メチル−６−（２，４，５
−トリクロロフェニル）−２−ピリドン ２３） １−メタンスルホニルオキシ−４，６−ジメチ
ル−２−ピリドン ２４） ６−シクロヘキシル−１−（３，４−ジクロロ
ベンゼンスルホニルオキシ）−４−メチル−３−フェニ
ル−２−ピリドン ２５） ４−エチル−６−〔２〕ナフチル−１−トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ−２−ピリドン ２６） ３−ブロモ−１−（４−カルボキシベンゼンス
ルホニルオキシ）−６−（３，４−ジメトキシフェニ
ル）−４−メチル−２−ピリドン ２７） ５−エタンスルホニルオキシ−４−メチル−
２，３−ジヒドロ−１Ｈ−シクロペンタ〔ｃ〕ピリジン
−６−オン ２８） ３−アリル−１−ベンゼンスルホニルオキシ−
４−メチル−６−フェニル−２−ピリドン ２９） ６−ベンズヒドリル−４−メチル−１−トリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ−２−ピリドン ３０） ３−ブロモ−１−（４−メトキシベンゼンスル
ホニルオキシ）−４−メチル−６−〔２〕ノルボルニル
−２−ピリドン ３１） ５−アリル−４−メチル−６−フェニル−１−
トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ピリドン ３２） ４−メチル−６−フェニル−５−プロプ−３−
イニル−１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２
−ピリドン ３３） ６−（２−エチルペンチル）−１−（１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホニルオ
キシ）−４−メチル−２−ピリドン ３４） ４−メチル−６−フェネチル−１−（４−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−２−ピリ
ドン ３５） ６−（３−クロロ−４−メトキシスチリル）−
１−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシ）−４−フ
ェニル−２−ピリドン ３６） ４−ブチル−６−（３，４−ジメトキシスチリ
ル）−１−（４−メトキシベンゼンスルホニルオキシ）
−２−ピリドン ３７） ６−〔２，２−ビス−（４−メトキシフェニ
ル）−ビニル〕−４−メチル−１−（トルエン−４−ス
ルホニルオキシ）−２−ピリドン ３８） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（４−スチリルスチリル）−２−ピリドン ３９） １−ベンゼンスルホニルオキシ−６−〔２−
（１０，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジベンゾ〔ａ，ｄ〕シ
クロペンテン−５−イル）−ビニル〕−４−メチル−２
−ピリドン ４０） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（６−フェニル−ヘキサ−１，３，５−トリエニル）
−２−ピリドン ４１） ６−（４−フルオロスチリル）−１−メタンス
ルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ４２） １−ベンゼンスルホニルオキシ−４−メチル−
６−スチリル−２−ピリドン ４３） ６−（３，４−ジメトキシスチリル）−１−エ
タンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ４４） ６−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−
１−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシ）−２−ピ
リドン ４５） ６−（４−シアノスチリル）−４−メチル−１
−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ピリドン ４６） ６−（３−ベンジルオキシスチリル）−１−
（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）−４−メチル
−２−ピリドン ４７） １−ブタンスルホニルオキシ−６−（３，４−
ジクロロスチリル）−４−メチル−２−ピリドン ４８） １−（４−クロロ−３−ニトロベンゼンスルホ
ニルオキシ）−６−（５−エトキシ−２−メトキシスチ
リル）−４−メチル−２−ピリドン ４９） １−（４−ブロモベンゼンスルホニルオキシ）
−６−（３−クロロ−４−メチルスチリル）−４−メチ
ル−２−ピリドン ５０） ６−（４−ベンジルオキシ−３−メトキシスチ
リル）−１−（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）
−４−メチル−２−ピリドン ５１） １−イソプロパンスルホニルオキシ−４−メチ
ル−６−（４−フェニル−ブタ−１，３−ジエニル）−
２−ピリドン ５２） ４−メチル−６−（２−〔１〕ナフチル−ビニ
ル）−１−（４−ニトロベンゼンスルホニルオキシ）−
２−ピリドン ５３） ６−〔４−（２−エトキシエトキシ）スチリ
ル〕−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−
ピリドン ５４） ６−（２，４−ジメトキシ−３−メチルスチリ
ル）−４−メチル−１−（トルエン−４−スルホニルオ
キシ）−２−ピリドン ５５） ４−メチル−６−スチリル−１−トリクロロメ
タンスルホニルオキシ−２−ピリドン ５６） ４−メチル−６−（２−〔２〕ナフチル−ビニ
ル）−１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２−
ピリドン ５７） ４−シクロヘキシル−６−（４−メトキシ−ス
チリル）−１−メタンスルホニルオキシ−２−ピリドン ５８） ４−シアノ−６−（３，４−ジメチルスチリ
ル）−４−メチル−１−（トルエン−４−スルホニルオ
キシ）−２−ピリドン ５９） ６−〔２−（４−クロロフェニル）−プロペニ
ル〕−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−
ピリドン ６０） ６−（３−クロロ−４−メトキシスチリル）−
４−フェニル−１−（４−ニトロベンゼンスルホニルオ
キシ）−２−ピリドン ６１） ４−ブチル−６−（３，４−ジメトキシスチリ
ル）−１−（４−メトキシベンゼンスルホニルオキシ）
−２−ピリドン ６２） ６−〔２，２−ビス−（４−メトキシフェニ
ル）−ビニル〕−４−メチル−１−（トルエン−４−ス
ルホニルオキシ）−２−ピリドン ６３） ６−（２−アントラセン−９−イルビニル）−
４−メチル−１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）
−２−ピリドン ６４） １−ベンゼンスルホニルオキシ−５−クロロ−
４−エチル−６−（４−メトキシスチリル）−２−ピリ
ドン ６５） ４−メチル−３−ニトロ−６−（２−チオフェ
ン−２−イルビニル）−１−（トルエン−４−スルホニ
ルオキシ）−２−ピリドン ６６） ３−ブチルメルカプト−１−メタンスルホニル
オキシ−６−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−
２−ピリドン ６７） ３，５−ジブロモ−４−メチル−６−（３−メ
チルスチリル）−１−（トルエン−４−スルホニルオキ
シ）−２−ピリドン ６８） １−エタンスルホニルオキシ−３−メトキシメ
チル−４−メチル−６−（２−〔２〕ナフチルビニル）
−２−ピリドン ６９） ３，５−ジクロロ−６−〔２−（６−メトキシ
−〔２〕ナフチル）−ビニル〕−４−メチル−１−（ト
ルエン−４−スルホニルオキシ）−２−ピリドン ７０） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（２−〔１〕ナフチルビニル）−２−ピリドン ７１） ６−（４−ジメチルアミノスチリル）−１−メ
タンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ７２） ６−（２−ベンゾフラン−２−イルビニル）−
３−メトキシメチル−４−メチル−１−（トルエン−４
−スルホニルオキシ）−２−ピリドン ７３） ６−〔２−（５−ブロモチオフェン−２−イ
ル）−ビニル〕−３，５−ジクロロ−４−メチル−１−
（トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−２
−ピリドン ７４） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（４−フェニルスチリル）−２−ピリドン ７５） １−ベンゼンスルホニルオキシ−３−ブロモ−
６−〔４−（４−クロロフェノキシ）−スチリル〕−４
−メチル−２−ピリドン ７６） ６−〔４−（４−クロロフェニルメルカプト）
−スチリル〕−１−（４−フルオロベンゼンスルホニル
オキシ）−４−メチル−２−ピリドン ７７） ６−〔４−（４−クロロベンジルオキシ）−ス
チリル〕−１−（４−イソプロピルベンゼンスルホニル
オキシ）−４−メチル−２−ピリドン ７８） ６−（４−クロロ−３−トリフルオロメチル−
スチリル）−１−（１， １，２，３，３，３
−ヘキサフルオロプロパンスルホニルオキシ）−
４−メチル−２−ピリドン ７９） １−ベンゼンスルホニルオキシ−６−（４−ジ
メチルアミノスチリル） −４−メチル−２−
ピリドン ８０） ６−（４−アリルオキシ）−スチリル〕−１−
メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ８１） ６−（３，５−ジクロロ−４−ヘキシルオキシ
スチリル）−４−メチル−１−プロパンスルホニルオキ
シ−２−ピリドン ８２） ４−メチル−６−（２−フェニル−２−シクロ
ヘキシルビニル）−１−（トルエン−４−スルホニルオ
キシ）−２−ピリドン ８３） １−（４−メトキシベンゼンスルホニルオキ
シ）−４−メチル−６−（２−フェニル−ヘキシ−１−
エニル）−２−ピリドン ８４） ３−ブロモ−６−（２−シクロヘキシルビニ
ル）−４−メチル−１−トリフルオロメタンスルホニル
オキシ）−２−ピリドン ８５） ４−エチル−１−メタンスルホニルオキシ−６
−ペント−１−エニル−２−ピリドン ８６） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（２−メチルプロプ−１−エニル）−２−ピリドン ８７） ６−シクロオクチリデンメチル−１−メタンス
ルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ８８） ６−シクロペンチリデンメチル−４−メチル−
１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２−ピリド
ン ８９） ６−〔２−（５−ブロモ−チオフェン−２−イ
ル）−ビニル〕−３−メタンスルホニルアミノ−１−メ
タンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン ９０） ６−〔２−（５−ブロモ−チオフェン−２−イ
ル）−ビニル〕−３−イソブチリルアミノ−４−メチル
−１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２−ピリ
ドン ９１） １−エタンスルホニルオキシ−６−（２−メチ
ル−６−フェニル−ヘキサ−１，３，５−トリエニル）
−４−メチル−２−ピリドン ９２） ６−（４−シクロヘキシルオキシ−スチリル）
−１−（１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロ
パンスルホニルオキシ）−４−メチル−２−ピリドン ９３） ６−（３−シクロプロピルオキシ−スチリル）
−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリ
ドン ９４） ６−（２−ベンゾフラン−２−イル−ビニル）
−４−メチル−１−（トルエン−４−スルホニルオキ
シ）−２−ピリドン ９５） ６−〔２−（５−ブロモチオフェン−２−イ
ル）−ビニル〕−４−メチル−１−（３−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホニルオキシ）−２−ピリドン ９６） ４−メチル−６−〔２−（５−メチルフラン−
２−イル）−ビニル〕−１−（ナフタレン−２−イルス
ルホニルオキシ）−２−ピリドン９７） ４−メチル−
６−（４−ニトロスチリル）−１−オクタンスルホニル
オキシ−２−ピリドン ９８） １−ヘキサデカンスルホニルオキシ−４−メチ
ル−６−（４−ニトロスチリル）−２−ピリドン ９９） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（４−ニトロスチリル）−２−ピリドン 100 ） ６−（２，２−ジチオフェン−２−イル−ビニ
ル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−
ピリドン 101 ） ３−シアノ−６−（２，４−ジメトキシスチリ
ル）−４−メチル−１−トリフルオロメタンスルホニル
オキシ−２−ピリドン 102 ） ６−（２−ベンゾフラン−２−イル−ビニル）
−４−メチル−３−チオシアナト−１−（トルエン−４
−スルホニルオキシ）−２−ピリドン 103 ） ６−（２−ベンゾフラン−２−イル−ビニル）
−３−ブロモ−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチ
ル−２−ピリドン 104 ） ３，５−ビス−イソプロピルメルカプトメチル
−４−メチル−１−（４−ニトロベンゼンスルホニルオ
キシ）−６−スチリル−２−ピリドン 105 ） １−（４−メトキシベンゼンスルホニルオキ
シ）−４−メチル−６−（２，３，４，５，６−ペンタ
フルオロスチリル）−２−ピリドン 106 ） ６−（３，５−ジクロロ−２，４，６−トリメ
トキシスチリル）−４−メチル−１−（１−トリフルオ
ロメチル−２，２，２−トリフルオロエタンスルホニル
オキシ）−２−ピリドン 107 ） ６−（３−ブロモ−２，４，６−トリメトキシ
−スチリル）−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチ
ル−２−ピリドン 108 ） ６−（２−フェロセニルビニル）−４−メチル
−１−（トルエン−４−スルホニルオキシ）−２−ピリ
ドン 109 ） ６−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）−
ビニル〕−４−メチル−３−ニトロ−１−（トルエン−
４−スルホニルオキシ）−２−ピリドン 110 ） ６−（４−ｔ−ブチル−スチリル）−４−メチ
ル−５−ニトロ−１−プロパンスルホニルオキシ−２−
ピリドン 111 ） ３，５−ジニトロ−６−（４−ｔ−ブチル−ス
チリル）−４−メチル−１−ブタンスルホニルオキシ−
２−ピリドン 112 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−３−ブロモ−
６−（４−ブトキシ−スチリル）−４−メチル−５−ニ
トロ−２−ピリドン 113 ） １−（４−ブロモベンゼンスルホニルオキシ）
−４−メチル−６−（４−トリフルオロメチルスチリ
ル）−２−ピリドン 114 ） ６−（３−クロロ−４−フェニル−ブタ−１，
３−ジエニル）−１−イソプロパンスルホニルオキシ−
４−メチル−２−ピリドン 115 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−４−メチル−
６−〔２−（１−ベンゼンスルホニル−ピロール−２−
イル）−ビニル〕−２−ピリドン 116 ） ６−（１０，１１−ジヒドロ−ジベンゾ〔ａ，
ｄ〕シクロヘプト−５−イリデンメチル）−４−メチル
−１−（２−チオフェン−２−イルスルホニルオキシ）
−２−ピリドン 117 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−４−メチル−
６−（４−スチリル−スチリル）−２−ピリドン 118 ） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（２−〔１〕ナフチルビニル）−２−ピリドン 119 ） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（４−フェニル−ブタ−１，３−ジエニル）−２−ピ
リドン 120 ） ６−（４−ジメチルアミノスチリル）−１−メ
タンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン 121 ） １−メタンスルホニルオキシ−６−（４−メト
キシ−スチリル）−４−メチル−２−ピリドン 122 ） １−（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）
−６−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−２−ピ
リドン 123 ） １−（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）
−６−（４−クロロスチリル）−４−メチル−２−ピリ
ドン 124 ） １−エタンスルホニルオキシ−６−（４−メト
キシスチリル）−４−メチル−２−ピリドン 125 ） ３−ブロモ−１−メタンスルホニルオキシ−６
−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−２−ピリド
ン 126 ） １−イソプロパンスルホニルオキシ−６−（４
−メトキシスチリル）−４−メチル−２−ピリドン 127 ） １−ブタンスルホニルオキシ−６−（４−メト
キシスチリル）−４−メチル−２−ピリドン 128 ） ６−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−
１−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ピリド
ン 129 ） ６−（４−メトキシスチリル）−（１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホニルオ
キシ）−４−メチル−２−ピリドン 130 ） ６−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−
１−ベンゼンスルホニルオキシ−２−ピリドン 131 ） １−（４−フルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−６−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−ピ
リドン 132 ） ６−（４−メトキシスチリル）−４−メチル−
１−（４−トリフルオロベンゼンスルホニルオキシ）−
２−ピリドン 133 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−６−（４−メ
トキシスチリル）−４−メチル−２−ピリドン 134 ） ６−（４−クロロスチリル）−１−エタンスル
ホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン 135 ） ３−ブロモ−６−（４−クロロスチリル）−１
−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン 136 ） ６−（４−クロロスチリル）−１−イソプロパ
ンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン 137 ） １−ブタンスルホニルオキシ−６−（４−クロ
ロスチリル）−４−メチル−２−ピリドン 138 ） ６−（４−クロロスチリル）−４−メチル−１
−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−２−ピリドン 139 ） ６−（４−クロロスチリル）−１−（１，１，
２，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンスルホニルオ
キシ）−４−メチル−２−ピリドン 140 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−６−（４−ク
ロロスチリル）−４−メチル−２−ピリドン 141 ） ６−（４−クロロスチリル）−１−（４−フル
オロベンゼンスルホニルオキシ）−４−メチル−２−ピ
リドン 142 ） ６−（４−クロロスチリル）−４−メチル−１
−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−２−ピリドン 143 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−６−（４−ク
ロロスチリル）−４−メチル−２−ピリドン 144 ） １，４−ビス−（４−メチル−２−オキソ−６
−スチリル−２Ｈ−ピリジン−１−イルオキシスルホニ
ル）−ブタン 145 ） １，３−ビス−〔６−（４−メトキシ−スチリ
ル−４−メチル−２−オキソ−２Ｈ−ピリジン−１−イ
ルオキシスルホニル）〕−ベンゼン 146 ） １，３−ビス−〔３−ブロモ−６−（４−クロ
ロスチリル）−４−メチル−２−オキソ−２Ｈ−ピリジ
ン−１−イルオキシスルホニル〕−２，４，６−トリメ
チルベンゼン 147 ） １，５−ビス−〔６−（４−フルオロスチリ
ル）−４−メチル−２−オキソ−２Ｈ−ピリジン−１−
イルオキシスルホニル〕−ナフタレン 148 ） ２−クロロ−３，５−ビス−〔４−メチル−６
−（４−メチルスチリル）−２−オキソ−２Ｈ−ピリジ
ン−１−イルオキシスルホニル〕−チオフェン 149 ） １−メタンスルホニルオキシ−２−ピリドン 150 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−４−メチル−
３−チオシアナト−６−（２，４，４−トリメチル−ペ
ンチル）−２−ピリドン 151 ） ６−シクロヘキシル−３−メタンスルホニルア
ミノ−１−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−２−
ピリドン 152 ） ３−アセチルアミノ−４−メチル−１−（ナフ
タレン−２−イルスルホニルオキシ）−６−フェニル−
２−ピリドン 153 ） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−フェニル−２−ピリドン 154 ） ５−クロロー３，４，６−トリメチル−１−
（チオフェン−２−イルスルホニルオキシ）−２−ピリ
ドン 155 ） １−メタンスルホニルオキシ−４，６−ジフェ
ニル−２−ピリドン 156 ） １−（４−クロロベンゼンスルホニルオキシ）
−６−シクロヘキシル−４−メチル−２−ピリドン 157 ） １−（４−イソプロピルベンゼンスルホニルオ
キシ）−４−メチル−６−ウンデシル−２−ピリドン 158 ） １−メタンスルホニルオキシ−４−メチル−６
−（２，３，３−トリメチルブチル）−２−ピリドン 159 ） １−（２−クロロ−５−ニトロベンゼンスルホ
ニルオキシ）−４−メチル−６−（２，４，６−トリク
ロロフェノキシメチル）−２−ピリドン 160 ） ６−（４−クロロベンジル）−１−（３−クロ
ロ−４−メトキシベンゼンスルホニルオキシ）−４−メ
チル−２−ピリドン 161 ） １−メタンスルホニルオキシ−４，５，６−ト
リフェニル−２−ピリドン 162 ） ６−（２，４−ジクロロフェニル）−１−メタ
ンスルホニルオキシ−４−メチル−２−ピリドン 163 ） ６−（２−シクロヘキシルエチル）−４−メチ
ル−１−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ−２
−ピリドン 164 ） １−（４−ブロモベンゼンスルホニルオキシ）
−４−メチル−６−〔２〕ノルボルニル−２−ピリドン 165 ） ３−エチル−１−メタンスルホニルオキシ−４
−メチル−６−ｐ−トリル−２−ピリドン 166 ） １−ベンゼンスルホニルオキシ−３，５−ジヨ
ード−４，６−ジメチル−２−ピリドン 167 ） １，３−ビス−（４−メチル−２−オキソ−２
Ｈ−ピリジン−１−イルオキシスルホニル）−４，６−
ジクロロベンゼン 168 ） ６−（２，４−ジクロロベンジル）−４−メチ
ル−３，５−ジニトロ−１−（トルエン−４−スルホニ
ルオキシ）−２−ピリドン 169 ） １，３−ビス−（６−シクロヘキシル−４−メ
チル−２−オキソ−２Ｈ−ピリジン−１−イルオキシス
ルホニル）−２，４，６−トリメチルベンゼン 170 ） １，４−ビス−（４−メチル−２−オキソ−６
−フェニル−２Ｈ−ピリジン−１−イルオキシスルホニ
ル）−ブタン

【表１】

【表２】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ａ）化学線の作用下で強酸を発生する化合
   物、 ｂ）酸によって開裂できる少なくとも１個のＣ−Ｏ−Ｃ
   またはＣ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物、および ｃ）水に不溶性であり且つ水性アルカリ性溶液に可溶性
   または少なくとも膨潤性である高分子結合剤を有するポ
   ジ型感放射線混合物であって、化合物（ａ）は式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ¹ は水素原子またはアルキル、シクロアルキ
   ル、アリール、アラルケニル、ヘテロアリールまたはヘ
   テロアラルケニル基であり、 Ｒ² は水素、塩素、臭素またはアルキル、シクロアルキ
   ル、アリールまたはヘテロアリール基であり、またはＲ
   ¹ およびＲは一緒に５〜８員環を形成し、 Ｒ³ は水素またはアルキル基であり、 Ｒ⁴ は水素、ハロゲン、ニトロ、アシルアミノ、シア
   ノ、チオシアナトまたはアルキル、アルケニル、アルキ
   ニル、アリール、アラルキル、アルキルチオ、アリール
   チオまたはシクロアルキルチオ基であり、 Ｒ⁵ は水素またはアルキルまたはアリール基であり、ま
   たはＲ⁴ およびＲ⁵ は一緒に５〜８員環を形成し、 Ｒ⁶ は水素、ハロゲン、ニトロ、アシルアミノ、シア
   ノ、チオシアナトまたはアルキル、アルケニル、アルコ
   キシアルキル、アリール、アラルキル、アルキルチオ、
   シクロアルキルチオまたはアリールチオ基であり、 Ｒ⁷ はアルキルまたはシクロアルキル基、過フッ素化ま
   たは高フッ素化アルキル基またはアリール、アリールア
   ルキルまたはヘテロアリール基またはアルキレンまたは
   アリーレン基であり、 ｍは１または２の数であり、 ｎは０〜３の整数である）の１−スルホニルオキシ−２
   −ピリドンであることを特徴とするポジ型感放射線混合
   物。
2. 【請求項２】Ｒ¹ が、アルキルまたはシクロアルキル基
   または式II 【化２】 〔式中、Ｒ⁸ およびＲ⁹ は同一または異種であり、水素
   または低級アルキルまたはアリール基であり、 Ｒ¹⁰〜Ｒ¹⁴は同一または異種であり、水素、アルキル、
   アルケニル、アルコキシ、アルキルチオまたはアルカン
   スルホニル基（各々は６個までの炭素原子を有する）、
   炭素数８までのシクロアルキルオキシ、シクロアルキル
   チオまたはシクロアルカンスルホニル基、フェニル、ス
   チリル、フェノキシ、フェニルチオ、ベンゼンスルホニ
   ル、フェニルアルコキシ、フェニルアルキルチオまたは
   フェニルアルカンスルホニル基（芳香環上で置換しても
   よく且つアルキル鎖中に３個までの炭素原子を有す
   る）、ヒドロキシ、ハロゲン、トリフルオロメチル、ニ
   トロ、シアノ、アルコキシカルボニル、カルバモイル
   （窒素上で５〜７員環を形成するために結合してもよい
   １または２個のアルキル基で置換してもよい）、スルフ
   ァモイル（窒素上で５〜７員環を形成するために結合し
   てもよい１または２個のアルキル基で置換してもよ
   い）、アルカンスルホニルオキシ、アリールスルホニル
   オキシ、アシルアミノ、アルキルアミノまたはアリール
   アミノであり、または２個の相互に隣接する置換基Ｒ¹⁰
   〜Ｒ¹⁴は１または２個の更に他の縮合環を形成し、 ｏは０または１の数である〕のアリール基である、請求
   項１に記載のポジ型感放射線混合物。
3. 【請求項３】Ｒ¹ が、式III 【化３】 の、３個までのヘテロ原子を有する５または６員複素環
   式環である、請求項１または２に記載のポジ型感放射線
   混合物。
4. 【請求項４】Ｒ¹ がフェロセニル基であり、 Ｒ² が水素、塩素、臭素、アルキル、シクロアルキルま
   たは式IIまたはIII の基であり、またはＲ¹ およびＲ²
   が一緒に５〜８員環を形成し、 Ｒ³ が水素またはアルキル基であり、 Ｒ⁴ が水素、ハロゲン、ニトロ、アシルアミノ、シア
   ノ、チオシアナトまたはアルキル、アリール、アルキル
   チオ、アリールチオまたはシクロアルキルチオ基であ
   り、 Ｒ⁵ が水素またはアルキルまたはアリール基であり、ま
   たはＲ⁴ およびＲ⁵ が一緒に５〜８員環を形成し、 Ｒ⁶ が水素、ハロゲン、ニトロ、アシルアミノ、シア
   ノ、チオシアナトまたはアルキル、アリール、アルキル
   チオ、アリールチオまたはシクロアルキルチオ基であ
   り、 Ｒ⁷ がアルキルまたはシクロアルキル基、過フッ素化ま
   たは高フッ素化アルキル基またはアリール、アリールア
   ルキルまたはヘテロアリール基またはアルキレンまたは
   アリーレン基であり、 ｎが０〜３の整数であり、 ｍが１または２の数である、請求項１ないし３のいずれ
   か１項に記載のポジ型感放射線混合物。
5. 【請求項５】Ｒ⁷ が、炭素数１〜４のアルキル基、炭素
   数１〜４の高フッ素化アルキル基または過フッ素化アル
   キル基または式IV 【化４】 〔式中、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁹は同一または異種であり、水素原子
   またはハロゲン原子、好ましくはフッ素、塩素または臭
   素、アルキル基（６個までの炭素原子を有し且つ非置換
   であるかハロゲン原子、好ましくは塩素または臭素、ア
   リールまたはアリールオキシ基で置換されている）（個
   々のメチレン基は酸素または硫黄原子で置換でき、各々
   の場合にこれらの基の２つは５または６員環を形成する
   ために結合できる）、炭素数８までのシクロアルキル
   基、炭素数６までのアルケニル基または炭素数１０まで
   のアリールまたはアリールオキシ基であり、基Ｒ¹⁵〜Ｒ
   ¹⁹中の炭素原子の合計数は１２以下である〕のアリール
   基である、請求項１に記載のポジ型感放射線混合物。
6. 【請求項６】Ｒ⁷ が、炭素数１０までのナフチルまたは
   ヘテロアリール基、炭素数６までのアルキレン基または
   炭素数１４までのアリーレンまたはヘテロアリーレン基
   である、請求項１に記載のポジ型感放射線混合物。
7. 【請求項７】Ｒ² 、Ｒ³ 、Ｒ⁴ およびＲ⁶ が水素原子で
   あり、 Ｒ⁵ がメチル基であり、 Ｒ⁷ がメチル、エチル、トリフルオロメチル、１，１，
   ２，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル、フェニル、
   トリル、４−フルオロフェニル、４−クロロフェニル、
   ４−ブロモフェニルまたは４−ニトロフェニル基であ
   り、 ｍが１の数であり、 ｎが０または１の数である、請求項１に記載のポジ型感
   放射線混合物。
8. 【請求項８】酸発生化合物（ａ）の含量が、感放射線混
   合物中の固形分の全重量に対して０．５〜２５重量％、
   好ましくは１．０〜１５重量％である、請求項１ないし
   ７のいずれか１項に記載のポジ型感放射線混合物。
9. 【請求項９】波長約２２０〜５００nmの放射線に対する
   結合剤または結合剤の組み合わせの吸光が、０．５μｍ
   ^-1未満、好ましくは０．３μｍ^-1未満である、請求項１
   ないし８のいずれか１項に記載のポジ型感放射線混合
   物。
10. 【請求項１０】結合剤（ｃ）が、フェノール性ヒドロキ
    シ基を含有する、請求項１ないし９のいずれか１項に記
    載のポジ型感放射線混合物。
11. 【請求項１１】結合剤（ｃ）が、ノボラック縮合樹脂３
    ０重量％まで、特に２０重量％までを含有する、請求項
    １０に記載のポジ型感放射線混合物。
12. 【請求項１２】結合剤（ｃ）の含量が、感放射線混合物
    中の固形分の全重量に対して３０〜９５重量％、好まし
    くは４０〜９０重量％、特に好ましくは５０〜８５重量
    ％である、請求項９ないし１１のいずれか１項に記載の
    ポジ型感放射線混合物。
13. 【請求項１３】酸不安定化合物（ｂ）が、単量体または
    オリゴマーアセタール、オルトエステル誘導体またはＮ
    −Ｏ−アセタールである、請求項１ないし１２のいずれ
    か１項に記載のポジ型感放射線混合物。
14. 【請求項１４】１−スルホニルオキシ−２−ピリドン
    が、波長２２０〜５００nmの放射線に対して混合物の残
    りの成分よりも高いモル吸収を有する、請求項１に記載
    のポジ型感放射線混合物。
15. 【請求項１５】支持体および感放射線層からなるポジ型
    感放射線記録材料であって、該層が請求項１ないし１４
    のいずれか１項に記載の感放射線混合物を含むことを特
    徴とするポジ型感放射線記録材料。
16. 【請求項１６】記録材料を造像的に照射し、加熱し、次
    いで、現像することからなり、記録材料の露光部は溶解
    されるか除去されることを特徴とする画像パターンの製
    法。
17. 【請求項１７】波長１５０〜５５０nm、好ましくは２０
    ０〜４５０nm、特に好ましくは２４０〜４４０nmの放射
    線を使用して記録材料を使用する、請求項１６に記載の
    方法。
18. 【請求項１８】現像された層を後硬化する、請求項１５
    ないし１７のいずれか１項に記載の方法。