JPH05198616A - テープ・ボンディング（ｔａｂ）半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、温度変化を受けるＴＡＢテ−プま
たはキャリア・フィルムにおいて、変形の少ないＴＡＢ
半導体デバイスおよびそのデバイスを形成する方法を提
供することを目的とする。 【構成】 温度変化によるＴＡＢテ−プの変形は、熱力
学リ−ドによって防ぐことが可能である。本発明の特定
の実施例では、半導体デバイス（３０）は、電子素子
（３１）およびＴＡＢテ−プを含む。そのテ−プは、キ
ャリア・フィルム（１２）およびそのキャリア・フィル
ム上で形成される電気リ−ド（２０）を含む。電気リ−
ドは、電子素子と電気的に結合する。熱力学リ−ドもま
たキャリア・フィルム上に含まれ、キャリア・フィルム
内の対向する領域内に形成され、従来その領域ではリ−
ドがなかった。温度変化に委ねられた際にＴＡＢテ−プ
に生ずるストレスの分布を一様にするため、熱力学リ−
ドは、電気リ−ドと近似的に等しいリ−ド・ピッチを有
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般に半導体デバイス
に関し、特にテ−プ・ボンディング（ＴＡＢ）半導体デ
バイスおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】ＴＡ
Ｂ半導体デバイスは、テ−プ・ボンディング（ＴＡＢ）
技術および素子を使用するデバイスである。ＴＡＢデバ
イスが主流となりつつあるのは、ＴＡＢテ−プはテ−プ
上で形成される導電性リ−ドを非常に接近させることが
可能であるためである。リ−ドを接近させて配置するこ
とは、半導体製品のサイズを最小にし、ひいては最終的
な製品のサイズも小型化することが可能である。

【０００３】図１は、半導体デバイスを形成する際に用
いられる従来のＴＡＢテ−プ１０を示している。ＴＡＢ
テ−プ１０は、一般にポリイミドのような薄いポリマで
あるキャリア・フィルム１２から形成される。キャリア
・フィルム１２は、様々な製造装置でフィルムを調整す
るために使用するアライメント・ホ−ル１４を有し、そ
のような装置間でフィルムを送り出すためのスプロケッ
ト・ホ−ル１６を有する。素子取付け領域１８は、集積
回路のような電子素子（図示されてはいない）を配置す
るために設けられている。キャリア・フィルム１２上
で、複数の電気リ−ド２０は、素子取付け領域１８の各
側から外側に伸びる。電気リ−ドは、一般に薄い銅のフ
ィルムから形成され、その銅フィルムはキャリア・フィ
ルム１２上でメッキされるかまたは接着される。各々の
リ−ドは、インナ・リ−ド・ボンディング（ＬＩＢ）で
電子素子（図示されてはいない）のボンディング・パッ
ドと電気的に結合するインナ・リ−ド部２２と、アウタ
・リ−ド・ボンディング（ＯＬＢ）で外部回路（図示さ
れてはいない）と電気的に結合するアウタ・リ−ド部２
４とを有する。アウタ・リ−ド部２４は、既存のリ−ド
・フレ−ムと結合することも可能であり、その場合リ−
ド２０は、パッケ−ジされる半導体デバイスの内部に完
全に収納され、また、アウタ・リ−ド部はパッケ−ジさ
れる半導体デバイスの外側で例えば配線基板と結合する
ことも可能である。例えばフリップＴＡＢ技術を用いる
他の製品では、インナ・リ−ド部２２はキャリア・フィ
ルム１２から切断され、そのインナ・リ−ドの端は外部
回路と結合し、アウタ・リ−ド部は使用されない。

【０００４】既存のＴＡＢテ−プ構造、または他のリ−
ド・フレ−ムの形状における共通した性質は、リ−ド・
ピッチが素子取付け領域の近傍で最も狭くなり、リ−ド
が外側に伸びるにつれて徐々に広くなっていることであ
る。リ−ド・ピッチはリ−ドの接近性に関連し、通常は
１つのリ−ドの中央から隣接するリ−ドの中央までの距
離として定義される。多くのＴＡＢテ−プ構造における
他の共通点は、キャリア・フィルムがむき出し（ｂａｒ
ｅ）の領域が存在することすなわちリ−ドが形成されな
い領域が存在することである。図１において、これらの
むき出しの領域は、キャリア・フィルム１２内で領域
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで示されている。領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
は、素子取付け領域１８の４つの各側から外側に伸びる
リ−ド２０を形成した結果生ずるものである。素子取付
け領域から外側へ伸びるにつれてリ−ド・ピッチは変化
するので、領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは通常素子取付け領域１
８に近接するコ−ナ−でほぼダイヤモンド型の形状をな
す。また、インナおよびアウタ・リ−ド部のピッチが同
一である（すなわちそのリ−ドは「ファン・アウト」で
ない）場合は、領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄはダイヤモンド型の
形状をしていない。

【０００５】むき出しのキャリア・フィルムの領域Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄが存在すると、ＴＡＢテ−プを使用する半導
体デバイスを形成する際に、信頼性について本質的な問
題が生ずる。キャリア・フィルム内で生ずる非等方性の
ストレスによって、ＴＡＢテ−プは変形し、デバイスの
形成工程を困難にする。多くのＴＡＢテ−プを構成する
銅およびポリイミドは、デバイスが動作する際の温度を
含む様々な温度範囲で異なる熱膨張率を有する。温度の
変化は、領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを、キャリア・フィルム１
２の他の領域とは異なる比率で伸張および収縮させる。
伸張および収縮の差異は、銅がキャリア・フィルムで使
用されるポリイミドの熱膨張係数（ＣＴＥ）と異なるＣ
ＴＥを有することによって説明される。銅は、与えられ
た温度についてキャリア・フィルムとは異なる比率で伸
張および収縮するので、ＴＡＢテ−プ内にテ−プを変形
させるストレスが生じる。図２は、図１に示すＴＡＢテ
−プの２−２断面図である。問題を簡潔に把握するため
にいくらか誇張して描かれているが、図示されているよ
うに、キャリア・フィルム１２は非常に変形する。実際
には、フィルム上のリ−ド２０を有するキャリア・フィ
ルムの部分は、フィルムの上面に対して凸型の形状にな
り、領域Ｄのようなフィルムがむき出しの領域は、温度
が上昇するにつれて凹型の形状になる。与えられた材料
に対する膨張率は、温度と共に変化する。従って、キャ
リア・フィルム１２の変形は図２に示すものとは異った
ものにもなりうる。例えば、領域Ｄが凸型の形状にな
り、フィルム上のリ−ド２０を有するキャリア・フィル
ムの部分が凹型の形状になることも可能である。さら
に、ＴＡＢテ−プで使用する銅およびポリイミドの構成
も、温度変化の際にキャリア・フィルム１２を変形させ
ることに影響するであろう。

【０００６】温度変化によるＴＡＢテ−プの変形は、半
導体デバイスにおいて少なくとも２つの問題を生ずる。
第１の問題は、ＴＡＢ半導体デバイスの組立に関するも
のであり、第２の問題は、デバイスが組立てられた後の
信頼性に関するものである。ＴＡＢ半導体デバイスを組
立てる際に、フィルムの変形によって、リ−ド２０は同
一平面内に存在しなくなる。リ−ド２０が同一平面内に
存在しなくなると、インナ・リ−ド・ボンディング（Ｉ
ＬＢ）の際リ−ドを電子素子に適切に結合すること、ま
たはアウタ・リ−ド・ボンディング（ＯＬＢ）の際リ−
ドを外部回路に適切に結合することが困難になる。同一
平面上にないリ−ドをボンディングする際、そのボンデ
ィングの工程では、作業者に付加的な処置を必要とし、
その結果工程は遅くなり、しばしば歩留まりが悪くな
る。さらに、いったん電子素子または外部回路のボンデ
ィング・パッドにリ−ドが結合されると、リ−ドが同一
平面上にないことは、しばしばリ−ドのミスアライメン
トとなる。デバイスの信頼性の観点から見れば、完成し
たＴＡＢデバイス内のＴＡＢテ−プの変形は、デバイス
の特性に悪い影響を与えることになる。デバイス内のキ
ャリア・フィルムは、半導体デバイスまたは外部環境の
温度上昇および下降によって生ずるストレスを解消する
ために、変形するおそれがある。フィルムが変形する
と、リ−ドと例えば集積回路または配線基板のボンディ
ング・パッドとの間の結合が破壊され、開放回路となる
可能性がある。

【０００７】ＴＡＢテ−プを変形させる度合いおよびそ
の種類に影響する因子すなわちＴＡＢデバイスの特性に
影響する因子には様々なものが存在する。前述したよう
に、１つは、ＴＡＢデバイス内の様々な素子に対するＣ
ＴＥ値のミスマッチである。一般的な電子回路における
温度範囲（０℃ないし１００℃）では、主要な素子に対
する近似的なＣＴＥの値は、以下のとおりである。銅の
ＣＴＥは、５ないし２２ｐｐｍ（百万分の１）／℃の範
囲内にあり、ポリイミド・フィルムおよびＴＡＢテ−プ
で一般に使用される接着剤（ａｄｈｅｓｉｖｅ）のＣＴ
Ｅは、８ないし１６ｐｐｍ／℃の範囲にあり、例えばシ
リコン・ダイである一般の電子素子のＣＴＥは、約２．
５ないし３．０ｐｐｍ／℃である。これらの値からも明
らかなように、素子間のＣＴＥのミスマッチの度合い
は、実質的に変化させることが可能である。さらに、素
子の向きもまた、様々な素子の膨張率に影響を及ぼすで
あろう。例えば、銅のＣＴＥとポリイミドのＣＴＥは、
フィルムのＸ方向とＹ方向（フィルムに沿った方向とそ
の方向に垂直な方向）で異なるようにすることが可能で
ある。そのような材料のＣＴＥの非等方性は、銅の結晶
およびポリイミド分子のような、フィルムにおける微細
構造の相または領域の方位配列（ｐｒｅｆｅｒｒｅｄ
ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）によって生ずる。

【０００８】ＴＡＢデバイスの特性に影響する他の因子
は、温度変化によって生ずるストレスにＴＡＢテ−プが
順応する能力である。一般に使用されるポリイミド・フ
ィルムの弾性率は非常に高く、ほとんどのＴＡＢポリイ
ミド・フィルムの厚さは、２５ないし１２５μｍであ
る。ポリイミド・フィルムの高い強度，剛性および厚さ
の組み合わせによって、ポリイミドは、温度変化の間ポ
リイミドに生ずるストレスの一部を、より薄い銅のリ−
ドに移送する。このストレスの移送が、銅を湾曲させ
る。もしそのストレスが銅の弾性限界を越えるならば、
永久的な塑性変形が生じ、その結果銅の内部で転移（ｄ
ｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）が生ずる。温度のサイクルによ
って、その転移は非常にひずんだ領域にボイド（ｖｏｉ
ｄ）を集結させ、従来疲労破壊として知られる銅のクラ
ッキングを生ずる。クラッキングの生じた銅のリ−ド
は、その度合いが大きければ、デバイス内またはシステ
ム製品内で開放回路となる。銅のリ−ドの疲労破壊は、
集積回路またはシリコン・ダイのような電子素子のコ−
ナ−で結合するリ−ドにおいて特に問題である。ＴＡＢ
テ−プ，特に電子素子のテ−プに最も近いコ−ナ−の部
分の変形が、そのコ−ナ−のリ−ド上に生ずるストレス
にねじり成分を加えることによって、疲労破壊はさらに
進む。また、インナ・リ−ド部は、アウタ・リ−ド部よ
り小さなリ−ド寸法を有するので、銅のリ−ドであるイ
ンナ・リ−ド部は、疲労破壊の影響をより受けやすい。
インナ・リ−ド部は、アウタ・リ−ド部より高い温度に
さらされるので、そのことによってもインナ・リ−ド部
は影響を受ける。インナ・リ−ド部は、電子素子に接近
しているためである。

【０００９】以上の説明から、そして特に、既存のＴＡ
Ｂ半導体デバイスの欠点および問題から、温度変化を受
けるＴＡＢテ−プまたはキャリア・フィルムにおいて、
変形の少ない改良されたＴＡＢ半導体デバイスが望まれ
ている。さらに、そのような改良されたＴＡＢ半導体デ
バイスを形成する方法も望まれている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、電子素子（３
１）と、ＴＡＢテ−プから構成され、前記ＴＡＢテ−プ
は、外部回路と電子素子を電気的に相互結合させる電気
リ−ド（２０）を支持するキャリア・フィルム（１２）
であって、前記電気リ−ドは所定の間隔密度を有し、パ
タ−ニングされ、前記キャリア・フィルムは前記電子素
子に隣接する前記キャリア・フィルムの所定の向かい合
った部分では電気リ−ドがないキャリア・フィルム（１
２）と、所定の間隔密度を有し、電気リ−ドのない前記
キャリア・フィルムの所定の向かい合った部分を占有す
る熱力学（ｔｈｅｒｍｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）リ−
ド（３２−Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）であって、前記熱力学リ−
ドは前記電子素子周囲の前記キャリア・フィルム内で一
様なストレスの分布を実質的に与える熱力学リ−ド（３
２−Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を含むテ−プ・ボンディング（Ｔ
ＡＢ）半導体デバイス（３０）とを含むＴＡＢ半導体デ
バイスである。

【００１１】

【作用】本発明によれば、上述した要請を満たし、さら
に他の利益が得られる。１つの実施例にあっては、ＴＡ
Ｂ半導体デバイスは、電子素子とＴＡＢテ−プを有す
る。ＴＡＢテ−プはキャリア・フィルムから構成され、
そのキャリア・フィルムは外部回路と電子素子を電気的
に相互結合する電気リ−ドを支持する。電気リ−ドは所
定の空間密度を有し、電子素子に隣接するキャリア・フ
ィルムの所定の向かい合った部分ではキャリア・フィル
ム上に電気リ−ドがないようにパタ−ニングされる。所
定の空間密度を有する熱力学リ−ドは、電気リ−ドがな
いキャリア・フィルムの所定の向かい合った部分を占有
する。

【００１２】本発明の他の特徴および有用性は、以下の
詳細な説明によって明らかになるであろう。図面は、ス
ケ−ルを描いたものではなく、本発明を理解するために
必要な要点を明らかにしたものであることに留意された
い。

【００１３】

【実施例】半導体デバイスにおけるＴＡＢテ−プまたは
キャリア・フィルムが非等方的に変形する問題は、本発
明によって解決される。本発明の１つの実施例にあって
は、フィルム上に電気リ−ドを有しないキャリア・フィ
ルムの領域で、電気リ−ドのリ−ド・パタ−ンと同様な
リ−ド・パタ−ン密度を有する熱力学（ｔｈｅｒｍｏ−
ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ）リ−ドが設けられている。図３
は、本発明を実施するために適切な熱力学リ−ドのいく
つかのパタ−ンを有するＴＡＢ半導体デバイスを示して
いる。本発明に関する図３の説明において、図１のＴＡ
Ｂテ−プ１０のものと同様な部分は同じ番号で表され
る。デバイス３０には、素子取付け領域１８内に配置さ
れ、電気リ−ド２０と電気的に結合する電子素子３１が
含まれる。電子素子３１は、集積回路等のような半導体
デバイスである。その電子素子は、インナ・リ−ド部２
２を電子素子上に形成される（図には示されていない）
ボンディング・パッドに結合するすることによって、リ
−ドと結合する。電気リ−ド２０を有することに加え
て、キャリア・フィルム１２は熱力学リ−ド３２を有す
る。図１ではキャリア・フィルムの領域Ａであった所に
配置されている熱力学リ−ドは、熱力学リ−ド３２−Ａ
として表されている。熱力学リ−ド３２−Ｂ，３２−
Ｃ，３２−Ｄは、それぞれ領域Ｂ，Ｃ，Ｄであった場所
に対応する。通常はむき出しの状態であるキャリア・フ
ィルム１２の領域内に熱力学リ−ド３２が存在すること
によって、フィルムに生ずるストレスは一様に分布し、
温度変化の結果であるフィルムの変形は減少する。フィ
ルム内のストレスをより一様に分布させるため、熱力学
リ−ド３２は電気リ−ド２０と同様にパタ−ニングされ
る。すなわち、熱力学リ−ド３２のピッチまたは密度
は、電気リ−ド２０のピッチとほぼ同一である。熱力学
リ−ドは、電気リ−ドを形成する際に、好適には銅また
は銅の合金である同じ材料を用いて容易に形成される。
熱力学リ−ド３２に他の材料を使用することも可能であ
るが、電気リ−ド２０に使用する材料と異なる材料を使
用すると、テ−プを製造する工程の複雑さが増加するで
あろう。

【００１４】本発明で使用する熱力学リ−ド３２に最適
なリ−ド・パタ−ンを選択するにあたっては、非常に広
範囲のリ−ド・パタ−ンが存在する。熱力学リ−ド３２
−Ａ，３２−Ｂ，３２−Ｃ，３２−Ｄで表される４つの
異なるリ−ド・パタ−ンが図３に示されているが、他の
リ−ド・パタ−ンを採用することも可能である。熱力学
リ−ド３２−Ａは、単に互いに平行であり、電気リ−ド
２０のピッチと同様なピッチを有する。熱力学リ−ドに
よって占有される電気リ−ド間のコ−ナ−領域を与えら
れた所定のリ−ド密度で、できるだけ多く有することが
望ましく、その結果熱力学リ−ドの一部は他のものより
長くまたは短くなっている。熱力学リ−ドの長さを変化
させてもＴＡＢデバイス３０に不都合は生じない。様々
な熱力学リ−ドを用いれば、占有されるコ−ナ−・スペ
−スの領域を広げることが可能になるので、このことは
利点の１つである。熱力学リ−ド３２−Ａの他の利点
は、熱力学リ−ドの一部が１つの電気リ−ドと物理的に
も電気的にも結合していることである。本発明を実施す
るために必ずしも必要ではないが、１つまたは複数の熱
力学リ−ドをグランドまたはパワ−・リ−ドのような一
定の電位の電気リ−ドに結合すると、リ−ドの実行領域
（ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）が増加するので、特
定の電気リ−ドにおける抵抗およびインダクタンスは減
少するであろう。さらに、一定の電位にある熱力学リ−
ドは、デバイスをＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ
ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ： 静電破壊）およびＥＭＩ
（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｉｎｔｅｒｆｅｒ
ｅｎｃｅ ： 電磁干渉）から保護する。

【００１５】熱力学リ−ド３２−Ｂは、本発明で使用す
る他のリ−ド・パタ−ンを示す。熱力学リ−ド３２−Ｂ
は、魚の骨（ｆｉｓｈ ｂｏｎｅ）の形状をなし、電気
リ−ド２０とほぼ同一のリ−ド間隔を有する。前述した
リ−ド・パタ−ンと同様に、熱力学リ−ド３２−Ｂは与
えられたリ−ド・ピッチに対してできるだけ多くのコ−
ナ−領域を占有する。前述したリ−ド・パタ−ンとは違
って、熱力学リ−ド３２−Ｂはどの電気リ−ドとも結合
していない。従って、領域Ｂでのキャリア・フィルム１
２の非等方的な変形を、構造的にのみ防止する。

【００１６】図３では、熱力学リ−ド３２−Ｃ，３２−
Ｄで表される他の２つのリ−ド・パタ−ンが示されてい
る。熱力学リ−ド３２−Ｃは、対称的なパタ−ンではな
く、電気リ−ド２０の間の間隔とほぼ等しく距離が隔て
られている。熱力学リ−ド３２−Ｃの他の特徴は、個々
のリ−ドが互いに結合していることであり、１つの一体
となったリ−ドを形成している。しかし、複数の結合し
ていない熱力学リ−ドを使用すること、および複数の結
合した熱力学リ−ドを使用することは、共に本発明の範
囲内にある。図３では、熱力学リ−ド３２−Ｃの１つが
電気リ−ド２０と電気的に結合しており、その結果熱力
学リ−ド３２−Ｃは、同じ電気リ−ド２０と結合するこ
とになる。前述したように、電気リ−ドのインダクタン
スおよび抵抗は、電気リ−ドを１つまたは複数の熱力学
リ−ドに結合することによって、減少させることが可能
であり、これは電気リ−ドの実行領域が増加するためで
ある。グランドまたは電源のような一定の電位に結合す
れば、熱力学リ−ドはＥＳＤおよびＥＭＩからの保護機
能を増進させる。

【００１７】熱力学リ−ド３２−Ｄは、格子状（ｇｒｉ
ｄ−ｌｉｋｅ）またはメッシュ状の熱力学リ−ド・パタ
−ンを表している。その格子状のパタ−ンは、約９０度
の角度で互いに分割された複数の熱力学リ−ドによって
形成される。しかし、全てのリ−ドを同じ角度で分割す
る必要はなく、分割する角度も９０度でなくてもよい。
個々の熱力学リ−ド３２−Ｄの間の間隔は、個々の電気
リ−ド２０の間の間隔と同様である。前述したように、
熱力学リ−ドは、１つまたは複数の電気リ−ド２０と電
気的に結合していてもよいし、結合していなくてもよ
い。図３で示されるような熱力学リ−ドの格子状のパタ
−ンは、キャリア・フィルム１２に生ずるストレスを均
一に分布させるために、単独で使用するかまたは他の熱
力学リ−ド・パタ−ンと共に使用することが可能であ
る。

【００１８】本発明によるＴＡＢ半導体デバイスを形成
する際に、キャリア・フィルムの変形を減少させる熱力
学構造は、アウタ・リ−ド・ボンディング（ＯＬＢ）に
先だって、フィルムから取り除くことも可能である。熱
力学構造を取り除くことの利点は、ＴＡＢデバイス全体
の大きさ減少させ、デバイスを組み立てる間、ＥＭＩ保
護機能を与え、フィルムの変形を少なくすることであ
る。しかし、熱力学構造を取り除かないことによって、
キャリア・フィルムの変形は、デバイスの寿命全体を通
じて減少させることが可能である。

【００１９】図３に示す様々な熱力学リ−ド・パタ−ン
の記述から明らかなように、本発明によるリ−ド・パタ
−ンは様々な形状をなしうる。本発明は、熱力学リ−ド
・パタ−ンが対称であるか非対称であるか、個々の熱力
学リ−ドが結合していないか結合しているか、または、
１つ若しくは複数の熱力学リ−ドが１つの電気リ−ドと
電気的に結合しているかどうかということには制限され
ない。しかし、電気リ−ドのリ−ド・パタ−ンのリ−ド
密度またはリ−ド・ピッチと同様な熱力学リ−ドのリ−
ド・パタ−ンにすることは、有意義である。素子取付け
領域周囲を一様なリ−ド密度とすることによって、ＴＡ
Ｂテ−プまたはキャリア・フィルム内にストレスを一様
に生じさせることが可能であり、テ−プの変形を最小限
に止める。図３では、ＴＡＢデバイス３０の各コ−ナ−
領域に異なるリ−ド・パタ−ンが描かれているが、デバ
イスのコ−ナ−領域では、同一のまたは類似するリ−ド
・パタ−ンであってもよい。例えば、領域の変形をさら
に抑制するために、リ−ド・パタ−ンを対角線に対して
垂直に方向づけることもよいであろう。別の例では、平
行に方向づけることが好ましくなるであろうが、他の方
向に方向づけることも可能である。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば多
くの利益が得られる。特に、ＴＡＢテ−プまたは通常リ
−ドが存在しないキャリア・フィルムの領域内に、熱力
学リ−ドを提供することによって、温度変化によるフィ
ルムの変形は最小限になる。熱力学リ−ドが存在するこ
とは、フィルム内にストレスをより一様に分布させ、そ
の結果フィルムの変形を最小にする。フィルムの変形を
最小にすることによって、ＴＡＢ半導体デバイスの組立
は容易になり、パッケ−ジされるＴＡＢ半導体デバイス
の信頼性は増加する。前述した熱力学リ−ドを使用する
ことによる他の利点は、ＴＡＢテ−プを作成する際にコ
ストの上昇がないことである。これは、従来の電気リ−
ド・パタ−ン用いるものと同様な材料を用いて熱力学リ
−ドを同時に形成することができるためである。さら
に、デバイス内で使用される本発明の熱力学リ−ドは、
一定の電位にある電気リ−ドと結合し、リ−ドのインダ
クタインスおよび抵抗を減少させ、改良されたＥＳＤお
よびＥＭＩ保護機能を与える。

【００２１】従って本発明によれば、前述した課題を十
分に解決し、利益を与えるＴＡＢ半導体デバイスおよび
その製造方法が提供される。これまで特定の実施例を用
いて説明してきたが、それらの実施例には限定されな
い。当業者にとって、本発明の精神から逸脱することな
く様々な改良および変形が可能であることは明らかであ
ろう。例えば、本発明による熱力学リ−ド・パタ−ン
は、図示したものとは異なるように配置することも可能
である。さらに本発明は、素子取付け領域の４つの側か
ら伸びる電気リ−ドを有する半導体デバイスに限定され
ない。素子取付け領域の２つの側のみから伸びる電気リ
−ドを有するＴＡＢデバイスも、温度変化の間に同様な
ＴＡＢテ−プの変形を示すので、本発明による利益を受
けることが可能である。例えば素子取付け領域の上面お
よび底面から伸びるリ−ドを有する、素子取付け領域の
右側および左側全体に沿って、熱力学リ−ドを用いるこ
とも可能である。外部回路に電気リ−ドをボンディング
する前に、右側および左側に沿う熱力学リ−ドは、デバ
イス領域を減少させるために取り除くことが可能であ
る。図示されたＴＡＢテ−プは、既存の多くのＴＡＢテ
−プ構造を単に表現したものである。本発明は、テ−プ
の種類によらず、既知の任意のＴＡＢテ−プを使用する
半導体デバイスで実施することが可能である。さらに本
発明は、ＴＡＢテ−プに結合される電子素子の種類によ
っても制限されない。従って本発明は、そのような変形
および改良の全てを包含する。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体デバイスで使用される従来のＴＡＢテ−
プの平面図である。

【図２】図１のＴＡＢテ−プにおける２−２断面図であ
る。

【図３】本発明によって形成される半導体デバイスのＴ
ＡＢテ−プの平面図である。

【符号の説明】

１０ 従来のＴＡＢテ−プ １２ キャリア・フィルム １４ アライメント・ホ−ル １６ スプロケット・ホ−ル １８ 素子取付け領域 ２０ 電気リ−ド ２２ インナ・リ−ド部 ２４ アウタ・リ−ド部 ３０ ＴＡＢデバイス ３１ 電子素子 ３２−Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ 熱力学リ−ド

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子素子（３１）；およびＴＡＢテ−
   プ；から構成され、前記ＴＡＢテ−プは：外部回路と電
   子素子を電気的に相互結合させる電気リ−ド（２０）を
   支持するキャリア・フィルム（１２）であって、前記電
   気リ−ドは所定の間隔密度を有し、前記キャリア・フィ
   ルムには前記電子素子に隣接する前記キャリア・フィル
   ムの所定の向かい合った部分で電気リ−ドがないように
   パタ−ニングされるキャリア・フィルム（１２）；およ
   び所定の間隔密度を有し、電気リ−ドのない前記キャリ
   ア・フィルムの所定の向かい合った部分を占有する熱力
   学リ−ド（３２−Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）であって、前記熱力
   学リ−ドは前記電子素子周囲の前記キャリア・フィルム
   内で一様なストレスの分布を実質的に与える熱力学リ−
   ド（３２−Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）；を含むことを特徴とする
   テ−プ・ボンディング（ＴＡＢ）半導体デバイス（３
   ０）。
2. 【請求項２】 表面上に配列されたボンディング・パッ
   ドを有する電子素子（３１）；およびポリマ・サポ−ト
   （１２）上にパタ−ニングされた金属層を含むＴＡＢテ
   −プ；から構成され、前記パタ−ニングされた金属層
   は：前記電子素子上でボンディング・パッドに結合する
   インナ・リ−ド部（２２）と、外部回路と結合するため
   前記電子素子から伸びるアウタ・リ−ド部（２４）と共
   に個々のリ−ドを含む所定のリ−ド・ピッチを有する第
   １リ−ド・パタ−ン（２０）であって、電子素子に隣接
   する前記ポリマ・サポ−トの対角線状に向かい合った部
   分では前記第１リ−ド・パタ−ンがない第１リ−ド・パ
   タ−ン（２０）；および前記所定のリ−ド・ピッチを有
   し、前記第１リ−ド・パタ−ンとは電気的に独立してい
   る第２リ−ド・パタ−ン（３２−Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）であ
   って、前記第２リ−ド・パタ−ンは前記ポリマ・サポ−
   トの対角線状に向かい合った部分に配置され、電子素子
   を取り囲む前記ポリマ・サポ−ト内でストレスの分布は
   実質的に一様となる第２リ−ド・パタ−ン（３２−Ａ，
   Ｂ，Ｃ，Ｄ）；から構成されることを特徴とするテ−プ
   ・ボンディング（ＴＡＢ）半導体デバイス（３０）。