JPH05190894A - 発光半導体装置の製造方法 - Google Patents
発光半導体装置の製造方法Info
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- JPH05190894A JPH05190894A JP4004792A JP479292A JPH05190894A JP H05190894 A JPH05190894 A JP H05190894A JP 4004792 A JP4004792 A JP 4004792A JP 479292 A JP479292 A JP 479292A JP H05190894 A JPH05190894 A JP H05190894A
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- type semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部電流狭窄ＬＥＤを１回のエピタキシャル
成長で形成することにより、半導体基板の汚染や高温で
の熱損傷による悪影響を除去し、且つ製作コストの削減
を可能にできる内部電流狭窄ＬＥＤの製造方法を提供す
る。 【構成】 Ｐ型半導体基板７上に突起部９を形成した
後、エピタキシャル成長法により、Ｐ型半導体基板７上
にＮ型半導体層６を突起部９の上側部分の厚さが他の部
分の厚さよりも薄くなるように形成すると共に、Ｎ型半
導体層６上にＰ型半導体層５を形成する。次に、Ｐ型半
導体基板７又はＰ型半導体層６からの不純物拡散により
突起部９の上側のＮ型半導体層６をＰ型に反転させて該
反転部分と突起部９とからなる電流通過部を形成する。
成長で形成することにより、半導体基板の汚染や高温で
の熱損傷による悪影響を除去し、且つ製作コストの削減
を可能にできる内部電流狭窄ＬＥＤの製造方法を提供す
る。 【構成】 Ｐ型半導体基板７上に突起部９を形成した
後、エピタキシャル成長法により、Ｐ型半導体基板７上
にＮ型半導体層６を突起部９の上側部分の厚さが他の部
分の厚さよりも薄くなるように形成すると共に、Ｎ型半
導体層６上にＰ型半導体層５を形成する。次に、Ｐ型半
導体基板７又はＰ型半導体層６からの不純物拡散により
突起部９の上側のＮ型半導体層６をＰ型に反転させて該
反転部分と突起部９とからなる電流通過部を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光半導体装置の製造
方法に関し、特に素子内部で電流を狭窄する電流内部狭
窄型発光半導体装置の製造方法に関するものである。
方法に関し、特に素子内部で電流を狭窄する電流内部狭
窄型発光半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光半導体装置すなわち発光ダイオード
（以下、単にＬＥＤと記す。）は、小型で信頼性が高い
ので、表示システムだけでなく測距システム、光通信伝
送システムなど様々な用途に幅広く応用されている。
（以下、単にＬＥＤと記す。）は、小型で信頼性が高い
ので、表示システムだけでなく測距システム、光通信伝
送システムなど様々な用途に幅広く応用されている。
【０００３】このＬＥＤは、エピタキシャル成長表面が
主発光面として形成された面発光型ＬＥＤと、半導体レ
ーザなどと同様に、壁開した端面を主発光面とする端面
放射型ＬＥＤとに大別される。面発光型ＬＥＤには、活
性層全面に電流を注入する全面発光型ＬＥＤと、素子の
いずれかの部分に電流狭窄部分を形成し活性層を部分的
に発光させる部分発光型ＬＥＤ（電流狭窄型ＬＥＤ）と
があり、前者の全面発光型ＬＥＤが表示用など高輝度、
高出力用ＬＥＤとして用いられるのに対し、後者の部分
発光型ＬＥＤは、活性層の狭い範囲に選択的に電流を注
入でき、発光スポットが小さい点が特徴であり、光ファ
イバとの結合性が良いので、光通信伝送システムなどに
応用されている。
主発光面として形成された面発光型ＬＥＤと、半導体レ
ーザなどと同様に、壁開した端面を主発光面とする端面
放射型ＬＥＤとに大別される。面発光型ＬＥＤには、活
性層全面に電流を注入する全面発光型ＬＥＤと、素子の
いずれかの部分に電流狭窄部分を形成し活性層を部分的
に発光させる部分発光型ＬＥＤ（電流狭窄型ＬＥＤ）と
があり、前者の全面発光型ＬＥＤが表示用など高輝度、
高出力用ＬＥＤとして用いられるのに対し、後者の部分
発光型ＬＥＤは、活性層の狭い範囲に選択的に電流を注
入でき、発光スポットが小さい点が特徴であり、光ファ
イバとの結合性が良いので、光通信伝送システムなどに
応用されている。
【０００４】後者の部分発光型ＬＥＤ（電流狭窄型ＬＥ
Ｄ）は、さらに、不純物拡散などにより素子表面に電流
を狭窄する部分が設けられた外部電流狭窄型ＬＥＤと、
素子内部のエピタキシャル層に電流を狭窄する部分が設
けられた内部電流狭窄型ＬＥＤとに分けられる。
Ｄ）は、さらに、不純物拡散などにより素子表面に電流
を狭窄する部分が設けられた外部電流狭窄型ＬＥＤと、
素子内部のエピタキシャル層に電流を狭窄する部分が設
けられた内部電流狭窄型ＬＥＤとに分けられる。
【０００５】図３は、従来の内部電流狭窄型ＬＥＤの概
略構造を示しており、同図において、１３はＮ側電極、
１４はＮ型コンタクト層、１５はＮ型クラッド層、１６
は活性層、１７はＰ型クラッド層、１８はＮ型ブロック
層、１９はＰ型半導体基板、２０はＰ側電極、２１は電
流通過部、２２は光取り出し窓である。発光を行う活性
層１６はＰ型クラッド層１７とＮ型クラッド層１５には
さまれたダブルヘテロ構造を形成しており、Ｐ型半導体
基板１９上のＮ型ブロック層１８は電流を電流通過部２
１に集中させるための電流ブロック層である。これによ
り、Ｐ側電極２０から注入された電流は、電流通過部２
１に狭窄され、該電流通過部２１の上側の活性層１６の
みで部分的に発光させることができる。
略構造を示しており、同図において、１３はＮ側電極、
１４はＮ型コンタクト層、１５はＮ型クラッド層、１６
は活性層、１７はＰ型クラッド層、１８はＮ型ブロック
層、１９はＰ型半導体基板、２０はＰ側電極、２１は電
流通過部、２２は光取り出し窓である。発光を行う活性
層１６はＰ型クラッド層１７とＮ型クラッド層１５には
さまれたダブルヘテロ構造を形成しており、Ｐ型半導体
基板１９上のＮ型ブロック層１８は電流を電流通過部２
１に集中させるための電流ブロック層である。これによ
り、Ｐ側電極２０から注入された電流は、電流通過部２
１に狭窄され、該電流通過部２１の上側の活性層１６の
みで部分的に発光させることができる。
【０００６】この内部電流狭窄型ＬＥＤの製造方法は、
Ｐ型半導体基板１９上にエピタキシャル成長によりＮ型
ブロック層１８を形成した後、該Ｎ型ブロック層１８を
例えば円形状に除去することにより電流通過部２１を形
成し、その後、Ｐ型半導体基板１９上にエピタキシャル
成長によりＰ型クラッド層１７、活性層１６及びＮ型ク
ラッド層１５を順次形成するものである。
Ｐ型半導体基板１９上にエピタキシャル成長によりＮ型
ブロック層１８を形成した後、該Ｎ型ブロック層１８を
例えば円形状に除去することにより電流通過部２１を形
成し、その後、Ｐ型半導体基板１９上にエピタキシャル
成長によりＰ型クラッド層１７、活性層１６及びＮ型ク
ラッド層１５を順次形成するものである。
【０００７】このようにして作製された内部電流狭窄型
ＬＥＤは、外部電流狭窄型ＬＥＤのように不純物拡散長
の制御が不必要で、製造工程の管理が容易であると共
に、外部電流狭窄型ＬＥＤに見られる発光パターンの不
均一性がなく、レンズ等によりファイバに集光した場合
に安定した結合効率が得られるという利点がある。
ＬＥＤは、外部電流狭窄型ＬＥＤのように不純物拡散長
の制御が不必要で、製造工程の管理が容易であると共
に、外部電流狭窄型ＬＥＤに見られる発光パターンの不
均一性がなく、レンズ等によりファイバに集光した場合
に安定した結合効率が得られるという利点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、内部電流狭
窄型ＬＥＤは前記の長所を有しているが、従来の発光半
導体装置の製造方法によると、次のような問題点があ
る。すなわち、 （１）Ｎ型ブロック層に電流通過部を形成する工程で、
暗室工程を行なわなければならず、レジストなどにより
半導体基板が汚染される。
窄型ＬＥＤは前記の長所を有しているが、従来の発光半
導体装置の製造方法によると、次のような問題点があ
る。すなわち、 （１）Ｎ型ブロック層に電流通過部を形成する工程で、
暗室工程を行なわなければならず、レジストなどにより
半導体基板が汚染される。
【０００９】（２）エピタキシャル成長を２回行なう必
要があるために、コスト高になる。
要があるために、コスト高になる。
【００１０】（３）高温雰囲気に露出されたブロック層
の表面に直接ＰＮ接合を形成しなければならず、表面状
態への熱的影響で、信頼性や他の特性が変化する。
の表面に直接ＰＮ接合を形成しなければならず、表面状
態への熱的影響で、信頼性や他の特性が変化する。
【００１１】（４）比抵抗の大きいＰ型クラッド層が電
流通過部で厚くなり、素子抵抗が大きくなる。
流通過部で厚くなり、素子抵抗が大きくなる。
【００１２】従って、従来の発光半導体装置の製造方法
により得られる内部電流狭窄型ＬＥＤは実用上の点で問
題を有していた。
により得られる内部電流狭窄型ＬＥＤは実用上の点で問
題を有していた。
【００１３】本発明はこれらの課題を解決し、１回のエ
ピタキシャル成長で内部電流狭窄型ＬＥＤを作製するこ
とができる製造方法を提供することを目的とする。
ピタキシャル成長で内部電流狭窄型ＬＥＤを作製するこ
とができる製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、発光半導体装
置の製造方法を、Ｐ型半導体基板上に所定の大きさの突
起部を形成する第１の工程と、エピタキシャル成長法に
より、前記突起部が形成されたＰ型半導体基板上にＮ型
半導体層を前記突起部の上側部分の厚さが他の部分の厚
さよりも薄くなるように形成した後、該Ｎ型半導体層上
にＰ型半導体層を形成する第２の工程と、前記Ｐ型半導
体基板又は前記Ｐ型半導体層からの不純物拡散により前
記突起部の上側のＮ型半導体層をＰ型に反転させて該反
転部分と前記突起部とからなる電流通過部を形成する第
３の工程とを有する構成とするものである。
め、請求項１の発明が講じた解決手段は、発光半導体装
置の製造方法を、Ｐ型半導体基板上に所定の大きさの突
起部を形成する第１の工程と、エピタキシャル成長法に
より、前記突起部が形成されたＰ型半導体基板上にＮ型
半導体層を前記突起部の上側部分の厚さが他の部分の厚
さよりも薄くなるように形成した後、該Ｎ型半導体層上
にＰ型半導体層を形成する第２の工程と、前記Ｐ型半導
体基板又は前記Ｐ型半導体層からの不純物拡散により前
記突起部の上側のＮ型半導体層をＰ型に反転させて該反
転部分と前記突起部とからなる電流通過部を形成する第
３の工程とを有する構成とするものである。
【００１５】また、請求項２の発明が講じた解決手段
は、請求項１の発明の構成に、前記Ｐ型半導体基板は１
×１０19ｃｍ-3以上の不純物濃度を有しており、前記第
２の工程において、前記突起部の上側のＮ型半導体層を
その厚さが０．４μｍ以下になるように形成し且つ前記
突起部の上側以外のＮ型半導体層をその厚さが前記突起
部の上側のＮ型半導体層の厚さよりも０．４μｍ以上厚
くなるように形成する構成を付加するものである。
は、請求項１の発明の構成に、前記Ｐ型半導体基板は１
×１０19ｃｍ-3以上の不純物濃度を有しており、前記第
２の工程において、前記突起部の上側のＮ型半導体層を
その厚さが０．４μｍ以下になるように形成し且つ前記
突起部の上側以外のＮ型半導体層をその厚さが前記突起
部の上側のＮ型半導体層の厚さよりも０．４μｍ以上厚
くなるように形成する構成を付加するものである。
【００１６】
【作用】請求項１の構成により、Ｐ型半導体基板上に形
成された突起部の上側のＮ型半導体層をＰ型に反転させ
て該反転部分と前記突起部とからなる電流通過部を形成
するため、従来のようにＮ型ブロック層の一部を除去す
る工程が不要になったので、１回のエピタキシャル成長
で内部電流狭窄型ＬＥＤを作成することができると共
に、レジストなどにより半導体基板が汚染されることが
なくなった。
成された突起部の上側のＮ型半導体層をＰ型に反転させ
て該反転部分と前記突起部とからなる電流通過部を形成
するため、従来のようにＮ型ブロック層の一部を除去す
る工程が不要になったので、１回のエピタキシャル成長
で内部電流狭窄型ＬＥＤを作成することができると共
に、レジストなどにより半導体基板が汚染されることが
なくなった。
【００１７】また、高温雰囲気に露出されたブロック層
の表面にＰＮ接合を形成しなくてよいので、熱損傷によ
る悪影響が減少する。
の表面にＰＮ接合を形成しなくてよいので、熱損傷によ
る悪影響が減少する。
【００１８】請求項２の構成により、Ｐ型半導体基板の
不純物濃度を１×１０19ｃｍ-3以上にし、突起部の上側
のＮ型半導体層の厚さを０．４μｍ以下にするため、エ
ピタキシャル成長終了後の降温過程における高温時に不
純物拡散によって突起部の上側のＮ型半導体層がすべて
Ｐ型に反転する。
不純物濃度を１×１０19ｃｍ-3以上にし、突起部の上側
のＮ型半導体層の厚さを０．４μｍ以下にするため、エ
ピタキシャル成長終了後の降温過程における高温時に不
純物拡散によって突起部の上側のＮ型半導体層がすべて
Ｐ型に反転する。
【００１９】また、突起部の上側以外のＮ型半導体層の
厚さを突起部の上側のＮ型半導体層の厚さよりも０．４
μｍ以上厚くなるように形成するため、動作の安定性が
確保される。
厚さを突起部の上側のＮ型半導体層の厚さよりも０．４
μｍ以上厚くなるように形成するため、動作の安定性が
確保される。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づき説明す
る。
る。
【００２１】図１は、本発明の一実施例に係る発光半導
体装置の製造方法により作製したＧａＡｌＡｓを材料と
する内部電流狭窄型ＬＥＤの要部の断面構造を示してい
る。同図において、１はＮ側電極、２はＮ型コンタクト
層、３はＮ型クラッド層、４は活性層、５はＰ型クラッ
ド層、６はＮ型ブロック層（ｎ−ＧａＡｓ）、７はＰ型
半導体基板、８はＰ側電極、９はＰ型半導体基板７上に
形成された突起部、１０は光取り出し窓、１１はオート
ドープ部分である。
体装置の製造方法により作製したＧａＡｌＡｓを材料と
する内部電流狭窄型ＬＥＤの要部の断面構造を示してい
る。同図において、１はＮ側電極、２はＮ型コンタクト
層、３はＮ型クラッド層、４は活性層、５はＰ型クラッ
ド層、６はＮ型ブロック層（ｎ−ＧａＡｓ）、７はＰ型
半導体基板、８はＰ側電極、９はＰ型半導体基板７上に
形成された突起部、１０は光取り出し窓、１１はオート
ドープ部分である。
【００２２】液相エピタキシャル成長では、突起部９の
上側部分の成長速度は、突起部９の上側以外の部分の成
長速度に比べて遅いという特徴があり、同一時間エピタ
キシャル成長させると、突起部９の上側のＮ型ブロック
層（ＧａＡｓ）６の結晶膜厚の厚さは突起部９の上側以
外の部分の結晶膜厚よりも薄くなる。本実施例では、高
さ：０．８μｍ、径：φ３０μｍの突起部９を有するＰ
型半導体基板７上に過飽和度を抑えた２相融液を用いた
エピタキシャル成長をさせたところ、突起部９の上側に
厚さ：０．４μｍのＮ型電流ブロック層６が形成され、
突起部９の上側以外の部分に厚さ：０．８μｍのＮ型電
流ブロック層６が形成された。これらのＮ型ブロック層
（ＧａＡｓ）６を、Ｐ型半導体基板７、或いはＮ型ブロ
ック層（ＧａＡｓ）６上に成長させたＰクラッド層（ｐ
−ＧａＡｌＡｓ）９からの不純物拡散により、Ｎ型電流
ブロック層６の上部のみを部分的にＰ型反転させ、反転
層の厚さが、ちょうど突起部９の上側のＮ型ブロック層
（ＧａＡｓ）６の厚さと一致させると、突起部９の上側
以外の部分にのみＮ型領域が残る電流狭窄構造を１回の
エピタキシャル成長で得ることができる。
上側部分の成長速度は、突起部９の上側以外の部分の成
長速度に比べて遅いという特徴があり、同一時間エピタ
キシャル成長させると、突起部９の上側のＮ型ブロック
層（ＧａＡｓ）６の結晶膜厚の厚さは突起部９の上側以
外の部分の結晶膜厚よりも薄くなる。本実施例では、高
さ：０．８μｍ、径：φ３０μｍの突起部９を有するＰ
型半導体基板７上に過飽和度を抑えた２相融液を用いた
エピタキシャル成長をさせたところ、突起部９の上側に
厚さ：０．４μｍのＮ型電流ブロック層６が形成され、
突起部９の上側以外の部分に厚さ：０．８μｍのＮ型電
流ブロック層６が形成された。これらのＮ型ブロック層
（ＧａＡｓ）６を、Ｐ型半導体基板７、或いはＮ型ブロ
ック層（ＧａＡｓ）６上に成長させたＰクラッド層（ｐ
−ＧａＡｌＡｓ）９からの不純物拡散により、Ｎ型電流
ブロック層６の上部のみを部分的にＰ型反転させ、反転
層の厚さが、ちょうど突起部９の上側のＮ型ブロック層
（ＧａＡｓ）６の厚さと一致させると、突起部９の上側
以外の部分にのみＮ型領域が残る電流狭窄構造を１回の
エピタキシャル成長で得ることができる。
【００２３】発明者は各層の不純物濃度や厚さについ
て、さらに検討を加え、エピタキシャル成長終了後降温
するまでの高温時に上記の拡散が自動的に生じ、成長後
の熱サイクル等の追加が不必要な条件を調べた。
て、さらに検討を加え、エピタキシャル成長終了後降温
するまでの高温時に上記の拡散が自動的に生じ、成長後
の熱サイクル等の追加が不必要な条件を調べた。
【００２４】Ｐ型半導体基板７の不純物濃度が１×１０
19ｃｍ-3以上の濃度になると、Ｐ型半導体基板７からの
拡散が顕著になり、通常のエピタキシャル成長の温度か
らの徐冷では、Ｎ型ブロック層（ＧａＡｓ）６への拡散
領域の厚さは０．４μｍ程度であった。従って、Ｐ型半
導体基板７の不純物濃度を１×１０19ｃｍ-3以上とし、
且つ突起部９の上側のＮ型ブロック層（ＧａＡｓ）を
０．４μｍ以下の厚さにすれば、エピタキシャル成長工
程中に容易に前述の電流通過部分を形成できることにな
る。
19ｃｍ-3以上の濃度になると、Ｐ型半導体基板７からの
拡散が顕著になり、通常のエピタキシャル成長の温度か
らの徐冷では、Ｎ型ブロック層（ＧａＡｓ）６への拡散
領域の厚さは０．４μｍ程度であった。従って、Ｐ型半
導体基板７の不純物濃度を１×１０19ｃｍ-3以上とし、
且つ突起部９の上側のＮ型ブロック層（ＧａＡｓ）を
０．４μｍ以下の厚さにすれば、エピタキシャル成長工
程中に容易に前述の電流通過部分を形成できることにな
る。
【００２５】電流狭窄構造とするためには、突起部９以
外の部分では、Ｐ型反転領域がＮ型ブロック層（ＧａＡ
ｓ）６を突き抜けないことが必要であり、また、動作の
安定性を保つためにはＮ型領域の厚さを０．４μｍ程度
以上に保つことが必要である。これ以下の厚さであると
Ｎ型クラッド層（ＧａＡｌＡｓ）３、活性層（ＧａＡｌ
Ａｓ）４、Ｐ型クラッド層（ＧａＡｌＡｓ）５、Ｎ型ブ
ロック層（ＧａＡｓ）６及びＰ型半導体基板７からなる
ｎｐｎｐ構造のサイリスタ部分がターンオンされやすく
なり、動作を安定に保つことができない。従って、少な
くとも突起部９の上側のＮ型ブロック層（ＧａＡｓ）６
の厚さより０．４μｍ以上厚いＮ型ブロック層（ＧａＡ
ｓ）層６を突起部９の上側以外の部分に形成しなければ
ならない。
外の部分では、Ｐ型反転領域がＮ型ブロック層（ＧａＡ
ｓ）６を突き抜けないことが必要であり、また、動作の
安定性を保つためにはＮ型領域の厚さを０．４μｍ程度
以上に保つことが必要である。これ以下の厚さであると
Ｎ型クラッド層（ＧａＡｌＡｓ）３、活性層（ＧａＡｌ
Ａｓ）４、Ｐ型クラッド層（ＧａＡｌＡｓ）５、Ｎ型ブ
ロック層（ＧａＡｓ）６及びＰ型半導体基板７からなる
ｎｐｎｐ構造のサイリスタ部分がターンオンされやすく
なり、動作を安定に保つことができない。従って、少な
くとも突起部９の上側のＮ型ブロック層（ＧａＡｓ）６
の厚さより０．４μｍ以上厚いＮ型ブロック層（ＧａＡ
ｓ）層６を突起部９の上側以外の部分に形成しなければ
ならない。
【００２６】実際に不純物濃度が１×１０19ｃｍ-3であ
るＰ型半導体基板７を用いて作製した前記の実施例で
は、突起部９の上側のＮ型ブロック層（ＧａＡｓ）６の
厚さを０．４μｍとし、突起部９の上側以外のＮ型ブロ
ック層（ＧａＡｓ）６の厚さを０．８μｍとしているた
め、エピタキシャル成長終了後降温するまでの高温時に
上記の拡散が自動的に生じ、１回のエピタキシャル成長
で内部電流狭窄ＬＥＤを作製することができた。
るＰ型半導体基板７を用いて作製した前記の実施例で
は、突起部９の上側のＮ型ブロック層（ＧａＡｓ）６の
厚さを０．４μｍとし、突起部９の上側以外のＮ型ブロ
ック層（ＧａＡｓ）６の厚さを０．８μｍとしているた
め、エピタキシャル成長終了後降温するまでの高温時に
上記の拡散が自動的に生じ、１回のエピタキシャル成長
で内部電流狭窄ＬＥＤを作製することができた。
【００２７】このようにして作製された内部電流狭窄Ｌ
ＥＤは、発光パターンの均一性や発光特性については従
来の方法で作成された内部電流狭窄ＬＥＤと同様であり
ながら、素子抵抗については従来の方法で作成されたも
のに比べて低い。
ＥＤは、発光パターンの均一性や発光特性については従
来の方法で作成された内部電流狭窄ＬＥＤと同様であり
ながら、素子抵抗については従来の方法で作成されたも
のに比べて低い。
【００２８】また、１回のエピタキシャル成長で作製し
ているため、途中の暗室工程が不要で製造工程が容易に
なるなど本発明の効果を十分確認できた。
ているため、途中の暗室工程が不要で製造工程が容易に
なるなど本発明の効果を十分確認できた。
【００２９】なお、前記実施例ではエピタキシャル成長
後の半導体基板７の冷却を自然冷却による徐冷によって
行なったが、強制空冷等による急冷でも同様の効果が得
られることはもちろんである。この場合、Ｐ型半導体基
板７或いはＰ型クラッド層５からの不純物拡散長が短く
なるため、これに合わせた突起部９の上側のＮ型ブロッ
ク層６の厚さの制御が必要であることは言うまでもな
い。
後の半導体基板７の冷却を自然冷却による徐冷によって
行なったが、強制空冷等による急冷でも同様の効果が得
られることはもちろんである。この場合、Ｐ型半導体基
板７或いはＰ型クラッド層５からの不純物拡散長が短く
なるため、これに合わせた突起部９の上側のＮ型ブロッ
ク層６の厚さの制御が必要であることは言うまでもな
い。
【００３０】また、前記実施例ではＧａＡｌＡｓ／Ｇａ
Ａｓ層のダブルヘテロジャンクションＬＥＤについて説
明したが、ＩｎＰ基板上のＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系等
の他の材料を用いた場合も同様の効果が得られることは
言うまでもない。
Ａｓ層のダブルヘテロジャンクションＬＥＤについて説
明したが、ＩｎＰ基板上のＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系等
の他の材料を用いた場合も同様の効果が得られることは
言うまでもない。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
係る発光半導体装置の製造方法によると、Ｐ型半導体基
板上に形成された突起部の上側のＮ型半導体層をＰ型に
反転させて電流通過部を形成するため、従来のようにＮ
型ブロック層の一部を除去する工程が不要になるので、
１回のエピタキシャル成長で内部電流狭窄型ＬＥＤを作
成することができ、製造コストの低減を図ることができ
る。
係る発光半導体装置の製造方法によると、Ｐ型半導体基
板上に形成された突起部の上側のＮ型半導体層をＰ型に
反転させて電流通過部を形成するため、従来のようにＮ
型ブロック層の一部を除去する工程が不要になるので、
１回のエピタキシャル成長で内部電流狭窄型ＬＥＤを作
成することができ、製造コストの低減を図ることができ
る。
【００３２】また、Ｎ型ブロック層の一部を除去する工
程が不要であるため、レジストなどにより半導体基板が
汚染されることがない。
程が不要であるため、レジストなどにより半導体基板が
汚染されることがない。
【００３３】また、高温雰囲気に露出されたブロック層
の表面にＰＮ接合を形成しなくてよいので、熱損傷によ
る悪影響が減少する。
の表面にＰＮ接合を形成しなくてよいので、熱損傷によ
る悪影響が減少する。
【００３４】請求項２の発明に係る発光半導体装置の製
造方法によると、Ｐ型半導体基板の不純物濃度を１×１
０19ｃｍ-3以上にし、突起部の上側のＮ型半導体層の厚
さを０．４μｍ以下にするため、エピタキシャル成長終
了後の降温過程における高温時に不純物拡散によって突
起部の上側のＮ型半導体層がすべてＰ型に反転するの
で、不純物拡散工程を特に設ける必要がない。
造方法によると、Ｐ型半導体基板の不純物濃度を１×１
０19ｃｍ-3以上にし、突起部の上側のＮ型半導体層の厚
さを０．４μｍ以下にするため、エピタキシャル成長終
了後の降温過程における高温時に不純物拡散によって突
起部の上側のＮ型半導体層がすべてＰ型に反転するの
で、不純物拡散工程を特に設ける必要がない。
【００３５】また、突起部の上側以外のＮ型半導体層の
厚さを突起部の上側のＮ型半導体層の厚さよりも０．４
μｍ以上厚くなるように形成するため、動作の安定性を
確保することができる。
厚さを突起部の上側のＮ型半導体層の厚さよりも０．４
μｍ以上厚くなるように形成するため、動作の安定性を
確保することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る発光半導体装置の製造
方法により得られる内部電流狭窄型ＬＥＤの要部断面図
である。
方法により得られる内部電流狭窄型ＬＥＤの要部断面図
である。
【図２】前記発光半導体装置の製造方法により得られる
内部電流狭窄型ＬＥＤの突起部の形状を示す図１におけ
るII−II線の断面図である。
内部電流狭窄型ＬＥＤの突起部の形状を示す図１におけ
るII−II線の断面図である。
【図３】従来の発光半導体装置の製造方法により得られ
る内部電流狭窄型ＬＥＤの要部断面図である。
る内部電流狭窄型ＬＥＤの要部断面図である。
１ Ｎ側電極 ２ Ｎ型コンタクト層 ３ Ｎ型クラッド層 ４ 活性層 ５ Ｐ型クラッド層 ６ Ｎ型ブロック層 ７ Ｐ型半導体基板 ８ Ｐ側電極 ９ 突起部 １０ 光取り出し窓 １１ オートドープ部分 １３ Ｎ側電極 １４ Ｎ型コンタクト層 １５ Ｎ型クラッド層 １６ 活性層 １７ Ｐ型クラッド層 １８ Ｎ型ブロック層 １９ Ｐ型半導体基板 ２０ Ｐ側電極 ２１ 除去部分 ２２ 光取り出し窓
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｐ型半導体基板上に所定の大きさの突起
部を形成する第１の工程と、エピタキシャル成長法によ
り、前記突起部が形成されたＰ型半導体基板上にＮ型半
導体層を前記突起部の上側部分の厚さが他の部分の厚さ
よりも薄くなるように形成した後、該Ｎ型半導体層上に
Ｐ型半導体層を形成する第２の工程と、前記Ｐ型半導体
基板又は前記Ｐ型半導体層からの不純物拡散により前記
突起部の上側のＮ型半導体層をＰ型に反転させて該反転
部分と前記突起部とからなる電流通過部を形成する第３
の工程とを有することを特徴とする発光半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 前記Ｐ型半導体基板は１×１０19ｃｍ-3
以上の不純物濃度を有しており、前記第２の工程におい
て、前記突起部の上側のＮ型半導体層をその厚さが０．
４μｍ以下になるように形成し且つ前記突起部の上側以
外のＮ型半導体層をその厚さが前記突起部の上側のＮ型
半導体層の厚さよりも０．４μｍ以上厚くなるように形
成することを特徴とする請求項１記載の発光半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004792A JPH05190894A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 発光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004792A JPH05190894A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 発光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190894A true JPH05190894A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11593637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4004792A Withdrawn JPH05190894A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 発光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190894A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655467A1 (en) | 1993-11-26 | 1995-05-31 | Idemitsu Kosan Company Limited | Catalyst for producing aromatic vinyl compound polymer and process for producing aromatic vinyl compound polymer by using same |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP4004792A patent/JPH05190894A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0655467A1 (en) | 1993-11-26 | 1995-05-31 | Idemitsu Kosan Company Limited | Catalyst for producing aromatic vinyl compound polymer and process for producing aromatic vinyl compound polymer by using same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |