JPH047886A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH047886A JPH047886A JP10992590A JP10992590A JPH047886A JP H047886 A JPH047886 A JP H047886A JP 10992590 A JP10992590 A JP 10992590A JP 10992590 A JP10992590 A JP 10992590A JP H047886 A JPH047886 A JP H047886A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 22
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は寿命の長い半導体レーザに関する。
（従来の技術）
従来の半導体レーザには、ｐｎ接合の形成された活性層
が素子端面に露出した構造のものが多かった。第２図に
従来の半導体レーザの断面ｍ造の一例を示す。ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上に、ＡｕアＧａ、−、Ａｓ活性層３を挾ん
でｎ型ＡＮ、Ｇａ＋−。
が素子端面に露出した構造のものが多かった。第２図に
従来の半導体レーザの断面ｍ造の一例を示す。ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上に、ＡｕアＧａ、−、Ａｓ活性層３を挾ん
でｎ型ＡＮ、Ｇａ＋−。
Ａｓクラッド層２とｐ型ＡＪｓ Ｇａ＋−ｚ Ａｓクラ
ッド層４とが設けられており、さらにｎ型ＧａＡＳ電流
ブロック層６による電流狭窄構造を備えている。ｐｎ接
合は、Ｐクラッド層４とｎクラッド層２で形成され、活
性層全域で活性層に一致している。素子端面はスクライ
ブ等の方法で形成され、ｐｎ接合の形成された活性層が
素子端面に露出した構造になっている。
ッド層４とが設けられており、さらにｎ型ＧａＡＳ電流
ブロック層６による電流狭窄構造を備えている。ｐｎ接
合は、Ｐクラッド層４とｎクラッド層２で形成され、活
性層全域で活性層に一致している。素子端面はスクライ
ブ等の方法で形成され、ｐｎ接合の形成された活性層が
素子端面に露出した構造になっている。
（発明が解決しようとする課題）
ｐｎ接合の形成された活性層が素子端面に露出した構造
の従来の半導体レーザでは、素子端面に発生した結晶欠
陥が原因となって故障する素子があった。
の従来の半導体レーザでは、素子端面に発生した結晶欠
陥が原因となって故障する素子があった。
従来の半導体レーザでは、動作時に端面近傍の活性層に
も比較的高密度のキャリアが注入される。
も比較的高密度のキャリアが注入される。
端面近傍の活性層にはスクライブ等によって端面を形成
する際に多数の結晶欠陥が導入されており、これが注入
されたキャリアの再結合エネルギーによって成長する。
する際に多数の結晶欠陥が導入されており、これが注入
されたキャリアの再結合エネルギーによって成長する。
注入キャリア密度が高いほど成長が速まるから、結晶欠
陥かは通電時間の経過とともに発振領域に向かって成長
し、ついには発振領域に達して劣化を発生させる。
陥かは通電時間の経過とともに発振領域に向かって成長
し、ついには発振領域に達して劣化を発生させる。
この劣化現象による故障は、結晶欠陥が発振領域に達す
るまでは発振特性に与える影響が非常に小さいから検知
が困難であるが、注入キャリア密度の高い発振領域内部
では結晶欠陥の成長速度が非常に速いので、通電時間が
ある時間経過した後に突発的に発生する。スクリーニン
グ通電等による素子選別も困難である。
るまでは発振特性に与える影響が非常に小さいから検知
が困難であるが、注入キャリア密度の高い発振領域内部
では結晶欠陥の成長速度が非常に速いので、通電時間が
ある時間経過した後に突発的に発生する。スクリーニン
グ通電等による素子選別も困難である。
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体レーザは、活性層を挾んでこれよりも禁
制帯幅の広い第１導電型と第２Ｆ？電型のクラッド層を
設けた半導体多層構造と、この半導体多層構造のうちの
一部分の領域へ電流を狭窄して注入し該領域を発振領域
とする電流狭窄構造とを備え、 発振モードの分布が無視できる距離だけ前記発振領域か
ら離れた位置における前記第１導電型クラッド層の一部
が第２導電型に反転した領域に設けられることによって
、少なくとも共振器面を除いた素子端面ではｐｎ接合を
前記第１導電型クラッド層中に位置させてあることを特
徴とする。
制帯幅の広い第１導電型と第２Ｆ？電型のクラッド層を
設けた半導体多層構造と、この半導体多層構造のうちの
一部分の領域へ電流を狭窄して注入し該領域を発振領域
とする電流狭窄構造とを備え、 発振モードの分布が無視できる距離だけ前記発振領域か
ら離れた位置における前記第１導電型クラッド層の一部
が第２導電型に反転した領域に設けられることによって
、少なくとも共振器面を除いた素子端面ではｐｎ接合を
前記第１導電型クラッド層中に位置させてあることを特
徴とする。
（作用）
本発明の半導体レーザでは、素子端面のｐｎ接合は活性
層ではなくてクラッド層中に位置する。
層ではなくてクラッド層中に位置する。
クラッド層は活性層より禁制帯幅が広いから、動作時に
クラッド層中のｐｎ接合に注入されるキャリア密度は従
来の半導体レーザに比較して著しく低減される。このた
め素子端面の結晶欠陥の成長速度を大幅に抑制でき、半
導体レーザの信頼性を大きく改善できる。
クラッド層中のｐｎ接合に注入されるキャリア密度は従
来の半導体レーザに比較して著しく低減される。このた
め素子端面の結晶欠陥の成長速度を大幅に抑制でき、半
導体レーザの信頼性を大きく改善できる。
（実施例）
本発明の実施例を第１図に示す。ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に、Ａρｙ Ｇａ＋−７Ａｓ活性層３を挾んでｎ型Ａρ
ｘＧａ＋−ｘＡｓクラッド層２とＰ型ＡρｇＧａ＋−ｚ
Ａｓクラッド層４とが設けられており、さらにｎ型Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層６による電流狭窄構造を備えている
。Ｐ型ＧａＡｓキャップ層５上に低抵抗のオーミックコ
ンタクトが形成されている。７と８はそれぞれｎ側とｐ
ｒＭの電極である。９は素子端面である。素子端面９の
近傍の活性層とクラッド層には不純物拡散によってＰ型
頭域１０が形成されている。これによりｐｎ接合が活性
層より禁制帯幅の大きなｎ型クラッド層２の中に位置す
るから、動作時にこのｐｎ接合に注入されるキャリアは
従来構造の半導体レーザに比較して１０’〜１０’分の
１以下に低減される。
に、Ａρｙ Ｇａ＋−７Ａｓ活性層３を挾んでｎ型Ａρ
ｘＧａ＋−ｘＡｓクラッド層２とＰ型ＡρｇＧａ＋−ｚ
Ａｓクラッド層４とが設けられており、さらにｎ型Ｇａ
Ａｓ電流ブロック層６による電流狭窄構造を備えている
。Ｐ型ＧａＡｓキャップ層５上に低抵抗のオーミックコ
ンタクトが形成されている。７と８はそれぞれｎ側とｐ
ｒＭの電極である。９は素子端面である。素子端面９の
近傍の活性層とクラッド層には不純物拡散によってＰ型
頭域１０が形成されている。これによりｐｎ接合が活性
層より禁制帯幅の大きなｎ型クラッド層２の中に位置す
るから、動作時にこのｐｎ接合に注入されるキャリアは
従来構造の半導体レーザに比較して１０’〜１０’分の
１以下に低減される。
この不純物拡散ｐ領域１０は発振領域から離れて形成さ
れているから、たとえば自由キャリア吸収などによる損
失などの影響がなく、従来素子と同等の発振特性を得る
ことができる。
れているから、たとえば自由キャリア吸収などによる損
失などの影響がなく、従来素子と同等の発振特性を得る
ことができる。
本発明が本実施例の層構造に制限されないのはもちろん
である。活性層に量子井戸＃ｌ造を用いた！ｒ導体レー
ザ、活性層とクラッド層との間にガイド層を設けた半導
体レーザなと各種の活性層導波路構造の半導体レーザに
本発明は適用できる。
である。活性層に量子井戸＃ｌ造を用いた！ｒ導体レー
ザ、活性層とクラッド層との間にガイド層を設けた半導
体レーザなと各種の活性層導波路構造の半導体レーザに
本発明は適用できる。
本発明は、ＡρＧａＩｎＰやＩ ｎＧａＡｓ Ｐなどの
他の半導体材料よりなる半導体レーザに対しても適用で
き、これらの半導体レーザにおいても同様の効果を得る
ことができる。
他の半導体材料よりなる半導体レーザに対しても適用で
き、これらの半導体レーザにおいても同様の効果を得る
ことができる。
（発明の効果）
本発明によれば従来のものより寿命の長い半導体レーザ
が得られる。
が得られる。
第１図は本発明の実施例の半導体レーザの構造を示す断
面図、第２図は従来の半導体レーザの構造を示す断面図
である。 １ ・−ｎ型ＧａＡｓ基板、２−ｎ型ＡρＧａＡｓクラ
ッド層、３・・・ＡＪＧａＡｓ活性層、４・・・ｐ型Ａ
ｊ！ＧａＡｓクラッド層、５−ｐ型ＧａＡｓキャップ層
、６・・・ｎ型ＧａＡｓブロック層、７−ｎ側′＠極、 ８・・・Ｐ側電極、 ９・・・素子端面、 ０・・・不純 物拡散ｐ領域。
面図、第２図は従来の半導体レーザの構造を示す断面図
である。 １ ・−ｎ型ＧａＡｓ基板、２−ｎ型ＡρＧａＡｓクラ
ッド層、３・・・ＡＪＧａＡｓ活性層、４・・・ｐ型Ａ
ｊ！ＧａＡｓクラッド層、５−ｐ型ＧａＡｓキャップ層
、６・・・ｎ型ＧａＡｓブロック層、７−ｎ側′＠極、 ８・・・Ｐ側電極、 ９・・・素子端面、 ０・・・不純 物拡散ｐ領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層を挾んでこれよりも禁制帯幅の広い第１導電型と
第２導電型のクラッド層を設けた半導体多層構造と、こ
の半導体多層構造のうちの一部分の領域へ電流を狭窄し
て注入し該領域を発振領域とする電流狭窄構造とを備え
、 発振モードの分布が無視できる距離だけ前記発振領域か
ら離れた位置における前記第１導電型クラッド層の一部
が第２導電型に反転した領域に設けられることによって
、少なくとも共振器面を除いた素子端面ではｐｎ接合を
前記第１導電型クラッド層中に位置させてあることを特
徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10992590A JP2893846B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10992590A JP2893846B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047886A true JPH047886A (ja) | 1992-01-13 |
| JP2893846B2 JP2893846B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=14522594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10992590A Expired - Fee Related JP2893846B2 (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2893846B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009000570A (ja) * | 2008-10-03 | 2009-01-08 | Abilit Corp | スロットマシン |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP10992590A patent/JP2893846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009000570A (ja) * | 2008-10-03 | 2009-01-08 | Abilit Corp | スロットマシン |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2893846B2 (ja) | 1999-05-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |