JPH05190727A - 集積回路用リードフレーム - Google Patents
集積回路用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH05190727A JPH05190727A JP2336492A JP2336492A JPH05190727A JP H05190727 A JPH05190727 A JP H05190727A JP 2336492 A JP2336492 A JP 2336492A JP 2336492 A JP2336492 A JP 2336492A JP H05190727 A JPH05190727 A JP H05190727A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- die pad
- palladium
- die
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイボンドの密着強度を向上させるととも
に、コストを下げる。 【構成】 ダイパット部を除いた他のインナーリード部
およびアウターリード部にパラジウムを被覆した。
に、コストを下げる。 【構成】 ダイパット部を除いた他のインナーリード部
およびアウターリード部にパラジウムを被覆した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路用リードフレ
ームに関するものである。
ームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、チップ状の半導体素子へ外部信
号を入出力させるのに、金属製の導電基体からなるリー
ドフレームが使用されている。
号を入出力させるのに、金属製の導電基体からなるリー
ドフレームが使用されている。
【０００３】図４は、そのリードフレーム１の一例を示
すものである。図４において、このリードフレーム１
は、図示せぬ半導体チップを搭載するダイパッド部２
と、ワイヤボンドを行うインナーリード部３と、図示せ
ぬ基板と接続するアウターリード部４とより構成されて
いる。そして、これらの表面処理としては、ダイパッド
部２とインナーリード部３の一部に、金（以下、単に
「Ａｕ」と言う）や銀（以下、単に「Ａｇ」と言う）の
部分メッキを施すのが主流となっている。
すものである。図４において、このリードフレーム１
は、図示せぬ半導体チップを搭載するダイパッド部２
と、ワイヤボンドを行うインナーリード部３と、図示せ
ぬ基板と接続するアウターリード部４とより構成されて
いる。そして、これらの表面処理としては、ダイパッド
部２とインナーリード部３の一部に、金（以下、単に
「Ａｕ」と言う）や銀（以下、単に「Ａｇ」と言う）の
部分メッキを施すのが主流となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｕや
Ａｇメッキは、耐食性等に優れ、長期に渡って安定した
品質が得られるので理想的な被覆材であるが、Ａｕの場
合は特に高価で、Ａｇの場合ではマイグレーションや硫
化等の表面劣化を招き易くリードフレームを保管する場
合に細心の注意を必要とする問題点があった。
Ａｇメッキは、耐食性等に優れ、長期に渡って安定した
品質が得られるので理想的な被覆材であるが、Ａｕの場
合は特に高価で、Ａｇの場合ではマイグレーションや硫
化等の表面劣化を招き易くリードフレームを保管する場
合に細心の注意を必要とする問題点があった。
【０００５】そこで、リードフレーム１の全面にパラジ
ウム（以下、単に「Ｐｄ」と言う）をメッキ処理する方
法も採られている。このＰｄは、Ａｇ，Ａｕの中間のコ
ストにもかかわらず、耐食性に優れていることから、最
近では特に注目を集めている。しかし、Ｐｄはダイボン
ド時のＡｇペーストとの密着性が非常に悪く、チップ
（素子）剥がれ等が生じ易いと言う問題点があり、また
Ａｕよりも高価ではあるがＡｇよりも高く、コストダウ
ン的なメリットは余り得られないと言う問題点もあっ
た。
ウム（以下、単に「Ｐｄ」と言う）をメッキ処理する方
法も採られている。このＰｄは、Ａｇ，Ａｕの中間のコ
ストにもかかわらず、耐食性に優れていることから、最
近では特に注目を集めている。しかし、Ｐｄはダイボン
ド時のＡｇペーストとの密着性が非常に悪く、チップ
（素子）剥がれ等が生じ易いと言う問題点があり、また
Ａｕよりも高価ではあるがＡｇよりも高く、コストダウ
ン的なメリットは余り得られないと言う問題点もあっ
た。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的はダイボンドの密着強度を向上さ
せ、かつコストを下げて安価な集積回路用リードフレー
ムを提供することにある。
のであり、その目的はダイボンドの密着強度を向上さ
せ、かつコストを下げて安価な集積回路用リードフレー
ムを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、ダイパッド部とインナーリード部とアウター
リード部とを有した導電基体でなる集積回路用リードフ
レームにおいて、前記ダイパッド部を除いた他の前記イ
ンナーリード部および前記アウターリード部にＰｄを被
覆したものである。
本発明は、ダイパッド部とインナーリード部とアウター
リード部とを有した導電基体でなる集積回路用リードフ
レームにおいて、前記ダイパッド部を除いた他の前記イ
ンナーリード部および前記アウターリード部にＰｄを被
覆したものである。
【０００８】
【作用】この構成によれば、リードフレーム全体にＰｄ
を被覆せずに、ダイパッド部を除いた、インナーリード
部およびアウターリード部だけに被覆しているので、リ
ードフレーム全体にＰｄを被覆しているものに比べてＰ
ｄの使用量が少なくなり、コストを下げることができ
る。また、半導体チップを搭載するダイパッド部にはＰ
ｄを被覆していないので、ダイボンド時のＡｇペースト
との密着強度が上がり、ワイヤボンド時における半導体
チップ剥がれ等の問題を解決することができる。
を被覆せずに、ダイパッド部を除いた、インナーリード
部およびアウターリード部だけに被覆しているので、リ
ードフレーム全体にＰｄを被覆しているものに比べてＰ
ｄの使用量が少なくなり、コストを下げることができ
る。また、半導体チップを搭載するダイパッド部にはＰ
ｄを被覆していないので、ダイボンド時のＡｇペースト
との密着強度が上がり、ワイヤボンド時における半導体
チップ剥がれ等の問題を解決することができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。図１は、本発明に係る集積回路用リー
ドフレームの一実施例を示す平面図である。図１におい
て、このリードフレーム１１は金属製の導電基体より成
り、図示せぬ半導体チップを搭載するダイパッド部１２
と、ワイヤボンドを行うインナーリード部１３と、図示
せぬ基板と接続するアウターリード部１４とで構成され
ている。また、図１中に一点鎖線で囲まれたダイパッド
部１２を除いた他のインナーリード部１３およびアウタ
ーリード部１４の表面にはＰｄが被覆されている。
詳細に説明する。図１は、本発明に係る集積回路用リー
ドフレームの一実施例を示す平面図である。図１におい
て、このリードフレーム１１は金属製の導電基体より成
り、図示せぬ半導体チップを搭載するダイパッド部１２
と、ワイヤボンドを行うインナーリード部１３と、図示
せぬ基板と接続するアウターリード部１４とで構成され
ている。また、図１中に一点鎖線で囲まれたダイパッド
部１２を除いた他のインナーリード部１３およびアウタ
ーリード部１４の表面にはＰｄが被覆されている。
【００１０】さらに、具体的な構造について、以下実施
例毎に説明する。 実施例１；リードフレーム１１のダイパッド部１２を除
いたインナーリード部１３とアウターリード部１４上に
0.5μｍのニッケル（以下、単に「Ｎｉ」と言う）メッ
キ１６を施し、さらにこの上層に0.1μｍのＰｄメッキ
１７を施したリードフレームを得た。また、図２に示す
ように、比較対象として全面に同様の表面処理を施した
リードフレームを用い、各々についてダイシェアー強度
を測定したところ、その結果は次表１に示すとおりで、
明らかにダイボンド性について良好な結果を得ている。
例毎に説明する。 実施例１；リードフレーム１１のダイパッド部１２を除
いたインナーリード部１３とアウターリード部１４上に
0.5μｍのニッケル（以下、単に「Ｎｉ」と言う）メッ
キ１６を施し、さらにこの上層に0.1μｍのＰｄメッキ
１７を施したリードフレームを得た。また、図２に示す
ように、比較対象として全面に同様の表面処理を施した
リードフレームを用い、各々についてダイシェアー強度
を測定したところ、その結果は次表１に示すとおりで、
明らかにダイボンド性について良好な結果を得ている。
【００１１】
【００１２】実施例２；一般的な銅合金リードフレーム
のダイパッド部１２以外の部位に0.5μｍのＮｉメッキ
１６を施し、さらにこの上層に0.1μｍのＰｄメッキ１
７を施したリードフレームを得た。また、比較対象とし
て図３に示すように、ダイパッド部１２のみ4.0μｍの
Ａｇ部分メッキ１８を施したリードフレームを用い、各
々についてダイシェアー強度を測定したところ、その結
果は次表２に示すとおりで、明らかにダイボンド性につ
いて良好な結果を得ている。
のダイパッド部１２以外の部位に0.5μｍのＮｉメッキ
１６を施し、さらにこの上層に0.1μｍのＰｄメッキ１
７を施したリードフレームを得た。また、比較対象とし
て図３に示すように、ダイパッド部１２のみ4.0μｍの
Ａｇ部分メッキ１８を施したリードフレームを用い、各
々についてダイシェアー強度を測定したところ、その結
果は次表２に示すとおりで、明らかにダイボンド性につ
いて良好な結果を得ている。
【００１３】
【００１４】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る集積
回路用リードフレームによれば、リードフレーム全体に
Ｐｄを被覆せずに、ダイパッド部を除いた、インナーリ
ード部およびアウターリード部だけに被覆しているの
で、リードフレーム全体にＰｄを被覆しているものに比
べてＰｄの使用量が少なくなりコストを下げることがで
きる。また、半導体チップを搭載するダイパッド部には
Ｐｄを被覆していないので、ダイボンド時のＡｇペース
トとの密着強度が上がり、ワイヤボンド時における半導
体チップ剥がれ等の問題を解決することができる。
回路用リードフレームによれば、リードフレーム全体に
Ｐｄを被覆せずに、ダイパッド部を除いた、インナーリ
ード部およびアウターリード部だけに被覆しているの
で、リードフレーム全体にＰｄを被覆しているものに比
べてＰｄの使用量が少なくなりコストを下げることがで
きる。また、半導体チップを搭載するダイパッド部には
Ｐｄを被覆していないので、ダイボンド時のＡｇペース
トとの密着強度が上がり、ワイヤボンド時における半導
体チップ剥がれ等の問題を解決することができる。
【図１】本発明を適用した集積回路用リードフレームの
外観構造を示す平面図である。
外観構造を示す平面図である。
【図２】本発明に係る一実施例を示す概略構造断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明に係る他の実施例を示す概略構造断面図
である。
である。
【図４】一般的な集積回路用リードフレームの外観構造
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１１ リードフレーム １２ ダイパッド部 １３ インナーリード部 １４ アウターリード部 １６ Ｎｉメッキ層 １７ Ｐｄメッキ層 １８ Ａｇメッキ層
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイパッド部とインナーリード部とアウ
ターリード部とを有した導電基体でなる集積回路用リー
ドフレームにおいて、 前記ダイパッド部を除いた他の前記インナーリード部お
よび前記アウターリード部にパラジウムを被覆したこと
を特徴とする集積回路用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336492A JPH05190727A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 集積回路用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336492A JPH05190727A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 集積回路用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190727A true JPH05190727A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=12108512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336492A Pending JPH05190727A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | 集積回路用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150712A (en) * | 1998-01-09 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Lead frame for semiconductor device, and semiconductor device |
| US6261402B1 (en) | 1997-10-24 | 2001-07-17 | Sony Corporation | Planar type lens manufacturing method |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP2336492A patent/JPH05190727A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6261402B1 (en) | 1997-10-24 | 2001-07-17 | Sony Corporation | Planar type lens manufacturing method |
| US6150712A (en) * | 1998-01-09 | 2000-11-21 | Sony Corporation | Lead frame for semiconductor device, and semiconductor device |
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