JPH05190726A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH05190726A JPH05190726A JP312692A JP312692A JPH05190726A JP H05190726 A JPH05190726 A JP H05190726A JP 312692 A JP312692 A JP 312692A JP 312692 A JP312692 A JP 312692A JP H05190726 A JPH05190726 A JP H05190726A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】めっき面に安定な酸化膜を生成してこのめっき
面を安定化させるとともに、めっき面の濡れ性を良くす
ることにより、めっき面に結露が生じたとしても、リー
ドフレームがめっき面上を均一に乾燥するようにして変
色を防止する。 【構成】リードフレームＡにおけるインナーリード２ａ
の銀めっき面６に陽極酸化処理９が施されている。この
ように構成された本発明のリードフレームＡは、従来と
同様のリードフレーム製造方法で製造されるが、その製
造工程におけるめっきラインの銀めっき後、最終洗浄工
程の水洗→陽極酸化処理９→水洗→乾燥の各プロセスを
経ることにより、陽極酸化処理９の施されたリードフレ
ームＡが作製される。
面を安定化させるとともに、めっき面の濡れ性を良くす
ることにより、めっき面に結露が生じたとしても、リー
ドフレームがめっき面上を均一に乾燥するようにして変
色を防止する。 【構成】リードフレームＡにおけるインナーリード２ａ
の銀めっき面６に陽極酸化処理９が施されている。この
ように構成された本発明のリードフレームＡは、従来と
同様のリードフレーム製造方法で製造されるが、その製
造工程におけるめっきラインの銀めっき後、最終洗浄工
程の水洗→陽極酸化処理９→水洗→乾燥の各プロセスを
経ることにより、陽極酸化処理９の施されたリードフレ
ームＡが作製される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体装置等の
電子機器の組立用部材であるリードフレームおよびその
製造方法に関する。
電子機器の組立用部材であるリードフレームおよびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立用部材として、従来よ
り、リードフレームが用いられている。例えば図４およ
び図５に示すように、このリードフレームＡは平面形状
を有しており、例えば半導体素子を搭載するためのダイ
パッド部１と、その周辺に配設され、搭載する半導体素
子との結線を行うためのインナーリード部２と、このイ
ンナーリード部２に連続して形成され、外部回路に結線
されるアウターリード部３とを備えている。
り、リードフレームが用いられている。例えば図４およ
び図５に示すように、このリードフレームＡは平面形状
を有しており、例えば半導体素子を搭載するためのダイ
パッド部１と、その周辺に配設され、搭載する半導体素
子との結線を行うためのインナーリード部２と、このイ
ンナーリード部２に連続して形成され、外部回路に結線
されるアウターリード部３とを備えている。
【０００３】このようなリードフレームＡは、通常、コ
バール、４２合金、銅系合金等の、導電性に優れかつ強
度の大きい金属板を、フォトエッチング法やスタンピン
グ法等によりダイパッド部１、インナーリード部２及び
アウターリード部３を有する形状に加工して製造される
ものである。
バール、４２合金、銅系合金等の、導電性に優れかつ強
度の大きい金属板を、フォトエッチング法やスタンピン
グ法等によりダイパッド部１、インナーリード部２及び
アウターリード部３を有する形状に加工して製造される
ものである。
【０００４】図６に示すように、このリードフレームＡ
は、ダイパッド部１に半導体素子（以下、単に素子とも
いう）４をダイボンディングすると同時に、この素子４
のボンディングパッド（図示せず）とインナーリード部
２とを金等からなる金属ワイヤ５により電気的に接続し
て用いられる、従って、通常、インナーリード部２のボ
ンディング位置に金や銀等の貴金属をめっきすることに
より、ワイヤボンディングを確実に行うことができるよ
うにされている。
は、ダイパッド部１に半導体素子（以下、単に素子とも
いう）４をダイボンディングすると同時に、この素子４
のボンディングパッド（図示せず）とインナーリード部
２とを金等からなる金属ワイヤ５により電気的に接続し
て用いられる、従って、通常、インナーリード部２のボ
ンディング位置に金や銀等の貴金属をめっきすることに
より、ワイヤボンディングを確実に行うことができるよ
うにされている。
【０００５】また、半導体素子は年々高集積化され、入
出力（Ｉ／Ｏ）端子の数が増加する傾向にあるが、これ
に伴い、半導体素子４のサイズが増大している。しか
し、その一方では半導体装置等の電子機器の小型・軽量
化が強く求められており、そのために半導体パッケージ
のより一層の小型化および同一サイズ内での多ピン化が
進行している。したがって、リードフレームに対しても
加工サイズの微細化が強く求められているが、加工サイ
ズの微細化にあたり、製造上多くの困難が生じている。
出力（Ｉ／Ｏ）端子の数が増加する傾向にあるが、これ
に伴い、半導体素子４のサイズが増大している。しか
し、その一方では半導体装置等の電子機器の小型・軽量
化が強く求められており、そのために半導体パッケージ
のより一層の小型化および同一サイズ内での多ピン化が
進行している。したがって、リードフレームに対しても
加工サイズの微細化が強く求められているが、加工サイ
ズの微細化にあたり、製造上多くの困難が生じている。
【０００６】例えば従来のリードフレームＡにおいて
は、フォトエッチング法及びスタンピング法によってこ
のリードフレームＡを製造する場合、インナーリード部
２の各インナーリード２ａがダイパッド部１の方へ大き
く突出するように形成されているので、これらのインナ
ーリード２ａが互いに他のインナーリード２ａと接触す
ることがないようにして形成しなければならない。しか
しながら、インナーリード部２をこのように形成するの
は極めて困難であり、このためインナーリードを所定の
寸法内に無制限に形成することができなく、その加工に
限界が生じている。
は、フォトエッチング法及びスタンピング法によってこ
のリードフレームＡを製造する場合、インナーリード部
２の各インナーリード２ａがダイパッド部１の方へ大き
く突出するように形成されているので、これらのインナ
ーリード２ａが互いに他のインナーリード２ａと接触す
ることがないようにして形成しなければならない。しか
しながら、インナーリード部２をこのように形成するの
は極めて困難であり、このためインナーリードを所定の
寸法内に無制限に形成することができなく、その加工に
限界が生じている。
【０００７】その上、前述の多ピン化の要求に応えよう
とすると、各インナーリード２ａの線も細かくしなけれ
ばならない。このため、リードフレームＡの製造がより
一層難しくなる。また、仮により多くのインナーリード
２ａを製造することができたとしても、まだその他の多
くの困難が生じている。
とすると、各インナーリード２ａの線も細かくしなけれ
ばならない。このため、リードフレームＡの製造がより
一層難しくなる。また、仮により多くのインナーリード
２ａを製造することができたとしても、まだその他の多
くの困難が生じている。
【０００８】例えば、リードフレームＡを輸送したり、
取り扱ったりしているうちにインナーリード２ａが曲が
って互いに接触してしまい、信頼性が損なわれる。そこ
でこの接触を防止するために、従来は図７に示すように
テーピング７を行って各インナーリード２ａを固定し、
その強度を上げるようにしている。
取り扱ったりしているうちにインナーリード２ａが曲が
って互いに接触してしまい、信頼性が損なわれる。そこ
でこの接触を防止するために、従来は図７に示すように
テーピング７を行って各インナーリード２ａを固定し、
その強度を上げるようにしている。
【０００９】また、このような輸送時や取扱い時におけ
るリードフレームＡの変形を防止できたとしても、更に
リードフレームＡの製造後の保存状態が問題となる。す
なわち、保存時に湿気等によりリードフレームＡが変形
したり、錆が発生したりするという問題がある。そこで
現在は、リードフレームＡの各検査の終了後の出荷前
は、５０Ｒ程度を１ロットとしてＯＰＰ袋等の無塵性袋
に１ロットを梱包し、更に数十ロットをひとまとめにし
て防湿性の箱に乾燥剤とともに封入して保存しておき、
その後適宜リードフレームＡを出荷することにより、リ
ードフレームＡの変形および錆の発生を防止している。
るリードフレームＡの変形を防止できたとしても、更に
リードフレームＡの製造後の保存状態が問題となる。す
なわち、保存時に湿気等によりリードフレームＡが変形
したり、錆が発生したりするという問題がある。そこで
現在は、リードフレームＡの各検査の終了後の出荷前
は、５０Ｒ程度を１ロットとしてＯＰＰ袋等の無塵性袋
に１ロットを梱包し、更に数十ロットをひとまとめにし
て防湿性の箱に乾燥剤とともに封入して保存しておき、
その後適宜リードフレームＡを出荷することにより、リ
ードフレームＡの変形および錆の発生を防止している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
従来の梱包方法では、銀めっき表面が非常に活性なた
め、多少の水分やほこりに反応してしまい、航空便等の
温度変化の過酷な場所の保存や梅雨時期の高湿度中の保
存においては、図８に示すようにリードフレームＡが変
色８してしまうことがある。また、このような過酷な場
所の保存においては、上記テーピングのためのテープ７
の厚さにより各リードフレーム２ａ,２ａ間に該テープ
７の厚み分の隙間が開いてしまい、それが原因で目視で
は確認することができない程度の結露が生じる。この結
露部に不純物およびバクテリア等の異物が集中したり、
あるいは保存雰囲気中の汚物が結露中に溶け込んだり
し、それが乾燥時に濃縮されることにより、同様にリー
ドフレームＡが変色８してしまうという問題が生じる。
特に、各インナーリード２ａのワイヤーボンディング領
域にこれらのような変色８が生じると、ワイヤボンダビ
リティに悪影響を及ぼしてしまう。
従来の梱包方法では、銀めっき表面が非常に活性なた
め、多少の水分やほこりに反応してしまい、航空便等の
温度変化の過酷な場所の保存や梅雨時期の高湿度中の保
存においては、図８に示すようにリードフレームＡが変
色８してしまうことがある。また、このような過酷な場
所の保存においては、上記テーピングのためのテープ７
の厚さにより各リードフレーム２ａ,２ａ間に該テープ
７の厚み分の隙間が開いてしまい、それが原因で目視で
は確認することができない程度の結露が生じる。この結
露部に不純物およびバクテリア等の異物が集中したり、
あるいは保存雰囲気中の汚物が結露中に溶け込んだり
し、それが乾燥時に濃縮されることにより、同様にリー
ドフレームＡが変色８してしまうという問題が生じる。
特に、各インナーリード２ａのワイヤーボンディング領
域にこれらのような変色８が生じると、ワイヤボンダビ
リティに悪影響を及ぼしてしまう。
【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、めっき面に安定な酸化膜を
生成してこのめっき面を安定化させるとともに、めっき
面の濡れ性を良くすることにより、めっき面に結露が生
じたとしても、リードフレームがめっき面上を均一に乾
燥するようにして変色を防止することのできるリードフ
レームを提供することである。
たものであり、その目的は、めっき面に安定な酸化膜を
生成してこのめっき面を安定化させるとともに、めっき
面の濡れ性を良くすることにより、めっき面に結露が生
じたとしても、リードフレームがめっき面上を均一に乾
燥するようにして変色を防止することのできるリードフ
レームを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、請求項１の発明は、電子回路素子を搭載するダイ
パッドと、前記電子回路素子のボンディングパッドとワ
イヤボンディングされるインナーリードと、このインナ
ーリードに一体に形成されたアウターリードとを備え、
少なくとも前記インナーリードの必要部分に、銀及び金
等の金属めっきが施されたリードフレームにおいて、少
なくとも前記金属めっき部に陽極酸化処理が施されてい
ることを特徴としている。
めに、請求項１の発明は、電子回路素子を搭載するダイ
パッドと、前記電子回路素子のボンディングパッドとワ
イヤボンディングされるインナーリードと、このインナ
ーリードに一体に形成されたアウターリードとを備え、
少なくとも前記インナーリードの必要部分に、銀及び金
等の金属めっきが施されたリードフレームにおいて、少
なくとも前記金属めっき部に陽極酸化処理が施されてい
ることを特徴としている。
【００１３】また請求項２の発明は、前記金属めっき
が、前記必要な部分の全面にめっきを施した全面めっき
であることを特徴としている。更に請求項３の発明は、
前記金属めっきが、前記必要な部分の一部の面にめっき
を施した部分めっきであることを特徴としている。更に
請求項４の発明は、前記金属めっきが、前記必要な部分
の先端にめっきを施した先端めっきであることを特徴と
している。
が、前記必要な部分の全面にめっきを施した全面めっき
であることを特徴としている。更に請求項３の発明は、
前記金属めっきが、前記必要な部分の一部の面にめっき
を施した部分めっきであることを特徴としている。更に
請求項４の発明は、前記金属めっきが、前記必要な部分
の先端にめっきを施した先端めっきであることを特徴と
している。
【００１４】更に請求項５の発明は、前記金属めっき
が、前記必要な部分の面にめっきをリング状に施したリ
ングめっきであることを特徴としている。更に請求項６
の発明は、前記金属めっきが、前記必要な部分の先端に
めっきをリング状に施したリング先端めっきであること
を特徴としている。更に請求項７の発明は、前記金属め
っきが銀めっきであることを特徴としている。
が、前記必要な部分の面にめっきをリング状に施したリ
ングめっきであることを特徴としている。更に請求項６
の発明は、前記金属めっきが、前記必要な部分の先端に
めっきをリング状に施したリング先端めっきであること
を特徴としている。更に請求項７の発明は、前記金属め
っきが銀めっきであることを特徴としている。
【００１５】更に請求項８の発明は、請求項１ないし７
のいずれか１記載のリードフレームを製造する方法であ
って、前記陽極酸化処理が金属めっき工程における最終
洗浄工程中で行われることを特徴としている。
のいずれか１記載のリードフレームを製造する方法であ
って、前記陽極酸化処理が金属めっき工程における最終
洗浄工程中で行われることを特徴としている。
【００１６】
【作用】このような構成をした本発明のリードフレーム
およびその製造方法によれば、リードフレーム上の金属
めっき面に陽極酸化処理が施されているので、急激な温
度変化や多湿雰囲気中においても、金属めっき面の表面
が不活性で安定となり、水分やほこり等で反応が起こり
にくく、めっき面の変色が発生しにくい。また、めっき
面に結露が生じたとしても、そのめっき面は均一に乾燥
するようになるため、めっき面に変色が生じなくなる。
したがって、めっき面の変色によるワイヤボンディング
時のボンディング不良が防止されるようになり、電子回
路装置の組立コストが低減する。
およびその製造方法によれば、リードフレーム上の金属
めっき面に陽極酸化処理が施されているので、急激な温
度変化や多湿雰囲気中においても、金属めっき面の表面
が不活性で安定となり、水分やほこり等で反応が起こり
にくく、めっき面の変色が発生しにくい。また、めっき
面に結露が生じたとしても、そのめっき面は均一に乾燥
するようになるため、めっき面に変色が生じなくなる。
したがって、めっき面の変色によるワイヤボンディング
時のボンディング不良が防止されるようになり、電子回
路装置の組立コストが低減する。
【００１７】なお、金属めっきとして銀めっきを用いた
場合、陽極酸化により生成された酸化銀（II）面が電子
回路素子のダイボンディング時にすでに熱分解により良
好な金属面に還元されるため、ワイヤボンディングが酸
化銀（II）により悪影響を及ぼされることはない。
場合、陽極酸化により生成された酸化銀（II）面が電子
回路素子のダイボンディング時にすでに熱分解により良
好な金属面に還元されるため、ワイヤボンディングが酸
化銀（II）により悪影響を及ぼされることはない。
【００１８】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明に係るリードフレームの一実施例を部
分的に示す断面図、図２は陽極酸化処理の原理を説明す
る図、図３はこの実施例のリードフレームの製造方法の
一例を説明する図である。なお、前述の従来のリードフ
レームの構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付すこ
とにより、その詳細な説明は省略する。
る。図１は本発明に係るリードフレームの一実施例を部
分的に示す断面図、図２は陽極酸化処理の原理を説明す
る図、図３はこの実施例のリードフレームの製造方法の
一例を説明する図である。なお、前述の従来のリードフ
レームの構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付すこ
とにより、その詳細な説明は省略する。
【００１９】図１に示すように、リードフレームＡにお
けるインナーリード２ａの先端部分に銀めっき６が施さ
れているとともに、この銀めっき６の面に陽極酸化処理
９が施されている。銀めっき６は、図示以外のリードフ
レームＡの必要な部分の全面または部分的に施すことも
できる。更に、銀めっき６はリードフレームＡの必要な
部分にリング状に施すこともできる。
けるインナーリード２ａの先端部分に銀めっき６が施さ
れているとともに、この銀めっき６の面に陽極酸化処理
９が施されている。銀めっき６は、図示以外のリードフ
レームＡの必要な部分の全面または部分的に施すことも
できる。更に、銀めっき６はリードフレームＡの必要な
部分にリング状に施すこともできる。
【００２０】また図２に示すように、この陽極酸化処理
９は、銀めっき面６を有するリードフレームＡを導線１
１により直流電流発生器１３の陽極に接続することによ
り陽極電極とするとともに、白金１０を他の導線１１に
より直流電流発生器１３の陰極に接続することにより陰
極電極とし、これらリードフレームＡおよび白金１０を
１Ｎの水酸化カリウムや炭酸ナトリウム等のアルカリ物
質からなる電解質の水溶液１２に浸した状態で、電圧
１.５Ｖとして２０sec間水の電気分解を行う処理であ
る。
９は、銀めっき面６を有するリードフレームＡを導線１
１により直流電流発生器１３の陽極に接続することによ
り陽極電極とするとともに、白金１０を他の導線１１に
より直流電流発生器１３の陰極に接続することにより陰
極電極とし、これらリードフレームＡおよび白金１０を
１Ｎの水酸化カリウムや炭酸ナトリウム等のアルカリ物
質からなる電解質の水溶液１２に浸した状態で、電圧
１.５Ｖとして２０sec間水の電気分解を行う処理であ
る。
【００２１】この陽極酸化処理９においては、次のよう
な反応が行われる。
な反応が行われる。
【００２２】
【数１】
【００２３】
【数２】
【００２４】この陽極酸化処理９により、銀めっき面６
に黒色の良好な酸化銀（II）が生成する。
に黒色の良好な酸化銀（II）が生成する。
【００２５】この酸化銀（II）の面は、良好な銀めっき
面と比較して、急激な温度変化や多湿雰囲気中において
も不活性で安定化しているため、水分やほこり等で反応
が起こりにくく、銀めっき面６の変色等の不良が著しく
低減する。また、濡れ性は接触角で平均８８゜から処理
後平均７０゜と著しく向上するようになるので、前述し
た結露による変色も著しく低減する。
面と比較して、急激な温度変化や多湿雰囲気中において
も不活性で安定化しているため、水分やほこり等で反応
が起こりにくく、銀めっき面６の変色等の不良が著しく
低減する。また、濡れ性は接触角で平均８８゜から処理
後平均７０゜と著しく向上するようになるので、前述し
た結露による変色も著しく低減する。
【００２６】更に、ダイボンディング温度が約１５０℃
であるため、ワイヤボンディングの際には、陽極酸化に
より生成された酸化銀（II）面が熱分解により元の良好
な銀めっき面に還元されている。このため、良好なワイ
ヤボンダビリティが得られ、不良が著しく低減する。
であるため、ワイヤボンディングの際には、陽極酸化に
より生成された酸化銀（II）面が熱分解により元の良好
な銀めっき面に還元されている。このため、良好なワイ
ヤボンダビリティが得られ、不良が著しく低減する。
【００２７】このように構成された本実施例のリードフ
レームＡは、従来とほぼ同様のリードフレーム製造方法
で製造されるが、具体的には図３に示すようにその製造
工程におけるめっきラインの銀めっき後、最終洗浄工程
の水洗→陽極酸化処理９→水洗→乾燥の各プロセスを経
ることにより、陽極酸化処理９の施されたリードフレー
ムＡが作製される。
レームＡは、従来とほぼ同様のリードフレーム製造方法
で製造されるが、具体的には図３に示すようにその製造
工程におけるめっきラインの銀めっき後、最終洗浄工程
の水洗→陽極酸化処理９→水洗→乾燥の各プロセスを経
ることにより、陽極酸化処理９の施されたリードフレー
ムＡが作製される。
【００２８】次に、このような陽極酸化処理９が施され
たリードフレームＡを用いて、保存時の温度変化に対す
る銀めっき面６の挙動について説明する。航空便など
の、急激な温度変化の存在するリードフレームの保存状
態では、たとえ乾燥剤とともに梱包しても目に見えない
ほどの結露が生じるが、本実施例のリードフレームＡに
よれば、結露したとしても銀めっき面６の漏れ性がよい
ので、局部的に濃縮乾燥されることがなく、図８で示す
ような局部的な変色を防止できる。
たリードフレームＡを用いて、保存時の温度変化に対す
る銀めっき面６の挙動について説明する。航空便など
の、急激な温度変化の存在するリードフレームの保存状
態では、たとえ乾燥剤とともに梱包しても目に見えない
ほどの結露が生じるが、本実施例のリードフレームＡに
よれば、結露したとしても銀めっき面６の漏れ性がよい
ので、局部的に濃縮乾燥されることがなく、図８で示す
ような局部的な変色を防止できる。
【００２９】したがって、本実施例のリードフレームＡ
は良好なワイヤボンダビリティを有するようになり、こ
のリードフレームＡを使用して半導体装置等の電子回路
装置の組立を行えば、ボンディング不良が低減する。
は良好なワイヤボンダビリティを有するようになり、こ
のリードフレームＡを使用して半導体装置等の電子回路
装置の組立を行えば、ボンディング不良が低減する。
【００３０】なお、前述の実施例ではリードフレームＡ
の必要な部分に銀めっきを施すものとしているが、金等
の他の金属めっきを施すようにしてもよい。また、金属
めっきをリードフレームＡの必要な部分の全面に施すよ
うにしてもよいし、リードフレームＡの必要な部分の一
部の面に施すようにしてもよい。更に、金属めっきをリ
ードフレームＡの必要な部分の全面または一部の面にリ
ング状に施すようにしてもよい。
の必要な部分に銀めっきを施すものとしているが、金等
の他の金属めっきを施すようにしてもよい。また、金属
めっきをリードフレームＡの必要な部分の全面に施すよ
うにしてもよいし、リードフレームＡの必要な部分の一
部の面に施すようにしてもよい。更に、金属めっきをリ
ードフレームＡの必要な部分の全面または一部の面にリ
ング状に施すようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のリードフレームおよびその製造方法によれば、少なく
とも金属めっき面に陽極酸化処理が施されているので、
急激な温度変化や多湿雰囲気中においても、水分やほこ
り等による反応が起こりにくいばかりでなく、汚れの付
着が著しく減少する。その上、結露による濃縮乾燥がな
くなり、リードフレームの変色を防止できるため、めっ
き面の変色による電子回路装置の組立時におけるワイヤ
ボンダビリティの低下を防止できる。
のリードフレームおよびその製造方法によれば、少なく
とも金属めっき面に陽極酸化処理が施されているので、
急激な温度変化や多湿雰囲気中においても、水分やほこ
り等による反応が起こりにくいばかりでなく、汚れの付
着が著しく減少する。その上、結露による濃縮乾燥がな
くなり、リードフレームの変色を防止できるため、めっ
き面の変色による電子回路装置の組立時におけるワイヤ
ボンダビリティの低下を防止できる。
【００３２】また、金属めっきとして銀めっきを用いた
場合、陽極酸化により酸化銀（II）が生成されるが、こ
の酸化銀（II）が電子回路素子のダイボンディング時に
すでに熱分解により良好な金属面に還元される。このた
め、ワイヤボンディングが酸化銀（II）により悪影響を
及ぼされることは確実に阻止される。このようにして、
本発明のリードフレームを用いれば、電子機器の組立コ
ストを著しく低減することができる。
場合、陽極酸化により酸化銀（II）が生成されるが、こ
の酸化銀（II）が電子回路素子のダイボンディング時に
すでに熱分解により良好な金属面に還元される。このた
め、ワイヤボンディングが酸化銀（II）により悪影響を
及ぼされることは確実に阻止される。このようにして、
本発明のリードフレームを用いれば、電子機器の組立コ
ストを著しく低減することができる。
【図１】 本発明に係るリードフレームの一実施例を部
分的に示す断面図である。
分的に示す断面図である。
【図２】 この実施例における陽極酸化処理の原理を説
明する図である。
明する図である。
【図３】 この実施例のリードフレームの製造方法の一
実施例を説明する図である。
実施例を説明する図である。
【図４】 従来のＱＦＰ用リードフレームの平面図であ
る。
る。
【図５】 ＤＩＰ用のリードフレームの平面図である。
【図６】 組立後の半導体装置の要部を示す概略説明図
である。
である。
【図７】 従来のテーピングされているリードフレーム
を示し、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は（Ａ）における
VIIB−VIIBによる断面図である。
を示し、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は（Ａ）における
VIIB−VIIBによる断面図である。
【図８】 （Ａ）は従来のリードフレームにおけるダイ
パッド部とめっきされたインナーリード部とを部分的に
示す平面図、（Ｂ）はそのインナーリード部のめっき面
の変色部を示す拡大図である。
パッド部とめっきされたインナーリード部とを部分的に
示す平面図、（Ｂ）はそのインナーリード部のめっき面
の変色部を示す拡大図である。
Ａ…リードフレーム、１…ダイパッド部、２…インナー
リード部、２ａ…インナーリード、３…アウターリード
部、４…半導体素子、５…ボンディングワイヤ、６…銀
めっき面、７…インナーリード固定テープ、８…銀めっ
き面上の変色部、９…陽極酸化処理部、１０…白金（陰
極電極）、１１…導線、１２…アルカリ物質からなる電
解質の水溶液、１３…直流電流発生器
リード部、２ａ…インナーリード、３…アウターリード
部、４…半導体素子、５…ボンディングワイヤ、６…銀
めっき面、７…インナーリード固定テープ、８…銀めっ
き面上の変色部、９…陽極酸化処理部、１０…白金（陰
極電極）、１１…導線、１２…アルカリ物質からなる電
解質の水溶液、１３…直流電流発生器
Claims (8)
- 【請求項１】 電子回路素子を搭載するダイパッドと、
前記電子回路素子のボンディングパッドとワイヤボンデ
ィングされるインナーリードと、このインナーリードに
一体に形成されたアウターリードとを備え、少なくとも
前記インナーリードの必要部分に、銀及び金等の金属め
っきが施されたリードフレームにおいて、 少なくとも前記金属めっき部に陽極酸化処理が施されて
いることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記金属めっきが、前記必要な部分の全
面にめっきを施した全面めっきであることを特徴とする
請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記金属めっきが、前記必要な部分の一
部の面にめっきを施した部分めっきであることを特徴と
する請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 前記金属めっきが、前記必要な部分の先
端にめっきを施した先端めっきであることを特徴とする
請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項５】 前記金属めっきが、前記必要な部分の面
にめっきをリング状に施したリングめっきであることを
特徴とする請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 前記金属めっきが、前記必要な部分の先
端にめっきをリング状に施したリング先端めっきである
ことを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項７】 前記金属めっきが銀めっきであることを
特徴とする請求項１ないし６のいずれか１記載のリード
フレーム。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれか１記載のリ
ードフレームを製造する方法であって、前記陽極酸化処
理が金属めっき工程における最終洗浄工程中で行われる
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP312692A JPH05190726A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP312692A JPH05190726A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190726A true JPH05190726A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11548674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP312692A Pending JPH05190726A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190726A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780931A (en) * | 1995-06-09 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface mounting semiconductor device and semiconductor mounting component |
| JP2010177481A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hitachi Ltd | 電子部材ならびに電子部品とその製造方法 |
| WO2011145647A1 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-11-24 | Jx金属商事株式会社 | 表面に酸化層を有する電気銀めっき及び／又は電気銀合金めっき物 |
| US9653385B1 (en) * | 2016-05-26 | 2017-05-16 | Sdi Corporation | Lead frame |
| EP3971958A1 (en) * | 2020-09-16 | 2022-03-23 | Nexperia B.V. | A semiconductor package and a method for manufacturing of a semiconductor package |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP312692A patent/JPH05190726A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780931A (en) * | 1995-06-09 | 1998-07-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Surface mounting semiconductor device and semiconductor mounting component |
| JP2010177481A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Hitachi Ltd | 電子部材ならびに電子部品とその製造方法 |
| US8400777B2 (en) | 2009-01-30 | 2013-03-19 | Hitachi, Ltd. | Electronic member, electronic part and manufacturing method therefor |
| WO2011145647A1 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-11-24 | Jx金属商事株式会社 | 表面に酸化層を有する電気銀めっき及び／又は電気銀合金めっき物 |
| EP2573208A1 (en) * | 2010-05-20 | 2013-03-27 | JX Metals Trading Co., Ltd. | Electrolytically silver plated and/or electrolytically silver alloy plated article having oxide layer on surface |
| JP5382888B2 (ja) * | 2010-05-20 | 2014-01-08 | Ｊｘ金属商事株式会社 | 表面に酸化層を有する電気銀めっき及び／又は電気銀合金めっき物 |
| EP2573208A4 (en) * | 2010-05-20 | 2014-05-21 | Jx Metals Trading Co Ltd | ELECTROLYTIC SILVER PLATED AND / OR ELECTROLYTIC SILVER ALLOY PLATED ARTICLES WITH AN OXID SURFACE LAYER |
| US9653385B1 (en) * | 2016-05-26 | 2017-05-16 | Sdi Corporation | Lead frame |
| EP3971958A1 (en) * | 2020-09-16 | 2022-03-23 | Nexperia B.V. | A semiconductor package and a method for manufacturing of a semiconductor package |
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