JPH05190133A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH05190133A JPH05190133A JP4004809A JP480992A JPH05190133A JP H05190133 A JPH05190133 A JP H05190133A JP 4004809 A JP4004809 A JP 4004809A JP 480992 A JP480992 A JP 480992A JP H05190133 A JPH05190133 A JP H05190133A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- temperature
- disc
- gas
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
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- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ディスクあるいは半導体基板表面に吸着した
ガスあるいは水分を除去する。 【構成】 半導体基板を固定する為のディスク１に対向
する処理チャンバー壁に赤外線ランプ８と、反射板９と
放射温度計１１を設け、放射温度計１１にて測定された
ディスク１あるいは半導体基板固定部６あるいは半導体
基板表面温度を用い、制御部１０にて赤外線ランプ８に
印加する電力を制御することにより、ディスク１あるい
は半導体基板表面６あるいは半導体基板表面を一定温度
で加熱し、吸着したガス・水分を除去する。
ガスあるいは水分を除去する。 【構成】 半導体基板を固定する為のディスク１に対向
する処理チャンバー壁に赤外線ランプ８と、反射板９と
放射温度計１１を設け、放射温度計１１にて測定された
ディスク１あるいは半導体基板固定部６あるいは半導体
基板表面温度を用い、制御部１０にて赤外線ランプ８に
印加する電力を制御することにより、ディスク１あるい
は半導体基板表面６あるいは半導体基板表面を一定温度
で加熱し、吸着したガス・水分を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の一
工程に用いられるイオン注入装置に関し、特にディスク
表面あるいは半導体基板の加熱機構に係るイオン注入装
置に関する。
工程に用いられるイオン注入装置に関し、特にディスク
表面あるいは半導体基板の加熱機構に係るイオン注入装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置では、図３に示す
ようにアルミ等の金属製のディスク１の表面の円周上
に、ディスク１の面に対し数度傾斜して設けられた複数
の半導体基板固定部６の表面を、ゴム１２の膜で被覆
し、このゴム１２の膜上に、半導体基板を表面あるいは
側面よりピンで支持し、ディスク１を高速回転させるこ
とにより半導体基板を遠心力にてゴム１２表面に密着さ
せ、ディスク１の本体と半導体基板との熱伝導性を高め
た状態でイオンビームを半導体基板に注入に有するもの
となっていた。
ようにアルミ等の金属製のディスク１の表面の円周上
に、ディスク１の面に対し数度傾斜して設けられた複数
の半導体基板固定部６の表面を、ゴム１２の膜で被覆
し、このゴム１２の膜上に、半導体基板を表面あるいは
側面よりピンで支持し、ディスク１を高速回転させるこ
とにより半導体基板を遠心力にてゴム１２表面に密着さ
せ、ディスク１の本体と半導体基板との熱伝導性を高め
た状態でイオンビームを半導体基板に注入に有するもの
となっていた。
【０００３】また、この時イオンビームを目的外領域に
注入されることを防ぐため、この領域をアルミあるいは
レジストで覆い、イオンビームを遮蔽するものとなって
いた。
注入されることを防ぐため、この領域をアルミあるいは
レジストで覆い、イオンビームを遮蔽するものとなって
いた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
イオン注入装置では、注入中半導体基板を遠心力でゴム
表面に密着させ注入を行なっている為、ゴム表面が大気
中に長時間放置されてゴム表面が水分・ガスを吸着した
状態で半導体基板へ高パワー（高エネルギー、高ビー
ム）で高注入量のイオン注入を行なった場合、半導体基
板がゴム表面に貼りつき、ディスクから半導体基板を搬
送することが出来ず、復旧の為に多大な時間と労力を要
していた。
イオン注入装置では、注入中半導体基板を遠心力でゴム
表面に密着させ注入を行なっている為、ゴム表面が大気
中に長時間放置されてゴム表面が水分・ガスを吸着した
状態で半導体基板へ高パワー（高エネルギー、高ビー
ム）で高注入量のイオン注入を行なった場合、半導体基
板がゴム表面に貼りつき、ディスクから半導体基板を搬
送することが出来ず、復旧の為に多大な時間と労力を要
していた。
【０００５】また、この問題とは別に注入マスクとして
レジストマスクを用いた場合、イオン注入によりレジス
トマクスからガスが放出され、イオンビームが中性化し
てしまい注入イオン量の測定に誤差を生じてしまうとい
う問題があった。
レジストマスクを用いた場合、イオン注入によりレジス
トマクスからガスが放出され、イオンビームが中性化し
てしまい注入イオン量の測定に誤差を生じてしまうとい
う問題があった。
【０００６】そこで、本発明の技術的課題は、上記欠点
に鑑み、ディスクあるいは半導体基板表面に吸着したガ
スあるいは、水分を除去するイオン注入装置を提供する
ことである。
に鑑み、ディスクあるいは半導体基板表面に吸着したガ
スあるいは、水分を除去するイオン注入装置を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
基板への不純物注入に用いられるイオン注入装置におい
て、半導体基板を固定する為のディスクの半導体基板固
定部分に対向する位置に、加熱手段と、前記半導体基板
固定部側の温度を測定する為の温度検出手段と、該温度
検出手段からの温度信号に基づいて前記加熱手段を制御
する為の制御手段を有することを特徴とするイオン注入
装置が得られる。
基板への不純物注入に用いられるイオン注入装置におい
て、半導体基板を固定する為のディスクの半導体基板固
定部分に対向する位置に、加熱手段と、前記半導体基板
固定部側の温度を測定する為の温度検出手段と、該温度
検出手段からの温度信号に基づいて前記加熱手段を制御
する為の制御手段を有することを特徴とするイオン注入
装置が得られる。
【０００８】また、本発明によれば、前記のイオン注入
装置において、前記温度検出手段は、非接触にて温度を
検出するものであることを特徴とするイオン注入装置が
得られる。
装置において、前記温度検出手段は、非接触にて温度を
検出するものであることを特徴とするイオン注入装置が
得られる。
【０００９】即ち、本発明のイオン注入装置は、半導体
基板を固定する為のディスクの半導体基板固定部分に対
向する位置に赤外線加熱機構とディスク表面、半導体基
板固定部表面あるいは、半導体基板表面温度を測定する
為の放射温度計と放射温度計からの温度信号にて赤外線
加熱機構を制御する為の制御機構を備えている。
基板を固定する為のディスクの半導体基板固定部分に対
向する位置に赤外線加熱機構とディスク表面、半導体基
板固定部表面あるいは、半導体基板表面温度を測定する
為の放射温度計と放射温度計からの温度信号にて赤外線
加熱機構を制御する為の制御機構を備えている。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
【００１１】図１（Ａ）は本発明の一実施例の横断面
図、（Ｂ）は縦断面図、図２は、半導体基板固定部の拡
大図である。
図、（Ｂ）は縦断面図、図２は、半導体基板固定部の拡
大図である。
【００１２】ディスク１及び半導体基板固定部６の表面
に貼られたゴム１２に吸着したガス・水分を除去する場
合、半導体基板固定部６に半導体基板を挿着しない状態
で、ディスク１を高速回転させ、半導体基板固定部６に
対向する処理チャンバー壁に取り付けられた赤外線ラン
プ８及び赤外線ランプ８後方に設けられた反射板９によ
り加熱する。
に貼られたゴム１２に吸着したガス・水分を除去する場
合、半導体基板固定部６に半導体基板を挿着しない状態
で、ディスク１を高速回転させ、半導体基板固定部６に
対向する処理チャンバー壁に取り付けられた赤外線ラン
プ８及び赤外線ランプ８後方に設けられた反射板９によ
り加熱する。
【００１３】次に赤外線ランプ８近傍の処理チャンバー
壁にディスク１に対向する向きに設けられた放射温度計
１１は、非接触にてディスク１表面及び半導体基板固定
部６表面の温度を測定し、制御部１０に温度信号を送
る。
壁にディスク１に対向する向きに設けられた放射温度計
１１は、非接触にてディスク１表面及び半導体基板固定
部６表面の温度を測定し、制御部１０に温度信号を送
る。
【００１４】制御部１０は、放射温度計１１より送られ
た温度にてディスク１あるいは、半導体基板固定部６の
表面温度が常に一定となるよう赤外線ランプ８に印加す
る電力を制御し、半導体基板固定部６に貼られたゴム１
２表面に吸着した水分・ガスを除去し、真空ポンプ７に
排気する。
た温度にてディスク１あるいは、半導体基板固定部６の
表面温度が常に一定となるよう赤外線ランプ８に印加す
る電力を制御し、半導体基板固定部６に貼られたゴム１
２表面に吸着した水分・ガスを除去し、真空ポンプ７に
排気する。
【００１５】同様にレジストからの放出ガスを低減する
場合、ディスク１上に設けられた半導体基板固定部６に
レジストをマスクとする半導体基板を装着し、ディスク
１を高速回転させ、放射温度計１１にてレジスト表面温
度を測定しながら、これが一定の温度となるよう赤外線
ランプ８に印加する電力を制御し、レジストからガスを
放出させ、真空ポンプ７によりこれを排気する。
場合、ディスク１上に設けられた半導体基板固定部６に
レジストをマスクとする半導体基板を装着し、ディスク
１を高速回転させ、放射温度計１１にてレジスト表面温
度を測定しながら、これが一定の温度となるよう赤外線
ランプ８に印加する電力を制御し、レジストからガスを
放出させ、真空ポンプ７によりこれを排気する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板を固定する為のディスクの半導体基板固定部に対向す
る位置に赤外線加熱機構と、ディスク表面あるいは、半
導体基板固定部、半導体基板表面温度を測定する為の放
射温度計と、放射温度計からの温度信号にて赤外線加熱
機構を制御する為の制御機構を設けることにより、真空
中でディスク及び半導体基板固定部に貼られたゴム表面
に吸着したガス・水分を除去することが出来、半導体基
板固定部ゴム表面を半導体基板が吸着しにくい状態とす
るとともに、イオン注入中のディスク表面からの放出ガ
スを低下し得るという結果を有する。
板を固定する為のディスクの半導体基板固定部に対向す
る位置に赤外線加熱機構と、ディスク表面あるいは、半
導体基板固定部、半導体基板表面温度を測定する為の放
射温度計と、放射温度計からの温度信号にて赤外線加熱
機構を制御する為の制御機構を設けることにより、真空
中でディスク及び半導体基板固定部に貼られたゴム表面
に吸着したガス・水分を除去することが出来、半導体基
板固定部ゴム表面を半導体基板が吸着しにくい状態とす
るとともに、イオン注入中のディスク表面からの放出ガ
スを低下し得るという結果を有する。
【００１７】また、レジストをマスクとする半導体基板
へのイオン注入の場合、注入前に半導体基板を加熱する
ことにより、レジストからガスを放出させ、イオン注入
中の放出ガスを低減することが出来るという結果を有す
る。
へのイオン注入の場合、注入前に半導体基板を加熱する
ことにより、レジストからガスを放出させ、イオン注入
中の放出ガスを低減することが出来るという結果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａは本発明の一実施例の横断面図。Ｂは本発明
の一実施例の縦断面図。
の一実施例の縦断面図。
【図２】図１に示した半導体基板固定部の拡大図。
【図３】従来装置の横断面図。
１ ディスク ２ 処理チャンバー ３ 電流測定部 ４ バルブ ５ イオンビーム ６ 半導体基板固定部 ７ 真空ポンプ ８ 赤外線ランプ ９ 反射板 １０ 制御部 １１ 放射温度計 １２ ゴム １３ 半導体基板固定ピン
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板への不純物注入に用いられる
イオン注入装置において、半導体基板を固定する為のデ
ィスクの半導体基板固定部分に対向する位置に、加熱手
段と、前記半導体基板固定部側の温度を測定する為の温
度検出手段と、該温度検出手段からの温度信号に基づい
て前記加熱手段を制御する為の制御手段を有することを
特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のイオン注入装置におい
て、前記温度検出手段は、非接触にて温度を検出するも
のであることを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004809A JPH05190133A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4004809A JPH05190133A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190133A true JPH05190133A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11594084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4004809A Withdrawn JPH05190133A (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190133A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1768163A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
| US7312464B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
| JP2009266391A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 酸素イオン注入装置 |
| JP2015230939A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却処理装置、及び、冷却処理装置の運用方法 |
| CN117116813A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-24 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 离子注入机台的温控能力检测方法及装置 |
-
1992
- 1992-01-14 JP JP4004809A patent/JPH05190133A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7312464B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-12-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
| EP1768163A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-03-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ion implantation apparatus |
| JP2009266391A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 酸素イオン注入装置 |
| JP2015230939A (ja) * | 2014-06-04 | 2015-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却処理装置、及び、冷却処理装置の運用方法 |
| US9673078B2 (en) | 2014-06-04 | 2017-06-06 | Tokyo Electron Limited | Cooling processing apparatus and method for operating the same |
| CN117116813A (zh) * | 2023-10-19 | 2023-11-24 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 离子注入机台的温控能力检测方法及装置 |
| CN117116813B (zh) * | 2023-10-19 | 2024-02-09 | 粤芯半导体技术股份有限公司 | 离子注入机台的温控能力检测方法及装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |