JP2000306541A - イオン注入装置におけるウェーハ温度検出装置 - Google Patents
イオン注入装置におけるウェーハ温度検出装置Info
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- G01K7/42—Circuits effecting compensation of thermal inertia; Circuits for predicting the stationary value of a temperature
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン注入装置内に載置されたウェーハの温
度を正確に、しかもインサイチューで検出することが可
能なウェーハ温度検出装置を提供することである。 【解決手段】 イオン注入装置内の被イオン注入ウェー
ハ２０を載置する回転円盤１０上に載置され、被イオン
注入ウェーハ２０とほぼ同一の材料からなるダミー材１
と、このダミー材１の裏面に設けられた熱電対２と、を
有することを特徴とするイオン注入装置におけるウェー
ハ温度検出装置。
度を正確に、しかもインサイチューで検出することが可
能なウェーハ温度検出装置を提供することである。 【解決手段】 イオン注入装置内の被イオン注入ウェー
ハ２０を載置する回転円盤１０上に載置され、被イオン
注入ウェーハ２０とほぼ同一の材料からなるダミー材１
と、このダミー材１の裏面に設けられた熱電対２と、を
有することを特徴とするイオン注入装置におけるウェー
ハ温度検出装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置に
おけるウェーハ温度検出装置に関する。
おけるウェーハ温度検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置、特に大電流（例えば１
０〜１００ｍＡ）の注入装置では、その内部を真空にし
て、エンドステーション部に設けられている回転円盤に
複数の被イオン注入ウェーハを載置して、この円盤を振
り子揺動させる等、機械的にスキャンさせたり、イオン
ビームを電磁気的にスキャンさせたりしつつ、円盤を回
転させることによりイオンビームによりウェーハ面を走
査しながらイオンビームをウェーハに照射してイオン注
入を行う装置である。
０〜１００ｍＡ）の注入装置では、その内部を真空にし
て、エンドステーション部に設けられている回転円盤に
複数の被イオン注入ウェーハを載置して、この円盤を振
り子揺動させる等、機械的にスキャンさせたり、イオン
ビームを電磁気的にスキャンさせたりしつつ、円盤を回
転させることによりイオンビームによりウェーハ面を走
査しながらイオンビームをウェーハに照射してイオン注
入を行う装置である。
【０００３】従来、このようなイオン注入装置内に載置
されたウェーハの温度検出は、赤外線放射温度計などを
用いて、イオン注入装置に設けられている小窓などから
イオン注入装置内の回転円盤に載置されているウェーハ
を覗き見るようにして、その放射温度を測定することに
より行われていた。
されたウェーハの温度検出は、赤外線放射温度計などを
用いて、イオン注入装置に設けられている小窓などから
イオン注入装置内の回転円盤に載置されているウェーハ
を覗き見るようにして、その放射温度を測定することに
より行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな放射温度計による温度測定では、小窓の曇りや、ウ
ェーハを載置した円盤が高速で回転していることなどか
ら、必ずしも正確な測定値を得ることができないという
問題があった。
うな放射温度計による温度測定では、小窓の曇りや、ウ
ェーハを載置した円盤が高速で回転していることなどか
ら、必ずしも正確な測定値を得ることができないという
問題があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、イオン注入装置
内に載置されたウェーハの温度を正確に、しかもインサ
イチュー(in-situ) で検知することが可能なイオン注入
装置におけるウェーハ温度検出装置を提供することであ
る。
内に載置されたウェーハの温度を正確に、しかもインサ
イチュー(in-situ) で検知することが可能なイオン注入
装置におけるウェーハ温度検出装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記す
る手段により達成される。
る手段により達成される。
【０００７】（１）イオン注入装置におけるウェーハ温
度検出装置であって、前記イオン注入装置内の被イオン
注入ウェーハを載置する回転円盤上に載置され、該被イ
オン注入ウェーハとほぼ同一の材料からなるダミー材
と、該ダミー材の裏面に設けられた温度検出手段と、を
有することを特徴とするイオン注入装置におけるウェー
ハ温度検出装置。
度検出装置であって、前記イオン注入装置内の被イオン
注入ウェーハを載置する回転円盤上に載置され、該被イ
オン注入ウェーハとほぼ同一の材料からなるダミー材
と、該ダミー材の裏面に設けられた温度検出手段と、を
有することを特徴とするイオン注入装置におけるウェー
ハ温度検出装置。
【０００８】（２）前記ダミー材は、前記回転円盤上に
複数載置された被イオン注入ウェーハの間からイオンビ
ームに晒されるように、前記回転円盤上に載置されるこ
とを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置における
ウェーハ温度検出装置。
複数載置された被イオン注入ウェーハの間からイオンビ
ームに晒されるように、前記回転円盤上に載置されるこ
とを特徴とする請求項１記載のイオン注入装置における
ウェーハ温度検出装置。
【０００９】（３）前記ダミー材は、前記被イオン注入
ウェーハと同一形状のダミーウェーハであり、該ダミー
ウェーハの鏡面処理された面がイオンビームに晒される
ように、前記回転円盤上に載置されることを特徴とする
請求項１記載のイオン注入装置におけるウェーハ温度検
出装置。
ウェーハと同一形状のダミーウェーハであり、該ダミー
ウェーハの鏡面処理された面がイオンビームに晒される
ように、前記回転円盤上に載置されることを特徴とする
請求項１記載のイオン注入装置におけるウェーハ温度検
出装置。
【００１０】（４）前記温度検出手段は、前記ダミー材
の裏面に窪みを形成して、この窪みの中に設けたことを
特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のイオン
注入装置におけるウェーハ温度検出装置。
の裏面に窪みを形成して、この窪みの中に設けたことを
特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のイオン
注入装置におけるウェーハ温度検出装置。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して、
本発明の一実施の形態を説明する。
本発明の一実施の形態を説明する。
【００１２】図１は、イオン注入装置（以下、注入装置
と称する）内の回転円盤（以下、単に、円盤と称する）
と、本発明に係る温度検出装置を示す概略図である。
と称する）内の回転円盤（以下、単に、円盤と称する）
と、本発明に係る温度検出装置を示す概略図である。
【００１３】注入装置内の円盤１０は、その中央で円盤
回転用の回転軸１１に軸支され、この回転軸１１により
図中矢印ａ方向に回転し、かつ、この回転軸１１が揺動
軸１２とアーム１３により接続されていて、一定の角度
範囲で図中矢印ｂ方向に振り子揺動する。なお、円盤１
０を回転させるための機構や振り子揺動させるための機
構などは、通常の注入装置において用いられているもの
であり、また、注入装置の全体的な構成についても通常
のものであるので、ここではこれらの説明は省略する。
回転用の回転軸１１に軸支され、この回転軸１１により
図中矢印ａ方向に回転し、かつ、この回転軸１１が揺動
軸１２とアーム１３により接続されていて、一定の角度
範囲で図中矢印ｂ方向に振り子揺動する。なお、円盤１
０を回転させるための機構や振り子揺動させるための機
構などは、通常の注入装置において用いられているもの
であり、また、注入装置の全体的な構成についても通常
のものであるので、ここではこれらの説明は省略する。
【００１４】円盤１０上には、複数の被イオン注入ウェ
ーハ２０が、イオンビーム照射方向（図中矢印ｃ）に向
けて載置されている。なお、円盤１０は、実際には、複
数の被イオン注入ウェーハ２０を載置する部分がドーナ
ツ状のリム形状となっており、このリムが複数のアーム
により回転軸１１と接続されて、完全な盤面形状ではな
いものもある。
ーハ２０が、イオンビーム照射方向（図中矢印ｃ）に向
けて載置されている。なお、円盤１０は、実際には、複
数の被イオン注入ウェーハ２０を載置する部分がドーナ
ツ状のリム形状となっており、このリムが複数のアーム
により回転軸１１と接続されて、完全な盤面形状ではな
いものもある。
【００１５】そして、被イオン注入ウェーハ２０の間
に、その表面がイオンビームに晒されるように、温度検
出のためのダミー材１が設けられており、このダミー材
１には、その裏面に熱電対２（図２参照）が設けられて
いる。この熱電対２は、回転軸１１に設けられているス
リップリング３を介して、電圧計４に接続されている。
電圧計４からの信号は、さらにパソコン５などの制御装
置に取り込まれて、温度として表示され、また、注入装
置の温度制御に利用される。
に、その表面がイオンビームに晒されるように、温度検
出のためのダミー材１が設けられており、このダミー材
１には、その裏面に熱電対２（図２参照）が設けられて
いる。この熱電対２は、回転軸１１に設けられているス
リップリング３を介して、電圧計４に接続されている。
電圧計４からの信号は、さらにパソコン５などの制御装
置に取り込まれて、温度として表示され、また、注入装
置の温度制御に利用される。
【００１６】なお、熱電対２からの信号線は、実際に
は、円盤１０の裏面に適宜固定されて、スリップリング
３まで導かれ、さらにアーム１３に適宜固定されている
信号線を介して注入装置の外部に導き、そこで、電圧計
４と接続されている。
は、円盤１０の裏面に適宜固定されて、スリップリング
３まで導かれ、さらにアーム１３に適宜固定されている
信号線を介して注入装置の外部に導き、そこで、電圧計
４と接続されている。
【００１７】ダミー材１は、被イオン注入ウェーハとほ
ぼ同一の材料を、図２Ａに示すように、円盤１０に載置
されている被イオン注入ウェーハ２０の間に入る程度の
大きさに、短冊状に形成したものである。そして、この
ダミー材１には、図２Ｂに示すように、その裏面に、窪
み５１を設け、この窪み５１の中に温度検出手段として
の熱電対２を封止材５２により封止している。封止材５
２としては、真空中にて脱ガスが少なく、使用される温
度域において安定、かつ発塵性のないものが好ましく、
例えばセラミックス系の接着剤などが好適である。
ぼ同一の材料を、図２Ａに示すように、円盤１０に載置
されている被イオン注入ウェーハ２０の間に入る程度の
大きさに、短冊状に形成したものである。そして、この
ダミー材１には、図２Ｂに示すように、その裏面に、窪
み５１を設け、この窪み５１の中に温度検出手段として
の熱電対２を封止材５２により封止している。封止材５
２としては、真空中にて脱ガスが少なく、使用される温
度域において安定、かつ発塵性のないものが好ましく、
例えばセラミックス系の接着剤などが好適である。
【００１８】ダミー材１の材質は、上記のように、被イ
オン注入ウェーハ２０とほぼ同一であることが好ましい
が、その不純物量や導電性（ｐ型かｎ型か）まで一致さ
せる必要はなく、例えば被イオン注入ウェーハ２０がシ
リコン単結晶ウェーハの場合には、シリコン単結晶ウェ
ーハを短冊状に切り出したもの、また、被イオン注入ウ
ェーハ２０がＧａＡｓのような化合物半導体ウェーハの
場合には同様の化合物半導体ウェーハから切り出したも
のが好ましい。また、厚さについても必ずしも被イオン
注入ウェーハと同じにする必要ななく、これは、後述す
るように、実際の温度検出にあっては、検量線を用いる
ため、厚さが異なることによる影響はこの検量線によっ
て修正されるからである。さらに、これらウェーハに酸
化膜などが既に形成されている場合には、より好ましく
は、同じように酸化膜などを成膜したものがよい。しか
し、このような場合にもやはり実際の温度検出時に検量
線を用いるため、必ずしもこのような酸化膜などを成膜
する必要はない。
オン注入ウェーハ２０とほぼ同一であることが好ましい
が、その不純物量や導電性（ｐ型かｎ型か）まで一致さ
せる必要はなく、例えば被イオン注入ウェーハ２０がシ
リコン単結晶ウェーハの場合には、シリコン単結晶ウェ
ーハを短冊状に切り出したもの、また、被イオン注入ウ
ェーハ２０がＧａＡｓのような化合物半導体ウェーハの
場合には同様の化合物半導体ウェーハから切り出したも
のが好ましい。また、厚さについても必ずしも被イオン
注入ウェーハと同じにする必要ななく、これは、後述す
るように、実際の温度検出にあっては、検量線を用いる
ため、厚さが異なることによる影響はこの検量線によっ
て修正されるからである。さらに、これらウェーハに酸
化膜などが既に形成されている場合には、より好ましく
は、同じように酸化膜などを成膜したものがよい。しか
し、このような場合にもやはり実際の温度検出時に検量
線を用いるため、必ずしもこのような酸化膜などを成膜
する必要はない。
【００１９】このダミー材１は、図３〜５に示すよう
に、円盤１０上に載置されている被イオン注入ウェーハ
２０の間に、専用の治具３０によって円盤１０に固定す
る。ダミー材１の取り付け位置は、詳細には、図３〜５
に示したように、ウェーハ２０の間でウェーハ２０と干
渉しないように、ウェーハ２０面から若干下がった位置
に取り付けられ、ダミー材１の表面、すなわち、ダミー
材を切り出した元のウェーハの鏡面処理されている面が
イオンビームに晒されるようにする。なお、図３は、ダ
ミー材１を載置した部分の斜視図であり、図４は図３に
おけるＡ方向から見た矢視図であり、図５は図３におけ
るＢ方向から見た矢視図である。
に、円盤１０上に載置されている被イオン注入ウェーハ
２０の間に、専用の治具３０によって円盤１０に固定す
る。ダミー材１の取り付け位置は、詳細には、図３〜５
に示したように、ウェーハ２０の間でウェーハ２０と干
渉しないように、ウェーハ２０面から若干下がった位置
に取り付けられ、ダミー材１の表面、すなわち、ダミー
材を切り出した元のウェーハの鏡面処理されている面が
イオンビームに晒されるようにする。なお、図３は、ダ
ミー材１を載置した部分の斜視図であり、図４は図３に
おけるＡ方向から見た矢視図であり、図５は図３におけ
るＢ方向から見た矢視図である。
【００２０】治具３０は、図６に示すように、この治具
自体を円盤１０に取り付けるためのプレート３１と、こ
のプレート３１上に設けられている、一対の押さえ部３
２および３３からなるクランプ部材３５よりなる。クラ
ンプ部材３５の少なくとも一方の押さえ部、ここでは押
さえ部３３は、板ばね３３ａにより取り付けられ、板ば
ね３３ａの可動によりクランプ方向に可動自在となって
いる。ダミー材１はこの板ばね３３ａのばね力を利用
し、押さえ部３２、３３により挟むように取り付けされ
る。この構造を用いることにより、イオンビームがダミ
ー材１に照射されたときの温度上昇に伴う熱のびを、こ
の板ばね３３ａが吸収し、ダミー材１の割れ、欠けを防
止する効果がある。
自体を円盤１０に取り付けるためのプレート３１と、こ
のプレート３１上に設けられている、一対の押さえ部３
２および３３からなるクランプ部材３５よりなる。クラ
ンプ部材３５の少なくとも一方の押さえ部、ここでは押
さえ部３３は、板ばね３３ａにより取り付けられ、板ば
ね３３ａの可動によりクランプ方向に可動自在となって
いる。ダミー材１はこの板ばね３３ａのばね力を利用
し、押さえ部３２、３３により挟むように取り付けされ
る。この構造を用いることにより、イオンビームがダミ
ー材１に照射されたときの温度上昇に伴う熱のびを、こ
の板ばね３３ａが吸収し、ダミー材１の割れ、欠けを防
止する効果がある。
【００２１】以上のようにして、イオンビームに晒され
るように円盤１０上に設けられたダミー材１は、当然
に、イオン注入時には、ウェーハと全く同じ環境、かつ
同じ照射量のイオンビームが当たるため、被イオン注入
ウェーハ２０と同じように発熱することになる。
るように円盤１０上に設けられたダミー材１は、当然
に、イオン注入時には、ウェーハと全く同じ環境、かつ
同じ照射量のイオンビームが当たるため、被イオン注入
ウェーハ２０と同じように発熱することになる。
【００２２】ダミー材１を用いて温度を測定する際、留
意しなければならないのは、イオンビームの入熱の他
に、熱の逃げがある。ダミー材１の設置環境は真空雰囲
気なので、熱はダミー材１に接触している押さえ部３
２、３３および押さえ部ベース３３ｂから伝導してい
き、ダミー材１の温度が低下する。これを防止するため
のひとつの解決策として、図７に示すように、ダミー材
１と押さえ部３２、３３との接触する部分の面積が最小
となるようなダミー材１の端面形状を用いる方法があ
る。また、ダミー材１が押さえ部３２、３３以外に接触
しないように、構造を図７の押さえ部３３ｃのようにダ
ミー材１が接触する部分を限定し、他の部材３３ｄや３
３ｅに接触しないようにした。
意しなければならないのは、イオンビームの入熱の他
に、熱の逃げがある。ダミー材１の設置環境は真空雰囲
気なので、熱はダミー材１に接触している押さえ部３
２、３３および押さえ部ベース３３ｂから伝導してい
き、ダミー材１の温度が低下する。これを防止するため
のひとつの解決策として、図７に示すように、ダミー材
１と押さえ部３２、３３との接触する部分の面積が最小
となるようなダミー材１の端面形状を用いる方法があ
る。また、ダミー材１が押さえ部３２、３３以外に接触
しないように、構造を図７の押さえ部３３ｃのようにダ
ミー材１が接触する部分を限定し、他の部材３３ｄや３
３ｅに接触しないようにした。
【００２３】そして、温度検出にあたっては、予め被イ
オン注入ウェーハ自体をダミーウェーハとして、その裏
面に上記ダミー材と同じように裏面に窪みを設けてその
中に熱電対を入れたものを用意し、このダミーウェーハ
を円盤１０の所定の位置に載置し、同時に、ダミー材１
を上記したように円盤１０上に載置した上で、イオン注
入を行い、その時のダミーウェーハに設けた熱電対の電
圧変化と、ダミー材１に設けた熱電対２の電圧変化とか
ら、検量線を作成しておき、以後、実際の操業中におい
ては、ダミー材１のみを載置して熱電対２からの電圧変
化を、先に作成した検量線を元に換算することにより被
イオン注入ウェーハの温度を検出する。なお、作成した
検量線おいて、熱電対によって得られる電圧から、温度
への変換は、使用した熱電対において固有の値となるの
で、これを利用して求める。具体的には、一般に市販さ
れている温度検出用の熱電対の場合、熱電対の電圧変化
と温度との関係が予め明示されているのでこれを利用し
たり、また、必要により熱電対に対して温度変化を与え
て、その温度を温度計により測定し、熱電対による電圧
変化と温度との関係を求めておくなど、通常の熱電対の
使用と同様にして換算することができる。そして、この
ような検量線の作成やそれを元にした温度への換算は、
上述したパソコン５などにより行われる。
オン注入ウェーハ自体をダミーウェーハとして、その裏
面に上記ダミー材と同じように裏面に窪みを設けてその
中に熱電対を入れたものを用意し、このダミーウェーハ
を円盤１０の所定の位置に載置し、同時に、ダミー材１
を上記したように円盤１０上に載置した上で、イオン注
入を行い、その時のダミーウェーハに設けた熱電対の電
圧変化と、ダミー材１に設けた熱電対２の電圧変化とか
ら、検量線を作成しておき、以後、実際の操業中におい
ては、ダミー材１のみを載置して熱電対２からの電圧変
化を、先に作成した検量線を元に換算することにより被
イオン注入ウェーハの温度を検出する。なお、作成した
検量線おいて、熱電対によって得られる電圧から、温度
への変換は、使用した熱電対において固有の値となるの
で、これを利用して求める。具体的には、一般に市販さ
れている温度検出用の熱電対の場合、熱電対の電圧変化
と温度との関係が予め明示されているのでこれを利用し
たり、また、必要により熱電対に対して温度変化を与え
て、その温度を温度計により測定し、熱電対による電圧
変化と温度との関係を求めておくなど、通常の熱電対の
使用と同様にして換算することができる。そして、この
ような検量線の作成やそれを元にした温度への換算は、
上述したパソコン５などにより行われる。
【００２４】ここで、検量線を作成するのは、被イオン
注入ウェーハ２０とダミー材１との大きさが異なるため
にその熱容量が違うため、このような検量線の作成によ
って、この熱容量の違いによる影響をなくし、精密な温
度検出を行うためである。
注入ウェーハ２０とダミー材１との大きさが異なるため
にその熱容量が違うため、このような検量線の作成によ
って、この熱容量の違いによる影響をなくし、精密な温
度検出を行うためである。
【００２５】このようにダミー材１の温度をその内部に
設けられている熱電対２により検出することで、被イオ
ン注入ウェーハ２０の温度を正確にかつインサイチュー
で知ることができる。
設けられている熱電対２により検出することで、被イオ
ン注入ウェーハ２０の温度を正確にかつインサイチュー
で知ることができる。
【００２６】このようにして検出された温度は、注入装
置の温度制御に利用することができ、例えば、従来のよ
うな放射温度計による測定では難しかった、エンドステ
ーション内部の温度制御をより精密に行うことができる
ようになる。
置の温度制御に利用することができ、例えば、従来のよ
うな放射温度計による測定では難しかった、エンドステ
ーション内部の温度制御をより精密に行うことができる
ようになる。
【００２７】なお、本発明は、上記したようなダミー材
を短冊状にして被イオン注入ウェーハの間に載置した実
施形態に限定されるものではなく、例えば、上記した検
量線作成のときのように、温度検出のダミー材をダミー
ウェーハそのものとして、被イオン注入ウェーハと同じ
ように円盤の所定の位置に載置して温度検出を行っても
よい。このようにした場合、上記の検量線は作成する必
要がなくなる。
を短冊状にして被イオン注入ウェーハの間に載置した実
施形態に限定されるものではなく、例えば、上記した検
量線作成のときのように、温度検出のダミー材をダミー
ウェーハそのものとして、被イオン注入ウェーハと同じ
ように円盤の所定の位置に載置して温度検出を行っても
よい。このようにした場合、上記の検量線は作成する必
要がなくなる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、請求項ご
とに以下のような効果を奏する。
とに以下のような効果を奏する。
【００２９】請求項１記載の本発明によれば、被イオン
注入ウェーハとほぼ同一の材料により形成されたダミー
材をイオン注入装置内の回転円盤に載置して、このダミ
ー材の裏面から温度を検出することとしたので、被イオ
ン注入ウェーハの温度を正確にかつインサイチューで知
ることができるようになり、この温度をもとに、正確な
温度制御が可能となる。
注入ウェーハとほぼ同一の材料により形成されたダミー
材をイオン注入装置内の回転円盤に載置して、このダミ
ー材の裏面から温度を検出することとしたので、被イオ
ン注入ウェーハの温度を正確にかつインサイチューで知
ることができるようになり、この温度をもとに、正確な
温度制御が可能となる。
【００３０】請求項２記載の本発明によれば、ダミー材
を回転円盤上に載置された被イオン注入ウェーハの間
に、イオンビームに晒されるように載置したので、被イ
オン注入ウェーハ自体は従来と全く同じように、かつ同
じ数だけ載置することができ、その生産性に影響を与え
ることなく、被イオン注入ウェーハの温度を正確にかつ
インサイチューで知ることができる。
を回転円盤上に載置された被イオン注入ウェーハの間
に、イオンビームに晒されるように載置したので、被イ
オン注入ウェーハ自体は従来と全く同じように、かつ同
じ数だけ載置することができ、その生産性に影響を与え
ることなく、被イオン注入ウェーハの温度を正確にかつ
インサイチューで知ることができる。
【００３１】請求項３記載の本発明によれば、ダミー材
を被イオン注入ウェーハと同じ形状のダミーウェーハと
したので、直接被イオン注入ウェーハの温度を正確にか
つインサイチューで知ることができる。
を被イオン注入ウェーハと同じ形状のダミーウェーハと
したので、直接被イオン注入ウェーハの温度を正確にか
つインサイチューで知ることができる。
【００３２】請求項４記載の本発明によれば、ダミー材
の裏面に窪みを設けてこの中に温度検出手段を設けたの
で、ダミー材の温度をより正確に検出することができ
る。
の裏面に窪みを設けてこの中に温度検出手段を設けたの
で、ダミー材の温度をより正確に検出することができ
る。
【図１】 イオン注入装置内の回転円盤と、本発明に係
る温度検出装置の概略構成を示す図面である。
る温度検出装置の概略構成を示す図面である。
【図２】 ダミー材を示す図面であり、図２Ａはその斜
視図であり、図２Ｂは、図２Ａ中のＩ−Ｉ線に沿う断面
拡大図である。
視図であり、図２Ｂは、図２Ａ中のＩ−Ｉ線に沿う断面
拡大図である。
【図３】 ダミー材を回転円盤上に載置した状態を示
す、部分拡大斜視図である。
す、部分拡大斜視図である。
【図４】 図３中のＡ矢視図である。
【図５】 図３中のＢ矢視図である。
【図６】 ダミー材を保持する治具を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】 ダミー材端部示す図面である。
１…ダミー材、 ２…熱電対、 ３０…治具。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢野 孝幸 福岡県北九州市戸畑区飛幡町１−１ 新日 本製鐵株式会社八幡製鐵所内 (72)発明者 鈴木 聰 千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内 (72)発明者 米良 和夫 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 冨田 博之 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内 Ｆターム(参考） 5C034 CC07 CC19 CD06 CD09
Claims (4)
- 【請求項１】 イオン注入装置におけるウェーハ温度検
出装置であって、 前記イオン注入装置内の被イオン注入ウェーハを載置す
る回転円盤上に載置され、該被イオン注入ウェーハとほ
ぼ同一の材料からなるダミー材と、 該ダミー材に設けられた温度検出手段と、を有すること
を特徴とするイオン注入装置におけるウェーハ温度検出
装置。 - 【請求項２】 前記ダミー材は、前記回転円盤上に複数
載置された被イオン注入ウェーハの間からイオンビーム
に晒されるように、前記回転円盤上に載置されることを
特徴とする請求項１記載のイオン注入装置におけるウェ
ーハ温度検出装置。 - 【請求項３】 前記ダミー材は、前記被イオン注入ウェ
ーハと同一形状のダミーウェーハであり、該ダミーウェ
ーハの鏡面処理された面がイオンビームに晒されるよう
に、前記回転円盤上に載置されることを特徴とする請求
項１記載のイオン注入装置におけるウェーハ温度検出装
置。 - 【請求項４】 前記温度検出手段は、前記ダミー材の裏
面に窪みを形成して、この窪みの中に設けたことを特徴
とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のイオン注入
装置におけるウェーハ温度検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11110005A JP2000306541A (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | イオン注入装置におけるウェーハ温度検出装置 |
| US09/549,492 US20030138028A1 (en) | 1999-04-16 | 2000-04-14 | Wafer temperature detection device for ion implanter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11110005A JP2000306541A (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | イオン注入装置におけるウェーハ温度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306541A true JP2000306541A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14524700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11110005A Withdrawn JP2000306541A (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | イオン注入装置におけるウェーハ温度検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030138028A1 (ja) |
| JP (1) | JP2000306541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010044886A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Sumco Corp | 温度制御機構を有するイオン注入装置およびｓｉｍｏｘウェーハの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7261461B2 (en) * | 2004-09-23 | 2007-08-28 | Microbridge Technologies Inc. | Measuring and trimming circuit components embedded in micro-platforms |
| FR2997497B1 (fr) * | 2012-10-25 | 2014-11-21 | Univ Lorraine | Procede de mesure de la temperature d'une piece pendant une operation de thermoformage |
| DE102016106119B4 (de) * | 2016-04-04 | 2019-03-07 | mi2-factory GmbH | Energiefilterelement für Ionenimplantationsanlagen für den Einsatz in der Produktion von Wafern |
| ITUA20162798A1 (it) * | 2016-04-21 | 2017-10-21 | Thermo Eng S R L | Sonda di temperatura, e metodo per la misurazione della temperatura di un oggetto |
-
1999
- 1999-04-16 JP JP11110005A patent/JP2000306541A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-04-14 US US09/549,492 patent/US20030138028A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010044886A (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Sumco Corp | 温度制御機構を有するイオン注入装置およびｓｉｍｏｘウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030138028A1 (en) | 2003-07-24 |
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