JPH0518839U - 発光装置 - Google Patents

発光装置

Info

Publication number
JPH0518839U
JPH0518839U JP6940691U JP6940691U JPH0518839U JP H0518839 U JPH0518839 U JP H0518839U JP 6940691 U JP6940691 U JP 6940691U JP 6940691 U JP6940691 U JP 6940691U JP H0518839 U JPH0518839 U JP H0518839U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
element array
array chip
electrode pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6940691U
Other languages
English (en)
Inventor
武司 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP6940691U priority Critical patent/JPH0518839U/ja
Publication of JPH0518839U publication Critical patent/JPH0518839U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 発光装置のボンデイングワイヤを省略する。 【構成】 発光素子アレイチツプ６を基板１に面実装
し、発光素子アレイチツプ６の表面の絶縁封止樹脂１０
を基板１の共通電極パターン４の近傍まで延設し、絶縁
封止樹脂１０の界面に沿つて導電性樹脂１１を塗布し、
この導電性樹脂１１を介して発光素子アレイチツプ６の
裏面電極８と共通電極パターン４とを接続する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、透光性を有する基板上に発光素子アレイチツプを搭載したプリント ヘツド等の発光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３〜４は、例えば発光素子アレイチツプ（ＬＥＤアレイチツプ）を面実装方 式（フエイスダウンボンデイング）にて実装しているＬＥＤプリントヘツドの従 来例を示したものである。
【０００３】 図３は従来の３００ＤＰＩのＬＥＤプリントヘツドの断面図、図４は同じくそ の平面図である。
【０００４】 基板１はガラス等の透光性を有する材料からなり、多数の光ファイバーよりな るファイバー束２が埋設されており、その表面には薄膜工程によりアルミニウム および銅等の導体パターン３および共通電極パターン４が形成されている。
【０００５】 この導体パターン３上には、発光素子アレイチツプ６およびこの発光素子アレ イチツプ６を制御するＩＣチツプ９が半田バンプ５により夫々接続されており、 発光素子７を発光させるための一方の端子として働く。なお、発光素子アレイチ ツプの発光素子７はファイバー束２と対向するようになっている。
【０００６】 基板１と、発光素子アレイチツプ６およびＩＣチツプ９との間には、エポキシ 樹脂等の材料からなる透明樹脂１０が充填されており、発光素子アレイチツプ６ 、ＩＣチツプ９および半田バンプ５を保護するとともに、発光素子アレイチツプ の発光部７から発した光を通過してファイバー束２を介して感光体上に照射する 働きをする。
【０００７】 発光素子アレイチツプ６の裏面の共通信号電極８は、ボンデイングワイヤ１２ により共通電極パターン４に接続され、各発光素子アレイチツプ６を発光させる ための共通電極側端子として働く。
【０００８】 ３００ＤＰＩの場合、発光素子アレイチツプ６は直線上に４０個配列され、発 光素子アレイチツプの発光素子７は直線上に合計２５６０個併置される。
【０００９】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の方法ではボンデイングワイヤ１２をボンデイングすると きの衝撃で発光素子アレイチツプ６が破損したり、半田バンプ５等が破損して接 続不良を起こす等の問題があった。
【００１０】 また、ワイヤボンデイングは約１００〜１５０℃に加熱しながら超音波を加え て行うため、作業効率が悪くコストアツプの要因となっていた。
【００１１】 本考案は、上記課題に鑑み、ボンデイングワイヤを省略し、発光素子アレイチ ツプや半田バンプ等の破損を防止し、接続作業効率を向上し得る発光装置の提供 を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本考案による課題解決手段は、発光素子７を有する発光素子アレイチツプ６が 透明絶縁基板１に面実装され、前記発光素子アレイチツプ６の表面の第一電極部 Ｘ１が、半田バンプ５を介して透明絶縁基板１上の第一電極パターン３に接続さ れ、前記発光素子アレイチツプ６の裏面の第二電極部８が、透明絶縁基板１上の 前記第一電極パターン３に隣接する第二電極パターン４に、導電体１１を介して 接続された発光装置において、前記半田バンプ５の周囲は、透光性の絶縁封止樹 脂１０にて樹脂封止され、該絶縁封止樹脂１０は、前記第二電極パターン４の近 傍まで延設され、前記導電体１１は、前記絶縁封止樹脂１０の界面に沿つて塗布 形成された導電性樹脂からなるものである。
【００１３】
【作用】
上記課題解決手段において、発光素子アレイチツプ６の第一電極部Ｘ１を半田 バンプ５を介して第一電極パターン３に接続する。
【００１４】 次に、半田バンプ５の周囲を、透光性の絶縁封止樹脂１０にて樹脂封止する。 この際、該絶縁封止樹脂１０は、前記第二電極パターン４の近傍まで延設してお く。
【００１５】 そして、発光素子アレイチツプ６の裏面の第二電極部８から第二電極パターン ４にかけて、導電性樹脂からなる導電体１１を、絶縁封止樹脂１０の界面に沿つ て塗布形成し、従来のようなボンデイングワイヤを用いずに結線する。
【００１６】
【実施例】
図１は本考案の一実施例を示す３００ＤＰＩのＬＥＤプリントヘツドの断面図 、第２図は同じくその平面図である。
【００１７】 図示の如く、本実施例の発光装置は、３００ＤＰＩのＬＥＤプリントヘツドで あり、発光素子７（ＬＥＤ）を有する発光素子アレイチツプ（ＬＥＤアレイチツ プ）６が透明絶縁基板１に面実装されたものである。
【００１８】 前記発光素子アレイチツプ６は、図１の如く、６４個の発光素子７を有するも のが使用され、３００ＤＰＩの場合、これが直線上に４０個配列され、発光素子 ７を合計２５６０個直線上に配置して使用される。
【００１９】 前記透明絶縁基板１は、図１，２の如く、ガラス等の透光性を有する材料から なり、多数の光ファイバーよりなるファイバー束２が埋設されている。該基板１ の表面には、個別導体パターンとしての第一電極パターン３と、これに隣接する 共通電極パターンとしての第二電極パターン４とが、アルミニウムおよび銅等を 用いて薄膜工程により形成されている。
【００２０】 前記第一導体パターン３上には、前記発光素子アレイチツプ６表面の第一電極 部Ｘ１（個別電極部）およびこの発光素子アレイチツプ６を制御するＩＣチツプ ９の駆動電極部Ｘ２が、半田バンプ５を介して夫々接続されている。そして、発 光素子アレイチツプ６の発光素子７は前記ファイバー束２と対向配置されている 。
【００２１】 該基板１の実装面と、発光素子アレイチツプ６およびＩＣチツプ９の各表面と の間に形成される空隙には、半田バンプ５を保護するため、透光性エポキシ樹脂 等の絶縁材料からなる絶縁封止樹脂１０が充填され、発光素子アレイチツプの発 光部７から発した光を透過してファイバー束２を介して感光体上に照射する働き をする。該絶縁封止樹脂１０は、前記第二電極パターン４の近傍まで延設されて いる。
【００２２】 前記第二電極パターン上には、発光素子アレイチツプ６の裏面の第二電極部８ （共通電極部）が、導電体１１を介して接続されている。該導電体１１は、例え ば銀の粉末を混入したエポキシ樹脂等の導電性樹脂１１が使用され、前記絶縁封 止樹脂１０の界面に沿つてデイスペンサー、マスク印刷等にて塗布形成されてい る。
【００２３】 上記構成において、発光素子アレイチツプ６の面実装時には、発光素子アレイ チツプ６の表面の第一電極部Ｘ１およびＩＣチツプ９の駆動電極部Ｘ２の各半田 バンプ５にフラツクスを塗布する。そして、第一電極パターン３に仮接続後、半 田リフロー工程を経て各半田バンプ５を本接続し、アセトン、ＩＰＡ等により洗 浄してフラツクスの残渣を取り除く。
【００２４】 次に、半田バンプ５の周囲を、透光性の絶縁封止樹脂１０にて樹脂封止する。 この際、該絶縁封止樹脂１０は、前記第二電極パターン４の近傍まで延設してお く。
【００２５】 そして、発光素子アレイチツプ６の裏面の第二電極部８から第二電極パターン ４にかけて、導電性樹脂からなる導電体１１を、絶縁封止樹脂１０の界面に沿つ て塗布形成し、これを硬化させてプリントヘツドは完成する。
【００２６】 このように、発光素子アレイチツ半田バンプ５を保護する絶縁封止樹脂１０を 第二電極パターン４の近傍まで延設し、該絶縁封止樹脂１０の界面に沿つて導電 性樹脂１１を塗布形成しているので、従来のようなボンデイングワイヤを省略し 得、ボンデイング時の衝撃で発光素子アレイチツプが破損したり、半田バンプが 破損して接続不良を起こす等の問題がなくなる。
【００２７】 また、ワイヤボンデイングのかわりに導電性樹脂を塗布するだけで接続される ので、作業効率が向上し、コストダウンを図ることができる。
【００２８】 なお、上記実施例はＬＥＤプリントヘツドの場合について説明したが、本考案 はそれに限るものではなく、例えば、ＬＥＤ表示装置等の発光素子アレイチツプ を搭載する全ての装置に使用できる。
【００２９】
【考案の効果】
以上の説明から明らかな通り、本考案によると、半田バンプの周囲を封止する 絶縁封止樹脂を第二電極パターンの近傍まで延設し、この絶縁封止樹脂の界面に 沿つて導電性樹脂を塗布し、この導電性樹脂を介して発光素子アレイチツプの裏 面電極と基板の電極パターンとを接続しているので、従来のようにボンデイング ワイヤをボンデイングするときの衝撃で発光素子アレイチツプが破損したり、半 田バンプが破損して接続不良を起こす等の問題がなくなる。
【００３０】 また、ワイヤボンデイングのかわりに導電性樹脂を塗布するだけで接続される ので作業効率が向上し、コストダウンを図ることができるといつた優れた効果を 有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本考案の一実施例を示すプリントヘツド
の断面図である。
【図２】図２は同じくその平面図である。
【図３】図３は従来のプリントヘツドの断面図である。
【図４】図４は同じくその平面図である。
【符号の説明】
１ 基板 ３ 第一電極パターン ４ 第二電極パターン ５ 半田バンプ ６ 発光素子アレイチツプ ７ 発光素子 ８ 第二電極部 １０ 絶縁封止樹脂 １１ 導電体

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 発光素子を有する発光素子アレイチツプ
    が透明絶縁基板に面実装され、前記発光素子アレイチツ
    プの表面の第一電極部が、半田バンプを介して透明絶縁
    基板上の第一電極パターンに接続され、前記発光素子ア
    レイチツプの裏面の第二電極部が、透明絶縁基板上の前
    記第一電極パターンに隣接する第二電極パターンに、導
    電体を介して接続された発光装置において、前記半田バ
    ンプの周囲は、透光性の絶縁封止樹脂にて樹脂封止さ
    れ、該絶縁封止樹脂は、前記第二電極パターンの近傍ま
    で延設され、前記導電体は、前記絶縁封止樹脂の界面に
    沿つて塗布形成された導電性樹脂からなることを特徴と
    する発光装置。
JP6940691U 1991-08-30 1991-08-30 発光装置 Pending JPH0518839U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6940691U JPH0518839U (ja) 1991-08-30 1991-08-30 発光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6940691U JPH0518839U (ja) 1991-08-30 1991-08-30 発光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0518839U true JPH0518839U (ja) 1993-03-09

Family

ID=13401693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6940691U Pending JPH0518839U (ja) 1991-08-30 1991-08-30 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0518839U (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003008083A (ja) * 2001-05-15 2003-01-10 Lumileds Lighting Us Llc 多数チップ半導体ｌｅｄアセンブリ
JP2006269531A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
JP2013505561A (ja) * 2009-09-18 2013-02-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電モジュール
US10851973B2 (en) 2017-09-29 2020-12-01 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003008083A (ja) * 2001-05-15 2003-01-10 Lumileds Lighting Us Llc 多数チップ半導体ｌｅｄアセンブリ
JP2006269531A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
JP2013505561A (ja) * 2009-09-18 2013-02-14 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 光電モジュール
US10851973B2 (en) 2017-09-29 2020-12-01 Nichia Corporation Light-emitting device and method for manufacturing same
US11112094B2 (en) 2017-09-29 2021-09-07 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5561323A (en) Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto
US5773884A (en) Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto
US5633533A (en) Electronic package with thermally conductive support member having a thin circuitized substrate and semiconductor device bonded thereto
US20200066700A1 (en) Method of manufacturing light-emitting element
JPH10229097A (ja) チップ型半導体の製造方法
JP2010040894A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JPH0518839U (ja) 発光装置
KR20090044483A (ko) 반도체 패키지
JPH02196476A (ja) Ｌｅｄプリントヘッド
JP2994555B2 (ja) 半導体実装構造
JPH098360A (ja) 発光ダイオード
JP2604603B2 (ja) 発光素子
JP3132458B2 (ja) 半導体装置の実装構造及び実装方法
JPS63262259A (ja) 光プリンタ用書き込みヘツド
JPH03109760A (ja) 半導体装置
JPS5891646A (ja) 半導体装置
JP2004335970A (ja) 複合電子部品
KR940006776B1 (ko) 유리기판을 이용한 led 프린터헤드의 제조방법
JP3707639B2 (ja) エリアアレイパッケージ型半導体装置の構造
JPH0543294B2 (ja)
JPS6150394A (ja) 実装体
JPS6148424B2 (ja)
JP3408395B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6307270B1 (en) Electro-optic device and method for manufacturing the same
JP2770609B2 (ja) 電子デバイスの実装方法