JP2994555B2 - 半導体実装構造 - Google Patents
半導体実装構造Info
- Publication number
- JP2994555B2 JP2994555B2 JP6120985A JP12098594A JP2994555B2 JP 2994555 B2 JP2994555 B2 JP 2994555B2 JP 6120985 A JP6120985 A JP 6120985A JP 12098594 A JP12098594 A JP 12098594A JP 2994555 B2 JP2994555 B2 JP 2994555B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bare chip
- circuit board
- printed circuit
- chip
- bare
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体実装構造に係
り、特にプリント基板にチップ単位で直接実装されるベ
アチップの実装構造に関するものである。
り、特にプリント基板にチップ単位で直接実装されるベ
アチップの実装構造に関するものである。
【０００２】パソコン等の携帯用情報機器、高性能ワー
クステーション、ＩＣメモリカード等の機器の小型化，
高密度化に伴い、近年ベアチップ形態での半導体実装構
造はますますその重要性が高まっている。
クステーション、ＩＣメモリカード等の機器の小型化，
高密度化に伴い、近年ベアチップ形態での半導体実装構
造はますますその重要性が高まっている。
【０００３】
【従来の技術】プリント基板にベアチップ実装されるベ
アチップには大きく分けて２つのパターンがある。第１
には図７に示すようにプリント基板７５に実装される第
１のベアチップ７０のようにプリント基板７５に形成さ
れたパッド７３と第１のベアチップ７０に形成されたバ
ンプ７２とを接合したものである。
アチップには大きく分けて２つのパターンがある。第１
には図７に示すようにプリント基板７５に実装される第
１のベアチップ７０のようにプリント基板７５に形成さ
れたパッド７３と第１のベアチップ７０に形成されたバ
ンプ７２とを接合したものである。
【０００４】第２にはプリント基板７５に実装される第
２のベアチップ７１のようにプリント基板７５のパッド
に対してワイヤ７４にて接合したものである。
２のベアチップ７１のようにプリント基板７５のパッド
に対してワイヤ７４にて接合したものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ベアチップ実装はいずれも一階層構造のため単位面積当
たりに付加しうる機能に限界があり、更なる小型化，高
密度化に追従できないという欠点があった。
ベアチップ実装はいずれも一階層構造のため単位面積当
たりに付加しうる機能に限界があり、更なる小型化，高
密度化に追従できないという欠点があった。
【０００６】従って、本発明はベアチップ実装を行うに
際し、その実装密度を高めるようにすることを目的とす
るものである。
際し、その実装密度を高めるようにすることを目的とす
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、プリント基
板１にバンプ４によって実装された第１のベアチップ２
ａと、該第１のベアチップ２ａを接着する第１の補強用
接着剤７と、該第１のベアチップ２ａの背面に塗布され
たダイペースト６と、該ダイペースト６が塗布された該
第１のベアチップ２ａの背面に実装される第２のベアチ
ップ２ｂと、該第２のベアチップ２ｂと該プリント基板
１を接合するワイヤ５と、該第２のベアチップ２ｂを接
着する第２の補強用接着剤８と、を具備することを特徴
とする半導体実装構造によって、また、前記プリント基
板１がセラミック性である場合は、単独の補強用接着剤
７ａで前記第１のベアチップ２ａおよび前記第２のベア
チップ２ｂを接着したことを特徴とする請求項１に記載
の半導体実装構造によって、また、プリント基板１にバ
ンプ４によって実装された第１のベアチップ２ａと、該
第１のベアチップ２ａの背面に塗布されたダイペースト
６と、該ダイペースト６が塗布された該第１のベアチッ
プ２ａの背面に実装された第２のベアチップ２ｂと、該
第２のベアチップ２ｂと該プリント基板１を接合するワ
イヤ５と、該第１のベアチップ２ａと該第２のベアチッ
プ２ｂとを包囲するパッケージ９と、該パッケージ９内
に封入された封止ガス１１と、を具備することを特徴と
する半導体実装構造によって達成される。
板１にバンプ４によって実装された第１のベアチップ２
ａと、該第１のベアチップ２ａを接着する第１の補強用
接着剤７と、該第１のベアチップ２ａの背面に塗布され
たダイペースト６と、該ダイペースト６が塗布された該
第１のベアチップ２ａの背面に実装される第２のベアチ
ップ２ｂと、該第２のベアチップ２ｂと該プリント基板
１を接合するワイヤ５と、該第２のベアチップ２ｂを接
着する第２の補強用接着剤８と、を具備することを特徴
とする半導体実装構造によって、また、前記プリント基
板１がセラミック性である場合は、単独の補強用接着剤
７ａで前記第１のベアチップ２ａおよび前記第２のベア
チップ２ｂを接着したことを特徴とする請求項１に記載
の半導体実装構造によって、また、プリント基板１にバ
ンプ４によって実装された第１のベアチップ２ａと、該
第１のベアチップ２ａの背面に塗布されたダイペースト
６と、該ダイペースト６が塗布された該第１のベアチッ
プ２ａの背面に実装された第２のベアチップ２ｂと、該
第２のベアチップ２ｂと該プリント基板１を接合するワ
イヤ５と、該第１のベアチップ２ａと該第２のベアチッ
プ２ｂとを包囲するパッケージ９と、該パッケージ９内
に封入された封止ガス１１と、を具備することを特徴と
する半導体実装構造によって達成される。
【０００８】
【作用】即ち、本発明によれば実装形態の異なるベアチ
ップを二階層構造としたため、単位面積当たりに付加す
るベアチップの実装効率が向上する。
ップを二階層構造としたため、単位面積当たりに付加す
るベアチップの実装効率が向上する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の望ましい実施例について図面
を用いて説明する。まず第１の実施例について図１及び
図２を用いて説明する。
を用いて説明する。まず第１の実施例について図１及び
図２を用いて説明する。
【００１０】図１に示すように、ガラス・エポキシ性の
プリント基板１上にはベアチップ搭載位置に対応して複
数のパッド３が形成されている。このパッド３とバンプ
接合される第１のベアチップ２ａにはその下面にパッド
３に対応してバンプ４が形成されている。このバンプ４
が溶融することでプリント基板１と第１のベアチップ２
ａは電気的にかつ機械的に接合される。
プリント基板１上にはベアチップ搭載位置に対応して複
数のパッド３が形成されている。このパッド３とバンプ
接合される第１のベアチップ２ａにはその下面にパッド
３に対応してバンプ４が形成されている。このバンプ４
が溶融することでプリント基板１と第１のベアチップ２
ａは電気的にかつ機械的に接合される。
【００１１】プリント基板１がガラス・エポキシ性であ
るためパッド３との密着強度があまり強くないので、第
１のベアチップ２ａの補強用としてエポキシ性の第１の
補強用接着剤７を塗布する。この第１の補強用接着剤７
を塗布する理由として空気中の水分による腐食防止の意
味もある。
るためパッド３との密着強度があまり強くないので、第
１のベアチップ２ａの補強用としてエポキシ性の第１の
補強用接着剤７を塗布する。この第１の補強用接着剤７
を塗布する理由として空気中の水分による腐食防止の意
味もある。
【００１２】本発明では実装形態の異なるベアチップを
二回層構造とするために、第１のベアチップ２ａの背面
にダイペースト６が塗布されている。このダイペースト
６に第２のベアチップ２ｂが搭載される。
二回層構造とするために、第１のベアチップ２ａの背面
にダイペースト６が塗布されている。このダイペースト
６に第２のベアチップ２ｂが搭載される。
【００１３】第２のベアチップ２ｂとプリント基板１と
の電気的接合は第１のベアチップ２ａの実装領域の外側
に予め形成されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂと
をＡｕ，Ａｌ等の材料からなるワイヤ５にて接合する。
の電気的接合は第１のベアチップ２ａの実装領域の外側
に予め形成されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂと
をＡｕ，Ａｌ等の材料からなるワイヤ５にて接合する。
【００１４】そして、先の第１のベアチップ２ａと同様
に空気中の水分による腐食防止のために、同様にエポキ
シ性の第２の補強用接着剤８を塗布する。このようにし
てベアチップの二回層構造が実現できる。
に空気中の水分による腐食防止のために、同様にエポキ
シ性の第２の補強用接着剤８を塗布する。このようにし
てベアチップの二回層構造が実現できる。
【００１５】図２を用いて第１の実施例の製造工程を説
明する。まず第１のベアチップ２ａの図示しないアルミ
ニウムパッドにワイヤボンディング技術によりアルミニ
ウム，銅，金等のワイヤを用いてスタッドバンプ（以下
バンプ４と称する）が所定数形成される。
明する。まず第１のベアチップ２ａの図示しないアルミ
ニウムパッドにワイヤボンディング技術によりアルミニ
ウム，銅，金等のワイヤを用いてスタッドバンプ（以下
バンプ４と称する）が所定数形成される。
【００１６】この各バンプ４の高さにバラツキがあるた
め第１のベアチップ２ａのバンプ４を平板に押しつけて
レベリングを行い各バンプ４の高さを揃える。続いて、
予めガラス平板（先の平板と同様のものであっても良
い）上に導電性接着剤が薄くスキージングされており、
この導電性接着剤に各バンプ４を押しつけて付着させる
転写が行われる。ここまでが第１のベアチップ２ａに対
する処理である。
め第１のベアチップ２ａのバンプ４を平板に押しつけて
レベリングを行い各バンプ４の高さを揃える。続いて、
予めガラス平板（先の平板と同様のものであっても良
い）上に導電性接着剤が薄くスキージングされており、
この導電性接着剤に各バンプ４を押しつけて付着させる
転写が行われる。ここまでが第１のベアチップ２ａに対
する処理である。
【００１７】一方、第１のベアチップ２ａが搭載される
プリント基板１を前もって予備加熱（プリキュア）する
と共に、乾燥させておく。そして、搭載される第１のベ
アチップ２ａのバンプ４の数に応じてパッド３が形成さ
れたプリント基板１上に、スクリーン印刷法により補強
用として熱硬化性の絶縁性接着剤（第１の補強用接着剤
７）が塗布される。このプリント基板１の上方に図示し
ないボンディングヘッドで吸着された上記第１のベアチ
ップ２ａが移送される。
プリント基板１を前もって予備加熱（プリキュア）する
と共に、乾燥させておく。そして、搭載される第１のベ
アチップ２ａのバンプ４の数に応じてパッド３が形成さ
れたプリント基板１上に、スクリーン印刷法により補強
用として熱硬化性の絶縁性接着剤（第１の補強用接着剤
７）が塗布される。このプリント基板１の上方に図示し
ないボンディングヘッドで吸着された上記第１のベアチ
ップ２ａが移送される。
【００１８】プリント基板１のパッド３と第１のベアチ
ップ２ａのバンプ４とをアライメントし、ボンディンク
ヘッドにより加圧，加熱して第１のベアチップ２ａをプ
リント基板１にフリップチップ接合と実装を同時に行う
ものである。この場合、ボンディングヘッドには熱源が
具備されており、加熱により第１の補強用接着剤を熱硬
化させてフリップチップ接合を補強している。
ップ２ａのバンプ４とをアライメントし、ボンディンク
ヘッドにより加圧，加熱して第１のベアチップ２ａをプ
リント基板１にフリップチップ接合と実装を同時に行う
ものである。この場合、ボンディングヘッドには熱源が
具備されており、加熱により第１の補強用接着剤を熱硬
化させてフリップチップ接合を補強している。
【００１９】第１のベアチップ２ａがプリント基板に搭
載された後、その第１のベアチップ２ａの背面にダイペ
ースト６を塗布し、バンプが形成されていない第２のベ
アチップ２ｂをアライメントする。
載された後、その第１のベアチップ２ａの背面にダイペ
ースト６を塗布し、バンプが形成されていない第２のベ
アチップ２ｂをアライメントする。
【００２０】第２のベアチップに対してダイボンディン
グを行うことで、第１のベアチップ２ａの背面に第２の
ベアチップ２ｂがフェイスアップ状態で実装され、第２
のベアチップ２ｂをプリント基板１に電気的に接合する
ために、第１のベアチップ２ａの実装領域の外側に形成
されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂをＡｕ，Ａｌ
等のワイヤ５を用いてワイヤボンディングする。
グを行うことで、第１のベアチップ２ａの背面に第２の
ベアチップ２ｂがフェイスアップ状態で実装され、第２
のベアチップ２ｂをプリント基板１に電気的に接合する
ために、第１のベアチップ２ａの実装領域の外側に形成
されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂをＡｕ，Ａｌ
等のワイヤ５を用いてワイヤボンディングする。
【００２１】そして、第２のベアチップ２ｂおよびワイ
ヤ５上に、ポッティンク法により補強用として熱硬化性
の絶縁性接着剤（第２の補強用接着剤８）が塗布され
る。この第２の補強用接着剤８を図示しないホットエア
ーノズル等によりホットエアーを吹きつけ加熱すること
で硬化させて補強している。
ヤ５上に、ポッティンク法により補強用として熱硬化性
の絶縁性接着剤（第２の補強用接着剤８）が塗布され
る。この第２の補強用接着剤８を図示しないホットエア
ーノズル等によりホットエアーを吹きつけ加熱すること
で硬化させて補強している。
【００２２】次に第２の実施例について図３および図４
を用いて説明する。第１の実施例ではプリント基板がガ
ラス・エポキシ性であったために、第１のベアチップ２
ａを搭載した後直ちに第１の補強用接着剤を塗布する必
要があったが、セラミック性のプリント基板であれば、
パッドとの密着強度が高いためその必要がない。これを
実現したのが第２の実施例である。
を用いて説明する。第１の実施例ではプリント基板がガ
ラス・エポキシ性であったために、第１のベアチップ２
ａを搭載した後直ちに第１の補強用接着剤を塗布する必
要があったが、セラミック性のプリント基板であれば、
パッドとの密着強度が高いためその必要がない。これを
実現したのが第２の実施例である。
【００２３】つまり図３に示すように、プリント基板が
セラミック性のプリント基板１ａであれば、第１のベア
チップ２ａおよび第２のベアチップ２ｂを単独の補強用
接着剤７ａで補強することができる。尚、第１の実施例
の同様の構成であるところは省略して説明を簡略してい
る。
セラミック性のプリント基板１ａであれば、第１のベア
チップ２ａおよび第２のベアチップ２ｂを単独の補強用
接着剤７ａで補強することができる。尚、第１の実施例
の同様の構成であるところは省略して説明を簡略してい
る。
【００２４】次に第２の実施例の製造工程について図４
を用いて説明する。まず第１のベアチップ２ａの図示し
ないアルミニウムパッドにワイヤボンディング技術によ
りアルミニウム，銅，金等のワイヤを用いてスタッドバ
ンプ（以下バンプ４と称する）が所定数形成される。
を用いて説明する。まず第１のベアチップ２ａの図示し
ないアルミニウムパッドにワイヤボンディング技術によ
りアルミニウム，銅，金等のワイヤを用いてスタッドバ
ンプ（以下バンプ４と称する）が所定数形成される。
【００２５】この各バンプ４の高さにバラツキがあるた
め第１のベアチップ２ａのバンプ４を平板に押しつけて
レベリングを行い各バンプ４の高さを揃える。続いて、
予めガラス平板（先の平板と同様のものであっても良
い）上に導電性接着剤が薄くスキージングされており、
この導電性接着剤に各バンプ４を押しつけて付着させる
転写が行われる。ここまでが第１のベアチップ２ａに対
する処理である。
め第１のベアチップ２ａのバンプ４を平板に押しつけて
レベリングを行い各バンプ４の高さを揃える。続いて、
予めガラス平板（先の平板と同様のものであっても良
い）上に導電性接着剤が薄くスキージングされており、
この導電性接着剤に各バンプ４を押しつけて付着させる
転写が行われる。ここまでが第１のベアチップ２ａに対
する処理である。
【００２６】一方、第１のベアチップ２ａが搭載される
プリント基板１を前もって予備加熱（プリキュア）する
と共に、乾燥させておく。そして、このプリント基板１
の上方に図示しないボンディングヘッドで吸着された上
記第１のベアチップ２ａが移送される。
プリント基板１を前もって予備加熱（プリキュア）する
と共に、乾燥させておく。そして、このプリント基板１
の上方に図示しないボンディングヘッドで吸着された上
記第１のベアチップ２ａが移送される。
【００２７】プリント基板１のパッド３と第１のベアチ
ップ２ａのバンプ４とをアライメントし、ボンディンク
ヘッドにより加圧，加熱して第１のベアチップ２ａをプ
リント基板１にフリップチップ接合と実装を同時に行う
ものである。
ップ２ａのバンプ４とをアライメントし、ボンディンク
ヘッドにより加圧，加熱して第１のベアチップ２ａをプ
リント基板１にフリップチップ接合と実装を同時に行う
ものである。
【００２８】第１のベアチップ２ａがプリント基板に搭
載された後、その第１のベアチップ２ａの背面にダイペ
ースト６を塗布し、バンプが形成されていない第２のベ
アチップ２ｂをアライメントする。
載された後、その第１のベアチップ２ａの背面にダイペ
ースト６を塗布し、バンプが形成されていない第２のベ
アチップ２ｂをアライメントする。
【００２９】第２のベアチップに対してダイボンディン
グを行うことで、第１のベアチップ２ａの背面に第２の
ベアチップ２ｂがフェイスアップ状態で実装され、第２
のベアチップ２ｂをプリント基板１に電気的に接合する
ために、第１のベアチップ２ａの実装領域の外側に形成
されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂをＡｕ，Ａｌ
等のワイヤ５を用いてワイヤボンディングする。
グを行うことで、第１のベアチップ２ａの背面に第２の
ベアチップ２ｂがフェイスアップ状態で実装され、第２
のベアチップ２ｂをプリント基板１に電気的に接合する
ために、第１のベアチップ２ａの実装領域の外側に形成
されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂをＡｕ，Ａｌ
等のワイヤ５を用いてワイヤボンディングする。
【００３０】そして、第１のベアチップ２ａと第２のベ
アチップ２ｂおよびワイヤ５上に、ポッティンク法によ
り補強用として単独の熱硬化性の絶縁性接着剤（補強用
接着剤７ａ）が塗布される。この補強用接着剤７ａを図
示しないホットエアーノズル等によりホットエアーを吹
きつけ加熱することで硬化させて補強している。
アチップ２ｂおよびワイヤ５上に、ポッティンク法によ
り補強用として単独の熱硬化性の絶縁性接着剤（補強用
接着剤７ａ）が塗布される。この補強用接着剤７ａを図
示しないホットエアーノズル等によりホットエアーを吹
きつけ加熱することで硬化させて補強している。
【００３１】このように第１のベアチップ２ａと第２の
ベアチップ２ｂとを共通の補強用接着剤７ａにより補強
することで第１のベアチップ２ａに対する補強用接着剤
の塗布工程を省略することができ、製造工程が簡略化す
る。
ベアチップ２ｂとを共通の補強用接着剤７ａにより補強
することで第１のベアチップ２ａに対する補強用接着剤
の塗布工程を省略することができ、製造工程が簡略化す
る。
【００３２】最後に第３の実施例について図５および図
６を用いて説明する。いままでの実施例はいずれもベア
チップを補強用接着剤によって補強しつつ空気中の水分
による腐食を防止するものであったが、パッドとプリン
ト基板との密着強度が高ければ必ずしも補強用接着剤を
用いる必要はなく、腐食防止の変形例として、第３の実
施例がある。
６を用いて説明する。いままでの実施例はいずれもベア
チップを補強用接着剤によって補強しつつ空気中の水分
による腐食を防止するものであったが、パッドとプリン
ト基板との密着強度が高ければ必ずしも補強用接着剤を
用いる必要はなく、腐食防止の変形例として、第３の実
施例がある。
【００３３】つまり、図５に示すように、第１のベアチ
ップ２ａにフェイスアップ状態で第２のベアチップ２ｂ
を実装した後、その第１のベアチップ２ａおよび第２の
ベアチップ２ｂを包囲するように枠体状のパッケージ９
を配置する。
ップ２ａにフェイスアップ状態で第２のベアチップ２ｂ
を実装した後、その第１のベアチップ２ａおよび第２の
ベアチップ２ｂを包囲するように枠体状のパッケージ９
を配置する。
【００３４】そのパッケージ９の上面にはフタ１０が機
密性をもって載置されており、第１のベアチップ２ａお
よび第２のベアチップ２ｂを収納し、フタ１０とパッケ
ージ９の側面９ａおよびプリント基板１によって包囲さ
れる空間（即ち、第１のベアチップ２ａおよび第２のベ
アチップ２ｂが収納されている空間）にチッ化ガス等の
封止ガス１１が封入されて機密を保っていることで、外
気中の水分がパッケージ９内のベアチップに悪影響を及
ぼすことがない。
密性をもって載置されており、第１のベアチップ２ａお
よび第２のベアチップ２ｂを収納し、フタ１０とパッケ
ージ９の側面９ａおよびプリント基板１によって包囲さ
れる空間（即ち、第１のベアチップ２ａおよび第２のベ
アチップ２ｂが収納されている空間）にチッ化ガス等の
封止ガス１１が封入されて機密を保っていることで、外
気中の水分がパッケージ９内のベアチップに悪影響を及
ぼすことがない。
【００３５】次に第３の実施例の製造工程を図６を用い
て説明する。まず第１のベアチップ２ａの図示しないア
ルミニウムパッドにワイヤボンディング技術によりアル
ミニウム，銅，金等のワイヤを用いてスタッドバンプ
（以下バンプ４と称する）が所定数形成される。
て説明する。まず第１のベアチップ２ａの図示しないア
ルミニウムパッドにワイヤボンディング技術によりアル
ミニウム，銅，金等のワイヤを用いてスタッドバンプ
（以下バンプ４と称する）が所定数形成される。
【００３６】この各バンプ４の高さにバラツキがあるた
め第１のベアチップ２ａのバンプ４を平板に押しつけて
レベリングを行い各バンプ４の高さを揃える。続いて、
予めガラス平板（先の平板と同様のものであっても良
い）上に導電性接着剤が薄くスキージングされており、
この導電性接着剤に各バンプ４を押しつけて付着させる
転写が行われる。ここまでが第１のベアチップ２ａに対
する処理である。
め第１のベアチップ２ａのバンプ４を平板に押しつけて
レベリングを行い各バンプ４の高さを揃える。続いて、
予めガラス平板（先の平板と同様のものであっても良
い）上に導電性接着剤が薄くスキージングされており、
この導電性接着剤に各バンプ４を押しつけて付着させる
転写が行われる。ここまでが第１のベアチップ２ａに対
する処理である。
【００３７】一方、第１のベアチップ２ａが搭載される
プリント基板１を前もって予備加熱（プリキュア）する
と共に、乾燥させておく。そして、このプリント基板１
の上方に図示しないボンディングヘッドで吸着された上
記第１のベアチップ２ａが移送される。
プリント基板１を前もって予備加熱（プリキュア）する
と共に、乾燥させておく。そして、このプリント基板１
の上方に図示しないボンディングヘッドで吸着された上
記第１のベアチップ２ａが移送される。
【００３８】プリント基板１のパッド３と第１のベアチ
ップ２ａのバンプ４とをアライメントし、ボンディンク
ヘッドにより加圧，加熱して第１のベアチップ２ａをプ
リント基板１にフリップチップ接合と実装を同時に行う
ものである。
ップ２ａのバンプ４とをアライメントし、ボンディンク
ヘッドにより加圧，加熱して第１のベアチップ２ａをプ
リント基板１にフリップチップ接合と実装を同時に行う
ものである。
【００３９】第１のベアチップ２ａがプリント基板に搭
載された後、その第１のベアチップ２ａの背面にダイペ
ースト６を塗布し、バンプが形成されていない第２のベ
アチップ２ｂをアライメントする。
載された後、その第１のベアチップ２ａの背面にダイペ
ースト６を塗布し、バンプが形成されていない第２のベ
アチップ２ｂをアライメントする。
【００４０】第２のベアチップに対してダイボンディン
グを行うことで、第１のベアチップ２ａの背面に第２の
ベアチップ２ｂがフェイスアップ状態で実装され、第２
のベアチップ２ｂをプリント基板１に電気的に接合する
ために、第１のベアチップ２ａの実装領域の外側に形成
されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂをＡｕ，Ａｌ
等のワイヤ５を用いてワイヤボンディングする。
グを行うことで、第１のベアチップ２ａの背面に第２の
ベアチップ２ｂがフェイスアップ状態で実装され、第２
のベアチップ２ｂをプリント基板１に電気的に接合する
ために、第１のベアチップ２ａの実装領域の外側に形成
されたパッド３’と第２のベアチップ２ｂをＡｕ，Ａｌ
等のワイヤ５を用いてワイヤボンディングする。
【００４１】第１のベアチップ２ａおよび第２のベアチ
ップ２ｂが搭載された周囲にパッケージ９を固着するた
めの接着剤１２を塗布する。この接着剤１２上に枠状の
パッケージ９をアライメントして実装する。
ップ２ｂが搭載された周囲にパッケージ９を固着するた
めの接着剤１２を塗布する。この接着剤１２上に枠状の
パッケージ９をアライメントして実装する。
【００４２】パッケージ９をフタ１０を取り外した状態
で、チッ化ガス等の封止ガス１１を噴入し、そのガス１
１の挿入が終了した後、パッケージ９の切欠き９ｂとフ
タ１０の端部１０ａとを係合させ、望ましくはそれらの
隙間に密着性を高めるために接着剤等を塗布させて、外
気が第１のベアチップ２ａおよび第２のベアチップ２ｂ
が収納された空間に混入しないようにする。
で、チッ化ガス等の封止ガス１１を噴入し、そのガス１
１の挿入が終了した後、パッケージ９の切欠き９ｂとフ
タ１０の端部１０ａとを係合させ、望ましくはそれらの
隙間に密着性を高めるために接着剤等を塗布させて、外
気が第１のベアチップ２ａおよび第２のベアチップ２ｂ
が収納された空間に混入しないようにする。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば実
装形態の異なる二種類のベアチップを二回層構造のフェ
イスアップで実装したことにより、単位面積当たりの実
装密度を向上させることができ、装置の小型化，高密度
化を実現することができる。
装形態の異なる二種類のベアチップを二回層構造のフェ
イスアップで実装したことにより、単位面積当たりの実
装密度を向上させることができ、装置の小型化，高密度
化を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】第１の実施例の製造工程を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図４】第２の実施例の製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図６】第３の実施例の製造工程を示す図である。
【図７】従来例を示す図である。
１ プリント基板， １ａ セラミック性プリント基板， ２ａ 第１のベアチップ， ２ｂ 第２のベアチップ， ３，３’ パッド， ４ バンプ， ５ ワイヤ， ６ ダイペースト， ７ 第１の補強用接着剤， ８ 第２の補強用接着剤， ９ パッケージ， １０ フタ， １１ 封止ガス，
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 25/04
Claims (2)
- 【請求項１】 プリント基板にバンプによって実装され
た第１のベアチップと、 該第１のベアチップを接着する第１の補強用接着剤と、 該第１のベアチップの背面に塗布されたダイペースト
と、 該ダイペーストが塗布された該第１のベアチップの背面
に実装される第２のベアチップと、 該第２のベアチップと該プリント基板を接合するワイヤ
と、 該第２のベアチップを接着する第２の補強用接着剤と、 を具備することを特徴とする半導体実装構造。 - 【請求項２】 第１のベアチップをプリント基板上に接
着するために、該プリント基板上に補強用接着剤を塗布
する工程と、 前記プリント基板に第１のベアチップをバンプによって
実装する工程と、 該第１のベアチップの背面にダイペーストを塗布する工
程と、 該ダイペーストが塗布された該第１のベアチップの背面
に第２のベアチップを実装する工程と、 該第２のベアチップを該プリント基板にワイヤ接続する
工程と、 該第２のベアチップを該プリント基板に接着するため
に、補強用接着剤を塗布する工程と、 を具備することを特徴とするベアチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6120985A JP2994555B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 半導体実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6120985A JP2994555B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 半導体実装構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326710A JPH07326710A (ja) | 1995-12-12 |
| JP2994555B2 true JP2994555B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=14799931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6120985A Expired - Lifetime JP2994555B2 (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 半導体実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994555B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707143B2 (en) | 2000-09-07 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stacked semiconductor chips attached to a wiring board |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19905220B4 (de) * | 1998-02-11 | 2008-11-20 | Microelectronic Packaging Dresden Gmbh | Multichipanordnung |
| KR100384333B1 (ko) * | 1999-06-07 | 2003-05-16 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 웨이퍼로부터 반도체패키지용 반도체칩의 가공 방법 |
| JP2007150346A (ja) * | 1999-09-03 | 2007-06-14 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2007227596A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP6120985A patent/JP2994555B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707143B2 (en) | 2000-09-07 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stacked semiconductor chips attached to a wiring board |
| US6777796B2 (en) | 2000-09-07 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Stacked semiconductor chips on a wiring board |
| US7078818B2 (en) | 2000-09-07 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07326710A (ja) | 1995-12-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6214642B1 (en) | Area array stud bump flip chip device and assembly process | |
| JP3297254B2 (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| US6555917B1 (en) | Semiconductor package having stacked semiconductor chips and method of making the same | |
| TW579581B (en) | Semiconductor device with chip separated from substrate and its manufacturing method | |
| TW200414471A (en) | Semiconductor device and manufacturing method for the same | |
| JP2002368190A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6294838B1 (en) | Multi-chip stacked package | |
| US6589812B2 (en) | Pre-applied adhesion promoter | |
| JP2002270717A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20080005735A (ko) | 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JP2994555B2 (ja) | 半導体実装構造 | |
| US6682954B1 (en) | Method for employing piggyback multiple die #3 | |
| JP2001326879A (ja) | ディスプレイドライバモジュールおよびその製造方法 | |
| JP2000349228A (ja) | 積層型半導体パッケージ | |
| JPH08153747A (ja) | 半導体チップおよびそれを用いた半導体装置 | |
| JP3132458B2 (ja) | 半導体装置の実装構造及び実装方法 | |
| JPH0863567A (ja) | Ｉｃカード用モジュール | |
| JPH1093013A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10335366A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10150069A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JP2002246539A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3510520B2 (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| JP3487991B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2817425B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JP2002237566A (ja) | 半導体装置の３次元実装構造体とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991012 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |