JPH05186872A - 酸化物膜積層体のプラズマ促進化学蒸着法 - Google Patents

酸化物膜積層体のプラズマ促進化学蒸着法

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JPH05186872A
JPH05186872A JP4172133A JP17213392A JPH05186872A JP H05186872 A JPH05186872 A JP H05186872A JP 4172133 A JP4172133 A JP 4172133A JP 17213392 A JP17213392 A JP 17213392A JP H05186872 A JPH05186872 A JP H05186872A
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ジェイ．クリスコ アネッテ
James W Proscia
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 比較的付着を受けにくい表面に酸化物膜を付
着させることができるプラズマ促進化学蒸着法。 【構成】 基体の表面に酸化物膜を付着させるプラズマ
促進化学蒸着法において、前記表面上に第一プラズマ促
進化学蒸着条件で補助膜を付着させ、そして次に前記補
助膜の上に酸化物膜を、前記第一プラズマ促進化学蒸着
条件よりも付着させにくい第二プラズマ促進化学蒸着条
件で付着させる、諸工程からなる酸化物膜プラズマ促進
化学蒸着法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物、例えば酸化タ
ングステン又は他の赤外線反射性耐火性酸化物を付着さ
せるプラズマ促進化学蒸着法に関する。本発明は、特に
そのような付着を比較的受けにくい基体の表面に酸化物
を付着させることができる。
【０００２】
【従来の技術】酸化物膜は、基体表面上に一般にプラズ
マ促進化学蒸着(plasma enhanced chemical vapor depo
sition)(ＰＥＣＶＤ）と呼ばれ、グロー放電蒸着とも呼
ばれている既知の方法を用いて付着することができる。
この既知の方法は、例えば太陽電池の製造で基体上に光
電池材料の膜を付着させるために商業的に用いられてい
る。ＰＥＣＶＤは、付着させる物質を含むガス混合物を
イオン化することを含んでいる。酸化タングステンの膜
がエレクトロクロミック素子の電極として働くために
は、例えば、ガス混合物は、六フッ化タングステン、酸
素及び水素のガスからなっているであろう。
【０００３】ＰＥＣＶＤによる酸化物の付着は、付着と
その反対の表面食刻とが同時に起きる２方向の動的過程
を含んでいる。それらの条件は食刻よりも付着に都合が
よいように調節されなければならない。特に、付着雰囲
気の組成、付着温度、及びイオン衝突エネルギー、即
ち、被覆すべき基体表面の方へプラズマイオンを加速す
るために印加する電場の強さの如き因子、及び流速及び
圧力及び電力水準の如き二次的因子は、全て付着を達成
するように制御されなければならない。一層正確に言え
ば、これらの因子は正味の付着を達成するように、即
ち、動的過程で食刻よりも付着の方が充分大きく、正味
の結果として希望の酸化物の蓄積付着が得られるように
制御しなければならない。
【０００４】極めて高い品質の膜、特に電気的に高い品
質の膜は、食刻よりも僅かにしか高くない付着が行われ
るＰＥＣＶＤ付着条件で達成されることが知られてい
る。従って、例えば、結晶質酸化タングステンの高品質
膜を得るためには、付着条件は、それらの食刻に都合の
よい条件に近く維持される。しかし、残念なことに、そ
のような僅かなＰＥＣＶＤ付着条件では或る滑らかな表
面上には酸化物膜を容易には形成できないことがよくあ
る。この付着の困難さは、そのような滑らかな表面には
核生成点が欠如しているためであろうと言う或る推定が
行われている。いずれにせよＰＥＣＶＤ法を用いてガラ
ス及び電気的品質の誘電体基板の如き或る基体上に高品
質の酸化物膜を形成するのは困難である。酸化物ではな
く金属、タングステンの付着に関して、二酸化珪素の如
き誘電体表面上に化学蒸着を行うことの困難さは、ウー
(Wu)その他による米国特許第4,777,061 号明細書に一般
的に示されている。ウーその他の特許は、誘電体表面を
アルゴンプラズマ処理し、次にタングステンを低電力プ
ラズマで付着させ、次にタングステンを熱的に付着させ
ることを示唆している。即ち、ウーその他による特許で
は、接着用膜を付着させた後にプラズマ付着を止め、そ
の後で熱的分解により付着を進行させることを教示して
いる。カガノウィッツ(Kaganowicz)その他による米国特
許第4,572,841号明細書には、プラズマ促進化学蒸着も
論じられている。カガノウィッツの特許では、蒸着中、
ガス状雰囲気中に過剰の水素を導入することにより、密
度の増大した改良された膜が得られると言われている。
任意的第一工程は、プラズマ酸化法により珪素基板の表
面を酸化することを含んでいると言われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基体
表面上に酸化物膜を形成するためのＰＥＣＶＤ付着法を
与えることである。本発明のこの目的及び付加的目的、
及び特徴は、次の開示及び説明から一層よく理解される
であろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の態様に従
い、基体の表面上に酸化物膜を付着させるためのプラズ
マ促進化学蒸着法が与えられる。その方法は、第一ＰＥ
ＣＶＤ条件で表面上に補助膜を付着し、次に第二ＰＥＣ
ＶＤ条件でその補助膜の上に酸化物膜を付着させる工程
を含む。正味の付着及び実質的に均一な膜被覆性を達成
するために、プラズマ促進化学蒸着法による付着を比較
的受けにくい基体表面上でさえも、補助膜を付着させる
のに用いられる第一ＰＥＣＶＤ条件は、食刻よりも付着
に対し強力に都合よくすることができる。即ち、付着雰
囲気の組成、その圧力及び流速、付着温度、イオン衝突
エネルギー及び電力水準の如き付着条件の一つ以上を、
補助膜の正味の付着を達成するように、食刻よりも付着
に対し充分都合がよいように制御する。しかし、第二Ｐ
ＥＣＶＤ条件は、食刻よりも付着に対し依然として都合
がよいが、第一ＰＥＣＶＤ条件の場合よりも付着しにく
い条件である。従って、第二ＰＥＣＶＤ条件は、食刻よ
りも付着に対し僅かにしか都合がよくなく、その結果補
助膜よりも高い品質の酸化物膜が付着される。それにも
拘わらず、実質的に均一で高品質の酸化物膜の正味の付
着を、基体がＰＥＣＶＤ付着を比較的受けにくい場合で
も、その基体上に最初に補助膜を付着させた後に、僅か
に付着性の条件のプラズマ促進化学蒸着により達成する
ことができる。理論によって拘束されたくはないが現在
全表面に対する酸化物膜の正味の付着は、食刻よりも付
着に対し、第二ＰＥＣＶＤ条件の場合よりも都合のよい
前述の第一ＰＥＣＶＤ条件で、基体表面上に最初に付着
させた補助膜により促進されると理解されている。
【０００７】本発明の第二の特に重要な態様により、建
築及び自動車のグレイジング(glazing）用途で典型的に
用いられているソーダ・石灰・ガラスの如きガラス基体
を有するグレイジングユニットが与えられ、赤外線反射
性を与えるために、酸化物膜は耐火性酸化物、最も好ま
しくは酸化タングステンになっている。そのような膜
は、例えば、太陽エネルギー制御、即ち、グレイジング
ユニットを通過して閉ざされた空間内に入る赤外線の形
の太陽エネルギーの量を減少させるために用いることが
できる。そのような赤外線太陽エネルギーの反射は、そ
の閉ざされた空間を冷却するのに必要な空調量を減少す
る。本発明のこの態様によれば、上述の異なったプラズ
マ促進化学蒸着条件は、補助膜、例えば、無定形酸化タ
ングステンを付着させ、次に好ましくは結晶質の酸化物
タングステン膜を付着させるために用いられる。
【０００８】本発明の好ましい態様に従い、幾つかの重
要な利点を実現することができる。最も重要なことは、
プラズマ促進化学蒸着を、ＰＥＣＶＤ付着を比較的受け
にくい表面に対しても酸化物膜を付着させるのに用いる
ことができることである。更に、本発明により付着され
た酸化物膜は、基体表面が付着を受けにくい性質を持つ
にも拘わらず、付着に対し僅かにしか都合のよくないＰ
ＥＣＶＤ条件で付着された高品質膜である。本発明のこ
れら及び付加的利点及び特徴は、或る好ましい態様につ
いての次に詳細な説明から一層よく理解されるであろ
う。
【０００９】本発明の或る好ましい態様を、図面に関連
させた次の詳細な記述で考察する。図１は正確な大きさ
では書かれていないことは分かるであろう。特に、基体
表面上の膜は、例示を明確にし、理解し易くするために
拡大してある。
【００１０】〔好ましい態様についての詳細な記述〕基
体表面上に酸化物膜をプラズマ促進化学蒸着させること
は、一般に当業者によく知られている。種々の酸化物膜
が、それらの大きさな伝導度により望ましく、それらに
電気化学的装置の電子及び（又は）イオン伝導体として
の用途を与えている。そのような用途では、酸化物膜は
酸化錫又は他の半導体基体の表面上に付着されるのが典
型的であろう。或るそのような酸化物膜は、太陽赤外線
を反射させるのに優れた性質も持ち、それらにグレイジ
ングユニット等のための太陽エネルギー調節膜としての
用途を与えている。しかし、上で述べた如く、プラズマ
促進化学蒸着は、酸化物付着と表面の食刻（付着した酸
化物が除去される）との両方が同時に起きる２方向動的
過程の方法である。付着条件は酸化物の正味の付着を生
ずるようにバランスさせなければならないことは当業者
によく知られている。即ち、表面食刻速度よりも付着速
度は大きい。
【００１１】本発明の或る極めて好ましい態様に従え
ば、酸化物膜、最も好ましくは酸化タングステン膜を、
比較的付着を受けにくい表面、例えば、電気的品質の膜
形成又は他の結晶質酸化タングステン膜の形成の如き高
品質膜の形成に必要な僅かなＰＥＣＶＤ付着条件では、
酸化タングステンが正常に膜として充分蓄積しないガラ
ス、半導体、又は他の表面上に付着させる。このこと
は、そのような好ましい態様に従い、食刻よりも付着に
対し遥かに強く都合のよい第一ＰＥＣＶＤ条件下で基体
表面上に補助膜を最初に付着させておくことにより達成
される。特に、第一ＰＥＣＶＤ条件は、表面が、通常Ｐ
ＥＣＶＤによる酸化物の付着を比較的受けにくいにも拘
わらず、補助膜が表面上に蓄積するのに充分な程酸化物
の付着に対し都合のよい条件である。補助膜の厚さは、
表面が、その上に希望の一層高品質の酸化タングステン
又は他の酸化物膜の付着（即ち、正味の膜形成）を充分
受けられるようにするのに充分なものでありさえすれば
よい。補助膜は約100 〜1,000オングストロームの厚さ
であるのが好ましい。
【００１２】補助膜に用いられる材料は、好ましくは金
属酸化物の如き酸化物であり、好ましくは酸化タングス
テンである。本発明の或る極めて好ましい態様によれ
ば、補助膜は無定形酸化タングステンである。補助膜は
食刻よりも付着に対し極めて都合のよい条件で付着され
るので、本発明による酸化タングステン補助膜は、結晶
質又は電気的品質の膜ではないと考えることができる。
むしろそのような酸化タングステン補助膜は、無定形酸
化タングステンであるのが典型的であろう。高品質結晶
質酸化タングステン膜の下に用いるのに最も好ましい無
定形酸化タングステン補助膜は、約100 〜1,000 Åの厚
さ、最も好ましくは約500 Åの厚さを有する。補助膜の
別の材料は、本発明を見て当業者に容易に明らかになる
であろう。そのような別の材料の例には、炭化珪素、窒
化珪素、二酸化チタン、酸化錫、及びダイヤモンドが含
まれる。
【００１３】補助膜の上に第二ＰＥＣＶＤ条件で付着さ
れる高品質酸化物膜の厚さは、その膜が目的とする特定
の用途に大きく依存するであろう。目的用途に対し適切
な膜厚を選択することは、当業者の能力内にある。本発
明の或る最も好ましい態様として、無定形酸化タングス
テン補助膜を、自動車又は建築のグレイジング用に考え
られている実質的に透明な赤外線反射性の実質的に化学
量論的な結晶質酸化タングステン上面膜の下に用いた場
合、その結晶質酸化タングステン上面膜は、約500 〜1
0,000Åの厚さ、一層好ましくは約2,000 〜4,000 Å、
最も好ましくは約2,000 Åの厚さを有する。
【００１４】酸化タングステンが好ましいが、本発明に
よりプラズマ促進化学蒸着により付着することができる
他の既知の耐火性金属酸化物には、例えば、二酸化チタ
ン及び酸化錫が含まれる。前述の材料の外に適当な酸化
物は、本記載を見て当業者に容易に明らかになるであろ
う。また、ここに開示し、論ずる一般的原理に従って希
望の酸化物膜材料に、適当な補助膜材料を釣合わせるこ
とは当業者の能力内に入るであろう。更に、酸化物材
料、特に結晶質酸化タングステンに、その性質に影響を
与えるようにドープするか又は酸素不足にしてもよい。
例えば、一つの好ましい態様に従い、フッ素をドープし
た結晶質酸化タングステン膜を本発明に従い無定形酸化
タングステン補助膜の上に付着させる。補助膜もフッ素
をドープするか、酸素不足にしてもよい。酸化タングス
テンは僅かに酸素不足にするか、又はドープして、その
伝導度を増大するようにしてもよい。一般に、付着した
酸化物膜及び補助膜の種々の修正及び変更を本発明に基
づく方法で用いてもよいことは、本記載を見て当業者に
明らかになるであろう。今後用いる用語「酸化物」と
は、そのようなドープ、酸素不足、及び（又は）他の変
成をした酸化物材料の全てを意味するものとする。従っ
て、特に酸化タングステンと言う用語は、今後ドープさ
れた、又はドープされていない酸化タングステン、例え
ば、フッ素ドープ、酸素不足のものを意味するものとす
る。
【００１５】次に特に図１に関し、モーター乗り物の風
防ガラス又は建築用グレイジングユニットの如きグレイ
ジング物品10が、好ましくはガラス、一層好ましくはソ
ーダ石灰ガラスからなる平面状基体12を有するものとし
て示されている。太陽エネルギー調節被覆16が、ガラス
基体12の表面14の上にプラズマ促進化学蒸着により付着
されている。被覆16は表面14の直ぐ上に無定形酸化タン
グステンの補助膜18を有する。補助膜18は、下で更に説
明する第一ＰＥＣＶＤ条件下で付着されており、その条
件は食刻よりも付着に対し極めて都合のよいものであ
る。高品質の実質的に化学量論的な実質的に透明で実質
的に結晶質の酸化タングステン膜20が、補助膜18の上に
直接第二ＰＥＣＶＤ条件下で付着されている。第二ＰＥ
ＣＶＤ条件は、食刻よりも付着に対し僅かにしか都合が
よくない条件であり、高品質の膜20を与える結果にな
る。補助膜18は約100 〜1,000 Åの厚さである。膜20は
約2,000 〜4,000 Åの厚さである。保護膜22を、結晶質
酸化タングステン膜20の直ぐ上にＰＥＣＶＤ、スパッタ
リング、又は他の適当な方法により付着させてある。図
１に例示した好ましい態様では、保護膜22は約5,000 〜
50,000Åの厚さの二酸化珪素である。しかし、当業者は
本記載を見て、例えば、窒化珪素、ダイヤモンド、及び
酸化アルミニウムを含めた多くの別の材料が保護膜22に
適していることを認めるであろう。図１のグレイジング
ユニットは、一つには被覆16の赤外線反射性により、優
れた太陽エネルギー調節特性を有する。
【００１６】本開示を見て、本発明の膜及び補助膜を付
着させるのに適したＰＥＣＶＤ条件を選択することは、
当業者の能力内に入るであろう。図１の好ましい態様を
特に参照して、補助膜の付着に適した第一ＰＥＣＶＤ条
件は、例えば、25ミリトールの圧力で、25sccmの六フッ
化タングステン（ＷＦ6)、25sccmの水素（Ｈ2)、50sccm
のヘリウム（Ｈe)、及び50sccmの酸素（Ｏ2)から本質的
になる付着雰囲気、印加マイクロ波電力700 ワット、及
び基板温度125 ℃であろう。これらの条件は、ソーダ石
灰ガラス又は誘電体基板の如き基体上に無定形酸化タン
グステン膜を付着させる結果になるであろう。典型的に
は、1/2 分の付着で、約500 〜1,000 Åの厚さ、典型的
には、約500 Åの厚さの補助膜を与える。
【００１７】無定形酸化物タングステン補助膜の上に高
品質結晶質酸化タングステン膜を付着させるのに適した
第二の一連のＰＥＣＶＤ付着条件は、例えば、40ミリト
ールの圧力で、25sccmの六フッ化タングステン、50sccm
の水素、50sccmのヘリウム、50sccmの酸素、及び50sccm
の四フッ素炭素（ＣＦ4)から本質的になる付着雰囲気、
印加マイクロ波電力700 ワット、及び基板温度250 ℃で
あろう。約１分の期間の前述の第二ＰＥＣＶＤ条件下で
の付着により、約2,000 〜6,000 Åの厚さ、典型的には
約3,000 〜4,000 Åの厚さの結晶質酸化タングステン膜
を与える結果になる。前述の第二ＰＥＣＶＤ付着条件
は、それらが真の付着に対しかろうじて好ましいだけで
ある点で、限界的条件であることを当業者は認めるであ
ろう。即ち、第二ＰＥＣＶＤ条件は、表面食刻よりも付
着に対しかろうじて都合のよいものでしかない。結晶質
酸化タングステン膜は、そのような限界的付着条件にも
拘わらずず、補助膜表面の付着受容性により形成され
る。そのような付着に対する受容性は、補助膜が付着さ
れるソーダ石灰ガラス基体の比較的付着を受けにくい表
面とは対照的である。得られる結晶質酸化タングステン
膜は、実際に少なくとも実質的に結晶質である。それは
実質的に透明で実質的に化学量論的でもある。その性質
には、可視光線に対し実質的に透明でもあるにも拘わら
ず、赤外線反射性を含む。その膜は、或る電気的装置に
用いられる充分な電気伝導性も有する。更に、或る電気
的装置で、例えば、エレクトロクロミック素子等の電
極、又は膜積層体を有する風防ガラス又は他のグレイジ
ングユニットの解氷又は曇り止めのための抵抗加熱手段
として、適当な厚さの膜積層体を有利に用いることがで
きることは当業者には認められるであろう。
【００１８】当業者は、ＰＥＣＶＤ付着因子又は条件が
互いに深く関連し合っていることを認めるであろう。例
えば、それ自体食刻よりも強力に付着に対し都合のよい
結果を与える第一条件の変化は、他の付着条件の一つ又
は組合せの変化により相殺されるもの以上になることが
ある。このことを考慮に入れて、図１に関して上で述べ
た本発明の好ましい態様についての酸化タングステン膜
及び補助膜のＰＥＣＶ付着に関する次の一般的指針は、
本発明の原理を明らかにし、例示するために与えるもの
である。一般に、水素ガスの付着雰囲気への導入、又は
付着雰囲気中の水素ガス濃度の増大は、付着条件を一層
限界的なものにしながら、即ち、付着しにくくしなが
ら、一層高い品質の酸化物タングステン膜を生ずる。
【００１９】上述の好ましい態様の場合のように、無定
形酸化タングステン補助膜を付着させるための第一ＰＥ
ＣＶＤ条件には、付加的フッ素を含まず、含まれる水素
の少ない付着雰囲気が含まれるのが好ましいのに対し、
第二ＰＥＣＶＤ条件は、一層多くの水素を含み５〜30体
積％のフッ素含有反応物を含有する付着雰囲気を含むの
が好ましい。付着温度、即ち基体温度を増大させると、
ＰＥＣＶＤ条件の食刻よりも付着に対する都合のよさが
少なくなって、一層高い品質の酸化タングステンの膜を
生ずるであろう。補助膜を付着させるためのＰＥＣＶＤ
条件には、室温から200 ℃の範囲の付着温度が含まれる
のが好ましいが、その上に一層高い品質の結晶質酸化タ
ングステン膜を付着させるための第二ＰＥＣＶＤ条件で
は、約225 ℃〜約350 ℃の付着温度を含むのが好まし
い。全体としての条件が、食刻よりも付着に対し強力に
都合がよくても、又ほんの限界的に都合がよくても、行
われる付加的条件には、イオン衝突が含まれる。付着が
行われる表面に帯電物質の加速及びイオン衝突を起こさ
せるのに印加電場を使用することに当業者は精通してい
る。一般に印加電場を強くすると、イオン衝突のエネル
ギーが増大し、一層高品質の膜を与える結果になる。し
かし、大きなイオンエネルギーでは食刻即ち「スパッタ
リング」が起きる。本開示を参考にして、他の付着因子
と関連させて、強い又は限界的付着条件を生ずるように
イオンエネルギーを適当な水準に選択制御することと
は、当業者の能力内に入ることであろう。付着雰囲気の
圧力は、補助膜の付着中は、食刻よりも付着に対し強力
に都合がよくなるように比較的高くすることができる。
更に、全流量及び電力水準を、付着が行われるように変
化させることもできる。流量及び電力が大きくなる程、
一般にイオン衝突のためのイオン電流密度が大きくなる
結果になる。
【００２０】例えば、図１の膜22に対応する酸化タング
ステン膜及び補助膜の上に保護膜を付着させる方法及び
因子は、本開示を見て当業者には容易に明らかになるで
あろう。例えば、二酸化珪素保護膜を付着させるために
適切な方法には、スパッタリング、化学蒸着等が含まれ
る。例えば、プラズマ促進化学蒸着に適した条件は、25
ミリトールの圧力で50sccmのシラン及び50sccmの二酸化
珪素、500 ワットのマイクロ波電力、及び250 ℃の基板
温度であろう。上述の条件下で約１分の時間の付着によ
り、約5,000 〜10,000Åの厚さの二酸化珪素保護膜が得
られる結果になるであろう。
【００２１】本発明の範囲内で種々の修正及び変更を行
えることは当業者には明らかであろう。本発明の真の範
囲内に入るそのような容易に想到できる修正及び変更は
特許請求の範囲内に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】基体と、その基体の表面上の赤外線反射性膜積
層体とからなる物品を例示する部分的な断面図である。
【符号の説明】
12 基体 16 被覆 18 補助無定形膜 20 結晶質膜 22 保護膜

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体の表面に酸化物膜を付着させるプラ
    ズマ促進化学蒸着法において、 a) 前記表面上に第一プラズマ促進化学蒸着条件で補助
    膜を付着させ、そして b) 次に前記補助膜の上に酸化物膜を、前記第一プラズ
    マ促進化学蒸着条件よりも付着させにくい第二プラズマ
    促進化学蒸着条件で付着させる、 諸工程からなる酸化物膜プラズマ促進化学蒸着法。
  2. 【請求項２】 酸化物膜が金属酸化物から本質的になる
    請求項１に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  3. 【請求項３】 酸化物膜が耐火性金属酸化物から本質的
    になる請求項１に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  4. 【請求項４】 酸化物膜が酸化タングステンから本質的
    になる請求項１に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  5. 【請求項５】 酸化物膜が結晶質酸化タングステンから
    本質的になる請求項１に記載のプラズマ促進化学蒸着
    法。
  6. 【請求項６】 酸化物膜が500 〜10,000Åの厚さを有す
    る請求項５に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  7. 【請求項７】 補助膜が無定形酸化タングステンから本
    質的になる請求項１に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  8. 【請求項８】 補助膜が100 〜1,000 Åの厚さを有する
    請求項７に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  9. 【請求項９】 基体が誘電体材料である請求項１に記載
    のプラズマ促進化学蒸着法。
  10. 【請求項１０】 基体がソーダ石灰ガラスである請求項
    １に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  11. 【請求項１１】 第二プラズマ促進化学蒸着条件が、第
    一プラズマ促進化学蒸着条件よりも高い濃度のフッ素を
    含有する反応物ガスを含む付着雰囲気を含む請求項１に
    記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  12. 【請求項１２】 第二プラズマ促進化学蒸着条件が、第
    一プラズマ促進化学蒸着条件よりも高い付着温度を含む
    請求項１に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  13. 【請求項１３】 第二プラズマ促進化学蒸着条件が、第
    一プラズマ促進化学蒸着条件の場合よりも印加電場内で
    一層エネルギーの大きなイオン衝突を含む請求項１に記
    載のプラズマ促進化学蒸着法。
  14. 【請求項１４】 基体の表面に酸化タングステンを付着
    させるプラズマ促進化学蒸着法において、 a) 前記表面上に第一プラズマ促進化学蒸着条件で無定
    形酸化タングステンの補助膜を付着させ、そして b) 次に前記補助膜の上に酸化タングステンの膜を、前
    記第一プラズマ促進化学蒸着条件よりも付着させにくい
    第二プラズマ促進化学蒸着条件で付着させる、 諸工程からなるプラズマ促進化学蒸着法。
  15. 【請求項１５】 釉薬をかけた基体の表面に結晶質酸化
    タングステンを付着させるプラズマ促進化学蒸着法にお
    いて、 a) 前記表面上に第一プラズマ促進化学蒸着条件で無定
    形酸化タングステンの補助膜を付着させ、そして b) 次に前記補助膜の上に結晶質酸化タングステンの膜
    を、前記第一プラズマ促進化学蒸着条件よりも付着させ
    にくいが、食刻よりは付着に都合の良い第二プラズマ促
    進化学蒸着条件で付着させる、 諸工程からなる結晶質酸化タングステンのプラズマ促進
    化学蒸着法。
  16. 【請求項１６】 結晶質酸化タングステンが伝導度を増
    大するようにドープされている請求項15に記載のプラズ
    マ促進化学蒸着法。
  17. 【請求項１７】 結晶質酸化タングステンにフッ素がド
    ープされている請求項15に記載のプラズマ促進化学蒸着
    法。
  18. 【請求項１８】 結晶質酸化タングステンと無定形酸化
    タングステンの両方にフッ素がドープされている請求項
    15に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  19. 【請求項１９】 結晶質酸化タングステンが伝導度を増
    大するため酸素不足にされている請求項15に記載のプラ
    ズマ促進化学蒸着法。
  20. 【請求項２０】 実質的に透明なガラスシートの上に実
    質的に透明な太陽エネルギー減少膜積層体を付着させる
    プラズマ促進化学蒸着法において、 a) 前記表面上に10〜100 nmの厚さの無定形酸化タング
    ステン補助膜を、六フッ化タングステン、水素及び酸素
    から本質的になる第一付着雰囲気を含む第一プラズマ促
    進化学蒸着条件で付着させ、そして b) 前記補助膜の上に200 〜400 nmの厚さの実質的に化
    学量論的な結晶質フッ素ドープ酸化タングステン膜を、
    前記第一プラズマ促進化学蒸着条件よりも付着させにく
    い第二プラズマ促進化学蒸着条件で付着させ、然も、前
    記第二プラズマ促進化学蒸着条件が、六フッ化タングス
    テン、四フッ化炭素、水素及び酸素から本質的になる第
    二付着雰囲気を含む、 ことからなるプラズマ促進化学蒸着法。
  21. 【請求項２１】 実質的に化学量論的な結晶質フッ素ド
    ープ酸化タングステンの膜の上に保護膜を付着させる工
    程を更に含む請求項20に記載のプラズマ促進化学蒸着
    法。
  22. 【請求項２２】 保護膜が二酸化珪素から本質的になる
    請求項21に記載のプラズマ促進化学蒸着法。
  23. 【請求項２３】 基体と、該基体の表面上の赤外線反射
    性膜積層体とからなる物品において、前記膜積層体が10
    〜100 nmの厚さの無定形酸化タングステン補助膜、及び
    該補助膜の上の50〜1,000 nmの厚さの実質的に化学量論
    的な結晶質酸化タングステン膜からなる物品。
  24. 【請求項２４】 結晶質酸化タングステン膜の上に500
    〜5,000 nmの厚さの二酸化珪素保護膜を更に含む請求項
    27に記載の物品。
JP4172133A 1991-07-01 1992-06-30 酸化物膜積層体のプラズマ促進化学蒸着法 Pending JPH05186872A (ja)

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