JPS5917538A - エレクトロクロミツク素子 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子Info
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- JPS5917538A JPS5917538A JP12667282A JP12667282A JPS5917538A JP S5917538 A JPS5917538 A JP S5917538A JP 12667282 A JP12667282 A JP 12667282A JP 12667282 A JP12667282 A JP 12667282A JP S5917538 A JPS5917538 A JP S5917538A
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- nitride
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- electrolyte layer
- electrochromic
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1525—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material characterised by a particular ion transporting layer, e.g. electrolyte
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔本発明の属する技術分野〕
この発明は固体電解質？用いたエレクトロクロミック素
子に関する。
子に関する。
従来より知られた無機材料？用いたエレクトロクロミッ
ク素子（以下Ｊ３ＣＤ２略す）に用いられるエレクトロ
クロミック材料としては町８あるいは、Ｍｏｏｓなどの
遷移金属酸化物が知られている。
ク素子（以下Ｊ３ＣＤ２略す）に用いられるエレクトロ
クロミック材料としては町８あるいは、Ｍｏｏｓなどの
遷移金属酸化物が知られている。
ＢＣＤの典型的な例は透明導電膜からなる電極上にＷ８
ヲ蒸着し表示電極とし、それに対向電極ヶ装置さぞ、そ
の間に電解液又は固体電解質を介在させた構造の素子で
ある。表示′を極を負にバイアスすると電子とプロトン
が町、中にとジこ１れ青色を呈する。特に固体電解質を
用いた素子では、電解液に？用いたものに比較して液漏
れなどの困難のないこと、形成が容易なることなどの利
点をＭしている。固体電解質としてはシリコン酸化物（
ｓＩＯ，，５ｉｏ）蒸着膜、同スパッタ形成膜、酸化ジ
ルコニウム蒸着膜・同スパッタ膜などが知られている。
ヲ蒸着し表示電極とし、それに対向電極ヶ装置さぞ、そ
の間に電解液又は固体電解質を介在させた構造の素子で
ある。表示′を極を負にバイアスすると電子とプロトン
が町、中にとジこ１れ青色を呈する。特に固体電解質を
用いた素子では、電解液に？用いたものに比較して液漏
れなどの困難のないこと、形成が容易なることなどの利
点をＭしている。固体電解質としてはシリコン酸化物（
ｓＩＯ，，５ｉｏ）蒸着膜、同スパッタ形成膜、酸化ジ
ルコニウム蒸着膜・同スパッタ膜などが知られている。
しかし、これらの固体電解質膜を用いた素子は素子形成
時には良好な特性すなわち、高いコントラスト、速い応
答を低い発消色電圧を示すが、時間の経過と共に性能が
劣化してしまうという問題点余有していた。
時には良好な特性すなわち、高いコントラスト、速い応
答を低い発消色電圧を示すが、時間の経過と共に性能が
劣化してしまうという問題点余有していた。
本発明は前項に述べた固体１ｔＭ質層の問題点？解消す
べく改良したもので、形成直後ニジ良好な特性を示しか
つ形成後長期間にわたジ安定に良好な特性全維持するこ
とのできるＥＣＤ＝ｉ提供しようとするものである。
べく改良したもので、形成直後ニジ良好な特性を示しか
つ形成後長期間にわたジ安定に良好な特性全維持するこ
とのできるＥＣＤ＝ｉ提供しようとするものである。
本発明は、透明電極と、これに対同配置されている対同
電極と、両電極間に遷移金属酸化物系エレクトロクロミ
ック性材料層と、該エレクトロクロミック材料層に陽イ
オンを供給する電解質層全介在させてなる素子において
、該電解質層が酸化物と窒化物との混合体であることを
特徴とするエレクトロクロミック素子である。
電極と、両電極間に遷移金属酸化物系エレクトロクロミ
ック性材料層と、該エレクトロクロミック材料層に陽イ
オンを供給する電解質層全介在させてなる素子において
、該電解質層が酸化物と窒化物との混合体であることを
特徴とするエレクトロクロミック素子である。
以下、本発明金更に詳細に説明する。
一本発明０ＥＣＤは、第１図にみられる工うに、透明電
極１・対向電極５の間に、町、、 Ｍｏｂ、等の公知の
遷移金属酸化物系エレクトロクロミック材料層３及び固
体電解質層４全挟持してなるものであｐ１透明電極側に
は必要に応じてガラス等の透明基体を配置することもで
きる。透明電極、対向電極、エレクトロクロミック性材
料層の材料を膜厚を形成手段等は公知の技術を採用する
ことがでさる。
極１・対向電極５の間に、町、、 Ｍｏｂ、等の公知の
遷移金属酸化物系エレクトロクロミック材料層３及び固
体電解質層４全挟持してなるものであｐ１透明電極側に
は必要に応じてガラス等の透明基体を配置することもで
きる。透明電極、対向電極、エレクトロクロミック性材
料層の材料を膜厚を形成手段等は公知の技術を採用する
ことがでさる。
本発明で用いる電解質層は、酸化物と窒化物の混合物か
らなるものであや、窒化物の配合量は、全電解質材料の
５〜７０重量％の範囲が適当であるＯ 本発明で用いられる電解質を構成する酸化物としては、
酸化シリコン、酸化アルミニウムを酸化ｐｏム、ｒｌｌ
化ジルコニウム、酸化セリウム参酸化タングステン、酸
化メンタル、酸化チタンを酸化鉛、酸化ニオブ、酸化ニ
ッケル、酸化バナジウム。
らなるものであや、窒化物の配合量は、全電解質材料の
５〜７０重量％の範囲が適当であるＯ 本発明で用いられる電解質を構成する酸化物としては、
酸化シリコン、酸化アルミニウムを酸化ｐｏム、ｒｌｌ
化ジルコニウム、酸化セリウム参酸化タングステン、酸
化メンタル、酸化チタンを酸化鉛、酸化ニオブ、酸化ニ
ッケル、酸化バナジウム。
酸化ビスマス、酸化マグネシウム！酸化マグネシウムア
ルミニウム（Ａｌ５Ｍｇ０４） 、酸化シリコンジルコ
ニウム、酸化銅、酸化亜鉛、酸化マンガン。
ルミニウム（Ａｌ５Ｍｇ０４） 、酸化シリコンジルコ
ニウム、酸化銅、酸化亜鉛、酸化マンガン。
酸化モリブデンが挙げられる。
また、これと添加しつる窒化物としては、窒化アルミニ
ウム（ＡＩＮ ） 、窒化ガリウム（ＧａＮ）。
ウム（ＡＩＮ ） 、窒化ガリウム（ＧａＮ）。
窒化クロム（ＣｒＮ ） 、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ
）。
）。
窒化チタン（ＴｉＮ ）ν窒化バナジウム（ＶＮ）。
窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化マグネシウムＣＭｇ５ Ｎ＊
） 。
） 。
窒化リチウム（Ｌｉ、Ｎ ）が挙げられる。
上記酸化物と窒化物からなる電解質＝ＩＥＣＤ中に組み
込むには、公知の真空蒸着法あるいはスパッタリング法
等の薄膜形成方法を採用することができる。このような
手法により混合物薄膜を形成するには、単に上記酸化物
お工び窒化物を同時に蒸着ないしスパッタすればよく、
これらの原料の粉末を予じめ配合比率に応じて混合し、
蒸着ないし、スパッタすれば好ましい結果が得られる。
込むには、公知の真空蒸着法あるいはスパッタリング法
等の薄膜形成方法を採用することができる。このような
手法により混合物薄膜を形成するには、単に上記酸化物
お工び窒化物を同時に蒸着ないしスパッタすればよく、
これらの原料の粉末を予じめ配合比率に応じて混合し、
蒸着ないし、スパッタすれば好ましい結果が得られる。
１〔発明の効果〕
遷移金属酸化物系発色層を用いたＥＣＤＶＣおいて酸化
物固体電解質層に窒化物を５〜６０％添加することによ
り酸化物のみからなる固体電解質層を用いるＬりも、長
期間にわた９見消色特性を良好に維持できる。
物固体電解質層に窒化物を５〜６０％添加することによ
り酸化物のみからなる固体電解質層を用いるＬりも、長
期間にわた９見消色特性を良好に維持できる。
実施例−１
透明電極（１）ヲ設けたガラス基板（２）の上に酸化タ
ングステン発色層（３）全蒸着形成する。形成時の圧力
は１０ ’ 〜ＩＱ ’Ｔｏｒｒ ＊膜厚は０．１〜
１ ｉｔ。
ングステン発色層（３）全蒸着形成する。形成時の圧力
は１０ ’ 〜ＩＱ ’Ｔｏｒｒ ＊膜厚は０．１〜
１ ｉｔ。
８４０、とＡＩＮの粉末を乳ばちにとり充分に粉砕混合
する。Ｓｉｎ、とＡＩＮの重量比は、２：１〜１：２の
範囲に選ぶ。充分混合でれたら粉末分加圧成形用金型に
入れて圧縮成形する。得られたベレット金ルツボに入れ
真空中で電子衝撃によって加熱し蒸発させて、先に基板
上に形成した発色層の上に積層形成し文、形成時には窒
素ガスな真空槽中に導入し１０−６〜１０’Ｔｏｒｒの
窒素雰囲気中で蒸着？行なっ友、膜厚は０．１〜１μの
範囲に選定する。
する。Ｓｉｎ、とＡＩＮの重量比は、２：１〜１：２の
範囲に選ぶ。充分混合でれたら粉末分加圧成形用金型に
入れて圧縮成形する。得られたベレット金ルツボに入れ
真空中で電子衝撃によって加熱し蒸発させて、先に基板
上に形成した発色層の上に積層形成し文、形成時には窒
素ガスな真空槽中に導入し１０−６〜１０’Ｔｏｒｒの
窒素雰囲気中で蒸着？行なっ友、膜厚は０．１〜１μの
範囲に選定する。
このようにして形成された固体電解質層（４）の上に最
後に対向電圧（５）全形成してエレクトロクロミック素
子が完成される。対同電極はＡｕ、 Ａｇ、 ＡＩ・Ｎ
ｉ等の金属薄膜の他酸化インジウムや酸化スズを主成分
とする透明溝！膜が用いられる。以上の工うにして得ら
れ友エレクトロクロミック素子に外部電源を接続し、発
色層側？負にバイアスしてやると、固体電解質より陽イ
オンが、発色層中に注入され発色する。正にバイアスし
てやると陽イオンが発色層から抜き取られ消色する。
後に対向電圧（５）全形成してエレクトロクロミック素
子が完成される。対同電極はＡｕ、 Ａｇ、 ＡＩ・Ｎ
ｉ等の金属薄膜の他酸化インジウムや酸化スズを主成分
とする透明溝！膜が用いられる。以上の工うにして得ら
れ友エレクトロクロミック素子に外部電源を接続し、発
色層側？負にバイアスしてやると、固体電解質より陽イ
オンが、発色層中に注入され発色する。正にバイアスし
てやると陽イオンが発色層から抜き取られ消色する。
第２図に種々の混合比（ルツボに仕込んだ蒸発源の組成
比）のＳｉＯ，／ＡＩＮ薄膜？薄膜凡用ＣＤの特性を示
した。ＩＨｚの矩形波電圧でＥＣＤＩ連続駆動しコント
ラストの時間変化を示した。
比）のＳｉＯ，／ＡＩＮ薄膜？薄膜凡用ＣＤの特性を示
した。ＩＨｚの矩形波電圧でＥＣＤＩ連続駆動しコント
ラストの時間変化を示した。
実施例−２
実施例−１と同様に透明電極上ＶＣＩ１０． ＄ ２蒸
着形底する。
着形底する。
ＺｒＯ，とＡＩＮの粉末を乳ばちにと９充分に粉砕混合
スル。ＺｒＯ，、！： ＡＩＮ Ｏ３を量比ハ、１０：
１〜１：１０の範囲に選ぶ。充分混合されたら粉末を加
圧成形用金型に入れて圧縮成形する。得られたベレンＦ
をルツボに入れ真空中で電子衝撃によって加熱し蒸発さ
せて、先に基板上に形成した発色層の上に積層形成した
。形成時には窒素ガスを真空槽中に導入し１０−６〜１
０’Ｔｏｒｒの窒素雰囲気中で蒸着を行なった。膜厚は
０．１〜１μの範囲に選定する。
スル。ＺｒＯ，、！： ＡＩＮ Ｏ３を量比ハ、１０：
１〜１：１０の範囲に選ぶ。充分混合されたら粉末を加
圧成形用金型に入れて圧縮成形する。得られたベレンＦ
をルツボに入れ真空中で電子衝撃によって加熱し蒸発さ
せて、先に基板上に形成した発色層の上に積層形成した
。形成時には窒素ガスを真空槽中に導入し１０−６〜１
０’Ｔｏｒｒの窒素雰囲気中で蒸着を行なった。膜厚は
０．１〜１μの範囲に選定する。
このようにして形成された固体電解質層（４）の上に最
後ＶＣ対向電極（５）全形成してエレクトロクロミック
素子が完成される。電極材料は実施例−１と同様である
。第３図に種々の混合比のＺｒＯ，／ＡＩＮ薄膜を用い
たＥＣＤの特性？示した。
後ＶＣ対向電極（５）全形成してエレクトロクロミック
素子が完成される。電極材料は実施例−１と同様である
。第３図に種々の混合比のＺｒＯ，／ＡＩＮ薄膜を用い
たＥＣＤの特性？示した。
実施例−３
実施例−１と同様に透明電極上にＷＯＩ１発色層を形成
する。
する。
ＳｉＯとＭｇｓ Ｎｔの粉末全乳ばちにと９充分に粉砕
混合する。ＳｉＯとＭｇｓ Ｎｓの重量比は、１０：１
〜１：１０の範囲に選ぶ。
混合する。ＳｉＯとＭｇｓ Ｎｓの重量比は、１０：１
〜１：１０の範囲に選ぶ。
充分混合されたら粉末をアルミナ製ルツボに入れ真空中
で抵抗加熱法によって加熱蒸発させて、先に基板上に形
成し定見色層の上に積層形成した。
で抵抗加熱法によって加熱蒸発させて、先に基板上に形
成し定見色層の上に積層形成した。
形成時には窒素・酸素混合（１：１）ガス？真空槽中に
導入し１０−６〜１０’Ｔｏｒｒの雰囲気中で蒸着を行
なった。膜厚は０，１〜１μの範囲に選定する。
導入し１０−６〜１０’Ｔｏｒｒの雰囲気中で蒸着を行
なった。膜厚は０，１〜１μの範囲に選定する。
このようにして形成された固体電解質層（４）の上に最
後に対向電極（５）全形成してエレクトロクロミック素
子が完成される。
後に対向電極（５）全形成してエレクトロクロミック素
子が完成される。
第４図に種々の混合比のＳ ｉ ０７Ｍｇ５Ｎ、薄ｗＸ
ヲ用いたＥＣＤの特性金示したー 実施例−４ 実施例−１と同様に透明電極上ｖｃ Ｖｌ）、発色層全
形成する。
ヲ用いたＥＣＤの特性金示したー 実施例−４ 実施例−１と同様に透明電極上ｖｃ Ｖｌ）、発色層全
形成する。
ＡＩ、０８とＬｉ３Ｎの粉末を乳ばちにとり窒素雰囲気
中で充分に粉砕混合する。ＡＩ、０．とＬｉ、Ｎの重量
比は、１００：１〜１０：１の範囲に選ぶ。
中で充分に粉砕混合する。ＡＩ、０．とＬｉ、Ｎの重量
比は、１００：１〜１０：１の範囲に選ぶ。
充分混合されたら粉末を加圧成形用金型に入れて圧縮成
形する。得られたベレット金ルツボに入れ真空中で電子
衝撃に工って加熱し蒸発させて、先に基板上に形成した
発色層の上に積層形成した。
形する。得られたベレット金ルツボに入れ真空中で電子
衝撃に工って加熱し蒸発させて、先に基板上に形成した
発色層の上に積層形成した。
形成時ＶＣは窒素ガス？真空槽中に導入し１０−６〜１
０’Ｔｏｒｒの窒素雰囲気中で蒸着を行なった。膜厚は
０．１〜１μの範囲に選定する。このようにして形成さ
れた固体電解質層（４）の上に最後に対向電極（５）全
形成してエレクトロクロミック素子が完成される。
０’Ｔｏｒｒの窒素雰囲気中で蒸着を行なった。膜厚は
０．１〜１μの範囲に選定する。このようにして形成さ
れた固体電解質層（４）の上に最後に対向電極（５）全
形成してエレクトロクロミック素子が完成される。
第５図に種々の混合比のＡ Ｉ、 ０．／Ｌ輸Ｎ薄膜會
用いたＥＣＤの特性を示した。
用いたＥＣＤの特性を示した。
第２〜５図に示した工うに酸化物中に窒化物を混入した
薄膜を用いたＥＣＤは初期の性能を長期にわたりよく維
持することがわかった。その原因は未だ充分に解明され
ていないが実施例１〜３にあげた例では窒化物の混入Ｖ
ＣＣエフ化物層の構造の経時変化が抑制される結果と考
えられる。また実施例４にあげた例では、窒化リチウム
のみを蒸着し固体電解質膜としてＢＣＤに用いた例に比
較して、酸化物と混合された膜を用いている定め化学的
にも安定で発色層と電解質層の間にリチウムイオンの拡
散を抑制するためのＬｉＦ等の膜？設けることなしに安
定な電気発消色をくり返す、これはリチウムイオンが酸
化物で希釈され安定化している他、酸化物組織がＬｊ、
Ｎの添加ＶＣよってすきまの多い構造がニジ安定化され
たためであろう。
薄膜を用いたＥＣＤは初期の性能を長期にわたりよく維
持することがわかった。その原因は未だ充分に解明され
ていないが実施例１〜３にあげた例では窒化物の混入Ｖ
ＣＣエフ化物層の構造の経時変化が抑制される結果と考
えられる。また実施例４にあげた例では、窒化リチウム
のみを蒸着し固体電解質膜としてＢＣＤに用いた例に比
較して、酸化物と混合された膜を用いている定め化学的
にも安定で発色層と電解質層の間にリチウムイオンの拡
散を抑制するためのＬｉＦ等の膜？設けることなしに安
定な電気発消色をくり返す、これはリチウムイオンが酸
化物で希釈され安定化している他、酸化物組織がＬｊ、
Ｎの添加ＶＣよってすきまの多い構造がニジ安定化され
たためであろう。
以上ノ実施例では８１０． ＋ ＳＩＯ，ＡＩ、０．
ｅ ＺｒＯ，トＡＩＮ 、 Ｌｉ５Ｎ 、 Ｍｇ、Ｎ、
の組合わ−ｉｒ’ｉあげたが、この低酸化物として酸化
クロム、酸化セリウム、酸化タングステンを酸化タンタ
ル、酸化チタン、酸化鉛、酸化ニオブ、酸化ニッケル、
酸化バナジウム。
ｅ ＺｒＯ，トＡＩＮ 、 Ｌｉ５Ｎ 、 Ｍｇ、Ｎ、
の組合わ−ｉｒ’ｉあげたが、この低酸化物として酸化
クロム、酸化セリウム、酸化タングステンを酸化タンタ
ル、酸化チタン、酸化鉛、酸化ニオブ、酸化ニッケル、
酸化バナジウム。
酸化ビスマス！酸化マグネシウムを酸化マンガン。
酸化マグネシウムアルミニウムー酸化モリブデン。
酸化シリコンジルコニウム０酸化鋼、酸化亜鉛音用い、
命化物として実施例の他、窒化ガリウム。
命化物として実施例の他、窒化ガリウム。
窒化クロム？窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化バナ
ジウム、窒化ホウ素？加えても同様に特性の続続が観測
された。
ジウム、窒化ホウ素？加えても同様に特性の続続が観測
された。
上述し友工うに本発明にかかるエレクトロクロミック素
子は従来素子の性能を同上持続させる上で極めて大きな
利点？有するということができる。
子は従来素子の性能を同上持続させる上で極めて大きな
利点？有するということができる。
す図である。
１ 透明電極
２ ガラス基板
３ Ｋ見見色層
４ 固体電解質層
５ 対向電極
代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）将閘（亡
４Ｖ ｆＨｚ辻形文幇勤） 第８図 時用（±？Ｔ７．ｆ１酬貼（１）） 第４図 第５図 府内（±Ｚｒ、／＃ｚ−軌紡璽鍛
４Ｖ ｆＨｚ辻形文幇勤） 第８図 時用（±？Ｔ７．ｆ１酬貼（１）） 第４図 第５図 府内（±Ｚｒ、／＃ｚ−軌紡璽鍛
Claims (4)
- （１）透明電極とこれに対向配置されている対同電極と
、両電極間に遷移金属酸化物系エレクトロクロミック性
材料層と該エレクトロクロミック材料層に陽イオンを供
給する電解質層とｔ介在させてなる素子において、該電
解質層が酸化物と窒化物の混合体であることを特徴とす
るエレクトロクロミック素子。 - （２）を解質層に含ｔｉる窒化物が窒化アルミニウム（
ＡＩＮ ） 、窒化ガリウム（ＧａＮ ） 、窒化クロ
ム（ＣｒＮ ） 、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ ） 、
窒化チタン（ＴＩＮ ） 、窒化バナジウム（ＶＮ）、
窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化マグネシウム（Ｍｇ５Ｎｓ
） 、窒化リチウム（Ｌｊ、Ｎ）であることを特徴とす
る特許請求の範囲綿１項に記載のエレクトロクロミック
素子。 - （３）ｉｆ電解質層含１れる酸化物が酸化シリコン。 酸化アルミニウム９酸化クロム、酸化ジルコニウムを酸
化セリウムか酸化タングステン！酸化タンタル・酸化チ
タンを酸化鉛！酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化バナジ
ウム、酸化ビスマス−酸化マグネシウム、酸化マグネシ
ウムアルミニウム（ＡＩ。 Ｍｇ０４）＋酸化シリコンジルコニウム、酸化銅−酸化
亜鉛、酸化マンガン、酸化モリブデンであることｔ％徴
とする特許請求の範囲第１項記載のエレクトロクロミッ
ク素子。 - （４）電解質層が、真空蒸着法またはスパッタリング法
によって形成された薄膜であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のエレクトロクロミック素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12667282A JPS5917538A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | エレクトロクロミツク素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12667282A JPS5917538A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | エレクトロクロミツク素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917538A true JPS5917538A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14941001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12667282A Pending JPS5917538A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | エレクトロクロミツク素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917538A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352505A (en) * | 1991-07-01 | 1994-10-04 | Ford Motor Company | Plasma enhanced chemical vapor deposition of oxide film stack |
| FR2873460A1 (fr) * | 2004-07-21 | 2006-01-27 | Saint Gobain | Systeme electrochimique a electrolyte non oxyde |
| CN115128877A (zh) * | 2021-03-25 | 2022-09-30 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 基于氮化锂离子传导层的电致变色器件及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4828814U (ja) * | 1971-08-10 | 1973-04-09 | ||
| JPS5136746U (ja) * | 1974-09-11 | 1976-03-18 |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP12667282A patent/JPS5917538A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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