JPS60227229A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS60227229A JPS60227229A JP59084598A JP8459884A JPS60227229A JP S60227229 A JPS60227229 A JP S60227229A JP 59084598 A JP59084598 A JP 59084598A JP 8459884 A JP8459884 A JP 8459884A JP S60227229 A JPS60227229 A JP S60227229A
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- JP
- Japan
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- lower electrode
- oxide film
- metal
- liquid crystal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、基板の一方に、金属（下部電極）−によって
、実際に液晶に印加されるオン電圧とオフ電圧の実効値
比を大きくするようにした液晶表示素子に関するもので
ある。
、実際に液晶に印加されるオン電圧とオフ電圧の実効値
比を大きくするようにした液晶表示素子に関するもので
ある。
〈従来技術〉
従来の液晶表示素子に於いて設けられるＭＩＭ素子は、
第２図（断面図）に示す如く、金属（下部電極）２−酸
化膜３−金Ｆ７４（上部電極）４の三層構造をもつもの
であった。なお、同図に於いて、ｌは基板である。
第２図（断面図）に示す如く、金属（下部電極）２−酸
化膜３−金Ｆ７４（上部電極）４の三層構造をもつもの
であった。なお、同図に於いて、ｌは基板である。
しかしながら、上記従来のＭＩＭ素子構造には以下に示
す問題点があった。
す問題点があった。
すなわち、上記酸化膜は、基板全体に亘り均一な膜厚を
得るために、スパッタリング法等の乾式法によって形成
されるが、膜厚が薄いと（１０００Ａ以下）、ピンホー
ルが生じ易く、ピンホールの発生を抑えるために膜厚を
厚くすると（２０００〜８０００Ａ）、ｖｔｈ が極端
に高くなって、液晶表示素子の駆動に数１０Ｖ以上（３
０〜５０Ｖ）の電圧を要し、Ｃ−ＭＯＳで駆動すること
かできなくなるという問題点かあった。
得るために、スパッタリング法等の乾式法によって形成
されるが、膜厚が薄いと（１０００Ａ以下）、ピンホー
ルが生じ易く、ピンホールの発生を抑えるために膜厚を
厚くすると（２０００〜８０００Ａ）、ｖｔｈ が極端
に高くなって、液晶表示素子の駆動に数１０Ｖ以上（３
０〜５０Ｖ）の電圧を要し、Ｃ−ＭＯＳで駆動すること
かできなくなるという問題点かあった。
〈発明の目的〉
本発明は、上記の問題点を解決することができるＭＩＭ
素子構造の提供を目的とするものである。
素子構造の提供を目的とするものである。
〈発明の構成〉
本発明の液晶表示素子は、基板の一方に、金属−酸化膜
−金属構造をもつＭＩＭ素子を設けた液晶表示素子に於
いて、上記ＭＩＭ素子の構造を、下部電極となる金属の
上に、該金属の０２ リッチ層（５０〜２０ＯＡ）を先
ず形成し、しかる後、酸化膜、上部電極を形成した構造
としたことを特徴とするものである。
−金属構造をもつＭＩＭ素子を設けた液晶表示素子に於
いて、上記ＭＩＭ素子の構造を、下部電極となる金属の
上に、該金属の０２ リッチ層（５０〜２０ＯＡ）を先
ず形成し、しかる後、酸化膜、上部電極を形成した構造
としたことを特徴とするものである。
〈実施例〉
以下、実施例を説明する。
第１図は本発明に係るＭＩＭ素子の構造を示す断面図で
ある。
ある。
図に於いて、１１は基板、１２は下部電極（例えば、Ｔ
ａ ）、１３は下部電極の０□ リッチ層（例えば、Ｔ
ａ２０ｘ）、１４は酸化膜（例えば、Ｔａ２０５ ）、
ｌ ５は上部電極（例えば、Ｎｉ−Ｃｒ。
ａ ）、１３は下部電極の０□ リッチ層（例えば、Ｔ
ａ２０ｘ）、１４は酸化膜（例えば、Ｔａ２０５ ）、
ｌ ５は上部電極（例えば、Ｎｉ−Ｃｒ。
Ｎｉ等）である。
以下、上記ＭＩＭ素子の製造手順を説明する。
先ず、スパッタリング法又は電子線加熱型電子衝撃法に
て、基板１１上に下部電極（例えば、Ｔａ ） １２を
形成する。下部電極の目的は電気信号の導通のみである
から、高々１０００〜電極の０□ リッチ層（例えば、
ＴａｚＯｘ）１３を形成するには、ペルジャー内へ０□
を微量混入（１０〜５０パスカル）して、６０分程放置
しておくとよい。この時、基板を８０〜１００℃くらい
まで加熱しておくと、より効果かある。その後、２ 高真空（１０〜１０ ハスカル）に戻シ、スパッタリン
グ法の場合は、Ａｒ＋Ｎ２ 混合ガスの微量混入（１０
〜ｌＯ）たスカル）下で、電子線加熱型電子衝撃法の場
合は、高真空下のままで、それぞれ金属酸化膜（例えば
、Ｔａ２０３）１４を形成する。乾式法であるため、基
板全域にわたり、膜厚を均一に形成できると共に、ｖｔ
ｈ 特性を満たすため薄くすることができる（１００〜
３００Ａ）。この場合、基板を８０〜１００℃位まで加
熱しておくと、より良好である。このようにすると、下
部電極の０□ リッチ層と酸化膜の２重層になるため、
ピンホールの発生は皆無にできる。また、酸化膜も必要
なりｔｈ特性に合わせて任意の一鵬みて且つ均一に、大
面積にわたり形成できるため、ＭＩＭ素子使用の液晶表
示素子の設計に於いて、理論と実際との間に、殆んど差
が生じない。
て、基板１１上に下部電極（例えば、Ｔａ ） １２を
形成する。下部電極の目的は電気信号の導通のみである
から、高々１０００〜電極の０□ リッチ層（例えば、
ＴａｚＯｘ）１３を形成するには、ペルジャー内へ０□
を微量混入（１０〜５０パスカル）して、６０分程放置
しておくとよい。この時、基板を８０〜１００℃くらい
まで加熱しておくと、より効果かある。その後、２ 高真空（１０〜１０ ハスカル）に戻シ、スパッタリン
グ法の場合は、Ａｒ＋Ｎ２ 混合ガスの微量混入（１０
〜ｌＯ）たスカル）下で、電子線加熱型電子衝撃法の場
合は、高真空下のままで、それぞれ金属酸化膜（例えば
、Ｔａ２０３）１４を形成する。乾式法であるため、基
板全域にわたり、膜厚を均一に形成できると共に、ｖｔ
ｈ 特性を満たすため薄くすることができる（１００〜
３００Ａ）。この場合、基板を８０〜１００℃位まで加
熱しておくと、より良好である。このようにすると、下
部電極の０□ リッチ層と酸化膜の２重層になるため、
ピンホールの発生は皆無にできる。また、酸化膜も必要
なりｔｈ特性に合わせて任意の一鵬みて且つ均一に、大
面積にわたり形成できるため、ＭＩＭ素子使用の液晶表
示素子の設計に於いて、理論と実際との間に、殆んど差
が生じない。
最後に、上部電極（例えば、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ等→１５
を形成し、ＭＩＭ素子が完成する。なお、パターン化に
際しては、フォトエツチングと蒸着又はスパッタリング
を繰り返せば簡単にできる。
を形成し、ＭＩＭ素子が完成する。なお、パターン化に
際しては、フォトエツチングと蒸着又はスパッタリング
を繰り返せば簡単にできる。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれば、上記従来
の問題点を解決することかでき゛ゐ、きわめて有用なＭ
ＩＭ素子構造を提供することかできるものである。
の問題点を解決することかでき゛ゐ、きわめて有用なＭ
ＩＭ素子構造を提供することかできるものである。
第１図及び第２図は断面図である。
符号の説明
ｌ二基板、 ２：下部電極、 ３二酸化膜、４：上部電
極、 １１：基板、 １２：下部電極、１３二下部電極
の０２ リッチ層、１４二酸化膜、］５：上部電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）８１図 第２図
極、 １１：基板、 １２：下部電極、１３二下部電極
の０２ リッチ層、１４二酸化膜、］５：上部電極。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）８１図 第２図
Claims (1)
- Ｌ 基板の一方に、金属−酸化膜−金属構造を持つ非線
型抵抗素子を設けた液晶表示素子に於いて、下部電極と
なる金属と酸化膜との間に、上記下部電極の０２リッチ
層を設け、その上に酸化膜、及び上部電極となる金属を
設ける構成としたことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084598A JPS60227229A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084598A JPS60227229A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227229A true JPS60227229A (ja) | 1985-11-12 |
| JPH0323894B2 JPH0323894B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=13835115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084598A Granted JPS60227229A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60227229A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253332A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
| CN109136870A (zh) * | 2018-07-19 | 2019-01-04 | 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 | 过渡态氧化镍铬膜层的制备方法及包含该过渡态氧化镍铬膜层的可钢化低辐射镀膜玻璃 |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP59084598A patent/JPS60227229A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63253332A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
| CN109136870A (zh) * | 2018-07-19 | 2019-01-04 | 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 | 过渡态氧化镍铬膜层的制备方法及包含该过渡态氧化镍铬膜层的可钢化低辐射镀膜玻璃 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323894B2 (ja) | 1991-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |