JPS64704B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS64704B2 JPS64704B2 JP61056137A JP5613786A JPS64704B2 JP S64704 B2 JPS64704 B2 JP S64704B2 JP 61056137 A JP61056137 A JP 61056137A JP 5613786 A JP5613786 A JP 5613786A JP S64704 B2 JPS64704 B2 JP S64704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- wiring
- voltage
- thin film
- nonlinear element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 56
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
本発明は液晶を用いた表示装置の特性改良なら
びに駆動方法に関する、さらに詳しくは液晶表示
セルに簡単な非線形素子を付加し、これによつて
液晶表示装置の電圧−コントラスト特性を改良し
ダイナミツク駆動を行なう方法に関する。 液晶のダイナミツク駆動については、従来より
検討がなされており、1/2バイアス法及び1/3バイ
アス法が考案された。第１図は1/3バイアス法の
駆動波形例であり、図のａ，ｂのアドレス信号及
びこれに同期した図のｃの表示信号の２種から成
り立つている。これらの信号は液晶物質を挾む相
対する電極に印加されるもので実際に液晶にかか
る電圧波形は図のｄ、ｅのように変化し、図のｄ
が選択点での波形、図のｅが非選択点での波形と
なる。この図でわかるように液晶には常にバイア
ス電圧Ｖが印加されていることになるのでコント
ラストのよい表示を得るためには、このバイアス
電圧Ｖを第２図の液晶の電圧−コントラスト特性
のしきい値電圧Vth以下となり、非選択点での表
示消去を行なわねばならない。また、この時の点
灯画素のコントラストは選択波形の実効値VRMS
できまり、この実効値VRMSは次式のデユーテイ
ー比１／Ｎに依存している。 ただし、Ｎはダイナミツク駆動に於けるアドレ
ス線数であり、またＶはバイアス電圧を表わす。
通常Ｖは前述の理由によつて液晶のしきい値電圧
Vth以下にとらねばならないため、この式より次
のことが判明する。即ち、アドレス線数が多くな
ればなるほど選択点での実効値VRMSはバイアス
電圧Ｖ、従つてしきい値電圧Vthに近づくため液
晶の表示特性からいつて充分な表示コントラスト
を得ることが難しくなる。このことからダイナミ
ツク駆動用の液晶表示には特に電圧−コントラス
ト特性に明確なしきい値を有することが要求され
ていることがわかる。しかるに、現用の液晶表示
特性は第２図に示すようにこの要求に対し充分と
はいえない。またこの他に温度による電圧−コン
トラスト特性のシフトが大きいこと、見る方向に
よるコントラスト特性の変化、即ち視角依存性が
あることなどからアドレス線数としては２〜４
本、多桁表示では２〜４デジツト程度のダイナミ
ツク駆動以外実用には供し得ないのが現状であ
る。 本発明は上述した欠点を解決するために簡単な
非線形素子を液晶表示に付加し、これによつて液
晶の電圧−コントラスト特性に明確なしきい値を
与え、より実用度の高い液晶ダイナミツク駆動を
提供することを目的としている。 第３図ａ，ｂは本発明に用いる非線形素子の構
造を示した図であり、同図ａは非線形素子の断面
図、同図ｂは非線形素子の平面図である。ここ
で、絶縁基板１上には、絶縁薄膜２とそれをサン
ドイツチ状に挾む同質の第１電極３、及び第２電
極４が形成されている。通常、これらの電極に用
いる金属としては、Al、Ta、Zr、Tiなどがあげ
られ、絶縁薄膜２にはこれらの酸化物Al2O3、
Ta2O5、ZrO2、TiO2等が用いるのが製造上楽で
ある。しかし絶縁薄膜は酸化物でなくても原理的
には可能であり、また金属電極の代わりに半導体
のSi、Ge、化合物半導体を用いても同様の効果
があげられる。次に、Al、Al2O3を使つた簡単な
製造上の手順を述べる。まず一方の電極となる
Alを絶縁基板、例えばガラス基板上に蒸着し、
次にこのAl電極を酸化雰囲気中で長時間加熱す
るか、陽極酸化などの方法によつて数10〜数100
ÅのAl、O3皮膜を形成する。そして再びこの上
に下のAl電極と交叉するようにもう一方のAl電
極を蒸着すれば完成である。 但し、絶縁薄膜２についてはその厚み管理が本
非線形素子の特性を決める条件となると思われ
る。なお、上述の絶縁薄膜２を形成する方法とし
ては、これ以外にスパツタリングによる方法、イ
オンプラズマによる陽極酸化などの方法が採用で
き、また電極形成そのものも蒸着の他の化学的な
メツキ法、スパツタリング、気相反応法などの
種々の手段が考えられる。要は生産性がよく、し
かも信頼性の高い方法を組合せればよいことにな
る。 第４図はこのようにして得た素子の代表的な特
性例であり電圧−電流特性に非直線性が認められ
ることが特徴である。この時の電流には２つの導
体間にある電位障壁の上を越えて電子が流れるシ
ヨツトキ効果によるものと、電位障壁中をトンネ
ル効果により電子が透過するものと二つが考えら
れ、絶縁層の膜厚が薄い場合には後者が、膜厚が
厚い場合には前者が有力な説明方法となつてい
る。また、この素子のもう一つの特性が電圧の
側、側で対称性を有することで、これは液晶の
交流駆動に合わせることができ好都合である。 本発明は、このような特性を有する非線形素子
と液晶の表示素子を直列に組合せ、液晶表示の電
圧−コントラスト特性を改良するものであり、第
５図にその結果が示してある。即ち、第２図の液
晶だけの特性と較べると、明らかにしきい値が明
確になつていることが認められる。これは低電圧
領域における非線形素子が第４図の特性によつて
高抵抗体として働き、これが液晶の抵抗とコンパ
ラブルであるため、液晶にかかる印加電圧は実際
の印加電圧より小となり、見かけ上液晶の電圧−
コントラスト特性が高電圧側へシフトするためで
ある。一方、高電圧がこのデバイスに印加された
場合には非線形素子は低抵抗体としてふるまうの
で、印加電圧の大部分が液晶にかかり、特性のシ
フトは少ない。従つて、液晶の表示特性（第２
図）は、みかけ上第５図のように押し縮められた
形となつてしきい値がより明らかになるものであ
る。なお、前述の説明でわかるように低電圧域で
は付加素子のインピーダンスが液晶のインピーダ
ンスと同程度以上とならなければならない。しか
し、この点については絶縁層の膜厚コントロール
及び液晶にイオン性の添加剤を加えるなどの方法
によつて両者のインピーダンス調整を行なえば解
決がつく問題である。 本発明は上述の素子の組合せによつて多桁ある
いはマトリクス型の表示を構成し、これをダイナ
ミツク駆動するものである。その基本的な構成模
式図は第６図は示した非線形素子５と液晶セル６
の直列回路をマトリクス状に配線したものであり
駆動方法については従来の1/2バイアス法、1/3バ
イアス法の場合には、図のＸ軸側電極に第１図の
アドレス信号ａ，ｂ等を印加し、一方、Ｙ軸側電
極には表示信号のｃをそれぞれ印加すれば結局付
加素子と液晶セルの直列回路には図のｄ，ｅなど
の信号波形が加わることになる。この付加素子と
液晶セルの直列回路の特性は既に第５図に表わし
たものであるから、選択波形、及び非選択波形の
バイアス電圧Ｖをこの曲線のしきい値Vthに合わ
せれば、従来より優れた液晶のダイナミツク駆動
表示を得ることができる。即ち、先に述べた選択
波形の実効値VRMSとバイアス電圧Ｖの関係式(1)
より、 であり、この時の実効値VRMSとバイアス電圧Ｖ
は第５図の飽和電圧Vsatとしきい値電圧Vthにそ
れぞれ対応させてとれば、充分な表示コントラス
トが得られる筈だから、 なる関係が存在する。しかるに本発明による特性
の改良点は数式的にVsat／Vth→１なるものであ
るから
びに駆動方法に関する、さらに詳しくは液晶表示
セルに簡単な非線形素子を付加し、これによつて
液晶表示装置の電圧−コントラスト特性を改良し
ダイナミツク駆動を行なう方法に関する。 液晶のダイナミツク駆動については、従来より
検討がなされており、1/2バイアス法及び1/3バイ
アス法が考案された。第１図は1/3バイアス法の
駆動波形例であり、図のａ，ｂのアドレス信号及
びこれに同期した図のｃの表示信号の２種から成
り立つている。これらの信号は液晶物質を挾む相
対する電極に印加されるもので実際に液晶にかか
る電圧波形は図のｄ、ｅのように変化し、図のｄ
が選択点での波形、図のｅが非選択点での波形と
なる。この図でわかるように液晶には常にバイア
ス電圧Ｖが印加されていることになるのでコント
ラストのよい表示を得るためには、このバイアス
電圧Ｖを第２図の液晶の電圧−コントラスト特性
のしきい値電圧Vth以下となり、非選択点での表
示消去を行なわねばならない。また、この時の点
灯画素のコントラストは選択波形の実効値VRMS
できまり、この実効値VRMSは次式のデユーテイ
ー比１／Ｎに依存している。 ただし、Ｎはダイナミツク駆動に於けるアドレ
ス線数であり、またＶはバイアス電圧を表わす。
通常Ｖは前述の理由によつて液晶のしきい値電圧
Vth以下にとらねばならないため、この式より次
のことが判明する。即ち、アドレス線数が多くな
ればなるほど選択点での実効値VRMSはバイアス
電圧Ｖ、従つてしきい値電圧Vthに近づくため液
晶の表示特性からいつて充分な表示コントラスト
を得ることが難しくなる。このことからダイナミ
ツク駆動用の液晶表示には特に電圧−コントラス
ト特性に明確なしきい値を有することが要求され
ていることがわかる。しかるに、現用の液晶表示
特性は第２図に示すようにこの要求に対し充分と
はいえない。またこの他に温度による電圧−コン
トラスト特性のシフトが大きいこと、見る方向に
よるコントラスト特性の変化、即ち視角依存性が
あることなどからアドレス線数としては２〜４
本、多桁表示では２〜４デジツト程度のダイナミ
ツク駆動以外実用には供し得ないのが現状であ
る。 本発明は上述した欠点を解決するために簡単な
非線形素子を液晶表示に付加し、これによつて液
晶の電圧−コントラスト特性に明確なしきい値を
与え、より実用度の高い液晶ダイナミツク駆動を
提供することを目的としている。 第３図ａ，ｂは本発明に用いる非線形素子の構
造を示した図であり、同図ａは非線形素子の断面
図、同図ｂは非線形素子の平面図である。ここ
で、絶縁基板１上には、絶縁薄膜２とそれをサン
ドイツチ状に挾む同質の第１電極３、及び第２電
極４が形成されている。通常、これらの電極に用
いる金属としては、Al、Ta、Zr、Tiなどがあげ
られ、絶縁薄膜２にはこれらの酸化物Al2O3、
Ta2O5、ZrO2、TiO2等が用いるのが製造上楽で
ある。しかし絶縁薄膜は酸化物でなくても原理的
には可能であり、また金属電極の代わりに半導体
のSi、Ge、化合物半導体を用いても同様の効果
があげられる。次に、Al、Al2O3を使つた簡単な
製造上の手順を述べる。まず一方の電極となる
Alを絶縁基板、例えばガラス基板上に蒸着し、
次にこのAl電極を酸化雰囲気中で長時間加熱す
るか、陽極酸化などの方法によつて数10〜数100
ÅのAl、O3皮膜を形成する。そして再びこの上
に下のAl電極と交叉するようにもう一方のAl電
極を蒸着すれば完成である。 但し、絶縁薄膜２についてはその厚み管理が本
非線形素子の特性を決める条件となると思われ
る。なお、上述の絶縁薄膜２を形成する方法とし
ては、これ以外にスパツタリングによる方法、イ
オンプラズマによる陽極酸化などの方法が採用で
き、また電極形成そのものも蒸着の他の化学的な
メツキ法、スパツタリング、気相反応法などの
種々の手段が考えられる。要は生産性がよく、し
かも信頼性の高い方法を組合せればよいことにな
る。 第４図はこのようにして得た素子の代表的な特
性例であり電圧−電流特性に非直線性が認められ
ることが特徴である。この時の電流には２つの導
体間にある電位障壁の上を越えて電子が流れるシ
ヨツトキ効果によるものと、電位障壁中をトンネ
ル効果により電子が透過するものと二つが考えら
れ、絶縁層の膜厚が薄い場合には後者が、膜厚が
厚い場合には前者が有力な説明方法となつてい
る。また、この素子のもう一つの特性が電圧の
側、側で対称性を有することで、これは液晶の
交流駆動に合わせることができ好都合である。 本発明は、このような特性を有する非線形素子
と液晶の表示素子を直列に組合せ、液晶表示の電
圧−コントラスト特性を改良するものであり、第
５図にその結果が示してある。即ち、第２図の液
晶だけの特性と較べると、明らかにしきい値が明
確になつていることが認められる。これは低電圧
領域における非線形素子が第４図の特性によつて
高抵抗体として働き、これが液晶の抵抗とコンパ
ラブルであるため、液晶にかかる印加電圧は実際
の印加電圧より小となり、見かけ上液晶の電圧−
コントラスト特性が高電圧側へシフトするためで
ある。一方、高電圧がこのデバイスに印加された
場合には非線形素子は低抵抗体としてふるまうの
で、印加電圧の大部分が液晶にかかり、特性のシ
フトは少ない。従つて、液晶の表示特性（第２
図）は、みかけ上第５図のように押し縮められた
形となつてしきい値がより明らかになるものであ
る。なお、前述の説明でわかるように低電圧域で
は付加素子のインピーダンスが液晶のインピーダ
ンスと同程度以上とならなければならない。しか
し、この点については絶縁層の膜厚コントロール
及び液晶にイオン性の添加剤を加えるなどの方法
によつて両者のインピーダンス調整を行なえば解
決がつく問題である。 本発明は上述の素子の組合せによつて多桁ある
いはマトリクス型の表示を構成し、これをダイナ
ミツク駆動するものである。その基本的な構成模
式図は第６図は示した非線形素子５と液晶セル６
の直列回路をマトリクス状に配線したものであり
駆動方法については従来の1/2バイアス法、1/3バ
イアス法の場合には、図のＸ軸側電極に第１図の
アドレス信号ａ，ｂ等を印加し、一方、Ｙ軸側電
極には表示信号のｃをそれぞれ印加すれば結局付
加素子と液晶セルの直列回路には図のｄ，ｅなど
の信号波形が加わることになる。この付加素子と
液晶セルの直列回路の特性は既に第５図に表わし
たものであるから、選択波形、及び非選択波形の
バイアス電圧Ｖをこの曲線のしきい値Vthに合わ
せれば、従来より優れた液晶のダイナミツク駆動
表示を得ることができる。即ち、先に述べた選択
波形の実効値VRMSとバイアス電圧Ｖの関係式(1)
より、 であり、この時の実効値VRMSとバイアス電圧Ｖ
は第５図の飽和電圧Vsatとしきい値電圧Vthにそ
れぞれ対応させてとれば、充分な表示コントラス
トが得られる筈だから、 なる関係が存在する。しかるに本発明による特性
の改良点は数式的にVsat／Vth→１なるものであ
るから
【式】となり、Ｎは大きくと
れることがわかる。即ち、本発明によつて、より
多くの桁数を有する表示、あるいはより多くの走
査線数を有するマトリクス表示をダイナミツク駆
動することができる。。 第６図において、各非線形素子５は、第３図
ａ，ｂに示された構造となつている。即ち、第３
図の電極３は、第６図の表示電極７からの継続配
線である第１配線８であり、第３図の電極４は、
第６図の外部信号を入力する第２配線９であり、
この第１配線８と第２配線９との間に第３図の絶
縁薄膜２が形成されて非線形素子部５となつてい
る。 第７図は、本発明によつて多桁の表示を構成す
る電極と非線形素子の配線例である。同図におい
て、２つの基板７，１６間に液晶が封入されてい
る。基板１６上には、複数の桁表示用の液晶駆動
電極１５が形成されており、基板７上には、複数
のセグメント表示用の液晶駆動電極１４が形成さ
れている。この電極１４からは、接続配線である
第１配線１３が延在している。さらに、液晶駆動
電極１４に駆動信号を供給するためのリード配線
である第２配線１１が複数並列に配列され、液晶
駆動電極１４からの接続配線である第１配線１３
とリード配線である第２配線１１とは、交点で結
合している。ただし、この交点において、酸化絶
縁膜を介して、第１配線１３及び第２配線１１と
が結合し、非線形素子部１２が形成されている。 即ち、丸印で示された非線形素子部１２は第３
図ａ，ｂで示された構成となつている。第３図の
電極２は第２配線１１であり、電極３は第１配線
１３であり、酸化膜４は第２配線１１を酸化した
ものである。 上述の如く本発明は、対向する一対のガラス基
板内に液晶層が形成されてなる液晶表示装置にお
いて、該基板の一方の基板上には透明導電薄膜よ
りなる液晶駆動電極と、該液晶駆動電極に接続さ
れてなる第１配線と、該第１配線に絶縁薄膜を介
して接続されてなり外部信号を第１配線に供給し
てなる第２配線を有し、第１配線と該第２配線と
の接続部は導体−絶縁体−導体構造からなる非線
形素子部となし、該非線形素子部のインピーダン
スは、印加電圧が低電圧の際には該液晶層のイン
ピーダンスと同等程度以上であり、印加電圧が高
電圧の際には、該液晶層のインビーダンスよりも
低くなる如く該非線形素子部の該絶縁薄膜の膜厚
が設定されてなるようにしたから、以下の如き効
果を得ることができる。 (イ) 上記絶縁薄膜の膜厚を有する非線形素子によ
り低電圧印加領域において液晶に実際に印加さ
れる電圧は、駆動電圧よりも小さくなり、一
方、高電圧印加領域においては駆動電圧のほと
んどが液晶に印加されるようになるので、液晶
表示装置の電圧−コントラスト曲線が従来に比
べ第５図に示す如く急峻な曲線を得ることがで
きる。従つて、十分なコントラストを得ること
ができるので、階調レベルに対応した印加電圧
の変化によつて、好ましい階調画素表示を得る
ことができる。 (ロ) ガラス基板上に薄膜素子及び透明電極を形成
することによつて透過型の表示が実現できかつ
従来の如く桁数に依存しない、即ち、デユーテ
イー比に依存しないマトリクス表示の実現が可
能である。従つて、透過型でかつ高解像度のマ
トリクス表示の画像表示を得ることができる。
多くの桁数を有する表示、あるいはより多くの走
査線数を有するマトリクス表示をダイナミツク駆
動することができる。。 第６図において、各非線形素子５は、第３図
ａ，ｂに示された構造となつている。即ち、第３
図の電極３は、第６図の表示電極７からの継続配
線である第１配線８であり、第３図の電極４は、
第６図の外部信号を入力する第２配線９であり、
この第１配線８と第２配線９との間に第３図の絶
縁薄膜２が形成されて非線形素子部５となつてい
る。 第７図は、本発明によつて多桁の表示を構成す
る電極と非線形素子の配線例である。同図におい
て、２つの基板７，１６間に液晶が封入されてい
る。基板１６上には、複数の桁表示用の液晶駆動
電極１５が形成されており、基板７上には、複数
のセグメント表示用の液晶駆動電極１４が形成さ
れている。この電極１４からは、接続配線である
第１配線１３が延在している。さらに、液晶駆動
電極１４に駆動信号を供給するためのリード配線
である第２配線１１が複数並列に配列され、液晶
駆動電極１４からの接続配線である第１配線１３
とリード配線である第２配線１１とは、交点で結
合している。ただし、この交点において、酸化絶
縁膜を介して、第１配線１３及び第２配線１１と
が結合し、非線形素子部１２が形成されている。 即ち、丸印で示された非線形素子部１２は第３
図ａ，ｂで示された構成となつている。第３図の
電極２は第２配線１１であり、電極３は第１配線
１３であり、酸化膜４は第２配線１１を酸化した
ものである。 上述の如く本発明は、対向する一対のガラス基
板内に液晶層が形成されてなる液晶表示装置にお
いて、該基板の一方の基板上には透明導電薄膜よ
りなる液晶駆動電極と、該液晶駆動電極に接続さ
れてなる第１配線と、該第１配線に絶縁薄膜を介
して接続されてなり外部信号を第１配線に供給し
てなる第２配線を有し、第１配線と該第２配線と
の接続部は導体−絶縁体−導体構造からなる非線
形素子部となし、該非線形素子部のインピーダン
スは、印加電圧が低電圧の際には該液晶層のイン
ピーダンスと同等程度以上であり、印加電圧が高
電圧の際には、該液晶層のインビーダンスよりも
低くなる如く該非線形素子部の該絶縁薄膜の膜厚
が設定されてなるようにしたから、以下の如き効
果を得ることができる。 (イ) 上記絶縁薄膜の膜厚を有する非線形素子によ
り低電圧印加領域において液晶に実際に印加さ
れる電圧は、駆動電圧よりも小さくなり、一
方、高電圧印加領域においては駆動電圧のほと
んどが液晶に印加されるようになるので、液晶
表示装置の電圧−コントラスト曲線が従来に比
べ第５図に示す如く急峻な曲線を得ることがで
きる。従つて、十分なコントラストを得ること
ができるので、階調レベルに対応した印加電圧
の変化によつて、好ましい階調画素表示を得る
ことができる。 (ロ) ガラス基板上に薄膜素子及び透明電極を形成
することによつて透過型の表示が実現できかつ
従来の如く桁数に依存しない、即ち、デユーテ
イー比に依存しないマトリクス表示の実現が可
能である。従つて、透過型でかつ高解像度のマ
トリクス表示の画像表示を得ることができる。
第１図は、液晶に印加する駆動信号波形図であ
る。第２図は、従来の液晶表示装置の電圧−コン
トラスト特性図である。第３図ａ，ｂは本願発明
の非線形素子を示す断面図及び平面図である。第
４図は、本願発明の非線形素子の−特性図で
ある。第５図は、本願発明の液晶表示装置の電圧
−コントラスト特性図である。第６図は本願発明
の第１の実施例を示す図である。第７図は、本願
発明の第２の実施例を示す図である。 １……絶縁基板、２……絶縁薄膜、３，８……
第１電極、４，９……第２電極線、５……非線形
素子。
る。第２図は、従来の液晶表示装置の電圧−コン
トラスト特性図である。第３図ａ，ｂは本願発明
の非線形素子を示す断面図及び平面図である。第
４図は、本願発明の非線形素子の−特性図で
ある。第５図は、本願発明の液晶表示装置の電圧
−コントラスト特性図である。第６図は本願発明
の第１の実施例を示す図である。第７図は、本願
発明の第２の実施例を示す図である。 １……絶縁基板、２……絶縁薄膜、３，８……
第１電極、４，９……第２電極線、５……非線形
素子。
Claims (1)
- １ 対向する一対のガラス基板内に液晶層が形成
されてなる液晶表示装置において、該基板の一方
の基板上には透明導電薄膜よりなる液晶駆動電極
と、該液晶駆動電極に接続されてなる第１配線
と、該第１配線に絶縁薄膜を介して接続されてな
り外部信号を第１配線に供給してなる第２配線を
有し、第１配線と該第２配線との接続部は導体−
絶縁体−導体構造からなる非線形素子部となし、
該非線形素子部のインピーダンスは、印加電圧が
低電圧の際には該液晶層のインピーダンスと同等
程度以上であり、印加電圧が高電圧の際には、該
液晶層のインビーダンスよりも低くなる如く該非
線形素子部の該絶縁薄膜の膜厚が設定されてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056137A JPS6211828A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61056137A JPS6211828A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 液晶表示装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6532076A Division JPS52149090A (en) | 1976-06-04 | 1976-06-04 | Liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6211828A JPS6211828A (ja) | 1987-01-20 |
| JPS64704B2 true JPS64704B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=13018684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61056137A Granted JPS6211828A (ja) | 1986-03-14 | 1986-03-14 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6211828A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0782166B2 (ja) * | 1988-12-29 | 1995-09-06 | セイコー電子工業株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3051627B2 (ja) * | 1993-02-03 | 2000-06-12 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| JPH06313899A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-08 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| US5734452A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940497A (ja) * | 1972-08-19 | 1974-04-16 | ||
| US3840695A (en) * | 1972-10-10 | 1974-10-08 | Westinghouse Electric Corp | Liquid crystal image display panel with integrated addressing circuitry |
| JPS4960696A (ja) * | 1972-10-13 | 1974-06-12 | ||
| JPS4976648U (ja) * | 1972-10-20 | 1974-07-03 | ||
| JPS5135298A (ja) * | 1974-09-20 | 1976-03-25 | Hitachi Ltd | Ekishohyojisochi |
| JPS52149090A (en) * | 1976-06-04 | 1977-12-10 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device |
| JPS58172690A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置 |
-
1986
- 1986-03-14 JP JP61056137A patent/JPS6211828A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6211828A (ja) | 1987-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60216377A (ja) | 液晶表示器 | |
| JP2977858B2 (ja) | Ｍｉｍデバイスの製造方法及び該デバイスを具える液晶ディスプレイ装置 | |
| JPS63186215A (ja) | 光学変調素子 | |
| JPS6132673B2 (ja) | ||
| US4828370A (en) | Switching element with nonlinear resistive, nonstoichiometric material | |
| JPH0451809B2 (ja) | ||
| JPS63104081A (ja) | 電気光学装置 | |
| JPS64704B2 (ja) | ||
| EP0182484B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| JPS6132674B2 (ja) | ||
| JPH0269720A (ja) | パネル基板 | |
| JP3384022B2 (ja) | 液晶装置及び非線形抵抗素子 | |
| JPH11249177A (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネル | |
| JPH0331823A (ja) | 液晶表示装置及び電極基板の製造方法 | |
| JPH0335223A (ja) | 表示装置 | |
| JP2654661B2 (ja) | 電気光学表示装置 | |
| JPS61186929A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS63253332A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS5838922A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06301063A (ja) | Ｍｉｍ型非線形素子の製造方法 | |
| JPH07209674A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS60169829A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS5840527A (ja) | 液晶パネル基板の製造方法 | |
| JPS60227229A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH10239663A (ja) | 強誘電性液晶表示装置 |