JPH05179201A - シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された液晶表示素子 - Google Patents
シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された液晶表示素子Info
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- JPH05179201A JPH05179201A JP111492A JP111492A JPH05179201A JP H05179201 A JPH05179201 A JP H05179201A JP 111492 A JP111492 A JP 111492A JP 111492 A JP111492 A JP 111492A JP H05179201 A JPH05179201 A JP H05179201A
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- silica
- silica coating
- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保存安定性の良好なシリカ系被膜形成用塗布
液を提供する。 【構成】 アルコキシシラン化合物を触媒及び溶媒の存
在下で加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成
する際に、アルコキシシラン化合物１モル当り０．５モ
ル以上２モル未満の水を添加し、さらにＴｉキレート化
合物及び／又はＺｒキレート化合物を加えることを特徴
とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被
膜の製造法、シリカ系被膜を有する液晶表示素子等。
液を提供する。 【構成】 アルコキシシラン化合物を触媒及び溶媒の存
在下で加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成
する際に、アルコキシシラン化合物１モル当り０．５モ
ル以上２モル未満の水を添加し、さらにＴｉキレート化
合物及び／又はＺｒキレート化合物を加えることを特徴
とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被
膜の製造法、シリカ系被膜を有する液晶表示素子等。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリカ系被膜形成用塗布
液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜
の製造法、シリカ系被膜およびシリカ系被膜形成用塗布
液を用いて透明電極保護被膜の形成された液晶表示素子
に関する。
液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜
の製造法、シリカ系被膜およびシリカ系被膜形成用塗布
液を用いて透明電極保護被膜の形成された液晶表示素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子の製造に際しては、
パターニングされた透明電極を有する基板に、ポリイミ
ド等の有機高分子からなる配向膜を塗布形成し、配向処
理を行った後、素子を組み立てる方法が用いられてい
た。しかし、近年、液晶表示素子の大形化に伴い、配向
膜のピンホールや素子のギャップ中に混入した異物及び
ギャップを保つために基板の間に入れられるスペーサに
よる配向膜のキズが上下基板間の導通を引き起こし、表
示不良が生じている。
パターニングされた透明電極を有する基板に、ポリイミ
ド等の有機高分子からなる配向膜を塗布形成し、配向処
理を行った後、素子を組み立てる方法が用いられてい
た。しかし、近年、液晶表示素子の大形化に伴い、配向
膜のピンホールや素子のギャップ中に混入した異物及び
ギャップを保つために基板の間に入れられるスペーサに
よる配向膜のキズが上下基板間の導通を引き起こし、表
示不良が生じている。
【０００３】これを解決する手段として、透明電極と配
向膜の間に絶縁性の層を形成する方法が検討され、例え
ば（１）スパッタリングによる低温で酸化膜を形成する
方法、（２）アルコキシシラン、アルコキシチタン及び
増粘剤としての有機高分子を含む溶液を印刷法等で塗布
した後、熱処理して酸化膜とする方法などが採用されて
いる。
向膜の間に絶縁性の層を形成する方法が検討され、例え
ば（１）スパッタリングによる低温で酸化膜を形成する
方法、（２）アルコキシシラン、アルコキシチタン及び
増粘剤としての有機高分子を含む溶液を印刷法等で塗布
した後、熱処理して酸化膜とする方法などが採用されて
いる。
【０００４】しかしながら、（１）の方法では、真空系
の高価な装置が必要であり、またバッチ処理のため生産
性が悪くなる欠点がある。（２）の方法は一般的である
が、酸化膜形成のための高温処理により透明電極のシー
ト抵抗値が上昇するなどの欠点があった。
の高価な装置が必要であり、またバッチ処理のため生産
性が悪くなる欠点がある。（２）の方法は一般的である
が、酸化膜形成のための高温処理により透明電極のシー
ト抵抗値が上昇するなどの欠点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この問題に対して、ア
ルコキシシランおよびアルコキシチタンを加水分解縮重
合することで、２５０〜５００℃熱処理で十分な硬度を
有する膜を形成することが可能となる。しかし、アルコ
キシチタンは水に対して非常に反応性が高く、シリカ系
被膜形成用塗布液が増粘、ゲル化しやすいため塗布液の
保存安定性に問題があった。本発明は、前記技術の欠点
をなくし、低温の熱処理での硬化が可能で、保存安定性
に優れるシリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、その
塗布液を用いたシリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及
びこれを用いた液晶表示素子を提供するものである。
ルコキシシランおよびアルコキシチタンを加水分解縮重
合することで、２５０〜５００℃熱処理で十分な硬度を
有する膜を形成することが可能となる。しかし、アルコ
キシチタンは水に対して非常に反応性が高く、シリカ系
被膜形成用塗布液が増粘、ゲル化しやすいため塗布液の
保存安定性に問題があった。本発明は、前記技術の欠点
をなくし、低温の熱処理での硬化が可能で、保存安定性
に優れるシリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、その
塗布液を用いたシリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜及
びこれを用いた液晶表示素子を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、適当な量の水の添加に
よりアルコキシシランを加水分解縮重合の際に、Ｔｉキ
レート化合物及び／又はＺｒキレート化合物を添加する
ことで、２００〜４００℃熱処理で十分な硬度を有する
膜を形成可能で、しかもシリカ系被膜形成用塗布液は保
存安定性に優れることを見いだし、本発明に到達した。
に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、適当な量の水の添加に
よりアルコキシシランを加水分解縮重合の際に、Ｔｉキ
レート化合物及び／又はＺｒキレート化合物を添加する
ことで、２００〜４００℃熱処理で十分な硬度を有する
膜を形成可能で、しかもシリカ系被膜形成用塗布液は保
存安定性に優れることを見いだし、本発明に到達した。
【０００７】すなわち、本発明はアルコキシシラン化合
物を触媒及び溶媒の存在下で加水分解縮重合させてシロ
キサンポリマーを合成する際に、アルコキシシラン化合
物１モル当たり０．５モル以上２モル未満の水を添加
し、さらにＴｉキレート化合物及び／又はＺｒキレート
化合物を加えるシリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シ
リカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリ
カ系被膜およびこのシリカ系被膜形成用塗布液を用いて
形成した透明電極保護被膜を有する液晶表示素子に関す
る。
物を触媒及び溶媒の存在下で加水分解縮重合させてシロ
キサンポリマーを合成する際に、アルコキシシラン化合
物１モル当たり０．５モル以上２モル未満の水を添加
し、さらにＴｉキレート化合物及び／又はＺｒキレート
化合物を加えるシリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シ
リカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリ
カ系被膜およびこのシリカ系被膜形成用塗布液を用いて
形成した透明電極保護被膜を有する液晶表示素子に関す
る。
【０００８】本発明に用いられるアルコキシシラン化合
物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシ
ラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシ
シラン、テトラブトキシシラン、テトライソブトキシシ
ラン、テトラフェノキシシラン、テトラ（２−メトキシ
エトキシ）シラン、テトラ（２−エトキシエトキシ）シ
ラン、テトラ（２−プロポキシエトキシ）シラン、テト
ラ（２−ブトキシエトキシ）シラン、テトラ（３−メト
キシプロポキシ）シラン、テトラ（３−エトキシプロポ
キシ）シラン、テトラ（３−プロポキシプロポキシ）シ
ラン、テトラ（３−ブトキシプロポキシ）シラン等が挙
げられる。特にテトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキ
シシラン、テトラブトキシシラン、テトライソブトキシ
シランが好適に用いられる。溶媒としてはプロパノー
ル、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール等
のアルコール類、２価アルコールのモノエーテルなどが
用いられる。２価アルコールのモノエーテルとしてはエ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロ
ピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチ
レングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコ
ールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチル
エーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリ
エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエ
ーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル
などがある。
物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシ
ラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシ
シラン、テトラブトキシシラン、テトライソブトキシシ
ラン、テトラフェノキシシラン、テトラ（２−メトキシ
エトキシ）シラン、テトラ（２−エトキシエトキシ）シ
ラン、テトラ（２−プロポキシエトキシ）シラン、テト
ラ（２−ブトキシエトキシ）シラン、テトラ（３−メト
キシプロポキシ）シラン、テトラ（３−エトキシプロポ
キシ）シラン、テトラ（３−プロポキシプロポキシ）シ
ラン、テトラ（３−ブトキシプロポキシ）シラン等が挙
げられる。特にテトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキ
シシラン、テトラブトキシシラン、テトライソブトキシ
シランが好適に用いられる。溶媒としてはプロパノー
ル、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール等
のアルコール類、２価アルコールのモノエーテルなどが
用いられる。２価アルコールのモノエーテルとしてはエ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロ
ピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテ
ル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、エチ
レングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコ
ールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエ
ーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレン
グリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチル
エーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリ
エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプ
ロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエ
ーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル
などがある。
【０００９】触媒としては、蟻酸、マレイン酸、フマル
酸、酢酸などの有機酸、塩酸、燐酸、硝酸、ほう酸など
の無機酸、アンモニア、トリメチルアンモニウムなどの
アルカリが用いられる。これら触媒は原料となるアルコ
キシシラン化合物の量に応じて適当量用いられるが好適
にはアルコキシシラン化合物１モルに対し０．００１〜
０．５モルの範囲で用いられる。Ｔｉキレート化合物及
びＺｒのキレート化合物としては一部にアルコキシ基を
持つものも含む。しかし、配位子がなく、全てアルコキ
シ基からなるキレート化合物ではないＴｉ及びＺｒのア
ルコキサイドを用いた場合は粘度が増加しゲル化に至り
易い。
酸、酢酸などの有機酸、塩酸、燐酸、硝酸、ほう酸など
の無機酸、アンモニア、トリメチルアンモニウムなどの
アルカリが用いられる。これら触媒は原料となるアルコ
キシシラン化合物の量に応じて適当量用いられるが好適
にはアルコキシシラン化合物１モルに対し０．００１〜
０．５モルの範囲で用いられる。Ｔｉキレート化合物及
びＺｒのキレート化合物としては一部にアルコキシ基を
持つものも含む。しかし、配位子がなく、全てアルコキ
シ基からなるキレート化合物ではないＴｉ及びＺｒのア
ルコキサイドを用いた場合は粘度が増加しゲル化に至り
易い。
【００１０】Ｔｉキレート化合物としては、（Ｃ3Ｈ
7Ｏ）2Ｔｉ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ3Ｈ7
Ｏ）2Ｔｉ・〔Ｏ（ＣＨ2）8Ｏ〕2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2Ｔｉ
・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2Ｔｉ・
〔Ｏ（ＣＨ2）8Ｏ〕2、Ｔｉ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ
3）3等が用いられ、Ｚｒキレート化合物としては、（Ｃ
3Ｈ7Ｏ）2Ｚｒ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ3
Ｈ7Ｏ）2Ｚｒ・〔Ｏ（ＣＨ2 ）8Ｏ〕2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2
Ｚｒ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2Ｚ
ｒ・〔Ｏ（ＣＨ2）8Ｏ〕2、Ｚｒ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯ
ＣＨ3）3等が用いられる。Ｔｉキレート化合物とＺｒキ
レート化合物とは併用してもよい。アルコキシシラン化
合物１モル当たりＴｉキレート化合物及び／又はＺｒキ
レート化合物を０．２５モル〜４モルの範囲で用いるこ
とが好ましい。本発明に用いられる溶媒としては、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミドヘキシレングリコール、ブチ
ルセロソルブ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレ
ングリコール等が挙げられる。シリカ系被膜の製造は前
記シリカ系被膜形成用塗布液を基板上にスピナー、ハ
ケ、スプレー、印刷機等で塗布した後、５０〜１５０℃
で乾燥し、２００〜４００℃で加熱硬化すること、好ま
しくは７０〜１５０℃の温度で乾燥後、２５０〜３５０
℃の温度で加熱硬化させて行われる。熱処理の時間は、
オーブンの場合３０〜９０分、ホットプレートの場合３
〜１０分程度が好ましい。また、形成されるシリカ系被
膜の膜厚は０．０５〜０．１５μｍが好ましい。この様
な方法により本発明シリカ系被膜形成用塗布液を用いて
形成したシリカ系被膜の透明電極保護膜を有する液晶表
示素子により液晶ディスプレーの信頼性は極めて向上す
る。
7Ｏ）2Ｔｉ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ3Ｈ7
Ｏ）2Ｔｉ・〔Ｏ（ＣＨ2）8Ｏ〕2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2Ｔｉ
・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2Ｔｉ・
〔Ｏ（ＣＨ2）8Ｏ〕2、Ｔｉ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ
3）3等が用いられ、Ｚｒキレート化合物としては、（Ｃ
3Ｈ7Ｏ）2Ｚｒ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ3
Ｈ7Ｏ）2Ｚｒ・〔Ｏ（ＣＨ2 ）8Ｏ〕2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2
Ｚｒ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3）2、（Ｃ4Ｈ9Ｏ）2Ｚ
ｒ・〔Ｏ（ＣＨ2）8Ｏ〕2、Ｚｒ・（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯ
ＣＨ3）3等が用いられる。Ｔｉキレート化合物とＺｒキ
レート化合物とは併用してもよい。アルコキシシラン化
合物１モル当たりＴｉキレート化合物及び／又はＺｒキ
レート化合物を０．２５モル〜４モルの範囲で用いるこ
とが好ましい。本発明に用いられる溶媒としては、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミドヘキシレングリコール、ブチ
ルセロソルブ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレ
ングリコール等が挙げられる。シリカ系被膜の製造は前
記シリカ系被膜形成用塗布液を基板上にスピナー、ハ
ケ、スプレー、印刷機等で塗布した後、５０〜１５０℃
で乾燥し、２００〜４００℃で加熱硬化すること、好ま
しくは７０〜１５０℃の温度で乾燥後、２５０〜３５０
℃の温度で加熱硬化させて行われる。熱処理の時間は、
オーブンの場合３０〜９０分、ホットプレートの場合３
〜１０分程度が好ましい。また、形成されるシリカ系被
膜の膜厚は０．０５〜０．１５μｍが好ましい。この様
な方法により本発明シリカ系被膜形成用塗布液を用いて
形成したシリカ系被膜の透明電極保護膜を有する液晶表
示素子により液晶ディスプレーの信頼性は極めて向上す
る。
【００１１】
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。 実施例１ テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＭｅ）4）１３．７０
ｇ（０．０９モル）を５５．５７ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
２９．１４ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした
（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ１．０×１０
-5（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製したシリ
カ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗
布し、ホツトプレート上１５０℃で２分および２５０℃
で５分加熱した。このシリカ系被膜のエンピツ硬度は４
Ｈであり透明電極保護膜として十分な硬さを持っている
ことがわかった。また、膜厚は０．１０μｍであった。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。 実施例１ テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＭｅ）4）１３．７０
ｇ（０．０９モル）を５５．５７ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
２９．１４ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした
（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ１．０×１０
-5（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製したシリ
カ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗
布し、ホツトプレート上１５０℃で２分および２５０℃
で５分加熱した。このシリカ系被膜のエンピツ硬度は４
Ｈであり透明電極保護膜として十分な硬さを持っている
ことがわかった。また、膜厚は０．１０μｍであった。
【００１２】Ｃ液を７℃で保存し、５ケ月経過した時点
で動粘度を測定したところ１．２×１０-5（ｍ2／ｓ）
であった。上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ
エンピツ硬度は４Ｈであり膜厚は０．１０μｍであっ
た。
で動粘度を測定したところ１．２×１０-5（ｍ2／ｓ）
であった。上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ
エンピツ硬度は４Ｈであり膜厚は０．１０μｍであっ
た。
【００１３】実施例２ テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＭｅ）4）１３．７０
ｇ（０．０９モル）を５７．０９ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、チタントリス（アセチルアセトネート）２７．６２
ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした（Ｃ液）。
Ｃ液の動粘度を測定したところ８．０×１０-6（ｍ2／
ｓ）であった。このようにして作製したシリカ系被膜形
成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗布し、ホツ
トプレート上１５０℃で２分および２５０℃で５分加熱
した。このシリカ系被膜のエンピツ硬度は４Ｈであり透
明電極保護被膜として十分な硬さを持っていることがわ
かった。また、膜厚は０．１０μｍであった。
ｇ（０．０９モル）を５７．０９ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、チタントリス（アセチルアセトネート）２７．６２
ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした（Ｃ液）。
Ｃ液の動粘度を測定したところ８．０×１０-6（ｍ2／
ｓ）であった。このようにして作製したシリカ系被膜形
成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗布し、ホツ
トプレート上１５０℃で２分および２５０℃で５分加熱
した。このシリカ系被膜のエンピツ硬度は４Ｈであり透
明電極保護被膜として十分な硬さを持っていることがわ
かった。また、膜厚は０．１０μｍであった。
【００１４】Ｃ液を７℃で保存し、５ケ月経過した時点
で動粘度を測定したところ８．１×１０-6（ｍ2／ｓ）
であった。上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ
エンピツ硬度は４Ｈであり膜厚は０．１０μｍであっ
た。
で動粘度を測定したところ８．１×１０-6（ｍ2／ｓ）
であった。上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ
エンピツ硬度は４Ｈであり膜厚は０．１０μｍであっ
た。
【００１５】実施例３ テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＭｅ）4）１３．７０
ｇ（０．０９モル）を４９．８６ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジブトキシジルコニウムビス（アセチルアセトネー
ト）３４．８５ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はん
した（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ８．０×
１０-6（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製した
シリカ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印
刷塗布し、ホツトプレート上１５０℃で２分および２５
０℃で５分加熱した。このシリカ系被膜のエンピツ硬度
は４Ｈであり透明電極保護被膜として十分な硬さを持っ
ていることがわかった。また、膜厚は０．１０μｍであ
った。
ｇ（０．０９モル）を４９．８６ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジブトキシジルコニウムビス（アセチルアセトネー
ト）３４．８５ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はん
した（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ８．０×
１０-6（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製した
シリカ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印
刷塗布し、ホツトプレート上１５０℃で２分および２５
０℃で５分加熱した。このシリカ系被膜のエンピツ硬度
は４Ｈであり透明電極保護被膜として十分な硬さを持っ
ていることがわかった。また、膜厚は０．１０μｍであ
った。
【００１６】Ｃ液を７℃で保存し、５ケ月経過した時点
で動粘度を測定したところ８．１×１０-6（ｍ2／ｓ）
であった。上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ
エンピツ硬度は４Ｈであり膜厚は０．１０μｍであっ
た。
で動粘度を測定したところ８．１×１０-6（ｍ2／ｓ）
であった。上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ
エンピツ硬度は４Ｈであり膜厚は０．１０μｍであっ
た。
【００１７】比較例１ テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＭｅ）4）１３．７０
ｇ（０．０９モル）を６１．９９ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、テトライソプロピルチタネート２２．７２ｇ（０．
０８モル）を加え１時間撹はんした（Ｃ液）。Ｃ液の動
粘度を測定したところ２．０×１０-5（ｍ2／ｓ）であ
った。このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布
液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗布し、ホツトプレー
ト上１５０℃で２分および２５０℃で５分加熱した。こ
のシリカ系被膜のエンピツ硬度は４Ｈであった。また、
膜厚は０．１０μｍであった。
ｇ（０．０９モル）を６１．９９ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水１．１９ｇ（０．０６６モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、テトライソプロピルチタネート２２．７２ｇ（０．
０８モル）を加え１時間撹はんした（Ｃ液）。Ｃ液の動
粘度を測定したところ２．０×１０-5（ｍ2／ｓ）であ
った。このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布
液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗布し、ホツトプレー
ト上１５０℃で２分および２５０℃で５分加熱した。こ
のシリカ系被膜のエンピツ硬度は４Ｈであった。また、
膜厚は０．１０μｍであった。
【００１８】Ｃ液を７℃で保存し、２カ月経過した時点
で動粘度を測定したところ４．０×１０-5（ｍ2／ｓ）
であり動粘度が増大していることが分かった。実施例１
と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ膜厚は０．２０
μｍで厚膜になっていることが分かった。さらに２カ月
経過した時点では塗布液（Ｃ液）はゲル化していた。
で動粘度を測定したところ４．０×１０-5（ｍ2／ｓ）
であり動粘度が増大していることが分かった。実施例１
と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ膜厚は０．２０
μｍで厚膜になっていることが分かった。さらに２カ月
経過した時点では塗布液（Ｃ液）はゲル化していた。
【００１９】比較例２ テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＭｅ）4）１３．７０
ｇ（０．０９モル）を５５．５７ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水３．２４ｇ（０．１８モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
２９．１４ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした
（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ１．５×１０
-5（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製したシリ
カ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗
布し、ホットプレート上１５０℃で２分および２５０℃
で５分加熱した。このシリカ系被膜の膜厚は０．１０μ
ｍであった。
ｇ（０．０９モル）を５５．５７ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水３．２４ｇ（０．１８モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
２９．１４ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした
（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ１．５×１０
-5（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製したシリ
カ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗
布し、ホットプレート上１５０℃で２分および２５０℃
で５分加熱した。このシリカ系被膜の膜厚は０．１０μ
ｍであった。
【００２０】Ｃ液を７℃で保存し、５カ月経過した時点
で動粘度を測定したところ１．７×１０-5（ｍ2／ｓ）
であり、上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ膜
厚は０．１０μｍであった。
で動粘度を測定したところ１．７×１０-5（ｍ2／ｓ）
であり、上記と同様に印刷塗布、熱硬化させたところ膜
厚は０．１０μｍであった。
【００２１】比較例３ テトラメトキシシラン（Ｓｉ（ＯＭｅ）4）１３．７０
ｇ（０．０９モル）を５２．７１ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水４．０５ｇ（０．２２５モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
２９．１４ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした
（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ１．８×１０
-5（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製したシリ
カ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗
布し、ホットプレート上１５０℃で２分および２５０℃
で５分加熱した。このシリカ系被膜の膜厚は０．１１μ
ｍであった。Ｃ液を７℃で保存し、２カ月経過した時点
で動粘度を測定したところ２．５×１０-5（ｍ2／ｓ）
であり、５カ月経過した時点ではゲル化した。
ｇ（０．０９モル）を５２．７１ｇのヘキシレングリコ
ールに溶解させる（Ａ液）。また、マレイン酸０．４ｇ
を水４．０５ｇ（０．２２５モル）に溶解させる（Ｂ
液）。Ａ液にＢ液を滴下、撹はんする。５時間経過した
後、ジプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
２９．１４ｇ（０．０８モル）を加え１時間撹はんした
（Ｃ液）。Ｃ液の動粘度を測定したところ１．８×１０
-5（ｍ2／ｓ）であった。このようにして作製したシリ
カ系被膜形成用塗布液（Ｃ液）をガラス基板上に印刷塗
布し、ホットプレート上１５０℃で２分および２５０℃
で５分加熱した。このシリカ系被膜の膜厚は０．１１μ
ｍであった。Ｃ液を７℃で保存し、２カ月経過した時点
で動粘度を測定したところ２．５×１０-5（ｍ2／ｓ）
であり、５カ月経過した時点ではゲル化した。
【００２２】
【発明の効果】本発明により、保存安定性の良好なシリ
カ系被膜形成用塗布液を得ることが可能となり、このシ
リカ系被膜形成用塗布液を用い透明電極保護被膜を形成
することにより、信頼性の高い液晶表示素子を製造する
ことができる。
カ系被膜形成用塗布液を得ることが可能となり、このシ
リカ系被膜形成用塗布液を用い透明電極保護被膜を形成
することにより、信頼性の高い液晶表示素子を製造する
ことができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 アルコキシシラン化合物を触媒及び溶媒
の存在下で加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを
合成する際に、アルコキシシラン化合物１モル当たり
０．５モル以上２モル未満の水を添加し、さらにＴｉキ
レート化合物及び／又はＺｒキレート化合物を加えるこ
とを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法。 - 【請求項２】 請求項１記載の製造法により得られるシ
リカ系被膜形成用塗布液。 - 【請求項３】 請求項２記載のシリカ系被膜形成用塗布
液を基板上に塗布し、５０〜１５０℃で乾燥した後、２
００〜４００℃で加熱硬化するシリカ系被膜の製造法。 - 【請求項４】 請求項３記載の製造法により得られるシ
リカ系被膜。 - 【請求項５】 請求項２記載のシリカ系被膜形成用塗布
液を用いて形成した透明電極保護被膜を有する液晶表示
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP111492A JPH05179201A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP111492A JPH05179201A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05179201A true JPH05179201A (ja) | 1993-07-20 |
Family
ID=11492439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP111492A Pending JPH05179201A (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜の製造法、シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成された液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05179201A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0736488A4 (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-18 | Mitsubishi Chem Ind | ULTRA-FINE REACTIVE SILICA PARTICLES, SUSPENSION CONTAINING THE SAME, AND HARD COATING COMPOSITION |
| WO2007119812A1 (ja) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | 亜鉛表面を有する金属部材用非クロム防錆表面処理剤とその防錆皮膜で被覆した亜鉛表面を有する金属部材 |
| CN107678215A (zh) * | 2017-05-24 | 2018-02-09 | 麒麟电子（深圳）有限公司 | Lcd端子的制造工艺及lcd端子 |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP111492A patent/JPH05179201A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0736488A4 (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-18 | Mitsubishi Chem Ind | ULTRA-FINE REACTIVE SILICA PARTICLES, SUSPENSION CONTAINING THE SAME, AND HARD COATING COMPOSITION |
| EP1016625A1 (en) * | 1993-12-21 | 2000-07-05 | Mitsubishi Chemical Corporation | Suspension containing ultrafine reactive silica particles |
| WO2007119812A1 (ja) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | 亜鉛表面を有する金属部材用非クロム防錆表面処理剤とその防錆皮膜で被覆した亜鉛表面を有する金属部材 |
| EP2009073A1 (en) * | 2006-04-18 | 2008-12-31 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | Non-chromate rust-preventive surface treating agent for metallic member having zinc surface, and metallic member having zinc surface coated with the rust-preventive coating film |
| EP2009073A4 (en) * | 2006-04-18 | 2011-08-31 | Inst Tech Precision Elect | CHROMATE FREE ROSE PROTECTION SURFACE TREATMENT FOR METAL ELEMENT WITH ZINC SURFACE AND METAL ELEMENT WITH ZINC SURFACE WITH ANTIFREEZE COATING FILM |
| US8367201B2 (en) | 2006-04-18 | 2013-02-05 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | Chromium-free rust-inhibitive surface treatment agent for metal parts with zinc surfaces and metal parts with zinc surfaces coated with rust-inhibitive surface coated film |
| US8623503B2 (en) | 2006-04-18 | 2014-01-07 | Hoden Seimitsu Kako Kenkyusho Co., Ltd. | Chromium-free rust-inhibitive surface treatment agent for metal parts with zinc surfaces and metal parts with zinc surfaces coated with rust-inhibitive surface coated film |
| JP5566024B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2014-08-06 | 株式会社放電精密加工研究所 | 亜鉛表面を有する金属部材用非クロム防錆表面処理剤とその防錆皮膜で被覆した亜鉛表面を有する金属部材 |
| CN107678215A (zh) * | 2017-05-24 | 2018-02-09 | 麒麟电子（深圳）有限公司 | Lcd端子的制造工艺及lcd端子 |
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