JPH05178333A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH05178333A
JPH05178333A JP3342697A JP34269791A JPH05178333A JP H05178333 A JPH05178333 A JP H05178333A JP 3342697 A JP3342697 A JP 3342697A JP 34269791 A JP34269791 A JP 34269791A JP H05178333 A JPH05178333 A JP H05178333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing
sealing material
assembly
spot
heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP3342697A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoko Nemoto
貴世子 根本
Isao Araki
勲 荒木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3342697A priority Critical patent/JPH05178333A/ja
Publication of JPH05178333A publication Critical patent/JPH05178333A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【構成】組立の完了し、封止を必要とする組立品を、熱
収縮性のフィルムあるいはシ−トよりなる封止材で囲包
し、当該封止材を加熱収縮させて封止を施して成るか、
または当該封止に加えて当該封止品を樹脂封止して成る
半導体装置。 【効果】熱収縮性のフィルムあるいはシ−トよりなる封
止材で封止する形態によれば、封止面が均一にできるの
でインクマ−クの刻印が容易になり、真空吸着でのハン
ドリングが可能になり、また、封止材がシ−ト状になる
ので、その管理、作業性が良くなり、薄型化が容易とな
る。さらに、当該封止に加えて、樹脂封止を施すと、水
分の侵入や外部からの熱応力からチップを保護でき、プ
ラスチックパッケ−ジにおける耐湿性をより一層向上さ
せることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に、その封止技術に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置の樹脂封止の形態に
は、液状樹脂を用いたキャステイング法、ポッテイング
法、ディッピング法、粒状樹脂を用いた低圧トランスフ
ァ成形法がある。テ−プキャリア接続(Tape Au
tomated Bonding,TAB)方式による
パッケ−ジでは、チップの電極上に金属バンプを形成
し、テ−プ上に配線された箔状リ−ドをギャングボンデ
ィングし、その封止の形態として、液状樹脂(レジン)
を点滴・塗布し、キャリアベ−クするポッテイング法が
一般に採用されている。尚、TAB方式によるパッケ−
ジの実装技術や封止形態について記載した文献の例とし
ては、工業調査会発行「電子材料」1985年9月号第
49〜58頁及び同1982年8月号第58〜62頁が
あげられる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例
は、塗布面の均一化や封止範囲の調整が難しく、また、
封止厚にも限界がある。即ち、塗布面の均一化が難しい
ので、パッケ−ジ塗布面にインクマ−クを付与する際に
障害を生じたり、ポッテイングのレジンが流動し、不必
要箇所まで封止してしまったり、また、封止厚も薄厚に
すると機械的強度が不充分となったりする。一方、低圧
トランスファ成形法による封止形態では、耐湿性が不充
分となったりする。本発明はかかる従来技術の有する欠
点を解消し、塗布面の均一化や、封止範囲の調整の容易
性や、封止厚の薄膜化を実現できる技術を提供すること
を目的とする。本発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあき
らかになるであろう。
【0004】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明では、熱収縮性のフィルムあ
るいはシ−トよりなる封止材で、封止を必要とする箇所
を囲包し、当該封止材を加熱収縮させて封止を施してな
る。さらに、当該封止に加えて、樹脂封止を施して成
る。
【0005】
【作用】熱収縮性のフィルムあるいはシ−トよりなる封
止材で封止する形態によれば、封止面が均一にできるの
でインクマ−クの刻印が容易になり、真空吸着でのハン
ドリングが可能になる、また、封止材がシ−ト状になる
ので、その管理、作業性が良くなり、薄型化が容易とな
る。さらに、当該封止に加えて、樹脂封止を施すと、水
分の侵入や外部からの熱応力からチップを保護でき、プ
ラスチックパッケ−ジにおける耐湿性をより一層向上さ
せることができる。
【0006】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。 実施例1.図1は本発明をTAB方式のパッケ−ジの封
止に適用した例を示す。当該TABの例は、図1(a)
に示すように、電極上に金属バンプ1を形成したチップ
2とテ−プ3に配線した箔状リ−ド4をギャングボンデ
ィングしてなる。この組立品5に、同図(b)に示すよ
うに、熱収縮性(ヒ−トシュリンク性)フィルムあるい
はシ−ト状封止材6を巻付ける。当該封止材6は、適宜
大きさの図示で例示するような四辺形(広げた場合)の
ものとする。この状態で、周囲から熱風を吹付けると
か、加熱炉(シュリンク炉)で加熱するとか、熱により
当該封止材6を軟化、収縮させ、前記組立品5表面に密
着させ、封止を行う。
【0007】実施例2.図2は本発明をプラスチックパ
ッケ−ジの封止品に適用した例を示す。同図(a)に示
すように、電極上に金属バンプ1を形成したチップ2と
インナ−リ−ド7をギャングボンディングしたTAB状
のチップをアウタリ−ド8に再びギャングボンディング
し、封止前組立の完了した組立品9とする。該組立品9
のチップ2及びインナ−リ−ド7全体とアウタリ−ド8
の一部とに、実施例1で使用したものと同様の封止材6
を巻付け、実施例1と同様にして封止を行なう(図2
(b))。次いで、同図(c)に示すように、トランス
ファ−モ−ルドを行い、樹脂封止部10を形成する。
【0008】本発明によれば、熱収縮性(ヒ−トシュリ
ンク性)フィルムあるいはシ−ト状封止材6で封止する
ようにしているので、封止面が均一にでき、インクマ−
クの刻印が容易になり、真空吸着でのハンドリングが可
能になる、また、封止材6がシ−ト状になるので、その
管理、作業性が良くなり、薄型化が容易となる。さら
に、プラスチックパッケ−ジの樹脂封止部10内部に使
用した場合、水分の侵入や外部からの熱応力からチップ
2を保護でき、耐湿性が向上する。以上本発明者によっ
てなされた発明を実施例にもとずき具体的に説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはい
うまでもない。以上の説明では主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野であるTA
B方式の半導体装置に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではない。
【0009】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明によれば、TABに使用した
場合封止面が均一にできるのでインクマ−クの刻印が容
易になり、真空吸着でのハンドリングが可能になる、ま
た、封止材がシ−ト状になるので、管理、作業性が良く
なり、薄型化が容易となる。さらに、プラスチックパッ
ケ−ジの内部に使用した場合、水分の侵入や外部からの
熱応力からチップを保護でき、耐湿性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す断面図
【図2】本発明の他の実施例を示す断面図
【符号の説明】
1・・・金属バンプ 2・・・チップ 3・・・テ−プ 4・・・箔状リ−ド 5・・・組立品 6・・・封止材 7・・・インナ−リ−ド 8・・・アウタリ−ド 9・・・組立品 10・・・樹脂封止部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】組立の完了した半導体素子を含む組立品で
    あって、封止を必要とする組立品を、熱収縮性のフィル
    ムあるいはシ−トよりなる封止材で、封止を必要とする
    箇所を囲包し、当該封止材を加熱収縮させて封止を施し
    て成ることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の当該封止材を熱収縮させ
    て第1段階の封止を施すとともに、当該封止品を樹脂封
    止して成ることを特徴とする半導体装置。
JP3342697A 1991-12-25 1991-12-25 半導体装置 Pending JPH05178333A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006186182A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
US8221157B2 (en) * 2009-09-21 2012-07-17 Ideal Industries, Inc. Connector assemblies with integrated wiring diagrams and methods of using the same

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