JP2006186182A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

発光ダイオード及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006186182A
JP2006186182A JP2004379657A JP2004379657A JP2006186182A JP 2006186182 A JP2006186182 A JP 2006186182A JP 2004379657 A JP2004379657 A JP 2004379657A JP 2004379657 A JP2004379657 A JP 2004379657A JP 2006186182 A JP2006186182 A JP 2006186182A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
phosphor
led chip
emitting diode
nonwoven fabric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004379657A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhiko Yamada
龍彦 山田
Toshio Shimada
俊男 嶋田
Toshimichi Nakamura
利道 中村
Seiichi Takahashi
誠一 高橋
Akihiro Kato
陽弘 加藤
Masaharu Wakatsuki
雅晴 若月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okaya Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Okaya Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okaya Electric Industry Co Ltd filed Critical Okaya Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2004379657A priority Critical patent/JP2006186182A/ja
Publication of JP2006186182A publication Critical patent/JP2006186182A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】 蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることができると共に蛍光体の量及び表面積を増大させることのできる高輝度な発光ダイオードを実現する。
【解決手段】 絶縁材料より成る基板12上にLEDチップ14を接続・固定し、該LEDチップ14の一方の電極と一方の外部電極16aとを接続すると共に、LEDチップ14の他方の電極と他方の外部電極16aとを接続し、また、上記LEDチップ14を、多数の繊維24が立体的に絡み合って形成された不織布22で被覆すると共に、該不織布22を構成する繊維24の表面に蛍光体20を担持せしめ、さらに、LEDチップ14及び不織布22を枠部材28で囲繞すると共に、該枠部材28内に透光性材料を充填して形成した透光性の蓋部材30によってLEDチップ14を封止した発光ダイオード10。
【選択図】 図1

Description

この発明は、LEDチップから発光される紫外線等の光を、所定波長の可視光等の光に波長変換して放射する蛍光体を有する発光ダイオード(LED)及びその製造方法に係り、特に、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることができると共に蛍光体の量及び表面積を増大させることのできる高輝度な発光ダイオードと、その製造方法に関する。
図9は、蛍光体を有する従来のLEDの一例を示すものであり、該発光ダイオード60は、発光ダイオードチップ搭載用の第1のリードフレーム62の先端部62aに、その底面から上方に向かって孔径が徐々に拡大する略漏斗形状の凹部を設けると共に該凹部内面を反射面と成してリフレクタ64を形成し、該リフレクタ64の底面に発光ダイオードチップ(以下、LEDチップと称する)66をAgペースト等を介してダイボンドすることにより、上記第1のリードフレーム62と、LEDチップ66底面の一方の電極(図示せず)とを電気的に接続している。また、第2のリードフレーム68の先端部68aと、上記LEDチップ66上面の他方の電極(図示せず)とをボンディングワイヤ70を介して電気的に接続して成る。
上記LEDチップ66の上面及び側面は、リフレクタ64内に充填された透光性エポキシ樹脂等のコーティング材72によって被覆・封止されており、また、上記コーティング材72中には、LEDチップ66から発光された紫外線等の光を所定波長の可視光等の光に変換する波長変換用の蛍光体74が分散状態で多数混入されている。
さらに、コーティング材72で被覆された上記LEDチップ66、第1のリードフレーム62の先端部62a及び端子部62bの上端、第2のリードフレーム68の先端部68a及び端子部68bの上端は、エポキシ樹脂等より成り、先端に凸レンズ部76を有する透光性の外囲器78によって被覆・封止されている。
而して、上記第1のリードフレーム62及び第2のリードフレーム68を介してLEDチップ66に電圧が印加されると、LEDチップ66が発光して紫外線等の光が放射され、この光が上記コーティング材72中の蛍光体74に照射されることにより、所定波長の可視光等の光に波長変換され、波長変換された光が外囲器78の凸レンズ部76で集光されて外部へ放射されるようになっている。
ところで、上記従来のLED60にあっては、蛍光体74で波長変換された光は、コーティング材72中の蛍光体74を透過する透過光となるため、コーティング材72内部を透過してコーティング材72外部へ出射するまでの間に、その一部が蛍光体74によって吸収(自己吸収)されてしまい、光の取出し効率が良好ではなかった。
また、上記蛍光体74から放射される光の輝度は、一般に蛍光体74の量及び表面積に略比例するものであるが、上記従来のLED60にあっては、リフレクタ64内に充填したコーティング材72中に蛍光体74を混入していたことから、混入できる蛍光体74の量には限界があると共に、透過光の場合には、蛍光体74の量・膜厚が一定以上となると自己吸収の影響が大きくなって輝度低下を生じていた。
この発明は、従来の上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的とするところは、蛍光体で波長変換された光の取出し効率を向上させることができると共に蛍光体の量及び表面積を増大させることのできる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法を実現することにある。
上記の目的を達成するため、本発明に係る発光ダイオードは、蛍光体を励起させる波長の光を放射するLEDチップを、繊維の集合体で被覆すると共に、該繊維の集合体に蛍光体を担持させたことを特徴とする。
上記繊維の集合体としては、不織布が好ましく、この場合、不織布を構成する繊維に蛍光体を担持させる。
また、本発明に係る上記発光ダイオードの製造方法は、LEDチップ上に、上記繊維の集合体を配置すると共に、該繊維の集合体を、そのガラス転移点の温度で加熱して軟化収縮させることにより、LEDチップを繊維の集合体で被覆することを特徴とする。
上記繊維の集合体としては、不織布が好ましい。
本発明の発光ダイオードにあっては、LEDチップを繊維の集合体で被覆し、該繊維の集合体に蛍光体を担持させたことから、蛍光体で波長変換される光を、蛍光体で反射された反射光として取り出すことができる。このため、蛍光体で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。しかも、LEDチップが繊維の集合体で被覆されているので、LEDチップから放射されたほぼ全ての光を、蛍光体を担持した繊維の集合体に照射することができる。
また、本発明の発光ダイオードは、単位体積当たりの繊維の表面積が大きい繊維の集合体に蛍光体を担持させたことから、従来の発光ダイオード60の如く、リフレクタ64内に充填したコーティング材72中に蛍光体74を混入した場合に比べ、蛍光体の量及び表面積を増大させることができる。
尚、本発明の発光ダイオードは、蛍光体で波長変換される光を反射光として取り出しているため、蛍光体の量が増大しても、光を透過光として取り出している従来の発光ダイオード60の如く、蛍光体による光の自己吸収に起因する輝度低下を殆ど生じることがない。
多数の繊維が立体的に絡み合って形成された不織布を、上記繊維の集合体として用い、
該不織布を構成する繊維に蛍光体を担持させた場合には、単位体積当たりの繊維の表面積が極めて大きいことから、従来の発光ダイオード60の如く、リフレクタ64内に充填したコーティング材72中に蛍光体74を混入した場合に比べ、蛍光体の量及び表面積を飛躍的に増大させることができる。
本発明の発光ダイオードの製造方法にあっては、繊維の集合体をLEDチップ上に配置すると共に、該繊維の集合体を、そのガラス転移点の温度で加熱すれば、繊維の集合体が軟化収縮してLEDチップを容易に被覆することができる。
以下、図面に基づき、本発明に係る発光ダイオードの実施形態を説明する。
図1は、本発明に係る発光ダイオード10を示すものであり、この発光ダイオード10は、樹脂やセラミック等の絶縁材料より成る基板12上に、LEDチップ14を接続・固定して成る。該LEDチップ14は、窒化ガリウム系半導体結晶等で構成されており、後述する蛍光体を励起させる波長の紫外線や青色可視光等の光を発光するものである。
また、上記基板12の表面から側面を経て裏面にまで延設された一対の外部電極16a,16bが相互に絶縁された状態で形成されている。
上記LEDチップ14上面の一方の電極(図示せず)は、ボンディングワイヤ18を介して、一方の外部電極16aに接続されると共に、LEDチップ14上面の他方の電極(図示せず)は、ボンディングワイヤ18を介して、他方の外部電極16bに接続されている。
また、上記LEDチップ14及びボンディングワイヤ18を、蛍光体20を担持して成る繊維の集合体としての不織布22が密着状態で被覆している。
該不織布22は、図2及び図3に示すように、多数の繊維24が立体的に絡み合って形成されるものであり、繊維24間には多数の空隙26(図3参照)が形成されており、また、多数の繊維24が立体的に絡み合っているため、単位体積当たりの繊維24の表面積が極めて大きいものである。蛍光体20は、不織布22を構成する繊維24の表面に被着・担持されているものであり、図4に示すように、繊維24の表面に、蛍光体20の粒子が多数被着されている。
尚、不織布22を構成する繊維24の繊維密度や、不織布22の厚さ、目付等を適宜調整することにより、不織布22を構成する繊維24の総表面積を任意に増減可能である。
上記繊維24は、ポリプロピレン樹脂やポリエチレン樹脂等、ガラス転移点を有する材料より成る短繊維で構成され、その直径は5〜20μm、長さは0.5〜20mm程度である。上記ポリプロピレン樹脂のガラス転移点は100〜140℃であり、ポリエチレン樹脂のガラス転移点は60〜100℃である。
尚、長さが50〜100mm程度の長繊維から成る繊維24を用いることも勿論可能である。
上記蛍光体20は、紫外線等の光の照射を受けると、この光を所定波長の可視光等の光に波長変換するものであり、例えば以下の組成のものを用いることができる。
紫外線等の光を赤色可視光に変換する赤色発光用の蛍光体20として、MS:Eu(Mは、La、Gd、Yの何れか1種)、0.5MgF・3.5MgO・GeO:Mn、2MgO・2LiO・Sb:Mn、Y(P,V)O4:Eu、YVO4:Eu、(SrMg)3(PO4):Sn、Y:Eu、CaSiO:Pb,Mn等がある。
また、紫外線等の光を緑色可視光に変換する緑色発光用の蛍光体20として、BaMgAl1627:Eu,Mn、ZnSiO4:Mn、(Ce,Tb,Mn)MgAl1119、LaPO4:Ce,Tb、(Ce,Tb)MgAl1119、YSiO:Ce,Tb、ZnS:Cu,Al、ZnS:Cu,Au,Al、(Zn,Cd)S:Cu,Al、SrAl:Eu、SrAl:Eu,Dy、SrAl1425:Eu,Dy、YAl12:Tb、Y(Al,Ga)12:Tb、YAl12:Ce、Y(Al,Ga)12:Ce等がある。
更に、紫外線等の光を青色可視光に変換する青色発光用の蛍光体20として、(SrCaBa)(PO)Cl:Eu、BaMgAl1627:Eu、(SrMg)7:Eu、Sr7:Eu、Sr:Sn、Sr(PO4Cl:Eu、BaMgAl1627:Eu、CaWO4、CaWO4:Pb青色蛍光体、ZnS:Ag,Cl、ZnS:Ag,Al、(Sr,Ca,Mg)10(PO)Cl:Eu等がある。
上記赤色発光用の蛍光体20、緑色発光用の蛍光体20、青色発光用の蛍光体20を適宜選択・混合して用いることで、種々の色の発色が可能である。
また、青色の可視光を放射するLEDチップ14を用いて白色光を得る場合には、LEDチップ14から放射される光を補色としての黄色可視光に変換する黄色発光用の蛍光体24として、YAl12:Ce、YBO:Ce、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga):Eu、BaSiO:Eu、(Sr,Ba)SiO:Eu、SiAlON:Eu等がある。
尚、蛍光体20は、有機、無機の蛍光染料や、有機、無機の蛍光顔料を含むものである。
上記LEDチップ14、ボンディングワイヤ18及び不織布22は、基板12上に配置された所定高さを備えた枠部材28で囲繞されていると共に、該枠部材28内にエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂等の透光性材料を充填して形成された透光性の蓋部材30によって封止されている。
本発明の発光ダイオード10にあっては、一対の外部電極16a,16bを介してLEDチップ14に電圧が印加されると、LEDチップ14が発光して、上記蛍光体20を励起させる紫外線や可視光等の光が放射される。この光が、LEDチップ14を被覆する不織布22に担持された蛍光体20に照射され、所定波長の可視光等の光に波長変換された後、透光性の蓋部材30を透過して外部へ放射されるのである。
而して、本発明の発光ダイオード10にあっては、LEDチップ14を不織布22で被覆し、該不織布22を構成する繊維24の表面に蛍光体20を担持せしめたことから、蛍光体20で波長変換される光を、蛍光体20で反射された反射光として取り出すことができる。このため、蛍光体74で波長変換される光を透過光として取り出していた従来の発光ダイオード60に比べ、光の取出し効率が向上し、高輝度化を図ることができる。しかも、LEDチップ14が不織布22で被覆されているので、LEDチップ14から放射されたほぼ全ての光を、蛍光体20を担持した不織布22に照射することができる。
また、本発明の発光ダイオード10は、単位体積当たりの繊維24の表面積が極めて大きい不織布22を構成する繊維24の表面に蛍光体20を担持せしめたことから、従来の発光ダイオード60の如く、リフレクタ64内に充填したコーティング材72中に蛍光体74を混入した場合に比べ、蛍光体20の量及び表面積を飛躍的に増大させることができる。この場合、本発明の発光ダイオード10は、上記の通り、蛍光体20で波長変換される光を反射光として取り出しているため、蛍光体20の量が増大しても、光を透過光として取り出している従来の発光ダイオード60の如く、蛍光体による光の自己吸収に起因する輝度低下の生じることが殆どない。
上記不織布22に蛍光体20を担持させるには、例えば、蛍光体20の分散樹脂液中に不織布22を浸漬した後乾燥させたり、不織布22の上方から、蛍光体20の分散樹脂液を滴下させることにより、不織布22を構成する繊維24の表面に蛍光体20を被着・担持させれば良い。
以下において、本発明の上記発光ダイオード10の製造方法を、図5乃至図7に基づいて説明する。
先ず、一対の外部電極16a,16bが形成された基板12の表面12a上に、LEDチップ14をダイボンドして接続・固定すると共に、ボンディングワイヤ18を介して、LEDチップ14上面の一方の電極と一方の外部電極16a、LEDチップ14上面の他方の電極と他方の外部電極16bとを接続する。
次に、図5に示すように、蛍光体20を担持して成るシート状の上記不織布22をボンディングワイヤ18上に載置し、以て、LEDチップ14上に、シート状の不織布22を配置する。
次に、図6に示すように、バーナ32等を用いて不織布22を、そのガラス転移点の温度で加熱する。この結果、ポリプロピレン樹脂やポリエチレン樹脂等、ガラス転移点を有する材料より成る繊維24で構成された不織布22が軟化収縮し、LEDチップ14及びボンディングワイヤ18に密着して被覆する(図7)。
その後、基板12上に枠部材28を配置して、LEDチップ14、ボンディングワイヤ18及び不織布22を囲繞した後、枠部材28内に未硬化の透光性材料を所定量充填後、硬化させて蓋部材30を形成することにより、本発明の発光ダイオード10が完成する。
上記製造方法にあっては、ガラス転移点を有する材料より成る繊維24で不織布22を構成しているので、該不織布22をLEDチップ14上に配置した状態で加熱すれば、不織布22が軟化収縮してLEDチップ14及びボンディングワイヤ18を容易に被覆することができる。
尚、図8に示すように、ガラス転移点の小さい材料より成る繊維24で構成された第1の不織布22a上に、これよりガラス転移点の大きい材料より成る繊維24で構成された第2の不織布22bを接着等により積層一体化し、これら第1の不織布22a及び第2の不織布22bを、第1の不織布22aを下側にしてLEDチップ14上に配置した状態で、第1の不織布22aのガラス転移点の温度であり、且つ、第2の不織布22bのガラス転移点未満の温度で加熱することにより、第1の不織布22aを軟化収縮させてLEDチップ14及びボンディングワイヤ18を被覆するようにしても良い。この場合、第1の不織布22aが軟化収縮する際には、第1の不織布22a上に積層された第2の不織布22bも引っ張り込んでLEDチップ14及びボンディングワイヤ18を被覆することとなり、LEDチップ14及びボンディングワイヤ18を確実に被覆することができる。
尚、ガラス転移点の小さい材料としては、例えばポリエチレン樹脂(ガラス転移点は60〜100℃)を用いることができ、ガラス転移点の大きい材料としては、例えばポリプロピレン樹脂(ガラス転移点は100〜140℃)を用いることができる。
上記においては、繊維の集合体として、不織布22を用いた場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、繊維を織り込んで形成した織布を用い、該織布を構成する繊維に蛍光体を担持させても良い。この織布も、不織布22には及ばないものの、単位体積当たりの繊維の表面積が大きいものである。
また、上記においては、不織布22を構成する繊維24の「表面」に蛍光体20を担持せしめた場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、透明な樹脂等より成る透光性の繊維24に粒子状の蛍光体20を練り混むことにより、不織布22を構成する繊維24に蛍光体20を担持させても良い。
この場合、例えば、未硬化状態の透明樹脂中に、粒子状の蛍光体を所定量混合した後、透明樹脂を延伸、硬化させ、その後、所定の長さに切断することにより、蛍光体20が練り混まれた多数の繊維を形成し、斯かる蛍光体20が練り混まれた多数の繊維を用いて不織布22を形成すれば良い。
本発明に係る発光ダイオードを模式的に示す概略断面図である。 蛍光体を担持した不織布を模式的に示す部分拡大図である。 不織布を構成する繊維を模式的に示す拡大図である。 不織布を構成する繊維を模式的に示す断面図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造方法を模式的に示す説明図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造方法を模式的に示す説明図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造方法を模式的に示す説明図である。 本発明に係る発光ダイオードの製造方法を模式的に示す説明図である。 従来の発光ダイオードを模式的に示す概略断面図である。
符号の説明
10 発光ダイオード
12 基板
14 LEDチップ
16a外部電極
16b外部電極
18 ボンディングワイヤ
20 蛍光体
22 不織布
22a第1の不織布
22b第2の不織布
24 繊維
28 枠部材
30 蓋部材


Claims (4)

  1. 蛍光体を励起させる波長の光を放射するLEDチップを、繊維の集合体で被覆すると共に、該繊維の集合体に蛍光体を担持させたことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 上記繊維の集合体が不織布であり、該不織布を構成する繊維に蛍光体を担持させたことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオード。
  3. 請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法であって、上記LEDチップ上に、上記繊維の集合体を配置すると共に、該繊維の集合体を、そのガラス転移点の温度で加熱して軟化収縮させることにより、LEDチップを繊維の集合体で被覆することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
  4. 上記繊維の集合体が不織布であることを特徴とする請求項3に記載の発光ダイオードの製造方法。

JP2004379657A 2004-12-28 2004-12-28 発光ダイオード及びその製造方法 Pending JP2006186182A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004379657A JP2006186182A (ja) 2004-12-28 2004-12-28 発光ダイオード及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004379657A JP2006186182A (ja) 2004-12-28 2004-12-28 発光ダイオード及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006186182A true JP2006186182A (ja) 2006-07-13

Family

ID=36739065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004379657A Pending JP2006186182A (ja) 2004-12-28 2004-12-28 発光ダイオード及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006186182A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090137445A1 (en) * 2006-04-19 2009-05-28 Christian Fabian Inorganic Optical Brightener
JP2010003780A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2010003781A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05178333A (ja) * 1991-12-25 1993-07-20 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002126055A (ja) * 2000-10-24 2002-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 空気清浄器
JP2002176201A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Okaya Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
JP2004297018A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05178333A (ja) * 1991-12-25 1993-07-20 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2002126055A (ja) * 2000-10-24 2002-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 空気清浄器
JP2002176201A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Okaya Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子
JP2004297018A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090137445A1 (en) * 2006-04-19 2009-05-28 Christian Fabian Inorganic Optical Brightener
US8945239B2 (en) * 2006-04-19 2015-02-03 Ciba Corp. Inorganic optical brightener
JP2010003780A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2010003781A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006286999A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2008300460A (ja) 光半導体装置
JP4744913B2 (ja) 発光ダイオード
JP4491213B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2010003788A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP4698986B2 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006286672A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP5227093B2 (ja) 発光ダイオード
JP2010003790A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2011077214A (ja) Ledランプ
JP5085624B2 (ja) 発光ダイオード
JP4241095B2 (ja) 発光ダイオード
JP2006186182A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP4744853B2 (ja) 発光ダイオード
JP2004297018A (ja) 発光ダイオード
JP3159075U (ja) Ledランプ
JP4594023B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP3117306U (ja) 発光ダイオード
JP2010212739A (ja) 発光ダイオード
JP4594027B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP2006286998A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006108511A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006186165A (ja) 発光ダイオード
JP2006108195A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
JP2006060100A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101130