JPH0210758A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0210758A JPH0210758A JP16183788A JP16183788A JPH0210758A JP H0210758 A JPH0210758 A JP H0210758A JP 16183788 A JP16183788 A JP 16183788A JP 16183788 A JP16183788 A JP 16183788A JP H0210758 A JPH0210758 A JP H0210758A
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- Pending
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体チップを樹脂によって封止した半導体
装置に関するものである。
装置に関するものである。
半導体装置の集積回路は、半導体素子が形成されたシリ
コンチップを容器に収納することで製品化されているが
、量産性及び経済性からシリコンチップをモールド樹脂
を用いたプラスチックパッケージに収納した製品が一般
的である。
コンチップを容器に収納することで製品化されているが
、量産性及び経済性からシリコンチップをモールド樹脂
を用いたプラスチックパッケージに収納した製品が一般
的である。
第５図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図であ
る。同図に示すように、表面部に半導体素子が形成され
たシリコンデツプ１がダイパッド２上にハンダ等で接着
されている。このシリコンデツプ１上のポンディングパ
ッドを金、アルミ等の接続用金属細線４を介してリード
ビン３と電気的に接続している。この金属細線４の接続
は熱圧着等により行われる。このように接続されたシリ
コンチップ１をモールド樹脂５により封１することでＩ
Ｃパッケージが完成する。
る。同図に示すように、表面部に半導体素子が形成され
たシリコンデツプ１がダイパッド２上にハンダ等で接着
されている。このシリコンデツプ１上のポンディングパ
ッドを金、アルミ等の接続用金属細線４を介してリード
ビン３と電気的に接続している。この金属細線４の接続
は熱圧着等により行われる。このように接続されたシリ
コンチップ１をモールド樹脂５により封１することでＩ
Ｃパッケージが完成する。
樹脂対１は、シリコンチップ１を中空の金型内に固定し
、１８０℃程度で流体化したエポキシ樹脂等のモールド
樹脂材を、この金型中空内に注入し、室温まで冷却する
ことでモールド樹脂５を成形することで行われる。
、１８０℃程度で流体化したエポキシ樹脂等のモールド
樹脂材を、この金型中空内に注入し、室温まで冷却する
ことでモールド樹脂５を成形することで行われる。
従来の樹脂封止型半導体装置は以上のように構成されて
おり、樹脂封止時において、加熱、冷１１処理を行って
いた。
おり、樹脂封止時において、加熱、冷１１処理を行って
いた。
この加熱、冷却中に、シリコンチップ１の熱膨張係、数
と、モールド樹脂５の熱膨張係数の違いから、封止侵の
モールド樹脂５中に残留応力が発生する。この残留応力
はシリコンチップ表面にＸ方向及びｙ方向への圧縮応力
として作用する。
と、モールド樹脂５の熱膨張係数の違いから、封止侵の
モールド樹脂５中に残留応力が発生する。この残留応力
はシリコンチップ表面にＸ方向及びｙ方向への圧縮応力
として作用する。
第６図はシリコンチップ１の表面部にかかるＸ方向の圧
縮応力である残留応力Ｐｘの強度分布を示した説明図で
ある。同図に示すように、残留応力Ｐはシリコンチップ
１の周辺部が最す強いことがわかる。
縮応力である残留応力Ｐｘの強度分布を示した説明図で
ある。同図に示すように、残留応力Ｐはシリコンチップ
１の周辺部が最す強いことがわかる。
このように、樹脂封１Ｅ型半導体装置は、シリコンチッ
プ１周辺部に強い残留応力Ｐｘを受ける。
プ１周辺部に強い残留応力Ｐｘを受ける。
このため、シリコンチップ１周辺部に形成されたＭＯＳ
トランジスタ、バイポーラトランジスタ及び拡散抵抗等
の半導体素子の電気的特性に悪影響を与えるという問題
点があった。具体的には、ＭＯＳトランジスタの場合に
は閾値電圧（ｖｔｈ）の変化、バイポーラトランジスタ
の場合は電流増幅率（ｈ、−の低下、拡散抵抗の場合は
抵抗値の変動等が挙げられる。このような悪影響は初期
には発生しなくとも動作中に発生ずることも動作寿命試
験等を行うことにより確認されている。
トランジスタ、バイポーラトランジスタ及び拡散抵抗等
の半導体素子の電気的特性に悪影響を与えるという問題
点があった。具体的には、ＭＯＳトランジスタの場合に
は閾値電圧（ｖｔｈ）の変化、バイポーラトランジスタ
の場合は電流増幅率（ｈ、−の低下、拡散抵抗の場合は
抵抗値の変動等が挙げられる。このような悪影響は初期
には発生しなくとも動作中に発生ずることも動作寿命試
験等を行うことにより確認されている。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、封止樹脂の残留応力により半導体チップの表
面の半導体素子の特性に悪影響を与えない樹脂封止型半
導体装置を得ることを目的とする。
たもので、封止樹脂の残留応力により半導体チップの表
面の半導体素子の特性に悪影響を与えない樹脂封止型半
導体装置を得ることを目的とする。
この発明にかかる半導体装置は、半導体チップを樹脂に
よって封止しており、前記半導体チップ、にの外周部に
ｗＪｌｌ？ｊを形成している。
よって封止しており、前記半導体チップ、にの外周部に
ｗＪｌｌ？ｊを形成している。
この発明においては、半導体チップ上の外周部にｉｔＩ
膜層を形成したため、この簿膜層が半導体チップ外周部
にかかる樹脂の残留応力を受けとめることができる。
膜層を形成したため、この簿膜層が半導体チップ外周部
にかかる樹脂の残留応力を受けとめることができる。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例である樹脂封止型半
導体装置を示す断面図、第１図（ｂ）はシリコンチップ
１の上面図である。これら図に示すように、表面部に半
導体素子１ａが形成されたシリコンチップ１がダイパッ
ド２上にハンダ等で接着されている。このシリコンチッ
プ１上の半導体素子１ａの周辺部に薄膜層６を形成して
いる。また、シリコンチップ１表面上のｓｇｖｉｅ内の
ポンディングパッドは金属細線４を介してリードビン３
に接続されている。他の構成、樹脂封止法等は従来と同
じであるので説明は省略する。
導体装置を示す断面図、第１図（ｂ）はシリコンチップ
１の上面図である。これら図に示すように、表面部に半
導体素子１ａが形成されたシリコンチップ１がダイパッ
ド２上にハンダ等で接着されている。このシリコンチッ
プ１上の半導体素子１ａの周辺部に薄膜層６を形成して
いる。また、シリコンチップ１表面上のｓｇｖｉｅ内の
ポンディングパッドは金属細線４を介してリードビン３
に接続されている。他の構成、樹脂封止法等は従来と同
じであるので説明は省略する。
第２図はモールド樹脂５のシリコンチップ１に加わるＸ
方向の残留応力Ｐｘを示している。同図に示すように、
残留応力Ｐｘは、従来同様シリコンチップ１周辺が強い
が、この応力Ｐｘはｉｌ膜層６により充分に受番プとめ
られ、内側にほとんど伝わらないため、薄膜層６内側の
半導体素子１ａには全く悪影響をおよぼすことはない。
方向の残留応力Ｐｘを示している。同図に示すように、
残留応力Ｐｘは、従来同様シリコンチップ１周辺が強い
が、この応力Ｐｘはｉｌ膜層６により充分に受番プとめ
られ、内側にほとんど伝わらないため、薄膜層６内側の
半導体素子１ａには全く悪影響をおよぼすことはない。
なお、薄膜層６の材質は、シリコンチップ１に対する付
着性に富み、残留応力Ｐｘを受けとめるものであれば、
ポリイミド等の有機物でも、窒化シリコン又は酸化シリ
コン等の無機物でもよい。
着性に富み、残留応力Ｐｘを受けとめるものであれば、
ポリイミド等の有機物でも、窒化シリコン又は酸化シリ
コン等の無機物でもよい。
曲者は、ポリイミド樹脂を回転塗布し、焼き締めた後に
写真製版によりパターン形成し、後者は気相成長後に写
真製版により形成する。
写真製版によりパターン形成し、後者は気相成長後に写
真製版により形成する。
第３図、第４図は各々この発明の他の実施例である樹脂
封止型半導体装置のシリコンチップ１上のａｍ層６を示
した上面図である。
封止型半導体装置のシリコンチップ１上のａｍ層６を示
した上面図である。
第３図のように、シリコンチップ１上の半導体素子１ａ
周辺に断続的に薄膜層を形成してもよい。
周辺に断続的に薄膜層を形成してもよい。
また、第４図に示すように、薄膜層６を２重に形成し、
残留応力Ｐ８を受けとめることで、内側への力の伝播を
制御する効果を更に強めてもよい。
残留応力Ｐ８を受けとめることで、内側への力の伝播を
制御する効果を更に強めてもよい。
さらに、３重、４重に薄膜層６を形成することも可能で
ある 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明によれば、半導体チップ
上の外周部に薄膜層を形成したため、この薄ｇＩ層が樹
脂の残留応力を受けとめることで半導体チップ内の半導
体素子を保護するため、この半導体素子の特性には悪影
響を与えない。
ある 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明によれば、半導体チップ
上の外周部に薄膜層を形成したため、この薄ｇＩ層が樹
脂の残留応力を受けとめることで半導体チップ内の半導
体素子を保護するため、この半導体素子の特性には悪影
響を与えない。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例である樹脂封止型半
導体装置を示す断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）で
示した半導体装置のシリコンチップを示す上面図、第２
図は第１図（ａ） 、 （ｂ）で示したシリコンチップ
に加わるモールド樹脂の残留応力を示した説明図、第３
図及び第４図はこの発明の他の実施例を示す説明図、第
５図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す新面図、第６
図は第５図で示したシリコンチップに加わるモールド樹
脂の残留応力を示した説明図である。 図において、１はシリコンデツプ、１ａは半導体素子、
５はモールド樹脂、６は薄膜層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
導体装置を示す断面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）で
示した半導体装置のシリコンチップを示す上面図、第２
図は第１図（ａ） 、 （ｂ）で示したシリコンチップ
に加わるモールド樹脂の残留応力を示した説明図、第３
図及び第４図はこの発明の他の実施例を示す説明図、第
５図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す新面図、第６
図は第５図で示したシリコンチップに加わるモールド樹
脂の残留応力を示した説明図である。 図において、１はシリコンデツプ、１ａは半導体素子、
５はモールド樹脂、６は薄膜層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体チップを樹脂によって封止した半導体装置
において、 前記半導体チップ上の外周部に薄膜層を形成したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16183788A JPH0210758A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16183788A JPH0210758A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210758A true JPH0210758A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15742877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16183788A Pending JPH0210758A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210758A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06166585A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Sanei Riko Kk | 多孔質炭化物及びその製造方法 |
| JP2006165339A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012195454A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP16183788A patent/JPH0210758A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06166585A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Sanei Riko Kk | 多孔質炭化物及びその製造方法 |
| JP2006165339A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4675616B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2011-04-27 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012195454A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
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