JPH05175266A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH05175266A
JPH05175266A JP3338481A JP33848191A JPH05175266A JP H05175266 A JPH05175266 A JP H05175266A JP 3338481 A JP3338481 A JP 3338481A JP 33848191 A JP33848191 A JP 33848191A JP H05175266 A JPH05175266 A JP H05175266A
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JP
Japan
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lead frame
semiconductor element
semiconductor device
tip
connecting wire
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Koji Miyamoto
孝司 宮本
Naoto Ueda
直人 上田
Toshio Takeuchi
利夫 竹内
Seizo Omae
誠蔵 大前
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子の表面に形成された回路の損傷を
防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【構成】 半導体素子１とリードフレーム３との対向面
部の一方に、リードフレーム３が撓み、その先端部が半
導体素子１の表面に当たった際の衝撃を和らげるための
弾性部材７を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、表面に回路を有する
半導体素子の上に複数本のリードフレームを片持ち状態
に配置してなる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３１は、従来の半導体装置を示す斜視
図であり、図において、表面に回路を有する半導体素子
１がダイパット２の上に設置され、この半導体素子１の
上に複数本のリードフレーム３，３が片持ち状態に設置
されている。また、半導体素子１の表面に電極４が形成
され、この電極４と各リードフレーム３とは接続線５に
よってそれぞれ接続されている。
【０００３】図３２および図３３は接続線５を電極４お
よびリードフレーム３に接続する方法を示したもので、
接続線５の配線にはキャピラリ６が使用され、キャピラ
リ６の中心部には貫通孔（図省略）が形成され、この貫
通孔に接続線５が通されている。接続線５は、端部にボ
ールを形成して接続する、いわゆるワイヤボンデング方
式によってリードフレーム３と電極４とに接続されてい
る。すなわち、接続線５の一端に、この部分を電気エネ
ルギーを加え溶融することによりボールを形成するとと
もに半導体素子２の電極４に接触させ、かつ、半導体素
子２の電極４に熱と荷重と超音波振動とを加えることに
よって接続線５の一端を電極４に接続する。
【０００４】かかる場合の電極４の加熱はダイパット２
の下側に配されているヒータ（図省略）によって行い、
荷重および超音波振動はキャピラリ６によって加える。
同様にして、リードフレーム３の先端の上側部に熱と荷
重と超音波振動を加えるとともに、接続線５の反対側端
部をリードフレーム３に接触させ、引きちぎり接続す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成され、リードフレーム３が半導体素子１
の上に片持ち状態に設置されているため、接続線５をリ
ードフレーム３に接続する際に、リードフレーム３にキ
ャピラリ６によって荷重および超音波振動を加えるとリ
ードフレーム３が撓み、リードフレーム３の先端部が半
導体素子１の表面に接触し、半導体素子１表面の回路を
傷つけたり破損したりするという課題があった。この発
明はこのような前記従来の課題を解消するために提案さ
れたもので、半導体素子の回路の損傷を防止し、信頼性
の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項第１項
記載の半導体装置においては、半導体素子とリードフレ
ームとの対向面の一方に緩衝用の弾性部材が設けられて
いる。
【０００７】この発明の請求項第２項記載の半導体装置
においては、リードフレームの一部の肉厚がリードフレ
ームの先端部分を曲がり易くするために薄く形成されて
いる。
【０００８】この発明の請求項第３項記載の半導体装置
においては、リードフレームの一部がリードフレームの
先端部分を曲がり易くするために幅狭く形成されてい
る。
【０００９】この発明の請求項第４項記載の半導体装置
においては、リードフレームの半導体素子との対向面部
に、リードフレームの空気抵抗を大きくするために所定
大きさの凹部が設けられている。
【００１０】この発明の請求項第５項記載の半導体装置
においては、リードフレーム先端の下側部にリードフレ
ーム先端部を半導体素子に面接触させるために凸曲面部
が設けられている。
【００１１】この発明の請求項第６項記載の半導体装置
においては、リードフレームの縁端の下側部にリードフ
レームを半導体素子に面接触させるために凸曲面部が設
けられている。
【００１２】この発明の請求項第７項記載の半導体装置
においては、リードフレームの先端部及び縁端部にリー
ドフレームの下面部の面積を大きくするために末広がり
のテーパ部が設けられている。
【００１３】この発明の請求項第８項記載の半導体装置
においては、リードフレームの先端部にリードフレーム
先端の下面部の面積を大きくするために拡大部が設けら
れている。
【００１４】
【作用】この発明の請求項第１項記載の半導体装置にお
いては、半導体素子とリードフレームとの対向面部の一
方に緩衝用の弾性部材が設けられているため、リードフ
レームが撓み、その先端部が半導体素子の表面に当たっ
た際の衝撃がやわらげられる。
【００１５】この発明の請求項第２項および第３項記載
の半導体装置においては、リードフレームの一部の肉圧
がリードフレームを曲がり易くするために薄く、又は幅
狭く形成されているため、リードフレームが撓み、その
先端部が半導体素子の表面に当たった際にリードフレー
ムの先端部分が簡単に曲がる。
【００１６】この発明の請求項第４項記載の半導体装置
においては、リードフレームの半導体素子との対向面部
に、リードフレームの空気抵抗を大きくするために所定
大きさの凹部が設けられているため、リードフレームが
空気抵抗のために撓みにくくなる。
【００１７】この発明の請求項第５および第６項記載の
半導体装置においては、リードフレーム先端又は縁端部
の下側部にリードフレームを半導体素子に面接触させる
ために凸曲面部が設けられているため、リードフレーム
が撓んだ際のリードフレームの先端部又は縁端部は半導
体素子に面接触する。
【００１８】この発明の請求項第７および第８項記載の
半導体装置においては、リードフレームの先端部にリー
ドフレーム先端の下面部の面積を拡大するために拡大部
を設けるなどしてリードフレーム下面部の面積を大きく
してあるため、リードフレームが撓んだ際、リードフレ
ームは半導体素子に面接触する。
【００１９】
【実施例】実施例１．図１はこの発明の第一実施例を示
す半導体装置の斜視図、図２はその側面図であり、符号
１〜符号５は上記従来装置と全く同一であるため、符号
のみを付し説明を省略する。リードフレーム３先端の下
面部、すなわち、半導体素子１との対向面部に一定範囲
にわたって合成樹脂材やゴムなどからなる所定厚さの緩
衝用の弾性部材７が取り付けられている。このようにリ
ードフレーム３先端の下面部に弾性部材７が取り付けら
れていることにより、リードフレーム３先端の上側部に
接続線５を接続する際に、リードフレーム３が撓み、そ
の先端が半導体素子１の表面に当たっても、その衝撃が
和らげられるため、半導体素子１の表面を傷つけたり破
損することはない（図３参照）。尚、弾性部材７は半導
体素子１の表面に取り付けても同様の効果が得られる
（図４，５参照）。
【００２０】実施例２．図６はこの発明の第２実施例を
示すリードフレーム３先端部分の斜視図である。尚、半
導体素子、ダイパット、電極および接続線は上記従来装
置と全く同一であるため説明を省略する。リードフレー
ム３には、リードフレーム３の先端部分を曲がり易くす
るために接続線５の接続部よりやや内側よりに位置して
肉厚の薄い部分８（以下「薄肉部８という」）が形成さ
れている。薄肉部８はリードフレーム３の下面部にリー
ドフレーム３の幅方向に連続する凹溝部を設けることに
より形成されている。このようにリードフレーム３に薄
肉部８が形成されていることにより、リードフレーム３
に接続線５を接続する際に、リードフレーム３が撓み、
その先端が半導体素子１の表面に触れたとしても、リー
ドフレーム３の薄肉部８より先端部分が、上側に薄肉部
８より簡単に曲げられ、全体が面接触するので、リード
フレーム３によって半導体素子１の表面を傷つけたり破
損することはない（図７参照）。
【００２１】実施例３．図８はこの発明の第３実施例を
示すリードフレーム３の先端部分の斜視図である。尚、
半導体素子、ダイパット、電極および接続線は上記従来
装置と全く同一であるため説明を省略する。リードフレ
ーム３には、リードフレーム３の先端部分を曲がり易く
するために接続線５の接続部よりやや内側よりに位置し
て横幅の狭い部分９（以下「狭小部９という」）が形成
されている。狭小部９はリードフレーム３の左右縁端部
に切欠部を設けるとにより形成されている。このように
リードフレーム３に狭小部９が形成されていることによ
り、リードフレーム３に接続線５を接続する際に、リー
ドフレーム３が撓み、その先端が半導体素子１の表面に
触れたとしても、リードフレーム３の狭小部９より先端
部分が、上側に狭小部９より簡単に曲げられ、全体が面
接触するため、リードフレーム３によって半導体素子１
の表面を傷つけたり破損することはない（図９参照）。
尚、リードフレーム３に、接続線５の接続部よりやや内
側よりに位置して、実施例２および３のものと全く同様
の薄肉部８および狭小部９の両方を形成してもよい（図
１０，図１１参照）。
【００２２】実施例４．図１２はこの発明の第４実施例
を示すリードフレーム３先端部分の斜視図である。尚、
半導体素子、ダイパット、電極および接続線は上記従来
装置と全く同一であるため説明を省略する。リードフレ
ーム３先端の下面部、すなわち、半導体素子１との対向
面部にリードフレーム３の空気抵抗を大きくするために
所定大きさの凹部１０が形成されている。このようにリ
ードフレーム３先端の下面部に凹部１０が形成されてい
ることにより、リードフレーム３に接続線５を接続する
際に、リードフレーム３が空気抵抗のためにきわめて撓
みにくくなり、その先端が半導体素子１の表面に触れに
くくなる。仮に、半導体素子１の表面に触れたとして
も、リードフレーム３の先端部が半導体素子１の表面に
強く当たることはなく半導体素子１の表面を傷つけたり
破損することはない（図１３参照）。尚、凹部１０とと
もに、接続線５の接続部よりやや内側寄りに実施例２と
同様の薄肉部８を形成したり（図１４，１５参照）、実
施例３と同様の狭小部９を形成したり（図１６，１７参
照）、或いは実施例４と同様の薄肉部８および狭小部９
を形成する（１８，１９参照）こともある。
【００２３】実施例５．図２０はこの発明の第５実施例
を示す半導体装置の正面図であり、また、図２１はリー
ドフレーム３先端部分の平面図、図２２はその側面図で
ある。尚、半導体素子、ダイパット、電極および接続線
は上記従来装置と全く同一であるため説明を省略する。
リードフレーム３先端の下側部に半導体素子１の表面に
面接触させるために凸曲面部１１が形成されている。凸
曲面部１１はリードフレーム３の先端部分を上側に若干
折り曲げることにより形成されている。このようにリー
ドフレーム３の先端部に凸曲面部１１が形成されている
ことにより、リードフレーム３に接続線５を接続する際
に、リードフレーム３が撓み、その先端が半導体素子１
の表面に触れたとしても、リードフレーム３の先端部は
半導体素子１の表面に面接触するため、半導体素子１の
表面を傷つけたり破損することはない。尚、凸曲面部１
１はリードフレーム３の製作時にプレス加工によって簡
単に形成することができる。尚、凸曲面部１１はリード
フレーム３の先端および左右縁端双方の下側部に形成す
ることもある（図２３，図２４参照）。かかる場合の凸
曲面部１１はリードフレーム３を打ち抜き加工で製作す
る際に、下側より上側に打ち抜くことによって形成する
ことができる。
【００２４】実施例６．図２５はこの発明の第６実施例
を示すリードフレームの平面図、図２６はその側面図で
ある。尚、半導体素子、ダイパット、電極および接続線
は上記従来装置と全く同一であるため説明を省略する。
リードフレーム３の先端部及び左右縁端部にリードフレ
ーム３の下面部の面積を大きくするために末広がりのテ
ーパ部１２，１２が形成されている。このようにリード
フレーム３の下面部の面積が拡大形成されていることに
より、単位面積当たりの荷重および超音波振動エネルギ
ーが減少するため、リードフレーム３に接続線５を接続
する際に、リードフレーム３が撓み、その先端が半導体
素子１の表面に触れたとき、半導体素子１の表面を傷付
けたり破損するのを防止できる。尚、テ−パ部１２はエ
ッチング加工によって形成することができる。
【００２５】実施例７．図２７および図２９は、この発
明の第７実施例のリードフレーム３の平面図、図２８お
よび図３０はその側面図である。尚、半導体素子、ダイ
パット、電極および接続線は上記従来装置と全く同一で
あるため説明を省略する。リードフレーム３の先端部に
リードフレーム３先端の下面部の面積を大きくするため
に正方形状（図２７，２８参照）または扇形状（図２
９，図３０参照）の拡大部１３が形成されている。この
ようにリードフレーム３の先端部に拡大部１３が形成さ
れていることにより、単位面積当たりの荷重および超音
波振動エネルギーが減少するため、リードフレーム３に
接続線５を接続する際に、リードフレーム３が撓み、そ
の先端が半導体素子１の表面に触れたとしても、半導体
素子１の表面を傷付けたり破損するのを防止することが
できる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の請求項
第１項記載の半導体装置によれば、リードフレーム先端
の下面部に緩衝用の弾性部材が取り付けられているた
め、リードフレームに接続線を接続する際に、リードフ
レームが撓んだとしても、その先端が半導体素子の表面
に当たる衝撃は著しく和らげられるため、半導体素子の
表面を傷つけたり破損するのを防止することができる。
【００２７】また、この発明の請求項第２項および第３
項記載の半導体装置によれば、リードフレームにリード
フレームを曲がり易くするための薄肉部又は狭小部が形
成されているため、リードフレームに接続線を接続する
際に、リードフレームが撓み、その先端が半導体素子の
表面に触れたとしても、リードフレームの薄肉部又は狭
小部より先端部分が、上側に簡単に曲げられ、半導体素
子に面接触するため、リードフレームによって半導体素
子の表面を傷つけたり破損するのを防止することができ
る。
【００２８】また、この発明の請求項第４項記載の半導
体装置によれば、リードフレーム先端の下面部に空気抵
抗を大きくするための所定大の凹部が形成されているた
め、リードフレームに接続線を接続する際に、リードフ
レームが空気抵抗をうけて撓みにくくなり、よって、半
導体素子がリードフレームによって傷つけられたりする
のを防止するこができる。仮に、その先端が半導体素子
の表面に触れたとしても、リードフレームに対する空気
抵抗がきわめて大きいために、リードフレームの先端部
が半導体素子の表面に強く当たることはなく半導体素子
の表面を傷つけたり破損するのを防止することができ
る。
【００２９】また、この発明の請求項第５項および第６
記載の半導体装置によれば、リードフレームの先端部、
又は先端と縁端部の双方にリードフレームを半導体素子
に面接触させるために凸曲面部が形成されているため、
リードフレームに接続線を接続する際に、リードフレー
ムが撓み、その先端が半導体素子の表面に触れたとき、
リードフレームの先端部は半導体素子の表面に面接触す
るため、半導体素子の表面を傷つけたり破損するのを防
止することができる。
【００３０】この発明の請求項第７項および第８項記載
の半導体装置によれば、リードフレーム先端部に拡大部
を設けるなどしてリードフレームの下面部の面積が拡大
されているため、単位面積当たりの荷重および超音波振
動エネルギーが減少し、従って、リードフレームに接続
線を接続する際に、リードフレームが撓み、その先端が
半導体素子の表面に触れたとき、半導体素子の表面を傷
付けたり破損するのを防止することができる。以上、こ
の発明のいずれの請求項にかかる半導体装置よってもリ
ードフレームによる半導体素子の損傷を防止し、品質低
下を防止することができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の斜視図である。
【図２】図１の半導体装置の側面図である。
【図３】接続線の接続方法を示す図１の半導体装置の側
面図である。
【図４】半導体装置の斜視図である。
【図５】図４の半導体装置の側面図である。
【図６】リードフレーム先端部分の斜視図である。
【図７】図６のリードフレームに接続線を接続する接続
方法を示す半導体装置の側面図である。
【図８】リードフレーム先端部分の斜視図である。
【図９】図８のリードフレームに接続線を接続する接続
方法を示す半導体装置の側面図である。
【図１０】リードフレーム先端部分の斜視図である。
【図１１】図１０のリードフレームに接続線を接続する
接続方法を示す半導体装置の側面図である。
【図１２】リードフレーム先端部分の斜視図である。
【図１３】図１２のリードフレームに接続線を接続する
接続方法を示す半導体装置の側面図である。
【図１４】リードフレーム先端部分の斜視図である。
【図１５】図１４のリードフレームに接続線を接続する
接続方法を示す半導体装置の側面図である。
【図１６】リードフレーム先端部分の斜視図である。
【図１７】図１６のリードフレームに接続線を接続する
接続方法を示す半導体装置の側面図である。
【図１８】リードフレーム先端部分の斜視図である。
【図１９】図１８のリードフレームに接続線を接続する
接続方法を示す半導体装置の側面図である。
【図２０】半導体装置の側面図である。
【図２１】リードフレーム先端部分の平面図である。
【図２２】図２１のリードフレーム先端部分の側面図で
ある。
【図２３】リードフレーム先端部分の平面図である。
【図２４】図２３のリードフレーム先端部分の側面図で
ある。
【図２５】リードフレーム先端部分の平面図である。
【図２６】図２５のリードフレーム先端部分の側面図で
ある。
【図２７】リードフレーム先端部分の平面図である。
【図２８】図２７のリードフレーム先端部分の側面図で
ある。
【図２９】リードフレーム先端部分の平面図である。
【図３０】図２９のリードフレーム先端部分の側面図で
ある。
【図３１】従来の半導体装置の斜視図である。
【図３２】図３１の半導体装置の側面図である。
【図３３】接続線の接続方法を示す従来の半導体装置の
側面図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子 ２ ダイパット ３ リードフレーム ５ 接続線 ７ 弾性部材 ８ 肉厚の薄い部分（薄肉部） ９ 横幅の狭い部分（狭小部） １０ 凹部 １１ 凸曲面部 １２ テーパ部 １３ 拡大部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】この発明の請求項第５項記載の半導体装置
においては、リードフレーム先端に上方に向かった曲面
部が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】この発明の請求項第６項記載の半導体装置
においては、リードフレームの縁端に上方に向かった曲
面部が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】この発明の請求項第５および第６項記載の
半導体装置においては、リードフレーム先端又は縁端部
にリードフレームを半導体素子に面接触させるために上
方向に向かった曲面部が形成されているため、リードフ
レームが撓んだ際のリードフレームの先端部又は縁端部
は半導体素子に面接触する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】実施例５．図２０はこの発明の第５実施例
を示す半導体装置の正面図であり、また、図２１はリー
ドフレーム３先端部分の平面図、図２２はその側面図で
ある。尚、半導体素子、ダイパット、電極および接続線
は上記従来装置と全く同一であるため説明を省略する。
リードフレーム３先端の下側部に半導体素子１の表面に
面接触させるために上方に向かって曲げられた曲面部１
１が形成されている。曲面部１１はリードフレーム３の
先端部分を上側に若干折り曲げることにより形成されて
いる。このようにリードフレーム３の先端部に曲面部１
１が形成されていることにより、リードフレーム３に接
続線５を接続する際に、リードフレーム３が撓み、その
先端が半導体素子１の表面に触れたとしても、リードフ
レーム３の先端部は半導体素子１の表面に面接触するた
め、半導体素子１の表面を傷つけたり破損することはな
い。尚、曲面部１１はリードフレーム３の製作時にプレ
ス加工によって簡単に形成することができる。尚、曲面
部１１はリードフレーム３の先端および左右縁端双方の
下側部に形成することもある（図２３，図２４参照）。
かかる場合の曲面部１１はリードフレーム３を打ち抜き
加工で製作する際に、下側より上側に打ち抜くことによ
って形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２９】また、この発明の請求項第５項および第６
記載の半導体装置によれば、リードフレームの先端部、
又は先端と縁端部の双方にリードフレームを半導体素子
に面接触させるため上方に向かって曲げられた曲面部が
形成されているため、リードフレームに接続線を接続す
る際に、リードフレームが撓み、その先端が半導体素子
の表面に触れたとき、リードフレームの先端部は半導体
素子の表面に面接触するため、半導体素子の表面を傷つ
けたり破損するのを防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １ 半導体素子 ２ ダイパット ３ リードフレーム ５ 接続線 ７ 弾性部材 ８ 肉厚の薄い部分（薄肉部） ９ 横幅の狭い部分（狭小部） １０ 凹部 １１ 曲面部 １２ テーパ部 １３ 拡大部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大前 誠蔵 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社北伊丹製作所内

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面に回路を有する半導体素子の上にリ
    ードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記半導体素
    子とリードフレームとを接続線によって接続してなる半
    導体装置において、前記半導体素子と前記リードフレー
    ムとの対向面部の一方に緩衝用の弾性部材を設けたこと
    を特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 表面に回路を有する半導体素子の上にリ
    ードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記半導体素
    子とリードフレームとを接続線によって接続してなる半
    導体装置において、前記リードフレームの一部の肉厚を
    リードフレームの先端部分を曲がり易くするために薄く
    形成したことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項３】 表面に回路を有する半導体素子の上にリ
    ードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記半導体素
    子とリードフレームとを接続線によって接続してなる半
    導体装置において、前記リードフレームの一部をリード
    フレームの先端部分を曲り易くするために幅狭く形成し
    たことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 表面に回路を有する半導体素子の上にリ
    ードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記半導体素
    子とリードフレームとを接続線によって接続してなる半
    導体装置において、前記リードフレームの半導体素子と
    の対向面部に、リードフレームに対する空気抵抗を大き
    くするために凹部を設けたことを特徴とする半導体装
    置。
  5. 【請求項５】 表面に回路を有する半導体素子の上にリ
    ードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記半導体素
    子とリードフレームとを接続線によって接続してなる半
    導体装置において、前記リードフレーム先端の下側部に
    リードフレーム先端部を半導体素子に面接触させるため
    に凸曲面部を設けたことを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項６】 表面に回路を有する半導体素子の上にリ
    ードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記半導体素
    子とリードフレームとを接続線によって接続してなる半
    導体装置において、前記リードフレーム縁端の下側部に
    リードフレームを半導体素子に面接触させるために凸曲
    面部を設けたことを特徴とする半導体装置。
  7. 【請求項７】 表面に回路を有する半導体素子の上にリ
    ードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記半導体素
    子とリードフレームとを接続線によって接続してなる半
    導体装置において、前記リードフレームの先端部及び縁
    端部にリードフレームの下面部の面積を大きくするため
    に末広がりのテーパ部を設けたことを特徴とする半導体
    装置。
  8. 【請求項８】 表面に回路を有する半導体素子の上に複
    数本のリードフレームを片持ち状態に設け、かつ、前記
    半導体素子とリードフレームとを接続線によって接続し
    てなる半導体装置において、前記リードフレームの先端
    部にリードフレーム先端の下面部の面積を大きくするた
    めに拡大部を設けたことを特徴とする半導体装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103472679A (zh) * 2012-06-08 2013-12-25 上海微电子装备有限公司 双工件台长行程测量装置及其使用方法
CN103472691A (zh) * 2013-09-27 2013-12-25 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种曝光机及其控制方法
WO2022209819A1 (ja) * 2021-04-01 2022-10-06 ローム株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法

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