JPH0513645A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0513645A JPH0513645A JP3159297A JP15929791A JPH0513645A JP H0513645 A JPH0513645 A JP H0513645A JP 3159297 A JP3159297 A JP 3159297A JP 15929791 A JP15929791 A JP 15929791A JP H0513645 A JPH0513645 A JP H0513645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- lead
- semiconductor device
- substrate
- bent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱膨張係数が異なるガラスエポキシ樹脂製基
板に半田付けされた後、温度変化が与えられてもクラッ
クが生じない半導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 表面実装型の半導体装置において、リード７
の先端部を２分割して、分割された一方のリード先端7a
をパッケージに対して外方向に、分割された他方のリー
ド先端7bをパッケージに対して内方向に曲げた半導体装
置。
板に半田付けされた後、温度変化が与えられてもクラッ
クが生じない半導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 表面実装型の半導体装置において、リード７
の先端部を２分割して、分割された一方のリード先端7a
をパッケージに対して外方向に、分割された他方のリー
ド先端7bをパッケージに対して内方向に曲げた半導体装
置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、表面実装型の半導体
装置のパッケージ形状に関するものである。
装置のパッケージ形状に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の表面実装型の半導体装置を
示す正面図、図９はその平面図であり、図７は従来の半
導体装置をガラスエポキシ樹脂製基板（以下、基板と記
す）に半田付したリード部の状態を示す図である。図に
おいて、１は内部に半導体素子を樹脂封止したパッケー
ジ本体（以下、パッケージと記す）、２はパッケージ１
の側部から導出された外部リード（以下、リードと記
す）、３は半田、４は半導体装置が実装される基板、５
はリード２と基板４との接着部分である。
示す正面図、図９はその平面図であり、図７は従来の半
導体装置をガラスエポキシ樹脂製基板（以下、基板と記
す）に半田付したリード部の状態を示す図である。図に
おいて、１は内部に半導体素子を樹脂封止したパッケー
ジ本体（以下、パッケージと記す）、２はパッケージ１
の側部から導出された外部リード（以下、リードと記
す）、３は半田、４は半導体装置が実装される基板、５
はリード２と基板４との接着部分である。
【０００３】基板４にパッケージ１を実装する際、パッ
ケージ１の側部から導出されたリード２は、ベンディイ
ング工程でＺ状に先端部が曲げられ、そのリード２の先
端部のパッケージ１の下面と平行な部分５を基板４に半
田３により接着して行われる。
ケージ１の側部から導出されたリード２は、ベンディイ
ング工程でＺ状に先端部が曲げられ、そのリード２の先
端部のパッケージ１の下面と平行な部分５を基板４に半
田３により接着して行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、高密度化・薄型
化等からThin Smoll Outlive Package（以下、ＴＳＯＰ
と記す）が多用されるようになっている。このＴＳＯＰ
のようにモールド厚の薄いパッケージ１においては、パ
ッケージ１の体積が小さいため、内部における半導体素
子の体積がパッケージ１の体積に占める割合が大きい。
この熱的特性は、ＴＳＯＰ型のパッケージ１の熱膨張熱
係数が約0.78×10-5／℃（Ｓ−RAM の場合）であり、一
方、基板４の熱膨張係数が1.2 〜1.7 ×10-5／℃であ
り、それらに大きな差異がある。
化等からThin Smoll Outlive Package（以下、ＴＳＯＰ
と記す）が多用されるようになっている。このＴＳＯＰ
のようにモールド厚の薄いパッケージ１においては、パ
ッケージ１の体積が小さいため、内部における半導体素
子の体積がパッケージ１の体積に占める割合が大きい。
この熱的特性は、ＴＳＯＰ型のパッケージ１の熱膨張熱
係数が約0.78×10-5／℃（Ｓ−RAM の場合）であり、一
方、基板４の熱膨張係数が1.2 〜1.7 ×10-5／℃であ
り、それらに大きな差異がある。
【０００５】基板４に半田付されたパッケージに熱スト
レスが加えられるとＴＳＯＰ型のパッケージ１では基板
４とパッケージ１の熱膨張に差異があるため、パッケー
ジのリード２と半田３との接着部分５に応力が加わり、
図11に示すようにクラック６が生じリード７と基板４が
離れてしまうという問題点があった。
レスが加えられるとＴＳＯＰ型のパッケージ１では基板
４とパッケージ１の熱膨張に差異があるため、パッケー
ジのリード２と半田３との接着部分５に応力が加わり、
図11に示すようにクラック６が生じリード７と基板４が
離れてしまうという問題点があった。
【０００６】この発明は上記の様な問題点を解消するた
めになされたもので、基板に半田付された後に熱ストレ
スが加えられても、リードが基板に正常に接合され、信
頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
めになされたもので、基板に半田付された後に熱ストレ
スが加えられても、リードが基板に正常に接合され、信
頼性の高い半導体装置を得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置は、基板に実装されるべき表面実装型の半導体装置の
側面部より導出され、基板と接合されるリードの先端
が、半導体装置の側の内方向と、その反対側の外方向と
に屈曲されたものである。
置は、基板に実装されるべき表面実装型の半導体装置の
側面部より導出され、基板と接合されるリードの先端
が、半導体装置の側の内方向と、その反対側の外方向と
に屈曲されたものである。
【０００８】
【作用】この発明における半導体装置は、リード先端部
がパッケージ側に向く内方向と、それと反対側の外方向
とに向くように形成し、その部分を基板に半田付するよ
うにしたので、基板とパッケージとの熱膨張係数の差異
により生じる応力を分配し相殺するので温度変化があっ
た時にもリードの半田部のクラックが防止される。
がパッケージ側に向く内方向と、それと反対側の外方向
とに向くように形成し、その部分を基板に半田付するよ
うにしたので、基板とパッケージとの熱膨張係数の差異
により生じる応力を分配し相殺するので温度変化があっ
た時にもリードの半田部のクラックが防止される。
【０００９】
【実施例】実施例１．この発明の一実施例を図について
説明する。図１はこの発明の一実施例の半導体装置を示
す正面図、図２はその平面図、図３は図２のＡ方向から
の斜視図であり、図４はこの発明の半導体装置を基板４
に半田付したリード部の状態を拡大して示す図である。
図において、１，３，４は従来の技術に示したものと同
じものであり、７は先端部が２つに分割されたリードで
7aはリード７の２つに分割された一方のリード先端でパ
ッケージ１に対して外方向に曲げられている部分、7bは
２つに分割された他方のリード先端でパッケージ１に対
して内方向に曲げられている部分である。
説明する。図１はこの発明の一実施例の半導体装置を示
す正面図、図２はその平面図、図３は図２のＡ方向から
の斜視図であり、図４はこの発明の半導体装置を基板４
に半田付したリード部の状態を拡大して示す図である。
図において、１，３，４は従来の技術に示したものと同
じものであり、７は先端部が２つに分割されたリードで
7aはリード７の２つに分割された一方のリード先端でパ
ッケージ１に対して外方向に曲げられている部分、7bは
２つに分割された他方のリード先端でパッケージ１に対
して内方向に曲げられている部分である。
【００１０】この発明による半導体装置を基板４に半田
付したリード先端部が図４の様になっており、温度変化
によりパッケージ１と基板４との膨張係数が異なる事に
より生じる応力がリード部に加えられても、リード先端
が二方向に分割されて固定されているため、各々のリー
ド先端部7a，7bにより応力が分配され、相殺されること
によって吸収され、リード２と基板４との間にクラック
が生じる事がない。
付したリード先端部が図４の様になっており、温度変化
によりパッケージ１と基板４との膨張係数が異なる事に
より生じる応力がリード部に加えられても、リード先端
が二方向に分割されて固定されているため、各々のリー
ド先端部7a，7bにより応力が分配され、相殺されること
によって吸収され、リード２と基板４との間にクラック
が生じる事がない。
【００１１】実施例２．実施例１では、各々のリード２
の先端部を２分割してパッケージ１に対して内方向と外
方向とに曲げたものであるが、このものは図５〜図７に
示すように、パッケージ１から導出されているリード２
を交互にパッケージ１に対して内方向と外方向とにそれ
ぞれ曲げたものである。そして、それらリード２、基板
４の先端部を半田付している。実施例３．実施例２のよ
うにリードを交互に、パッケージ１の内方向と外方向と
の相対する方向に曲げるのみでなく、パッケージ１の内
方向と外方向とにほぼ同数となるように曲げを形成さ
せ、要は、リード２に加わる応力を相殺してバランスさ
せるようにすればよく、これらの場合にもしたものでも
よい。この場合にも上記と同様の効果を奏する。
の先端部を２分割してパッケージ１に対して内方向と外
方向とに曲げたものであるが、このものは図５〜図７に
示すように、パッケージ１から導出されているリード２
を交互にパッケージ１に対して内方向と外方向とにそれ
ぞれ曲げたものである。そして、それらリード２、基板
４の先端部を半田付している。実施例３．実施例２のよ
うにリードを交互に、パッケージ１の内方向と外方向と
の相対する方向に曲げるのみでなく、パッケージ１の内
方向と外方向とにほぼ同数となるように曲げを形成さ
せ、要は、リード２に加わる応力を相殺してバランスさ
せるようにすればよく、これらの場合にもしたものでも
よい。この場合にも上記と同様の効果を奏する。
【００１２】実施例３．また、上記実施例では、リード
２がパッケージ１の相対する２方向に付いている半導体
装置について説明したが、リード２がパッケージの４方
向から挿出されるタイプの半導体装置であっても良く、
さらに、一方向から導出されるタイプのものにも適用さ
れるものであり、上記と同様の効果を奏する。
２がパッケージ１の相対する２方向に付いている半導体
装置について説明したが、リード２がパッケージの４方
向から挿出されるタイプの半導体装置であっても良く、
さらに、一方向から導出されるタイプのものにも適用さ
れるものであり、上記と同様の効果を奏する。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば表面実
装型の半導体装置のリードの先端部をパッケージに対し
て内方向と外方向とに曲げた状態として基板に半田付す
るようにしたので、リード先端にストレスが加えられて
も、互いに反対方向に曲げられたリード先端によりスト
レスが相殺されて、リードと基板との界面が信頼性良く
固着されるという効果がある。
装型の半導体装置のリードの先端部をパッケージに対し
て内方向と外方向とに曲げた状態として基板に半田付す
るようにしたので、リード先端にストレスが加えられて
も、互いに反対方向に曲げられたリード先端によりスト
レスが相殺されて、リードと基板との界面が信頼性良く
固着されるという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体装置の正面図
である。
である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図２のリード部をＡ方向から見た拡大図であ
る。
る。
【図４】図３のリード部を基板に半田付した状態の拡大
図である。
図である。
【図５】この発明の他の実施例による半導体装置の正面
図である。
図である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】図６のリード部をＢ方向から見た拡大図であ
る。
る。
【図８】従来の半導体装置の正面図である。
【図９】図８の平面図である。
【図１０】図８のリード部を基板に半田付した状態の拡
大図である。
大図である。
【図１１】図10のリードと基板との界面にクラックが生
じた例を示す断面図である。
じた例を示す断面図である。
１ パッケージ ２ リード ４ 基板 ７ リード
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年９月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】図８は従来の表面実装型の半導体装置を
示す正面図、図９はその平面図であり、図10は従来の半
導体装置をガラスエポキシ樹脂製基板（以下、基板と記
す）に半田付したリード部の状態を示す図である。図に
おいて、１は内部に半導体素子を樹脂封止したパッケー
ジ本体（以下、パッケージと記す）、２はパッケージ１
の側部から導出された外部リード（以下、リードと記
す）、３は半田、４は半導体装置が実装される基板、５
はリード２と基板４との接着部分である。
示す正面図、図９はその平面図であり、図10は従来の半
導体装置をガラスエポキシ樹脂製基板（以下、基板と記
す）に半田付したリード部の状態を示す図である。図に
おいて、１は内部に半導体素子を樹脂封止したパッケー
ジ本体（以下、パッケージと記す）、２はパッケージ１
の側部から導出された外部リード（以下、リードと記
す）、３は半田、４は半導体装置が実装される基板、５
はリード２と基板４との接着部分である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】基板４にパッケージ１を実装する際には、
パッケージ１の側面から導出されたリード２の先端部の
パッケージ１の下面と平行な部分５を基板４に半田３に
より接着して行われる。
パッケージ１の側面から導出されたリード２の先端部の
パッケージ１の下面と平行な部分５を基板４に半田３に
より接着して行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、高密度化・薄型
化等からThin Small Outline Package（以下、ＴＳＯＰ
と記す）が多用されるようになっている。このＴＳＯＰ
のようにモールド厚の薄いパッケージ１においては、パ
ッケージ１の体積が小さいため、内部における半導体素
子の体積がパッケージ１の体積に占める割合が大きい。
この熱的特性は、ＴＳＯＰ型のパッケージ１の熱膨張熱
係数が約0.78×10-5／℃（Ｓ−ＲＡＭの場合）であり、
一方、基板４の熱膨張係数が1.2 〜1.7×10-5／℃であ
り、それらに大きな差異がある。
化等からThin Small Outline Package（以下、ＴＳＯＰ
と記す）が多用されるようになっている。このＴＳＯＰ
のようにモールド厚の薄いパッケージ１においては、パ
ッケージ１の体積が小さいため、内部における半導体素
子の体積がパッケージ１の体積に占める割合が大きい。
この熱的特性は、ＴＳＯＰ型のパッケージ１の熱膨張熱
係数が約0.78×10-5／℃（Ｓ−ＲＡＭの場合）であり、
一方、基板４の熱膨張係数が1.2 〜1.7×10-5／℃であ
り、それらに大きな差異がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】実施例４．また、上記実施例では、リード
２がパッケージ１の相対する２方向に付いている半導体
装置について説明したが、リード２がパッケージの４方
向から挿出されるタイプの半導体装置であっても良く、
さらに、一方向から導出されるタイプのものにも適用さ
れるものであり、上記と同様の効果を奏する。
２がパッケージ１の相対する２方向に付いている半導体
装置について説明したが、リード２がパッケージの４方
向から挿出されるタイプの半導体装置であっても良く、
さらに、一方向から導出されるタイプのものにも適用さ
れるものであり、上記と同様の効果を奏する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板に実装されるべき表面実装型の半導
体装置の側面部より導出され、基板と接合されるリード
の先端部が、半導体装置の側の内方向と、その反対側の
外方向とに屈曲された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159297A JPH0513645A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3159297A JPH0513645A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513645A true JPH0513645A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15690721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3159297A Pending JPH0513645A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116080A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nec Corp | リード端子及びそれに用いるリードフレーム |
| KR100325290B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2002-02-21 | 김영환 | 초고집적회로 비·엘·피 스택 |
| US9197218B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-11-24 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, electronic apparatus, moving object, and method for manufacturing electronic device |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP3159297A patent/JPH0513645A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09116080A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Nec Corp | リード端子及びそれに用いるリードフレーム |
| KR100325290B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2002-02-21 | 김영환 | 초고집적회로 비·엘·피 스택 |
| US9197218B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-11-24 | Seiko Epson Corporation | Electronic device, electronic apparatus, moving object, and method for manufacturing electronic device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080308 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |