JP2001237358A - パッケージ型二端子半導体装置の構造 - Google Patents
パッケージ型二端子半導体装置の構造Info
- Publication number
- JP2001237358A JP2001237358A JP2000043188A JP2000043188A JP2001237358A JP 2001237358 A JP2001237358 A JP 2001237358A JP 2000043188 A JP2000043188 A JP 2000043188A JP 2000043188 A JP2000043188 A JP 2000043188A JP 2001237358 A JP2001237358 A JP 2001237358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- lead
- lead terminal
- semiconductor chip
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
ド端子1と、この一方のリード端子1における端子部1
aにマウントした半導体チップ3と、先端にこの半導体
チップ3に対して重ね接合される端子部2aを備えた他
方のリード端子2と、前記半導体チップ2の部分をパッ
ケージするモールド部とから成るパッケージ型二端子半
導体装置において、所定の耐曲げ性及び放熱性を確保し
た状態で、小型・軽量化を図る。 【解決手段】 前記他方のリード端子2における端子部
2aの幅寸法W2を、他方のリード端子2の幅寸法W0
よりも狭く、且つ、前記一方のリード端子1における端
子部1aの幅寸法W1の40〜60パーセントにする。
Description
分を合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成るパ
ッケージ型半導体装置のうち、前記一つの半導体チップ
に対して二つのリード端子を備えたパッケージ型二端子
半導体装置の構造に関するものである。
導体装置は、図5、図6及び図7に示すように、金属板
製にて形成した二本のリード端子1′,2′の先端に幅
広の端子部1a′,2a′を一体的に設け、この両リー
ド端子1′,2′のうち一方のリード端子1′における
端子部1a′に半導体チップ3′をマウントする一方、
他方のリード端子2′を、その端子部2a′を前記半導
体チップ3′に対して重ね接合した状態で前記一方のリ
ード端子1′に対して反対方向に延びるように配設し、
前記半導体チップ3′の部分を、熱硬化性合成樹脂製の
モールド部4′にて、前記両リード端子1′,2′の一
部が当該モールド部4′の左右両端面から外向きに突出
するようにパッケージし、前記リード端子1′,2′の
うち前記モールド部4′から突出する部分を、プリント
回路基板等に対して半田付けするという構成にしてい
る。
は、他方のリード端子2′において半導体チップ3′に
重ね接合される端子部2a′の幅寸法W2′を、一方の
リード端子1′において半導体チップ3′がマウントさ
れる幅広の端子部1a′の幅寸法W1′と同じにしてい
るから、以下に述べるような問題があった。
て、前記したように、半導体チップ3′に重ね接合され
る端子部2a′の幅寸法W2′を、半導体チップ3′が
マウントされる幅広の端子部1a′の幅寸法W1′を同
じにするのは、前記半導体チップ3′から両リード端子
1′,2′を介して放熱することの放熱性を所定値以上
に確保することにあるが、このように構成にすると、半
導体チップ3を挟む広幅の両端子部1a,2aにおける
剛性が高くて、曲げ変形が困難であることから、以下に
おいて詳しく説明するように、両リード端子1′,2′
のうちモールド部4′からの突出する部分に曲げ外力が
作用したとき、前記モールド部4′に割れが発生するお
それが大きく、耐曲げ性が低いのである。
を低減して、耐曲げ性を向上することのために、前記モ
ールド部4′における高さ寸法H′及び幅寸法S′のい
ずれか一方又は両方を大きくすることにより、モールド
部4′のうち両端子部1a′,2a′を囲う部分におけ
る肉厚を厚くするように構成しているから、半導体装置
の大型化及び重量のアップを招来するのであった。
すように、他方のリード端子2′における端子部2a′
を、一方のリード端子1′における端子部1a′にマウ
ントした半導体チップ3′に対して重ねない構成にし、
この端子部2a′と半導体チップ3′との間を狭幅のサ
ブリード端子5′にて接続することにより、両リード端
子1′,2′のうちモールド部4′から突出する部分に
曲げ外力が作用したときにおける応力を、前記狭幅のサ
ブリード端子5′において吸収することにより、モール
ド部4′に割れが発生することを低減し、耐曲げ性を向
上することも行われている。
1′,2′とは別体のサブリード端子5′を使用するこ
とのために、製造コストが可成りアップすることに加え
て、半導体チップ3′と他方のリード端子2′とを連結
するサブリード端子5′が狭幅であることに加えて、こ
のサブリード端子5′が他方のリード端子2′と一体で
ないことにより、当該サブリード端子5′を伝って他方
のリード端子2′に至る熱伝達が低いから、他方のリー
ド端子2′からの放熱性が悪くなり、ひいては、半導体
装置におけるパワーの低下を招来するのであった。
的課題とするものである。
るため本発明は、「先端に幅広の端子部を一体的に設け
た金属板製の一方のリード端子と、この一方のリード端
子における端子部にマウントした半導体チップと、先端
にこの半導体チップに対して重ね接合される端子部を一
体的に備えた金属板製の他方のリード端子と、前記半導
体チップの部分を、前記両リード端子の一部が突出する
ようにパッケージした熱硬化性合成樹脂製のモールド部
とから成るパッケージ型二端子半導体装置において、前
記他方のリード端子における端子部の幅寸法を、他方の
リード端子の幅寸法よりも狭く、且つ、前記一方のリー
ド端子における端子部の幅寸法の40〜60パーセント
にする。」という構成にした。
1、図2及び図3の図面について説明する。
前記図5〜図7に示す従来の半導体装置と同様に、金属
板製にて形成した二本のリード端子1,2の先端に端子
部1a,2aを一体的に設け、この両リード端子1,2
のうち一方のリード端子1における端子部1aに半導体
チップ3をマウントする一方、他方のリード端子2を、
その端子部2aを前記半導体チップ3に対して重ね接合
した状態で前記一方のリード端子1に対して反対方向に
延びるように配設し、前記半導体チップ3の部分を、熱
硬化性合成樹脂製のモールド部4にて、前記両リード端
子1,2の一部が当該モールド部4の左右両端面から外
向きに突出するようにパッケージし、前記リード端子
1,2のうち前記モールド部4から突出する部分をプリ
ント回路基板等に対して半田付けするという構成にして
いる。
ード端子1の先端における端子部1aの幅寸法W1を、
一方のリード端子1における幅寸法W0よりも幅広に構
成する一方、前記他方のリード端子2の先端における端
子部2aの幅寸法W2を、他方のリード端子2における
幅寸法W0よりも狭く、且つ、前記一方のリード端子1
における端子部1aの幅寸法W1の40〜60パーセン
ト(W2=(0.4〜0.6)×W1)にするものであ
る。
方のリード端子2における端子部2aの幅寸法W2を、
他方のリード端子2における幅寸法W0よりも狭く、且
つ、前記一方のリード端子1における端子部1aの幅寸
法W1の40〜60パーセントにすることにより、他方
のリード端子2のうち半導体チップ3の上面に接合され
る端子部2aは、一方のリード端子1のうち半導体チッ
プ3をマウントした端子部1aよりも幅狭で、剛性が低
くて、曲げ変形が容易になり、両リード端子1,2のう
ちモールド部4から突出する部分に曲げ外力が作用した
ときにおける応力を、前記狭幅の端子部2aにおいて吸
収することができるから、モールド部4に割れが発生す
ることを確実に低減でき、耐曲げ性を向上できるのであ
り、この耐曲げ性を、前記図5〜図7に示す従来の半導
体装置と同じとした場合、モールド部4のうち前記端子
部2aを囲う部分における肉厚を、耐曲げ性を向上でき
る分だけ、薄くすることができ、ひいては、モールド部
4における高さ寸法H及び幅寸法Sのうちいずれか一方
又は両方を小さくできて、半導体装置の小型・軽量を図
ることができるのである。
における耐曲げ試験は、図4に示すように、所定の長さ
Lにした硬質合成樹脂製のプリント回路基板Aを用意
し、このプリント回路基板Aの上面における中央部分
に、半導体装置を、そのモールド部4の両端から突出す
るリード端子1,2を半田付けすることによって固着
し、この状態で、前記プリント回路基板Aを、その両端
に対して矢印B,Bで示すように曲げ外力を付与するこ
とによって所定の撓み寸法Xだけ弓形に撓み変形し、そ
の撓み変形によって前記モールド部4に割れが発生する
か否かによって行われる。
の構成において、他方のリード端子2の先端における端
子部2aの幅寸法W2を、他方のリード端子2における
幅寸法W0よりも狭く、且つ、前記一方のリード端子1
における端子部1aの幅寸法W1の60パーセント(W
2=0.6×W1)以下にした場合、そのモールド部4
における高さ寸法Hを、前記図5〜図7に示す従来の構
造によるモールド部4′の高さ寸法H′の約0.85に
低くしても、前記曲げ試験において、モールド部4に割
れが発生することが認められなかった。
のリード端子2における端子部2aの幅寸法W2を前記
よりも更に狭くすることにより、耐曲げ性を更に向上で
きるのであったが、その反面、この他方のリード端子2
における端子部2aの幅寸法W2を、一方のリード端子
1における端子部1aの幅寸法W1の40パーセント
(W2=0.4×W1)未満に狭くした場合には、この
端子部2aの幅が狭くなり過ぎ、この端子部2aから他
方のリード端子2への熱伝達が著しく低下し、半導体チ
ップ3から前記他方のリード端子2を伝っての放熱性が
急激に悪化する現象が認められた。
にしたことにより、所定の耐曲げ性と、所定の放熱性を
確保したうえで、しかも、コストのアップを招来するこ
となく、確実に小型・軽量化できる効果を有する。
Claims (1)
- 【請求項1】先端に幅広の端子部を一体的に設けた金属
板製の一方のリード端子と、この一方のリード端子にお
ける端子部にマウントした半導体チップと、先端にこの
半導体チップに対して重ね接合される端子部を一体的に
備えた金属板製の他方のリード端子と、前記半導体チッ
プの部分を、前記両リード端子の一部が突出するように
パッケージした熱硬化性合成樹脂製のモールド部とから
成るパッケージ型二端子半導体装置において、 前記他方のリード端子における端子部の幅寸法を、他方
のリード端子の幅寸法よりも狭く、且つ、前記一方のリ
ード端子における端子部の幅寸法の40〜60パーセン
トにしたことを特徴とするパッケージ型二端子半導体装
置の構造。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000043188A JP2001237358A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | パッケージ型二端子半導体装置の構造 |
US09/783,984 US6576986B2 (en) | 2000-02-21 | 2001-02-16 | Semiconductor device with resin package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000043188A JP2001237358A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | パッケージ型二端子半導体装置の構造 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008136718A Division JP5368008B2 (ja) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | パッケージ型二端子半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001237358A true JP2001237358A (ja) | 2001-08-31 |
Family
ID=18566143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000043188A Pending JP2001237358A (ja) | 2000-02-21 | 2000-02-21 | パッケージ型二端子半導体装置の構造 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6576986B2 (ja) |
JP (1) | JP2001237358A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216736A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018019110A (ja) * | 2017-11-02 | 2018-02-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
EP4258349A1 (en) * | 2022-04-08 | 2023-10-11 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Small outline tvs package structure |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3942500B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2007-07-11 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100738730B1 (ko) | 2005-03-16 | 2007-07-12 | 야마하 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 장치 |
US8680656B1 (en) | 2009-01-05 | 2014-03-25 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package |
US8866004B1 (en) | 2009-06-09 | 2014-10-21 | Amkor Technology, Inc. | Frame interconnect for concentrated photovoltaic module |
EP3174088B1 (en) * | 2015-11-26 | 2020-12-30 | Siyang Grande Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a plastic packaged smd diode |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0233955A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH02126659A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-05-15 | Motorola Inc | 湾曲ボンディング・リードを有する半導体デバイスおよびその形成方法 |
JPH0493055A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Nec Corp | 2端子型半導体装置 |
JPH0685113A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08139241A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Hitachi Ltd | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 |
JPH0936288A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0982865A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Canon Inc | リード端子付きチップダイオード及びこれを用いた太陽電池モジュール |
JPH09129796A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0627959Y2 (ja) * | 1988-10-20 | 1994-07-27 | ローム株式会社 | ダイオード |
US5528079A (en) * | 1991-12-23 | 1996-06-18 | Gi Corporation | Hermetic surface mount package for a two terminal semiconductor device |
JP2747634B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-05-06 | ローム株式会社 | 面実装型ダイオード |
US5821611A (en) | 1994-11-07 | 1998-10-13 | Rohm Co. Ltd. | Semiconductor device and process and leadframe for making the same |
-
2000
- 2000-02-21 JP JP2000043188A patent/JP2001237358A/ja active Pending
-
2001
- 2001-02-16 US US09/783,984 patent/US6576986B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0233955A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH02126659A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-05-15 | Motorola Inc | 湾曲ボンディング・リードを有する半導体デバイスおよびその形成方法 |
JPH0493055A (ja) * | 1990-08-08 | 1992-03-25 | Nec Corp | 2端子型半導体装置 |
JPH0685113A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH08139241A (ja) * | 1994-11-07 | 1996-05-31 | Hitachi Ltd | リードフレームおよびそれを用いた半導体集積回路装置 |
JPH0936288A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0982865A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Canon Inc | リード端子付きチップダイオード及びこれを用いた太陽電池モジュール |
JPH09129796A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216736A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4565634B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2010-10-20 | パナソニック株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2018019110A (ja) * | 2017-11-02 | 2018-02-01 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
EP4258349A1 (en) * | 2022-04-08 | 2023-10-11 | Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co., Ltd. | Small outline tvs package structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20010015486A1 (en) | 2001-08-23 |
US6576986B2 (en) | 2003-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5320612B2 (ja) | 抵抗器 | |
KR100242393B1 (ko) | 반도체 패키지 및 제조방법 | |
US9013030B2 (en) | Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for producing a leadframe | |
JPH1012790A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2001237358A (ja) | パッケージ型二端子半導体装置の構造 | |
JPS62113452A (ja) | パワ−半導体装置 | |
US20080179723A1 (en) | Semiconductor device including a plural chips with protruding edges laminated on a die pad section that has a through section | |
JPH05291467A (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
US5291372A (en) | Integral heat sink-terminal member structure of hybrid integrated circuit assembly and method of fabricating hybrid integrated circuit assembly using such structure | |
JPS6215844A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
JP2591895Y2 (ja) | チップ形電子部品 | |
US5925927A (en) | Reinforced thin lead frames and leads | |
WO1996002943A1 (en) | Thermally enhanced leadframe | |
JP2004140156A (ja) | パッケージ型電子部品におけるリード端子の切断方法 | |
JP3667916B2 (ja) | 樹脂パッケージ型半導体装置、およびその製造方法 | |
JP3546926B2 (ja) | 電子部品の製造方法と同電子部品用座板 | |
JP5653974B2 (ja) | パッケージ型二端子半導体装置 | |
JP5368008B2 (ja) | パッケージ型二端子半導体装置 | |
JPS6329413B2 (ja) | ||
JPH10229001A (ja) | 表面実装型固定抵抗器 | |
JP4235417B2 (ja) | 表面実装型電子部品及びその製造方法 | |
JPS638618B2 (ja) | ||
JP2692656B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
JP2744844B2 (ja) | チップ型ヒューズ | |
JP4003656B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040520 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060807 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080526 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080609 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080704 |