JPH05165225A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- JPH05165225A JPH05165225A JP35198891A JP35198891A JPH05165225A JP H05165225 A JPH05165225 A JP H05165225A JP 35198891 A JP35198891 A JP 35198891A JP 35198891 A JP35198891 A JP 35198891A JP H05165225 A JPH05165225 A JP H05165225A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチング時マスクとして用いたレジ
スト層１を、レジスト残渣を発生することなく除去し、
しかもエッチングガスの残留物による腐食に対するマー
ジンを確保する。 【構成】 ドライエッチング後にエッチングマスクとし
てのレジスト層１を除去する際、上記ドライエッチング
の際化学反応により変質した上記レジスト層表面の変質
部分１ａ、及び上記ドライエッチングの際反応生成物が
上記レジスト層１や被エッチング膜３表面に堆積してで
きた堆積膜２を予め除去するようにした。
スト層１を、レジスト残渣を発生することなく除去し、
しかもエッチングガスの残留物による腐食に対するマー
ジンを確保する。 【構成】 ドライエッチング後にエッチングマスクとし
てのレジスト層１を除去する際、上記ドライエッチング
の際化学反応により変質した上記レジスト層表面の変質
部分１ａ、及び上記ドライエッチングの際反応生成物が
上記レジスト層１や被エッチング膜３表面に堆積してで
きた堆積膜２を予め除去するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレジスト除去方法に関
し、特にドライエッチングの際マスクとして用いたレジ
スト層を除去する方法に関するものである。
し、特にドライエッチングの際マスクとして用いたレジ
スト層を除去する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は例えば従来の半導体装置の製造方
法におけるレジスト除去工程を説明するための断面図で
ある。図において、３は下地基板４上に形成され、ドラ
イエッチングによりパターニングされた被エッチング
膜、１は該被エッチング膜３のエッチングの際マスクと
して用いたレジスト層で、その表面部分１ａはドライエ
ッチング時の化学反応により変質して変質部分１ａがで
きている。また上記レジスト層１及び被エッチング膜３
の側面には堆積膜２が形成されているが、この堆積膜２
はレジストが分解した成分や被エッチング膜，エッチン
グガス等から生じた成分あるいはこれらの反応生成物が
堆積してできたものである。また１ｂは上記レジスト層
１の変質部分１ａ内側のレジスト未変質部分である。
法におけるレジスト除去工程を説明するための断面図で
ある。図において、３は下地基板４上に形成され、ドラ
イエッチングによりパターニングされた被エッチング
膜、１は該被エッチング膜３のエッチングの際マスクと
して用いたレジスト層で、その表面部分１ａはドライエ
ッチング時の化学反応により変質して変質部分１ａがで
きている。また上記レジスト層１及び被エッチング膜３
の側面には堆積膜２が形成されているが、この堆積膜２
はレジストが分解した成分や被エッチング膜，エッチン
グガス等から生じた成分あるいはこれらの反応生成物が
堆積してできたものである。また１ｂは上記レジスト層
１の変質部分１ａ内側のレジスト未変質部分である。
【０００３】次に製造方法について説明する。下地基板
４上に被エッチング膜３を形成した後、該エッチング膜
３上にレジスト膜を形成し、これをリソグラフィ工程に
よってパターニングして所望パターンのレジスト層２を
形成する。その後、該レジスト層２をマスクとして塩素
系またはフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガスを用
いて上記被エッチング膜３を選択的にエッチングする。
この時使用するエッチング装置としては、ＲＩＥ装置や
マグネトロン装置等がある。
４上に被エッチング膜３を形成した後、該エッチング膜
３上にレジスト膜を形成し、これをリソグラフィ工程に
よってパターニングして所望パターンのレジスト層２を
形成する。その後、該レジスト層２をマスクとして塩素
系またはフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガスを用
いて上記被エッチング膜３を選択的にエッチングする。
この時使用するエッチング装置としては、ＲＩＥ装置や
マグネトロン装置等がある。
【０００４】以下にＡｌ（Ｓｉ）Ｃｕ膜（膜厚０．３〜
２．０μｍ）等のＡｌ合金をマグネトロンＲＩＥにより
エッチングする場合のエッチング条件を示す。 ガス：ＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ，ＳｉＣｌ4 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ
4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ エッチング時間：３０〜３００ｓｅｃ ガス組成：ＳｉＣｌ4 ／Ｃｌ2 ／ＣＦ4 ＝20〜80／20〜
80／ 5〜20ｓｃｃｍ
２．０μｍ）等のＡｌ合金をマグネトロンＲＩＥにより
エッチングする場合のエッチング条件を示す。 ガス：ＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ，ＳｉＣｌ4 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ
4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ エッチング時間：３０〜３００ｓｅｃ ガス組成：ＳｉＣｌ4 ／Ｃｌ2 ／ＣＦ4 ＝20〜80／20〜
80／ 5〜20ｓｃｃｍ
【０００５】このようなエッチングを行うと、図２(a)
に示すように、エッチングガスを含むプラズマからの照
射物や解離物、例えばイオン，ラジカル等のエッチング
反応によって生じた反応生成物等により、上記レジスト
層１の上面部が変質して変質部分１ａができたり、レジ
スト層１及び被エッチング膜３の側面に上記反応生成物
等が付着して堆積膜２ができたりする。
に示すように、エッチングガスを含むプラズマからの照
射物や解離物、例えばイオン，ラジカル等のエッチング
反応によって生じた反応生成物等により、上記レジスト
層１の上面部が変質して変質部分１ａができたり、レジ
スト層１及び被エッチング膜３の側面に上記反応生成物
等が付着して堆積膜２ができたりする。
【０００６】その後以下に示すようなアッシング条件で
レジスト層１をアッシング処理して除去する。 ガス：Ｏ2 マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ 圧力：０．１〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：３０〜１２０ｓｅｃ／ｗａｆｅｒ
レジスト層１をアッシング処理して除去する。 ガス：Ｏ2 マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ 圧力：０．１〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：３０〜１２０ｓｅｃ／ｗａｆｅｒ
【０００７】このアッシングの際、レジスト層１は上記
エッチング工程で生じたレジスト変質部分１ａや反応生
成物の堆積膜２等を一部残留したまま濃縮することとな
る。この結果、不揮発のレジスト残渣５ａ，５ｂを残し
てしまう。パターニングされた被エッチング膜３の上面
には糸状の不揮発性のレジスト表面残渣５ａが残り、上
記被エッチング膜３の側壁には、不揮発性のレジスト側
壁残渣５ｂが残る（図２(b) ）。
エッチング工程で生じたレジスト変質部分１ａや反応生
成物の堆積膜２等を一部残留したまま濃縮することとな
る。この結果、不揮発のレジスト残渣５ａ，５ｂを残し
てしまう。パターニングされた被エッチング膜３の上面
には糸状の不揮発性のレジスト表面残渣５ａが残り、上
記被エッチング膜３の側壁には、不揮発性のレジスト側
壁残渣５ｂが残る（図２(b) ）。
【０００８】その後上記Ｏ2 プラズマ等のアッシングで
除去しきれなかったレジスト残渣をウェットエッチング
等により処理するが、上記被エッチング膜３の表面や側
面には図２(c) に示すようにレジスト表面残渣５ａやレ
ジスト側面残渣５ｂの一部が除去されず残ってしまう。
除去しきれなかったレジスト残渣をウェットエッチング
等により処理するが、上記被エッチング膜３の表面や側
面には図２(c) に示すようにレジスト表面残渣５ａやレ
ジスト側面残渣５ｂの一部が除去されず残ってしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体装置の製造方法におけるレジスト除去方法では、ドラ
イエッチング後Ｏ2 プラズマを用いてアッシング処理を
行った場合、上記レジスト層１は、エッチングの際生じ
たレジスト変質部分１ａや反応生成物の堆積膜２が除去
されないまま、その未変質部分１ｂのみがアッシングさ
れることとなって、最終的に濃縮されて、レジスト残渣
５ａ，５ｂとなる。このため続いてウェットエッチ処理
を行っても上記レジスト残渣５ａ，５ｂは完全に除去で
きないという問題点があった。
体装置の製造方法におけるレジスト除去方法では、ドラ
イエッチング後Ｏ2 プラズマを用いてアッシング処理を
行った場合、上記レジスト層１は、エッチングの際生じ
たレジスト変質部分１ａや反応生成物の堆積膜２が除去
されないまま、その未変質部分１ｂのみがアッシングさ
れることとなって、最終的に濃縮されて、レジスト残渣
５ａ，５ｂとなる。このため続いてウェットエッチ処理
を行っても上記レジスト残渣５ａ，５ｂは完全に除去で
きないという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ドライエッチング時マスクとし
て用いたレジスト層を、レジスト残渣を発生することな
く除去することができ、しかもエッチングガスの残留物
による腐食に対するマージンを確保することもできる半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ドライエッチング時マスクとし
て用いたレジスト層を、レジスト残渣を発生することな
く除去することができ、しかもエッチングガスの残留物
による腐食に対するマージンを確保することもできる半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
除去方法は、ドライエッチング後に、該エッチングの際
マスクとして用いたレジスト層を除去する工程として、
上記ドライエッチングの際の化学反応により変質した上
記レジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッチン
グの際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチング膜
表面に堆積して生成された堆積膜を所定の処理条件の下
で除去する第１の工程と、上記レジスト層の未変質部分
を上記処理条件とは異なる処理条件の下で除去する第２
の工程とを有するものである。
除去方法は、ドライエッチング後に、該エッチングの際
マスクとして用いたレジスト層を除去する工程として、
上記ドライエッチングの際の化学反応により変質した上
記レジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッチン
グの際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチング膜
表面に堆積して生成された堆積膜を所定の処理条件の下
で除去する第１の工程と、上記レジスト層の未変質部分
を上記処理条件とは異なる処理条件の下で除去する第２
の工程とを有するものである。
【００１２】またこの発明は上記レジスト除去方法にお
いて、上記第１の工程では、上記レジスト層表面の変質
部分及び堆積膜をフッ素系ガスを微量添加したＯ2 プラ
ズマによりアッシング処理し、上記第２の工程では、上
記レジスト層の未変質部分に湿式処理を、もしくはＯ2
プラズマを用いてアッシング処理を施すものである。
いて、上記第１の工程では、上記レジスト層表面の変質
部分及び堆積膜をフッ素系ガスを微量添加したＯ2 プラ
ズマによりアッシング処理し、上記第２の工程では、上
記レジスト層の未変質部分に湿式処理を、もしくはＯ2
プラズマを用いてアッシング処理を施すものである。
【００１３】さらにこの発明は上記レジスト除去方法に
おいて、上記第１あるいは第２の工程で、真空中での加
熱処理によってドライエッチングの際のエッチングガス
の残留成分を蒸発させるものである。
おいて、上記第１あるいは第２の工程で、真空中での加
熱処理によってドライエッチングの際のエッチングガス
の残留成分を蒸発させるものである。
【００１４】
【作用】この発明においては、ドライエッチング後にエ
ッチングマスクとしてのレジスト層を除去する際、上記
ドライエッチングの際の化学反応により変質した上記レ
ジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッチングの
際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチング膜表面
に堆積して生成された堆積膜を予め除去するようにした
から、エッチング中に生じたレジストの残渣原因となる
残留物を除去することができ、レジスト残渣の発生を低
減できる。
ッチングマスクとしてのレジスト層を除去する際、上記
ドライエッチングの際の化学反応により変質した上記レ
ジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッチングの
際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチング膜表面
に堆積して生成された堆積膜を予め除去するようにした
から、エッチング中に生じたレジストの残渣原因となる
残留物を除去することができ、レジスト残渣の発生を低
減できる。
【００１５】また上記レジスト層の変質部分や堆積膜を
除去する工程の前あるいは後に、真空中での加熱処理に
よってドライエッチング時のエッチングガスの残留成分
を蒸発させるようにしたので、特に被エッチング膜がア
ルミ合金である場合、腐食の原因である塩素の残留分が
低減され、腐食の発生を抑えることができる。
除去する工程の前あるいは後に、真空中での加熱処理に
よってドライエッチング時のエッチングガスの残留成分
を蒸発させるようにしたので、特に被エッチング膜がア
ルミ合金である場合、腐食の原因である塩素の残留分が
低減され、腐食の発生を抑えることができる。
【００１６】
【実施例】以下この発明の実施例を図について説明す
る。図１は、この発明の一実施例によるレジスト除去方
法のプロセスフローを示す図であり、図において３は下
地基板４上にＡｌＳｉＣｕやＡｌＳｉ，ＡｌＣｕといっ
たアルミ合金層を形成し、これをドライエッチングによ
りパターニングして形成された被エッチング膜、１は上
記ドライエッチングの際マスクとして用いたレジスト
層、１ａは該レジスト層１の表面部分がエッチング時の
化学反応により変質してできた変質部分、２は上記レジ
スト層１及び被エッチング膜３の側面に上記エッチング
の際の反応生成物が堆積してできた堆積層である。
る。図１は、この発明の一実施例によるレジスト除去方
法のプロセスフローを示す図であり、図において３は下
地基板４上にＡｌＳｉＣｕやＡｌＳｉ，ＡｌＣｕといっ
たアルミ合金層を形成し、これをドライエッチングによ
りパターニングして形成された被エッチング膜、１は上
記ドライエッチングの際マスクとして用いたレジスト
層、１ａは該レジスト層１の表面部分がエッチング時の
化学反応により変質してできた変質部分、２は上記レジ
スト層１及び被エッチング膜３の側面に上記エッチング
の際の反応生成物が堆積してできた堆積層である。
【００１７】次に製造方法について説明する。従来の方
法と同様、下地基板４上にアルミ合金層を形成した後、
該アルミ合金層上にリソグラフィ工程によって所定パタ
ーンのレジスト層１を形成し、該レジスト層１をマスク
として上記アルミ合金層を選択的にエッチングして被エ
ッチング膜３を形成する（図１(a) ）。この時のエッチ
ング条件を以下に示す。
法と同様、下地基板４上にアルミ合金層を形成した後、
該アルミ合金層上にリソグラフィ工程によって所定パタ
ーンのレジスト層１を形成し、該レジスト層１をマスク
として上記アルミ合金層を選択的にエッチングして被エ
ッチング膜３を形成する（図１(a) ）。この時のエッチ
ング条件を以下に示す。
【００１８】エッチングガス：ＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ，Ｓｉ
Ｃｌ2 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ
Ｃｌ2 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ
【００１９】ここでエッチング装置としては、例えばＲ
ＩＥ装置，マグネトロンＲＩＥ装置等を用いる。エッチ
ング後は、図１(a) に示すように、エッチング時の化学
反応によりレジスト層表面に変質部分１０ができたり、
エッチングガスを含むプラズマからの照射物や解離物，
つまりイオン，ラジカル等から生成された反応生成物等
により、上記レジスト層１及び被エッチング膜３の側面
に堆積膜２が生成されたりする。
ＩＥ装置，マグネトロンＲＩＥ装置等を用いる。エッチ
ング後は、図１(a) に示すように、エッチング時の化学
反応によりレジスト層表面に変質部分１０ができたり、
エッチングガスを含むプラズマからの照射物や解離物，
つまりイオン，ラジカル等から生成された反応生成物等
により、上記レジスト層１及び被エッチング膜３の側面
に堆積膜２が生成されたりする。
【００２０】次に上記レジストの変質部分１ａ及び堆積
膜２を例えばダウンフロー型のアッシャーを用いてＦ系
ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッシングする（図
１(b) ）。この時のアッシング条件を以下に示す。 ガス：Ｏ2 ／ＣＦ4 ガス組成：Ｏ2 ／ＣＦ4 ＝１０００〜４０００／１０〜
１０００ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス圧力：数〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：２０〜４０ｓｅｃ
膜２を例えばダウンフロー型のアッシャーを用いてＦ系
ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッシングする（図
１(b) ）。この時のアッシング条件を以下に示す。 ガス：Ｏ2 ／ＣＦ4 ガス組成：Ｏ2 ／ＣＦ4 ＝１０００〜４０００／１０〜
１０００ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス圧力：数〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：２０〜４０ｓｅｃ
【００２１】上記のようにＦ系ガスを微量添加すること
により、レジスト層表面の変質部分１ａや堆積物２が除
去される。
により、レジスト層表面の変質部分１ａや堆積物２が除
去される。
【００２２】次にレジスト層１の未変質部分１ｂをアッ
シングする（図１(c) ）。この時のアッシングは、例え
ばダウンフロー型のアッシャーを用いて以下の条件で行
う。
シングする（図１(c) ）。この時のアッシングは、例え
ばダウンフロー型のアッシャーを用いて以下の条件で行
う。
【００２３】ガス：Ｏ2 ガス流量：Ｏ2 ＝１０００〜５０００ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ アッシング時間：２０〜３０ｓｅｃ
【００２４】このように本実施例では、被エッチング膜
３のドライエッチング時マスクとして用いたレジスト層
１を除去する際、まず上記レジスト層１の表面の変質部
分１ａ及び被エッチング膜３やレジスト層１の側面の堆
積膜２をＦ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッシ
ングし、その後上記レジスト層１の未変質部分１ｂをＯ
2 プラズマによりアッシングするようにしたので、エッ
チング中に生じたレジストの残渣原因である残留物を除
去することができ、これによりレジスト層１を完全に除
去できる。
３のドライエッチング時マスクとして用いたレジスト層
１を除去する際、まず上記レジスト層１の表面の変質部
分１ａ及び被エッチング膜３やレジスト層１の側面の堆
積膜２をＦ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッシ
ングし、その後上記レジスト層１の未変質部分１ｂをＯ
2 プラズマによりアッシングするようにしたので、エッ
チング中に生じたレジストの残渣原因である残留物を除
去することができ、これによりレジスト層１を完全に除
去できる。
【００２５】図３はこの発明の第２の実施例によるレジ
スト除去方法のプロセスフローを示す図であり、この実
施例は、上記Ｆ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによるア
ッシング処理によって除去しきれなかった残留物を蒸発
させる工程を有する点が上記第１実施例と異なってい
る。
スト除去方法のプロセスフローを示す図であり、この実
施例は、上記Ｆ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによるア
ッシング処理によって除去しきれなかった残留物を蒸発
させる工程を有する点が上記第１実施例と異なってい
る。
【００２６】すなわち、上記第１実施例と同様にして、
下地基板４上のアルミ合金層をレジスト層をマスクとし
てパターニングして被エッチング膜３を形成した後（図
１(a) ）、上記レジスト層１表面の変質部分１ａや該レ
ジスト層１及び被エッチング膜３の側面の堆積膜２をダ
ウンフロー型のアッシャーを用いてＦ系ガス微量添加の
Ｏ2 プラズマでアッシング除去する（図３(b) ）。ここ
でのアッシング条件は以下に示すように上記実施例と同
一である。
下地基板４上のアルミ合金層をレジスト層をマスクとし
てパターニングして被エッチング膜３を形成した後（図
１(a) ）、上記レジスト層１表面の変質部分１ａや該レ
ジスト層１及び被エッチング膜３の側面の堆積膜２をダ
ウンフロー型のアッシャーを用いてＦ系ガス微量添加の
Ｏ2 プラズマでアッシング除去する（図３(b) ）。ここ
でのアッシング条件は以下に示すように上記実施例と同
一である。
【００２７】ガス：Ｏ2 ／ＣＦ4 ガス組成： O /CF4 ＝1000〜4000/10 〜1000ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス圧力：数〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：２０〜４０ｓｅｃ
【００２８】次に、上記レジスト層１及び被エッチング
膜３を真空中で加熱して、上記アッシング工程で除去し
きれなかった、エッチング処理の際の残留物６を蒸発さ
せる（図３(c) ）。この時の加熱条件を以下に示す。
膜３を真空中で加熱して、上記アッシング工程で除去し
きれなかった、エッチング処理の際の残留物６を蒸発さ
せる（図３(c) ）。この時の加熱条件を以下に示す。
【００２９】ガス：Ｎｏｎｅ Ｇａｓ 圧力：〜１Ｔｏｒｒ マイクロ波パワー：０Ｗ 基板温度：〜４００℃ これにより、エッチング後、ウェハに残留する塩素成分
等が低減され、腐食の発生が抑えられる。
等が低減され、腐食の発生が抑えられる。
【００３０】その後上記第１実施例と同様レジスト層１
の未変質部分１ｂをダウンフロー型のアッシャーを用い
てアッシングしてレジスト層１を完全に除去する。この
時のアッシング条件を以下に示す。
の未変質部分１ｂをダウンフロー型のアッシャーを用い
てアッシングしてレジスト層１を完全に除去する。この
時のアッシング条件を以下に示す。
【００３１】ガス：Ｏ2 ガス組成：Ｏ2 ＝１０００〜５０００ｓｃｃｍ μ波：５００〜１５００Ｗ アッシング時間：２０〜ｓｅｃ
【００３２】このように第２の実施例では、ドライエッ
チング時マスクとして用いたレジスト層１の変質部分１
ａや該レジスト層１や被エッチング膜３の側面の堆積膜
２をＦ系ガス微量添加のＯ2 にプラズマでアッシング除
去した後、上記レジスト層１及び被エッチング膜３を真
空中で加熱して、上記アッシング処理により除去しきれ
なかった残留物６を蒸発させるようにしたので、上記実
施例の効果に加えて、被エッチング膜３のドライエッチ
ング後ウェハに残留する塩素成分等が低減されることと
なり、腐食の発生を抑えることができる。
チング時マスクとして用いたレジスト層１の変質部分１
ａや該レジスト層１や被エッチング膜３の側面の堆積膜
２をＦ系ガス微量添加のＯ2 にプラズマでアッシング除
去した後、上記レジスト層１及び被エッチング膜３を真
空中で加熱して、上記アッシング処理により除去しきれ
なかった残留物６を蒸発させるようにしたので、上記実
施例の効果に加えて、被エッチング膜３のドライエッチ
ング後ウェハに残留する塩素成分等が低減されることと
なり、腐食の発生を抑えることができる。
【００３３】なお、上記実施例では、レジスト層１及び
被エッチング膜３の加熱は上記レジストの変質部分１ａ
及び堆積膜２の除去後直ちに行っているが、上記加熱
は、レジスト変質部分１ａ及び堆積膜３の除去前であっ
ても、上記レジスト層１の未変質部分１ｂの除去後であ
ってもよい。
被エッチング膜３の加熱は上記レジストの変質部分１ａ
及び堆積膜２の除去後直ちに行っているが、上記加熱
は、レジスト変質部分１ａ及び堆積膜３の除去前であっ
ても、上記レジスト層１の未変質部分１ｂの除去後であ
ってもよい。
【００３４】また、上記実施例では、レジスト層１の未
変質部分１ｂの除去工程においてＯ2 プラズマによるア
ッシングを用いたが、これはウェットエッチングを用い
てレジスト除去を行ってもよく、上記実施例と同様の効
果が得られる。
変質部分１ｂの除去工程においてＯ2 プラズマによるア
ッシングを用いたが、これはウェットエッチングを用い
てレジスト除去を行ってもよく、上記実施例と同様の効
果が得られる。
【００３５】また、上記実施例では、被エッチング膜が
アルミ合金の場合について説明したが、上記被エッチン
グ膜はＷ，ＷＳｉ，Ｄｏｐｅｄ─Ｐｏｌｙ−Ｓｉ，Ｔｉ
Ｎ，ＴｉＳｉ2 等であってもよい。
アルミ合金の場合について説明したが、上記被エッチン
グ膜はＷ，ＷＳｉ，Ｄｏｐｅｄ─Ｐｏｌｙ−Ｓｉ，Ｔｉ
Ｎ，ＴｉＳｉ2 等であってもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係る半導体装置
の製造方法によれば、ドライエッチング後にエッチング
マスクとしてのレジスト層を除去する際、上記ドライエ
ッチングの際の化学反応により変質した上記レジスト層
表面の変質部分、及び上記ドライエッチングの際反応生
成物が上記レジスト層や被エッチング膜表面に堆積して
できた堆積膜を予め除去するようにしたので、エッチン
グ中に生じたレジストの残渣原因となる残留物を除去す
ることができ、レジスト残渣の発生を低減できる効果が
ある。
の製造方法によれば、ドライエッチング後にエッチング
マスクとしてのレジスト層を除去する際、上記ドライエ
ッチングの際の化学反応により変質した上記レジスト層
表面の変質部分、及び上記ドライエッチングの際反応生
成物が上記レジスト層や被エッチング膜表面に堆積して
できた堆積膜を予め除去するようにしたので、エッチン
グ中に生じたレジストの残渣原因となる残留物を除去す
ることができ、レジスト残渣の発生を低減できる効果が
ある。
【００３７】また上記レジスト層の変質部分や堆積膜を
除去する工程の前あるいは後に、真空中での加熱処理に
よってドライエッチング時のエッチングガスの残留成分
を蒸発させるようにしたので、特に被エッチング膜がア
ルミ合金である場合、腐食の原因である塩素の残留分が
低減され、腐食の発生を抑えることができる効果があ
る。
除去する工程の前あるいは後に、真空中での加熱処理に
よってドライエッチング時のエッチングガスの残留成分
を蒸発させるようにしたので、特に被エッチング膜がア
ルミ合金である場合、腐食の原因である塩素の残留分が
低減され、腐食の発生を抑えることができる効果があ
る。
【図１】この発明の第１の実施例によるレジスト除去方
法に説明するためのプロセスフローを示す図である。
法に説明するためのプロセスフローを示す図である。
【図２】従来のレジスト除去方法のプロセスフローを示
す図である。
す図である。
【図３】この発明の第２の実施例によるレジスト除去方
法に説明するためのプロセスフローを示す図である。
法に説明するためのプロセスフローを示す図である。
【符号の説明】 １ レジスト層 １ａ レジスト変質部分 １ｂ レジスト未変質部分 ２ 堆積膜 ３ 被エッチング膜 ４ 下地基板 ６ 加熱によって蒸発する物質
Claims (5)
- 【請求項１】 ドライエッチング時マスクとして用いた
レジスト層を除去するレジスト除去方法において、 上記エッチング時化学反応により変質した上記レジスト
層表面の変質部分、及び上記エッチング時反応生成物が
上記レジスト層及び下地層上に堆積して生成された堆積
膜を所定の処理条件の下で除去する第１の工程と、 上記レジスト層の未変質部分を上記処理条件とは異なる
処理条件の下で除去する第２の工程とを含むことを特徴
とするレジスト除去方法。 - 【請求項２】 上記第１の工程は、上記レジスト層表面
の変質部分及び堆積膜をフッ素系ガスを微量添加したＯ
2 プラズマによりアッシングする工程であることを特徴
とする請求項１記載のレジスト除去方法。 - 【請求項３】 上記フッ素系ガスは、ＣＦ4 ，ＳＦ6 ，
ＮＦ3 及びＣＨＦ3 のいずれか、またはそれらの混合ガ
スであることを特徴とする請求項２記載のレジスト除去
方法。 - 【請求項４】 上記第２の工程は、上記レジスト層の未
変質部分に湿式処理、もしくはＯ2 プラズマを用いるア
ッシング処理を施す工程であることを特徴とする請求項
１記載のレジスト除去方法。 - 【請求項５】 上記第１及び第２の工程の一方は、真空
中での加熱処理によってドライエッチングの際のエッチ
ングガスの残留成分を蒸発させる工程を有することを特
徴とする請求項１記載のレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351988A JP2746494B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351988A JP2746494B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | レジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05165225A true JPH05165225A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2746494B2 JP2746494B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=18421007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3351988A Expired - Fee Related JP2746494B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2746494B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001196478A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法ならびにフラッシュメモリ |
| JP2012119539A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Ulvac Japan Ltd | ラジカルクリーニング方法及びラジカルクリーニング装置 |
| JP2017017278A (ja) * | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社デンソー | 金属パターンの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227010A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Matsushita Electron Corp | レジストの除去方法および除去装置 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP3351988A patent/JP2746494B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227010A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-08 | Matsushita Electron Corp | レジストの除去方法および除去装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2012119539A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Ulvac Japan Ltd | ラジカルクリーニング方法及びラジカルクリーニング装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2746494B2 (ja) | 1998-05-06 |
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