JPH05159902A - 抵抗素子 - Google Patents
抵抗素子Info
- Publication number
- JPH05159902A JPH05159902A JP3321940A JP32194091A JPH05159902A JP H05159902 A JPH05159902 A JP H05159902A JP 3321940 A JP3321940 A JP 3321940A JP 32194091 A JP32194091 A JP 32194091A JP H05159902 A JPH05159902 A JP H05159902A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film pattern
- resistance
- thin film
- conductive thin
- resistance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】使用中の自己発熱による抵抗値変化を抑えた抵
抗素子を得る。 【構成】基板３表面に抵抗膜パターン１を形成し、抵抗
膜パターン１の表面に電気良導性薄膜４の形成領域と非
形成領域を交互に設ける。 【効果】電気良導性薄膜４の形成領域では、殆ど発熱せ
ず、隣接する電気良導性薄膜非形成領域の熱を効率良く
放熱する。これにより抵抗膜パターンの温度上昇が抑え
られ、抵抗値変化率が抑えられる。
抗素子を得る。 【構成】基板３表面に抵抗膜パターン１を形成し、抵抗
膜パターン１の表面に電気良導性薄膜４の形成領域と非
形成領域を交互に設ける。 【効果】電気良導性薄膜４の形成領域では、殆ど発熱せ
ず、隣接する電気良導性薄膜非形成領域の熱を効率良く
放熱する。これにより抵抗膜パターンの温度上昇が抑え
られ、抵抗値変化率が抑えられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、センサなどに用いら
れる抵抗素子に関する。
れる抵抗素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、基板表面に抵抗膜パターンを形
成した抵抗素子は、温度センサ、湿度センサ、磁気セン
サ、圧力センサまたはガスセンサなど各種センサに用い
られる。このような抵抗膜パターンを用いたセンサは、
検出すべき状態に応じて抵抗値が変化するように構成さ
れている。
成した抵抗素子は、温度センサ、湿度センサ、磁気セン
サ、圧力センサまたはガスセンサなど各種センサに用い
られる。このような抵抗膜パターンを用いたセンサは、
検出すべき状態に応じて抵抗値が変化するように構成さ
れている。
【０００３】従来の一般的な抵抗素子の抵抗膜パターン
の構成を図３および図４に示す。図３は基板表面に形成
したパターンの平面図、図４（Ａ）は図３におけるＡ−
Ａ部分の断面図、図４（Ｂ）は図３におけるＢ−Ｂ部分
の断面図である。両図において１は抵抗膜パターン、２
は抵抗膜パターン１の所定箇所に設けた電極である。
の構成を図３および図４に示す。図３は基板表面に形成
したパターンの平面図、図４（Ａ）は図３におけるＡ−
Ａ部分の断面図、図４（Ｂ）は図３におけるＢ−Ｂ部分
の断面図である。両図において１は抵抗膜パターン、２
は抵抗膜パターン１の所定箇所に設けた電極である。
【０００４】このようなパターンは、基板３表面に所定
の抵抗材料を薄膜形成し、例えばフォトリソグラフィに
より抵抗膜パターンを形成し、同様にして電極膜をパタ
ーン化することによって形成している。このような抵抗
素子は、定電流電源または定電圧電源を接続して、抵抗
効果に基づく検出信号を取り出すように回路を構成して
いる。
の抵抗材料を薄膜形成し、例えばフォトリソグラフィに
より抵抗膜パターンを形成し、同様にして電極膜をパタ
ーン化することによって形成している。このような抵抗
素子は、定電流電源または定電圧電源を接続して、抵抗
効果に基づく検出信号を取り出すように回路を構成して
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
抵抗素子においては、抵抗膜パターンに対する通電時に
抵抗素子が自己発熱して、その温度変化により抵抗値が
変化する。これに対処するために通電量を制限すれば自
己発熱による問題は解消されるが、それに応じて抵抗素
子に接続される回路構成に制約を与えることになる。
抵抗素子においては、抵抗膜パターンに対する通電時に
抵抗素子が自己発熱して、その温度変化により抵抗値が
変化する。これに対処するために通電量を制限すれば自
己発熱による問題は解消されるが、それに応じて抵抗素
子に接続される回路構成に制約を与えることになる。
【０００６】この発明の目的は、通電による抵抗素子の
自己発熱を抑えて、前述の問題を解消した抵抗素子を提
供することにある。
自己発熱を抑えて、前述の問題を解消した抵抗素子を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板表面に
抵抗膜パターンを形成してなる抵抗素子において、抵抗
膜パターンの表面に電気良導性薄膜の形成領域と非形成
領域を交互に設けたことを特徴とする。
抵抗膜パターンを形成してなる抵抗素子において、抵抗
膜パターンの表面に電気良導性薄膜の形成領域と非形成
領域を交互に設けたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】この発明の抵抗素子では、基板表面に形成され
た抵抗膜パターンの表面に、電気良導性薄膜の形成領域
と非形成領域とが交互に設けられている。抵抗膜パター
ンの表面に電気良導性薄膜が形成された領域では、電流
は殆ど電気良導性薄膜部分を通り、電気良導性薄膜形成
領域における抵抗膜による発熱量はごく僅かとなる。一
方、電気良導性薄膜の非形成領域における抵抗膜は通電
により発熱するが、その熱は隣接する電気良導性薄膜を
介して外部へ放熱される。これにより抵抗素子全体の発
熱量は低く抑えられ、自己発熱による抵抗値変化などの
問題が解消される。
た抵抗膜パターンの表面に、電気良導性薄膜の形成領域
と非形成領域とが交互に設けられている。抵抗膜パター
ンの表面に電気良導性薄膜が形成された領域では、電流
は殆ど電気良導性薄膜部分を通り、電気良導性薄膜形成
領域における抵抗膜による発熱量はごく僅かとなる。一
方、電気良導性薄膜の非形成領域における抵抗膜は通電
により発熱するが、その熱は隣接する電気良導性薄膜を
介して外部へ放熱される。これにより抵抗素子全体の発
熱量は低く抑えられ、自己発熱による抵抗値変化などの
問題が解消される。
【０００９】
【実施例】この発明の実施例である抵抗素子の構成を図
１および図２に示す。図１は基板表面に形成したパター
ンの平面図、図２（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ部分の断
面図、図２（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ部分の断面図で
ある。両図において１は抵抗膜パターンであり、図１に
示すように、基板表面にミアンダライン状に形成してい
る。抵抗膜パターン１上の所定箇所には電極２を形成し
ている。また、抵抗膜パターン１の表面には４で示す電
気良導性薄膜を等間隔に形成している。この電気良導性
薄膜４の形成領域では、電流は電気良導性薄膜４部分を
流れ、その下部の抵抗薄膜には殆ど流れず、電気良導性
薄膜の形成領域における抵抗薄膜は抵抗体として作用し
ない。従って、従来構造の抵抗素子と同一抵抗値を得る
ためには、電気良導性薄膜の非形成領域の合計長が従来
構造の抵抗膜パターン長と等しくなるようにパターン寸
法を設計する。抵抗膜パターン１表面に電気良導性薄膜
４を形成した領域では、電流は殆ど電気良導性薄膜４部
分を通り、電気良導性薄膜形成領域における抵抗膜によ
る発熱量はごく僅かとなる。一方、電気良導性薄膜４の
非形成領域における抵抗膜は通電により発熱するが、そ
の熱は隣接する電気良導性薄膜４を介して外部へ放熱さ
れる。これにより抵抗素子全体の発熱量は低く抑えら
れ、自己発熱による抵抗値変化などの問題が解消され
る。
１および図２に示す。図１は基板表面に形成したパター
ンの平面図、図２（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ部分の断
面図、図２（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ部分の断面図で
ある。両図において１は抵抗膜パターンであり、図１に
示すように、基板表面にミアンダライン状に形成してい
る。抵抗膜パターン１上の所定箇所には電極２を形成し
ている。また、抵抗膜パターン１の表面には４で示す電
気良導性薄膜を等間隔に形成している。この電気良導性
薄膜４の形成領域では、電流は電気良導性薄膜４部分を
流れ、その下部の抵抗薄膜には殆ど流れず、電気良導性
薄膜の形成領域における抵抗薄膜は抵抗体として作用し
ない。従って、従来構造の抵抗素子と同一抵抗値を得る
ためには、電気良導性薄膜の非形成領域の合計長が従来
構造の抵抗膜パターン長と等しくなるようにパターン寸
法を設計する。抵抗膜パターン１表面に電気良導性薄膜
４を形成した領域では、電流は殆ど電気良導性薄膜４部
分を通り、電気良導性薄膜形成領域における抵抗膜によ
る発熱量はごく僅かとなる。一方、電気良導性薄膜４の
非形成領域における抵抗膜は通電により発熱するが、そ
の熱は隣接する電気良導性薄膜４を介して外部へ放熱さ
れる。これにより抵抗素子全体の発熱量は低く抑えら
れ、自己発熱による抵抗値変化などの問題が解消され
る。
【００１０】図１および図２に示した構造の抵抗素子を
強磁性体磁気抵抗素子として用いる場合、次のようにし
て製造することができる。先ず、表面酸化されたシリコ
ン基板の全面にＮｉ−Ｆｅの薄膜を蒸着し、フォトリソ
グラフィによりミアンダライン状にパターン化する。次
に、基板表面にＴｉを下層、Ａｕを上層として成膜し、
これを電気良導性薄膜４および電極２として、フォトリ
ソグラフィにより同時にパターン形成する。
強磁性体磁気抵抗素子として用いる場合、次のようにし
て製造することができる。先ず、表面酸化されたシリコ
ン基板の全面にＮｉ−Ｆｅの薄膜を蒸着し、フォトリソ
グラフィによりミアンダライン状にパターン化する。次
に、基板表面にＴｉを下層、Ａｕを上層として成膜し、
これを電気良導性薄膜４および電極２として、フォトリ
ソグラフィにより同時にパターン形成する。
【００１１】以上のように構成した強磁性磁気抵抗素子
の入力電流値に対する抵抗値変化率を従来の素子と比較
して図５に示す。図５においてａは本願発明の実施例に
よる抵抗素子の特性、ｂは従来の抵抗素子の特性であ
る。両抵抗素子は、入力電流値が１ｍＡのときの抵抗値
を基準として抵抗値変化率を求めている。このように抵
抗膜パターンの表面に分布させた電気良導性薄膜の作用
によって、入力電流に対する自己発熱量が少なくなり、
結果として抵抗値変化率も低く抑えられる。
の入力電流値に対する抵抗値変化率を従来の素子と比較
して図５に示す。図５においてａは本願発明の実施例に
よる抵抗素子の特性、ｂは従来の抵抗素子の特性であ
る。両抵抗素子は、入力電流値が１ｍＡのときの抵抗値
を基準として抵抗値変化率を求めている。このように抵
抗膜パターンの表面に分布させた電気良導性薄膜の作用
によって、入力電流に対する自己発熱量が少なくなり、
結果として抵抗値変化率も低く抑えられる。
【００１２】なお、以上に示した実施例では、抵抗膜パ
ターン表面に電気良導性薄膜の形成領域を等間隔に配置
したが、これを例えば、抵抗膜パターンの直線部分の中
央部を密に、両端付近を疎に分布させてもよい。抵抗膜
パターンによる自己発熱量は位置に係わらず略等しい
が、基板またはその他の周囲に対する放熱効率は一般に
周辺部ほど高く、中央部ほど低い。そのため、このよう
に中央部に電気良導性薄膜の形成領域を密に設けること
によって放熱効率を高めることができる。
ターン表面に電気良導性薄膜の形成領域を等間隔に配置
したが、これを例えば、抵抗膜パターンの直線部分の中
央部を密に、両端付近を疎に分布させてもよい。抵抗膜
パターンによる自己発熱量は位置に係わらず略等しい
が、基板またはその他の周囲に対する放熱効率は一般に
周辺部ほど高く、中央部ほど低い。そのため、このよう
に中央部に電気良導性薄膜の形成領域を密に設けること
によって放熱効率を高めることができる。
【００１３】
【発明の効果】この発明によれば、通電による抵抗膜パ
ターンの自己発熱による熱が効率的に放熱され、自己発
熱による抵抗値変化が抑えられる。そのため、抵抗素子
を設計する際の材料およびパターン形状に制約を与え
ず、また接続される回路構成に制約を与えることもなく
なる。
ターンの自己発熱による熱が効率的に放熱され、自己発
熱による抵抗値変化が抑えられる。そのため、抵抗素子
を設計する際の材料およびパターン形状に制約を与え
ず、また接続される回路構成に制約を与えることもなく
なる。
【図１】この発明の実施例である抵抗素子の平面図であ
る。
る。
【図２】この発明の実施例である抵抗素子の断面図であ
り、（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ部分の断面図、（Ｂ）
は図１におけるＢ−Ｂ部分の断面図である。
り、（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ部分の断面図、（Ｂ）
は図１におけるＢ−Ｂ部分の断面図である。
【図３】従来の抵抗素子の平面図である。
【図４】従来の抵抗素子の断面図であり、（Ａ）は図３
におけるＡ−Ａ部分の断面図、（Ｂ）は図３におけるＢ
−Ｂ部分の断面図である。
におけるＡ−Ａ部分の断面図、（Ｂ）は図３におけるＢ
−Ｂ部分の断面図である。
【図５】実施例に係る抵抗素子の入力電流値に対する抵
抗値変化率の特性を、従来構造の抵抗素子と比較して表
した図である。
抗値変化率の特性を、従来構造の抵抗素子と比較して表
した図である。
１−抵抗膜パターン ２−電極 ３−基板 ４−電気良導性薄膜
フロントページの続き (72)発明者 中川 卓二 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 井上 敬三 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 吉川 寛 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (1)
- 【請求項１】基板表面に抵抗膜パターンを形成してなる
抵抗素子において、 抵抗膜パターンの表面に電気良導性薄膜の形成領域と非
形成領域を交互に設けたことを特徴とする抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3321940A JPH05159902A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3321940A JPH05159902A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05159902A true JPH05159902A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18138122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3321940A Pending JPH05159902A (ja) | 1991-12-05 | 1991-12-05 | 抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05159902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011149949A (ja) * | 2002-11-27 | 2011-08-04 | Robert Bosch Gmbh | 磁気抵抗センサ素子および磁気抵抗センサ素子の角度誤差を低減する方法 |
| WO2020050445A1 (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 주식회사 웨이브피아 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
-
1991
- 1991-12-05 JP JP3321940A patent/JPH05159902A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011149949A (ja) * | 2002-11-27 | 2011-08-04 | Robert Bosch Gmbh | 磁気抵抗センサ素子および磁気抵抗センサ素子の角度誤差を低減する方法 |
| WO2020050445A1 (ko) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 주식회사 웨이브피아 | 패키지 레벨에서 온도 모니터링이 가능한 알에프 소자 패키지 |
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