JP2005505750A - 磁場を測定するためのセンサ及びそのセンサの調整方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板と、基板上にブリッジ形態で位置された第1の磁気素子、第2の磁気素子、第3の磁気素子、第4の磁気素子とを備え、第1の接点と第2の接点との間には、第1の磁気素子および第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部と、第3の磁気素子および第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部とが位置されている、磁場を測定するためのセンサに関する。
【0002】
また、本発明は、第1の磁気素子と、第2の磁気素子と、第3の磁気素子と、第4の磁気素子とが基板上にブリッジ形態で位置され、第1の接点と第2の接点との間には、第1の磁気素子および第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部と、第3の磁気素子および第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部とが位置され、第1の磁気素子と第2の磁気素子との間に第1の出力接点が位置され、第3の磁気素子と第4の磁気素子との間に第2の出力接点が位置され、第1の接点と第2の接点との間に電圧が印加される、磁場を測定するためのセンサを調整する方法に関する。
【0003】
EP0710850は、磁場を測定するためのセンサを開示している。ハードディスクやテープのヘッドのデータを読み取るために、あるいは、自動車産業において、角度および回転速度を測定して位置を決定するために、特に磁気センサが使用されている。磁気センサは、塵に対して比較的鈍感であり、非接触状態で測定を行なうことができるという利点を有している。自動車の用途で使用されるセンサは、約200℃の高温に耐えなければならない。
【0004】
周知のセンサにおいて、磁気素子の抵抗は、磁気抵抗効果により、磁場のサイズや方向性によって決まる。磁気素子は、ホイートストーンブリッジ形態で配置されている。磁気素子はスピンバルブである。スピンバルブは、磁化軸の方向が一定である押し付け層(pinned layer)と、測定される磁場の方向を定める磁化軸の方向が自由な層とを備えている。磁気抵抗値は、特に、押し付け層の磁化軸と自由に回転可能な磁化軸との間の角度によって決定される。ホイートストーンブリッジにおいて、ブリッジ部における押し付け層の磁化軸は、反対に方向付けられる。2つのブリッジ部間の出力電圧の差は、磁場の角度および強度の尺度である差動増幅電圧信号に変換される。ホイートストーンブリッジ形態により、センサは、1つの磁気抵抗素子の場合よりも温度に対して敏感ではない。しかしながら、周知のセンサは、オフセット電圧およびオフセット電圧におけるドリフトに対して敏感であった。
【0005】
オフセット電圧は、磁場の不存在下でのブリッジ形態の出力電圧として規定され、ブリッジの素子間の抵抗値の差により生じる。周知のセンサにおいては、押し付け層の磁化軸を方向付けるために、ブリッジの幾つかの磁気素子が局所的に加熱され、他の磁気素子が局所的に加熱されないといった事実により、磁気抵抗素子間に抵抗値の差が生じる。
【0006】
局所加熱の場合の抵抗値の差は、多層の界面混合によって生じ、その結果、磁気抵抗効果が減少される。
【0007】
周知のセンサの欠点は、幅広い温度範囲で磁場を正確に測定するために適切に使用することができないという点である。ブリッジ回路の出力電圧は、比較的小さい磁場でオフセット電圧を有する。また、周知のセンサは、温度の変動に敏感であり、その結果、特に、温度に応じてオフセット電圧が変化し、オフセット電圧の所謂ドリフトが生じる。
【0008】
本発明の目的は、冒頭で述べたタイプのセンサであって、幅広い温度範囲で磁場を正確に測定するために適切に使用できるセンサを提供することにある。
【0009】
本発明に係るセンサにおいて、この目的は、第1のブリッジ部が電気分流器を有し、この分流器が所定の温度係数を有するとともにブリッジの第1の磁気素子と電気的に並列に接続されることによって達成される。
【0010】
本発明は、オフセット電圧およびオフセット電圧のドリフトが様々なパラメータによって主に影響されるという認識に基づいている。
【0011】
ブリッジの磁気抵抗素子の電気抵抗は、およそ、R=R0(1+αT)である。ここで、R0は温度T=0℃での抵抗を示しており、αは温度係数である。
【0012】
オフセット電圧が抵抗値の広がりによって主に生じ、オフセット電圧のドリフトが抵抗の温度係数の広がりによって主に生じるため、オフセット電圧とオフセット電圧のドリフトとを個別に補償することができる。
【0013】
第1のブリッジ部が電気分流器を有し、この分流器が所定の温度係数を有し且つブリッジの第1の磁気素子と電気的に並列に接続されていることにより、ブリッジ形態のオフセット電圧のドリフトが補償される。ブリッジの全抵抗が温度の変化に応じて変化する場合、分流抵抗も温度に応じて好ましくは反対の方向で変化する。オフセット電圧のドリフトが減少すると、特に動作中に温度の変動が生じる場合に、磁場を正確に測定することができる。
【0014】
分流器の補償効果により、分流器の温度係数は、第1の磁気素子の電気抵抗の温度係数に対して異なる符号を有していることが好ましい。多数の材料は、幅広い温度範囲にわたって一定の温度係数を有している。磁気素子に使用される材料の組成が一定であれば、異符号の温度係数を有する分流器のために所定の材料を選択することができる。分流器の材料は、別個の蒸着処理で形成されることが好ましい。その後、材料は、標準的なリソグラフィおよびエッチングによって構造化される。
【0015】
分流器の温度係数の絶対値は、第1の磁気素子の電気抵抗の温度係数の絶対値よりも大きいことが有益である。そうであれば、オフセット電圧における比較的大きな差を補償するために、分流器を適切に使用することができる。
【0016】
分流器は、所定の材料から成る少なくとも1つの層を備えていても良いが、代替としては、例えば多層構造の場合には複数の層を備えていても良い。分流器によって非常に正確な補正を行なうため、分流器の様々な層の複数の温度係数を組み合わせると、幅広い温度範囲でうまく補正することができる。
【0017】
分流抵抗は、第1の磁気素子の抵抗値よりも大きいことが好ましい。分流器は第1の磁気素子に並列に接続されているため、電流の一部が分流器を流れ、これにより、並列接続の正味の磁気抵抗効果が減少する。分流抵抗は、磁気素子の抵抗値よりも例えば100のファクターだけ大きくなるように選択されることが好ましい。この場合、最大でたった1%の磁気抵抗効果しか生じない。
【0018】
第1の分流器が第1の磁気素子と並列に接続され、第2の分流器が第2のブリッジ部の素子と並列に接続され、これにより、両方のブリッジ部でオフセット電圧のドリフトが減少することが好ましい。第1のブリッジ部の第1の磁気素子が第1の接点の近傍で広がりを示し、また、第2のブリッジ部の素子が第2の接点の近傍で広がりを示すと、オフセット電圧におけるドリフトが大きいことが分かった。第2の分流器は、第1の接点の近傍で、第2のブリッジ部の素子と並列に位置されているため、正および負のオフセット電圧ドリフトを補償することができる。
【0019】
各磁気素子は、例えば金属等の導電体によって互いに直列に接続された磁気材料から成る多数のストリップを備えていても良い。
【0020】
導電体によってブリッジの抵抗値間に差が生じ得ないように、各磁気素子の導電体の抵抗値はほぼ同一であることが有利である。AlやCu等の導電体の抵抗率は、磁気素子の材料の抵抗率よりも一般的に遥かに小さいが、金属は、第1の磁気素子の磁気材料の温度係数と一致する温度係数を有していることが有利である。
【0021】
第1のブリッジ部は、第1の磁気素子および分流器と直列に接続された電気トリマー抵抗を有しているため、ブリッジのオフセット電圧が小さくなる。トリマー抵抗は、ブリッジ形態の外側に位置する複数の抵抗から成る回路を備えていても良い。これらの抵抗は、磁気素子と同じ材料によって形成されていることが好ましい。レーザにより、これらの抵抗をONまたはOFFすることができる。トリマー抵抗は、オフセット電圧が実質的に0となるように調整される。
【0022】
本発明の他の目的は、冒頭で述べたタイプのセンサを製造する方法であって、オフセット電圧およびオフセット電圧におけるドリフトが0となるように調整することができる方法を提供することである。
【0023】
この方法に関する本発明の目的は、磁場の不存在下で、第1のブリッジ部の第1の磁気素子と電気的に並列に接続される分流器によって、ブリッジの第1の出力接点と第2の出力接点との間の出力電圧が減少されることにより達成される。
【0024】
出力電圧は、室温を超える温度で減少されることが好ましい。温度係数の差によって生じる磁気素子間の抵抗値の差は、一般に、温度が高くなると大きくなる。センサは、センサが動作中に晒される温度範囲にわたって調整することができる。
【0025】
分流抵抗を調整できることが好ましい。材料を適切に選択すると、分流器の抵抗値および温度係数を正確に調整することができる。材料の抵抗率、材料の厚さ、幾何学的構造は、分流器の抵抗値を相当な程度まで決定する。分流器は、複数の抵抗から成る回路を備えていても良い。
【0026】
例えばレーザを使用して、分流器の回路の複数の抵抗をONまたはOFFすることにより、分流器の細かい設定を行なうことができる。
【0027】
オフセット電圧におけるドリフトを分流器によって出来る限り減少させた後、第1の磁気素子と電気的に直列に接続され且つ電気的に調整可能なトリマー抵抗によって、ブリッジの出力電圧が減少される。トリマー抵抗は、分流器と電気的に直列に接続されていることが好ましい。ブリッジのオフセット電圧が室温で減少され、オフセット電圧がほぼ0まで減少される。
【0028】
本発明に係るセンサのこれらの態様および他の態様は、以下の実施形態に基づいて説明されるとともに、これらの実施形態から明らかになる。
【0029】
図1に示されるセンサは、基板1と、基板1上にホイートストン・ブリッジ形態で位置された第1の磁気素子2、第2の磁気素子3、第3の磁気素子4、第4の磁気素子5とを備えている。この場合、第1の接点6と第2の接点7との間には、第1の磁気素子2および第2の磁気素子3が直列に配置された第1のブリッジ部8と、第3の磁気素子4および第4の磁気素子5が直列に配置された第2のブリッジ部9とが位置されている。これらの磁気要素は、AMR、GMR、または、TMR効果を有している。
【0030】
第1のブリッジ部8は電気分流器10を有している。この電気分流器10は、所定の温度係数を有するとともに、ブリッジの第1の磁気素子2と並列に配置されている。
【0031】
磁気素子2、3、4、5は、例えばスパッタリングによって形成された複数の層から構成されている。磁気素子間で清浄な界面を得るとともに高い純度および均一性を得るためには、全ての層が1つの蒸着作業中に形成されることが重要である。磁気抵抗効果および温度係数は、全ての素子において実質的に同一である。
【0032】
AMR効果に基づく磁気素子の場合、例えば、温度係数が1960ppm/KであるNiFeは、磁気層のために使用される。
【0033】
また、センサの磁気素子は、スピンバルブまたは磁気トンネル接点であっても良い。GMR効果に基づくスピンバルブ構造は、以下のようにして製造することができる。基板1には、適切な材料構造、この場合には(111)組織を引き起こすための、
例えば3.5nmTa/2.0nmPyから成るバッファ層と、
10nmIr19Mn81から成る交換バイアス層と3.5nmCo90Fe10/0.8nmRu/3.0nmCo90Fe10から成る人工反強磁性体とを備えた押し付け層として磁化軸を有する磁気層と、
3nmCuから成る非磁性スペーサ層と、
5.0nmPyから成る強磁性層、すなわち、遊離層(その下側には例えばGMR効果を高め且つ層間拡散を制限する1.0nmCo90Fe10から成る薄層が延在し、これにより、熱的安定性が向上する)と、を連続的に備えた多層構造体が設けられている。保護層として、多層に適用される10nmTaが使用される。
【0034】
各層の温度係数は、IrMnの温度係数を除き、温度の関数として実質的に一定であり、20℃から80℃の温度範囲で−3000ppm/Kという実質的に一定の値を有するが、高温ではマイナスではない。全ての層パケットの温度係数は、20℃の温度で約1200から1400ppm/Kである。蒸着処理を広げると、様々な磁気素子間で、抵抗および温度係数に差がでる。抵抗における広がりの一般的な値は1%であり、温度係数における広がりの一般的な値も約1%である。
【0035】
この実施形態において、磁気素子の抵抗は例えばR=4100オームとなるように選択され、また、温度係数は1400ppm/Kとなるように選択される。図1に示されるブリッジ形態において、磁気素子の抵抗はR+ΔRであり、磁気素子の温度係数はα+Δαである。抵抗における1%の変化(ΔR=0.101R)および温度係数における1%の変化(Δα=0.01α)によって、数十mVという大きなオフセット電圧が生じ、オフセット電圧ドリフトが数十μV/Kとなる。
【0036】
図示の実施形態において、抵抗の変化ΔRおよび印加電圧V0に伴うオフセット電圧の変化ΔVoffsetは、およそ、
ΔVoffset/V0=(1/2R)*ΔR (1)
となる。
温度Tにおいて、温度係数の変化に伴うオフセット電圧の変化は、およそ、
ΔVoffset/V0=(T/2(1+αT))*Δα (2)
となる。
【0037】
式(1)および印加電圧V0=1Vより、オフセット電圧の変化は、一例の値(R=4100Ω、ΔR=41Ω、α=1400ppm/K、Δα=1400ppm/K)においては、約5mVとなり、また、温度係数の変化に伴うオフセット電圧の変化は0.14mVとなる。したがって、オフセット電圧は、主に、抵抗値の差に起因していると考えることができる。抵抗値の差は、層の広がりに起因するだけでなく、リソグラフィおよびエッチングにおける広がりによって生じる構造体の寸法間の差にも起因していると考えることができる。
【0038】
抵抗値ΔRおよび温度係数Δαにおける広がりの結果として、ドリフトオフセット電圧の変化ΔVdriftは、以下のようになる。
【0039】
(ΔVdrift/ΔT)/V0=(2(Δα)2T/R(2+2αT)3))*ΔR (3)
(ΔVdrift/ΔT)/V0=(1/2(1+αT)2))*Δα (4)
式(3)および式(4)により、前述した一例の値においては、抵抗値の広がり9*10−6μV/Kおよび温度係数の広がり6.6μV/Kによってそれぞれオフセット電圧のドリフトが生じることが分かる。オフセット電圧におけるドリフトは、主に、ブリッジ形態における磁気素子の抵抗間の温度係数の差に起因していると考えることができる。
【0040】
第1のブリッジ部8は分流器10を有しており、この分流器10は、第1の磁気素子2と電気的に並列に接続されるとともに、例えば温度係数が−510ppm/KであるTa等の適切な材料によって形成されている。分流器の温度係数を第1の磁気素子2の電気抵抗の温度係数に対して異符号となるように選択することにより、オフセット電圧におけるドリフトを容易に補償することができる。磁気素子の温度係数間における比較的大きな広がり度合いを十分に補償するために、分流器は、高いマイナス温度を有する材料、例えばα=−3000ppm/KであるIrMnによって形成されても良い。
【0041】
第1の磁気素子2の温度係数が温度の関数として一定でない場合には、ブリッジ形態のオフセット電圧におけるドリフトを十分に補償できるように、分流器10においても多層構造を使用することが望ましい。この多層構造は、温度の関数としての意味では正反対の温度係数を有している。
【0042】
図2に示される実施形態において、各磁気素子2、3、4、5は、磁気材料から成る多数のストリップ15を備えている。経路の抵抗はR=ρ/dL/Wである。ここで、ρは材料の抵抗率を示しており、dは層の厚さを示しており、Lは長さを示しており、Wはストリップの幅を示している。分流器は単一のストリップであっても良いが、図示の実施形態では、分流器10は、並列に接続されたストリップから成る電気回路である。レーザによりストリップ形状の抵抗の接続部を溶かすことにより分流抵抗を調整することができ、その結果、ストリップ形状の抵抗がONまたはOFFされる。
【0043】
分流抵抗10は、第1の磁気素子2の抵抗よりも十分に高く、例えば300kΩから1MΩである。その結果、4100Ωの抵抗は、全抵抗4100Ωに対して1%(41Ω)だけ変化する。分流器は、温度係数が−510ppm/KであるTaの層によって形成されている。
【0044】
ホイートストーンブリッジの対角的な素子同士で大きな差が生じる場合、層の広がりは、オフセット電圧およびオフセット電圧におけるドリフトに大きな影響を与える。図2に示される実施形態において、第2の分流器14は、第2のブリッジ部9の第1の接点6の近傍にある素子5と電気的に並列に接続されている。抵抗全体の温度係数は、約1.8%だけ変化する。これは、抵抗全体の温度係数の1%の変化を十分に補償することができる。
【0045】
図2に示される実施形態において、各磁気素子2、3、4、5は、金属から成る導電体によって互いに直列に接続された磁気材料から成る多数の経路15を備えている。金属の場合、例えば、マスクまたは物理エッチングや化学エッチングによってパターン化されるAlまたはCuが使用される。
【0046】
図示の実施形態において、各磁気素子2、3、4、5の導電体16の抵抗は、実質的に同じである。
【0047】
対称的なレイアウトにより、素子の導電体16の表面が略同一となる。
【0048】
金属、例えばCuは温度係数が1070ppm/Kであり、これは、1200から1400ppm/Kの範囲にある第1の磁気素子2の磁気材料15の温度係数と実質的に一致している。
【0049】
第1のブリッジ部8は、第1の磁気素子2および分流器10に直列に接続されたトリマー抵抗18を備えている。
【0050】
トリマー抵抗の材料の組成は、磁気素子の材料の組成と同じである。トリマー抵抗は、レーザによってONまたはOFF切換えすることができる抵抗器の回路を備えている。
【0051】
図3は、接点間の5Vの入力電圧での20から200℃の温度範囲における、図2に示される第1の実施形態に係るGMRホイートストーンブリッジの出力電圧を示している。
【0052】
図3aには、分流器またはトリマー抵抗が無いセンサの出力特性が参考に示されている。測定される磁場に応じた出力電圧は、磁場H=0kA/mの周囲では、非常に非対称である。オフセット電圧のドリフトは、温度Tが大きくなるにつれて、明らかに大きくなる。第1の実施形態に係るGMRホイートストーンブリッジは、図3bに示されるような出力電圧を有している。測定される磁場に応じて、出力電圧は、磁場H=0kA/mの周囲で非常に直線的である。22℃から176℃の温度範囲で温度が高まると、オフセット電圧におけるドリフトは、出力電圧において現われない。GMR効果は6%であり、ヒステリシスは低く、オフセット電圧ドリフトは、6.6μV/K(図3aにおいて)から0.7μV/Kまで減少する。
【0053】
磁場を測定するためのセンサを調整する有利な方法においては、第1の接点6と第2の接点7との間に電圧が印加される。磁場が無い場合、出力電圧は、ブリッジの第1の出力接点19と第2の出力接点20との間で測定される。
【0054】
図4aに示される電気回路図には、第1の接点6と第1の出力接点19との間の全抵抗が示されている。
【0055】
分流器10は、第1のブリッジ部8の第1の磁気素子2と電気的に並列に接続されている。第1の磁気素子2の抵抗は例えばR=4100Ωであり、第1の磁気素子の温度係数は1400ppm/Kであり、また、分流器10の温度係数α=−510ppm/Kである。トリマー抵抗18Rtrimは0Ωである。図4bは、T=20℃での温度係数および全抵抗における分流抵抗10の影響を示している。300kΩから1MΩの範囲での分流抵抗10の変化は、単に、1%(41Ω)という全抵抗の僅かな変化を招くだけである。これに対し、温度係数は、300kΩの分流抵抗値で、1.8%だけ変化する。これは、オフセット電圧ドリフトを十分に補償することができる(温度係数の1%の変化は、6.6μV/Kのオフセット電圧ドリフトを意味する)。
【0056】
この例において、分流抵抗10は、第1の磁気素子2の抵抗よりもほぼ80のファクターだけ高い。磁気抵抗効果が約6%である場合、この例では、磁気抵抗の低下はたった0.07%である。全抵抗が41オーム変化すると、ブリッジの出力電圧が5mVだけオフセット変化する。
【0057】
電気回路の多数の抵抗をレーザによってONまたはOFFすることにより、分流抵抗10を調整することができる。抵抗の回路は、第1の磁気素子2と並列に延びている。
【0058】
トリマー抵抗18は、5mVのオフセット電圧を補償するために使用され、これにより、温度係数に殆ど影響がない。図4cは、第1の磁気素子2および分流抵抗10の電気抵抗の全体がたった4060オームであることを示している。全抵抗をR=4100オームという初期の値まで大きくするために、トリマー抵抗18は、40オームの値を有していなければならない。これにより、温度係数の変化は、たった0.017%である(分流抵抗によって生じる1.8%の変化に対して)。温度係数全体におけるこの比較的僅かな変化は、補償する必要はない。
【0059】
このようにして、オフセット電圧が0まで減少し、オフセット電圧のドリフトが実質的に減少する。
【0060】
本発明に係るセンサによれば、数エルステッドの僅かな磁場をより正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明に係るセンサを概略的に示している。
【図2】
本発明に係るセンサの第1の実施形態の平面図である。
【図3】
第1の実施形態に係るセンサの出力特性を示している。
【図3a】
分流器およびトリマー抵抗が無いセンサを示している。
【図3b】
分流器およびトリマー抵抗を有する本発明に係るセンサを示している。
【図4】
オフセット電圧ドリフトおよびオフセット電圧を調整する本発明に係る方法を示している。
【図4a】
第1の磁気素子の抵抗と分流器とトリマー抵抗とを備えた全抵抗の電気回路図を示している。
【図4b】
分流抵抗に応じた第1の磁気素子の温度係数および抵抗値の変化を示している。
【図4c】
第1の磁気素子および分流器の抵抗変化がトリマー抵抗によってどのように補償されるか、また、全温度係数への影響を示している。
【符号の説明】
1 基板
2 第1の磁気素子
3 第2の磁気素子
4 第3の磁気素子
5 第4の磁気素子
6 第1の接点
7 第2の接点
8 第1のブリッジ部
9 第2のブリッジ部
10 電気分流器
15 ストリップ
16 導電体
18 トリマー抵抗
19 第1の出力接点
20 第2の出力接点
Claims (15)
- 基板と、前記基板上にそれぞれブリッジ形態で位置された、第1の磁気素子、第2の磁気素子、第3の磁気素子、第4の磁気素子とを備え、第1の接点と第2の接点との間には、前記第1の磁気素子および前記第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部と、前記第3の磁気素子および前記第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部とが位置されている、磁場を測定するためのセンサであって、前記第1のブリッジ部は、所定の温度係数を有し且つ前記第1の磁気素子と電気的に並列に接続された電気分流器を有していることを特徴とする、センサ。
- 前記第1の磁気素子は、前記分流器の温度係数に対して異符号の温度係数を有する電気抵抗を備えていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 前記分流器の温度係数の絶対値は、前記第1の磁気素子の電気抵抗の温度係数の絶対値よりも大きいことを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 前記分流器は、所定の材料から成る1または複数の層を備えていることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサ。
- 前記分流器は、前記第1の磁気素子の抵抗値を超える抵抗値を有していることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 第2の分流器が前記第2のブリッジ部の素子と並列に配置されていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 各磁気素子は、磁気材料から成る多数のストリップを備え、これらのストリップは、導電体によって互いに直列に接続されていることを特徴とする、請求項1から2に記載のセンサ。
- 各磁気素子の前記導電体の抵抗がほぼ等しいことを特徴とする、請求項7に記載のセンサ。
- 前記導電体の材料は、前記第1の磁気素子の磁気材料の温度係数と一致する温度係数を有していることを特徴とする、請求項7に記載のセンサ。
- 前記第1のブリッジ部は、前記第1の磁気素子および前記分流器と直列に接続された電気トリマー抵抗を備えていることを特徴とする、請求項1に記載のセンサ。
- 第1の磁気素子と、第2の磁気素子と、第3の磁気素子と、第4の磁気素子とが基板上にブリッジ形態で位置され、第1の接点と第2の接点との間には、前記第1の磁気素子および前記第2の磁気素子が直列に配置された第1のブリッジ部と、前記第3の磁気素子および前記第4の磁気素子が直列に配置された第2のブリッジ部とが位置され、第1の磁気素子と第2の磁気素子との間に第1の出力接点が位置され、前記第3の磁気素子と前記第4の磁気素子との間に第2の出力接点が位置され、前記第1の接点と前記第2の接点との間に電圧が印加される、磁場を測定するためのセンサを調整する方法であって、磁場の不存在下で、前記第1のブリッジ部の前記第1の磁気素子と電気的に並列に接続される分流器によって、ブリッジの前記第1の出力接点と前記第2の出力接点との間の出力電圧が減少されることを特徴とする、方法。
- 室温を越える温度で、出力電圧が減少されることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 使用される前記分流器が調整可能であることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
- 前記分流器は、レーザを用いたトリミングにより調整されることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 分流器の調整後、前記第1の磁気素子と直列に接続された電気的に調整可能なトリマー抵抗によって、室温で、ブリッジの出力電圧が減少されることを特徴とする、請求項14に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP01202135 | 2001-06-01 | ||
EP01202136 | 2001-06-01 | ||
PCT/IB2002/001947 WO2002097464A2 (en) | 2001-06-01 | 2002-05-29 | Compensating a sensor for measuring a magnetic field |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005505750A true JP2005505750A (ja) | 2005-02-24 |
JP4347040B2 JP4347040B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=26076924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003500591A Expired - Fee Related JP4347040B2 (ja) | 2001-06-01 | 2002-05-29 | 磁場を測定するためのセンサ及びそのセンサの調整方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6756782B2 (ja) |
EP (1) | EP1399749B1 (ja) |
JP (1) | JP4347040B2 (ja) |
KR (1) | KR20030018064A (ja) |
AT (1) | ATE440293T1 (ja) |
DE (1) | DE60233405D1 (ja) |
TW (1) | TW584735B (ja) |
WO (1) | WO2002097464A2 (ja) |
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JP2020145376A (ja) * | 2019-03-08 | 2020-09-10 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果デバイス及び磁気アレイ |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE254466C (ja) | ||||
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-
2002
- 2002-04-09 US US10/118,878 patent/US6756782B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-29 JP JP2003500591A patent/JP4347040B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-29 KR KR10-2003-7001317A patent/KR20030018064A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-05-29 WO PCT/IB2002/001947 patent/WO2002097464A2/en active Application Filing
- 2002-05-29 EP EP02733088A patent/EP1399749B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-29 DE DE60233405T patent/DE60233405D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-29 AT AT02733088T patent/ATE440293T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-05-31 TW TW091111695A patent/TW584735B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6756782B2 (en) | 2004-06-29 |
WO2002097464A2 (en) | 2002-12-05 |
KR20030018064A (ko) | 2003-03-04 |
EP1399749A2 (en) | 2004-03-24 |
US20030107373A1 (en) | 2003-06-12 |
WO2002097464A3 (en) | 2003-04-24 |
EP1399749B1 (en) | 2009-08-19 |
ATE440293T1 (de) | 2009-09-15 |
JP4347040B2 (ja) | 2009-10-21 |
DE60233405D1 (de) | 2009-10-01 |
TW584735B (en) | 2004-04-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061124 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |