TW584735B - Sensor for measuring a magnetic field and method of regulating said sensor - Google Patents

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五、發明説明（i 本發明關於_ β ，在美板上、用於測量一磁場之感測器，包含一基板 性元：電橋結構中之-第-磁性元件，-第二磁 配置第—磁：二磁性元件及-第四磁性元件’丨中以串聯 及1 件及弟二磁性元件之一第—電橋部分， 一中 弟二磁性兀件，及第四磁性元件之一第 一兒橋部分係以串 間。 ¥恥，配置於一第一接點及一第二接點之 本1明也關於__整用於測量—磁場之—感測器之方 /一杜，、二;;第一磁性元件，一第二磁性元件，一第三磁性 第四磁性TL件係依據一電橋結構配置於基板之上 二：中：串聯配置第一磁性元件，及第二磁性元件之一第 一橋Ρ刀及其中以串聯配置第三磁性元件，及第四磁 f生:件之第一電橋部分係以串聯，配置於一第一接點及 斤第接”’古之間，及一第一輸出接點係配置於第一元件及 第元件之間，及_第二輸出接點係配置於第三元件及第 四元件之間’在第_接點及第二接點之間施加一電壓。 EP 07 10850揭示一種用於測量一磁場之感測器。使用磁 性感測器特於用於讀取在一硬碟或磁帶之讀取頭中之資料 ，或在自動化工業方面用於測量角度及旋轉速度及決定位 置。磁性感測|§具有它們係比較不敏感於灰塵，及致能依 據無接點方法產生之測量之優點。使用於自動應用之感測 為必須抵抗接近200〇之南溫。 在已知感測器中，磁性元件之電阻根據因為一磁阻效應 之磁場之尺寸及方位。依據一惠斯頓電橋結構配置磁性元 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（2 件。磁性元件係旋轉真空管。旋 . 疋轉異空官包含具有磁化之 軸之一自由方位之一接腳層， # m ^ π / /、如取測1之磁場之方位。 磁阻數值係決定，尤其， 由在接腳層之磁化之軸，及磁 化之可自由旋轉軸之間之角度。 在心、”斤頓電橋中，相對定 向在％橋部分中之接腳層之 ^ ^ _ 心碗化之軸。在二個電橋部分之 間之輸出電壓中之差異係轉換為一 ^ 矣馮差異振幅電壓信號，其 心磁％之角度及強度之一 ^ 里糟由该惠斯頓電橋結構之 铋”』，比較在一單一磁阻元 .^ . 仟之11形中，感測器係較不敏 感於溫度。然而，已知减測哭㈣/曰 ^ 已，、工、交侍敏感於補償電壓及 在補償電壓中之漂移。 定義補償電壓如電橋結構在缺乏一磁場期間，及由在電 =疋件之間之電阻數值中之差異引起之輸出電壓。由於 為定位接腳層之磁化之軸，在 在已知感測為中局部加熱電橋 之一些磁性元件之事f& 一 Μ在不局σ卩加熱其它元件時，在磁 阻7C件之間產生有關電阻數值之差異。 在藉由多重層之界面混合產生局部加熱之情形中，由於 有關電阻之差異，減少磁阻效應。 已知感測器之一缺點在於其不適用於在一大溫度範圍中 ^ 吏用於精確測量磁場。電橋電路之輸出電愿對比於小磁 有一補償電壓。另外，已知感測器係敏感於有關溫度 之變動’由於’尤其’補償電屋改變如—溫度之函數，所 以稱為在補償電壓中之漂移。 本兔明之-目的在提供一種依據首段說明類型之感測器 ’其中感測器可以適用於在一大溫度範圍令，使用於精確 本纸張尺度it —爾標準(CNS) A4規i(210x297公釐] -6 - 584735 、 A7 B7 五、發明説明（3 ) 測量磁場。 至於根據本發明之感測器，利用包含一電分流電阻器之 第一電橋部分完成本目標，電分流電阻器具有一溫度係數 ，及利用並聯於電橋之第一磁性元件之方式電連接。 本發明係根據藉由差異係數明顯影響補償電壓及在補償 電壓中之漂移之認知。· 電橋之磁性元件之電阻相應接近於R=R〇(l+a T)，其中R〇 指示在一 T=0°C之溫度之電阻，及a係溫度係數。 如明顯藉由一擴展之電阻數值產生補償電壓，及明顯藉 由一擴展之電阻器之溫度係數產生在補償電壓中之漂移， 其允許個別補償補償電壓及在補償電壓中之漂移。 利用包含一電分流電阻器之第一電橋部分，電分流電阻 器具有一溫度係數，及利用並聯於電橋之第一磁性元件之 方式電連接，補償在電橋結構之補償電壓中之漂移。如果 由於一在溫度方面之改變，電橋之全部電阻改變，分流電 阻器較佳在相對方向中改變，如一溫度係數之函數。 因為分流電阻器之補償，分流電阻器之溫度係數較佳係 對第一磁性元件之電阻器之溫度係數之相對信號。大部分 材料具有在一大溫度範圍上之一固定溫度係數。一旦使用 於磁性元件之材料之組成係加以固定，可以選擇一種材料 用於具有相對信號之一溫度係數之分流電阻器。較佳係依 據一分離沈積程序提供分流電阻器之材料。然後，藉由標 準印刷及钱刻建構材料。 分流電阻器之溫度係數之絕對數值，有利係較大於第一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 584735 A7 B7 五、發明説明（4 ) 磁性元件之電阻器之溫度係數之絕對數值。如果如此，可 以適當使用分流電阻器來對比補償在補償電壓之漂移中之 大差異。 電分流電阻器可以包含至少一層之一種材料，但是其可 以另外包含複數層諸如在一多層結構之情形中。.為藉由分 流電阻器取得一非常精確修正，分流電阻器之不同層之複 數溫度係數之組合可以在一大溫度範圍中導致一較佳修正。 分流電阻器較佳係大於第一磁性元件之電阻數值。如分 流電阻器係並聯連接於第一磁性元件，一部分電流通過分 流電阻器，以使減少並聯連接之網路磁阻效應。選擇分流 電阻器有利係非常大於磁性電阻數值，例如一 100之參數。 在本情形中，藉由僅最大1%取代一磁阻效應之減少。 一第一分流電阻器係有利地配置並聯於第一磁性元件， 及一第二分流電阻器係配置並聯於第二電橋部分之一元件 ，以便於減少在二電橋部分中之補償電壓中之漂移。已經 發現如果第一電橋部分之第一元件顯示擴展接近第一接點 ，及第二電橋部分之元件顯示擴展接近第二接點，在補償 電壓中之漂移係最大。如置於一第二分流電阻器，並聯於 第二電橋部分之元件，接近第一接點，可以補償正補償電 壓漂移如同負補償電壓漂移。 各磁性元件可以包含一些磁性材料帶子，其係藉由例如 一金屬之電導體互相以串聯連接。 有利地，各磁性元件之電導體之電阻數值實質上相同， 以阻止在電橋之電阻數值之間，由於電導體上升之差異。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 584735 A7 B7 五、發明説明（5 ) 雖然電導體例如紹或銅之電阻係數通常係非常小於磁性 元件之材料之電阻係數，材料有利具有一溫度效應，其相 應於第一磁性元件之磁性材料之溫度效應。 如第一電橋部分包含一電微調電阻器，其係以串聯連接 於第一磁性元件及分流電阻器，減少電橋之補償電壓。微 調電阻器可以包含其係置於電橋結構之外側之電阻器之一 電路。電阻器較佳係如磁性元件之相同材料製造。藉由一 雷射，可以導通或切斷電阻器。調整微調電阻器，以使補 償電壓實質係等於零。 本發明之另一目的在提供一種依據首段說明之類型，藉 由可以調整補償電壓，及在補償電壓中之漂移以便於變成 零之裝置製造之感測器之方法。 根據本發明，相關於該方法之本發明目的係可達成，其 中在缺乏一磁場期間，藉由並聯方式電連接於在第一電橋 部分中之第一磁性元件之一分流電阻器之裝置，減少在電 橋之第一輸出接點，及第二輸出接點之間之一輸出電壓。 較佳係在室溫上之一溫度減少輸出電壓。由在溫度係數 中之差異產生之在磁性元件之間之電阻數值中之差異，通 常係較大於一增加之溫度。可以調整感測器遍布在操作時 曝露感測器之溫度範圍。 分流電阻器較佳為可以調整，一材料之適當選擇致能分 流電阻器之電阻數值，及精確調整之溫度係數。材料之電 阻特性、材料之厚度及幾何學決定分流電阻器之電阻數值 之一實質角度，分流電阻器可以包含一複數電阻器之電路。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

線 584735 A7 B7 五、發明説明（6 ) 可以藉由使用，例如一雷射，導通或切斷分流電阻器之 電路之一些電阻器執行分流電阻器之細微設定。 在已經藉由分流電阻器盡可能減少在補償電壓中之漂移 之後，藉由一可電調整微調電阻器，其係以串聯電連接於 第一磁性元件之裝置，減少電橋之輸出電壓。微調電阻器 .較佳係也以率聯電連接於分流電阻器。在室溫減少電橋之 補償電壓，該補償電壓係實質減少到零。 本發明感測器之上述及其它觀念將藉由參考於下面說明 之實施例瞭解及說明。 在圖式中： 圖1簡示本發明之感測器； 圖2係本發明感測器之一第一實施例之平面圖； 圖3揭示本發明感測器之一輸出特性； 圖3a揭示沒有一分流電阻器及微調電阻器之感測器； 圖3b揭示本發明具有一分流電阻器及微調電阻器之感測 3?· · σσ ’ 圖4揭示本發明調整補償電壓漂移及補償電壓之一方法； 及 圖4a揭示全部電阻之一電路圖，包含第一磁性元件、分 流電阻器及微調電阻器之電阻； 圖4b揭示第一磁性元件之電阻數值及溫度係數之改變， 如分流電阻器之函數； 圖4c揭示如何藉由微調電阻器，如同有關全部溫度係數 之影響，補償在第一磁性元件及分流電阻器之電阻中之改 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

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變。 囷1中所示之感測器包含一基板1，依據一惠斯頓電橋 、口構、、’。構置於基板上之一第一磁性元件2，一第二磁性元件 J 弟二磁性元件4及一第四磁性元件5，其中以串聯連接 第磁性兀件2，及第二磁性元件3之一第一電橋部分8，及 其中以串聯連接第三磁性元件4，及第四磁性元件5之一第 二電橋部分9係配置於一第一接點6及一第二接點7之間。磁 性兀件具有一 AMR、GMR或TMR效應。 第一電橋部分8包含一電分流電阻器1〇，其具有一溫度係 數，及配置其並聯於電橋之第一磁性元件2。 磁f生元件2、3、4、5包含例如藉由濺射提供之層。在一 沈屎操作日^，為取得乾淨界面如同在磁性元件間之一高純 致七供所有層係重要。磁阻效應及溫度係數實質 應該相同用於所有元件。 用於一根據AMR效應之磁性元件，例如NlFe具有使用於 磁性層之一 I960 ppm/K溫度係數。 感測器之磁性元件可以另外係旋轉真空管或磁性通道連 接。可以製造一根據(^^/[尺效應之旋轉真空管如下。利用一 多重、連續層結構提供一基板1，包含 -一緩衝層，例如3.5 nm Ta/2,0 nm Py感應適當結構，例 如在本情形中之（111)結構， -一磁性層，具有如接腳層之磁化之一軸，包含一 I〜Μη8ι之交換偏壓層，及，一 35腿c〇9QFeiQ/()8 Ru/3.0 nm c〇9GFe1()之人造反磁鐵， nm nm

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線 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 584735 A7 B7 五、發明説明（8 ) -一 3 nm Cu之非磁性間隔片層，及 -一 5.0 nm Py :任意層（在Py下面擴展，例如一 1.〇 nm Co9QFe1()之薄層，其加強GMR效應及限制層間亂反射，導致 一增加溫度穩定性）之磁鐵層。保護層係使用施加於多重層 之10 nm Ta製造。 個別層之溫度係數實.質係固定如一溫度之函數，具有 IrMn之溫度係數之例外，具有在從20到80°C之溫度範圍中 之一-3000 ppm/K之實質固定數值，但是在較高溫度係較少 負值。全部層封包之溫度係數係在一 20°C之溫度接近1200-1400 ppm/K。在沈積程序中之擴展導致在多重磁性元件之 間之電阻及溫度係數中之差異。在電阻中之擴展之典型數 值係1% ’及在溫度係數中之擴展之典型數值也接近1〇/0。 在本實施例中，選擇之一磁性元件之電阻係，例如 11二4100歐姆，及選擇之一溫度係數係14〇〇1)1)111/&。在圖1中 所示之電橋結構中，磁性元件具有一 R+A R之電阻，及一 α +△ α之溫度係數。在電阻（△ R=0·丨01R)，及溫度係數 (△ α =0.0 1 α )中之一 1%改變，已經導致數十個mv之大量 補償電壓，及一十個μ V/K之補償電壓漂移。 在所示實施例中，從在一 V 〇之施加電壓之電阻△r之一改 變產生之補償電壓△ VQt、fset之改變係接近·· Δ Vot-fset/V〇=( l/2R)*A R (l) 在一溫度T ’由於在溫度係數之改變中補償電壓之改變係接 近： Δ VotTSet/V〇=(T/2(l+a Τ))*Δ ^ (2) • 12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公^~ 裝 訂

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藉由方私式（1)及一施加電壓ν〇= 1 v，補償電壓之改變總計 接近用於貫例（R=41〇〇 Q ’ △ R=41 Ω，α =1400 ppm/K，△ α =14 Ppm/K)之數值5 mV，及由於在溫度係數中之改變之 補償電壓之改變係0.14 mV。因此，補償電壓主要係可以歸 因於在電阻數值中之差異。在電阻數值中之差異不可以僅 歸因於層之擴展，但是也歸因於在藉由在印刷及濺射中之 擴展產生之結構之尺寸之間之差異。 由於在電阻數值AR及溫度係數中之擴展，漂移補償 電壓之改變如下： (AVdritt/AT)/V〇=(2(A a )2T/R(2+2 a T)3))*AR (3) 裝 (Δ Vdrift//\ T)/V〇=(i/2( 1+α T)2))*A a (4) 訂 藉由方程式（3)及（4)可以導出，分別藉由用於在實例中提到 之數值之在9*10 6 μ ν/κ之電阻數值中之一擴展，及藉由在 6.6 μ V/K溫度係數中之一擴展產生在補償電壓中之漂移。 可以概略歸因在補償電壓中之漂移於在電橋結構之磁性元 件之電阻器之間之溫度係數中之差異。 線 第一電橋部分8包含一電分流電阻器1〇，其電力並聯連接 於第一磁性元件2,及係由一適當材料之一層製成，例如具 有一-510 ppm/K之溫度係數之Ta。藉由選擇分流電阻器^ 溫度係數，成為對第一磁性元件2之電阻器之溫度係數之相 對信號，可以快速補償在補償電壓中之漂移。為足以補償 在磁性元件之溫度係數之間之擴展之一對比大角度，可以 由一種具有一高負溫度之材料製造分流電阻器，例如具有 a =-3000 ppm/K之 h.Mn。 -13-

584735 A7 ' B7 五、發明説明（) 如果第一磁性元件2之溫度係數不固定如一溫度之函數， 可以想到，為取得在電橋結構之補償電壓中之漂移一滿意 補償，也使用一多重層結構用於分流電阻器10，多重層結 構具有在感測器中係相對之一溫度係數，如一溫度之函數。 在圖2中所示之實施例中，各磁性元件2、3、4、5包含一 些一種磁性材料之帶子15。一路徑之電阻係R=p/d L/W，其 中ρ表示材料之電阻率，d表示層之厚度，L表示帶子之長度 ，及W表示帶子之寬度。分流電阻器可以一單一帶子，但 是在所示之實施例中，分流電阻器10係以並聯方式連接之 帶子之一電路。可以藉由一雷射燒穿帶狀電阻器之連接， 由於導通或切斷該帶狀電阻器，調整分流電阻器。 分流電阻器10係非常高於第一磁性元件2之電阻，例如 3 00 k歐姆到1 Μ歐姆。因為4 100歐姆之電阻僅藉由1 % (4 1 歐姆），相對於全部4 100歐姆之電阻改變。由具有一 -5 1 0 ppm/K之溫度係數之Ta之一層製成分流電阻器。 如果最大差異產生於惠斯頓電橋之對角線元件之間，層 之擴展具有關於補償電壓及在補償電壓中之漂移之最大效 應。在圖2中所示之實施例中，一第二分流電阻器14係電並 聯連接於元件5，接近第二電橋部分9之第一接點6。全部電 阻器之溫度係數藉由接近1.8%改變。這係充分足以補償全 部電阻器之溫度係數之1%改變。 在圖2中所示之實施例中，各磁性元件2、3、4、5包含一 種磁性材料，藉由一金屬之電導體互相以串聯連接之一些 路徑1 5。用於製造之材料使用，例如A1或Cu，藉由一遮罩 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

線 584735 A7 B7 五、發明説明（11 ) 及實體或化學濺射加上。 在所示之實施例中，各磁性元件2、3、4、5之電導體16 之電阻實質係相等。 對稱性配置確保取得元件之電導體16之一實質相同表面。 金屬，例如Cu，具有一 1070 ppm/K之溫度係數，其實質 相應於第一磁性元件2之磁性材料15之從1200到1400 ppm/K 之範圍之溫度係數。 第一電橋部分8包含一微調電阻器1 8，其係以串聯連接於 第一磁性元件2及分流電阻器10。 微調電阻器之材料之組成係相同如磁性元件之材料之組 成。微調電阻器包含可以藉由一雷射導通或切斷之電阻器 之一電路。 圖3揭示根據第一實施例之一 GMR惠斯頓電橋之輸出電壓 ，如在圖2中所示，在從20到200 °C之溫度範圍中，以一輸 入電壓通過5 V之接點。 在圖3 a中，藉由參考揭示沒有一分流電阻器或微調電阻 器之感測器之輸出特性。如測量之磁場之一函數之輸出電 壓係圍繞H = 0 kA/m之磁場高度對稱。補償電壓之漂移明顯 增加如溫度T增加。根據第一實施例之GMR惠斯頓電橋具有 如在圖3b中所示之一輸出電壓。如測量之磁場之一函數， 輸出電壓係非常線性圍繞H = 0 kA/m。如果溫度在從22到 1 76°C之範圍中增加，在輸出電壓中看不見在補償電壓中漂 移。GMR效應係6%，磁滯係低，及補償電壓漂移係從6.6 μ V/K(在圖3a中）減少到0.7 μ V/K。 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 裝 訂

584735 A7 B7 五 發明説明（ 12 ^ 種°周整用於測量一磁場之一感測器之先進方法， 一電壓係施加於第一接點6及第二接點7之間，及，在缺乏 磁％期間’在電橋之第一輸出接點19及第二輸出接點2〇 之間測量一輸出電壓。 在圖4a中所示之電路圖中，說明在第一接點6及第一輸出 接點19之間之全部電阻。 为流電阻器1 〇係電並聯連接於在第一電橋部分8中之第一 磁性兀件2。第一磁性元件2之電阻係，例如R=41〇〇歐姆， 及第磁丨生元件之溫度係數= 1400 ppm/K，及分流電阻器之 溫度係數=-510 ppm/K。微調電阻器18Rt⑽係〇Ω。圖仆揭 不分流f阻器1 〇在T = 2(TC之關於全部電阻及關於全部溫度 係數之效應。分流電阻器1〇在從3〇〇 k歐姆到丨姆之範 圍中之一改變，僅導致在全部電阻中之一 1% (41歐姆）小改 受然而，度係數藉由1.8 %以3 0 0 k歐姆之分流電阻之數 值改變。這係足以補償補償電壓漂移（溫度係數之1%改變意 謂6.6 μ V/K補償電壓漂移）。 在本實例中，分流電阻器1〇係接近高於第一磁性元件2之 電阻之一 80之係數。如果磁阻效應係接近6%，磁阻效應之 減少，在本實例中，僅係0.07%。在電阻中之41歐姆改變導 致電橋之輸出電壓藉由一 5 mV之效應改變。 可以藉由一雷射導通，或切斷一電路之一些電阻器來調 整分流電阻器10。電阻器之電路擴展並聯於第一磁性元件 2 ° 微4笔阻器18係使用於補償5 m V補償電壓，難以藉此影 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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Claims (1)

1. 584735 ABCD 夂、申請專利範圍 Λ 一種用於測量一磁場之感測器，包含一基板（1)，在基板 (1)上之一電橋結構中之一第一磁性元件（2)，一第二磁性 元件（3)，一第三磁性元件（4)及一第四磁性元件（5)，其 中以串聯連接第一磁性元件（2)，及第二磁性元件（3)之一 第一電橋部分（8)，及其中以串聯連接第三磁性元件， 及第四磁性元件（5)之一第二電橋部分（9)係配置於一第一 接點（6)及一第二接點（7)之間，其特徵在第一電橋部分 (8)包含一具有一溫度係數之電分流電阻器（1〇)，及並聯 電連接於電橋之第一磁性元件（2)。 2.如申請專利範圍第1項之感測器，其特徵在該第一磁性元 件（2)包含一電阻器，及具有對該分流電阻器（丨〇)之溫度 係數之相對信號之一溫度係數。 3·如申請專利範圍第1項之感測器，其特徵在該分流電阻器 (10)之溫度係數之絕對數值，大於該第一磁性元件（2)之 電阻器之溫度係數之絕對數值。 4.如申請專利範圍第丨、2或3項之感測器，其特徵在該分流 電阻器（10)包含一材料之一或更多層（13)。 5如申請專利範圍第1項之感測器，其特徵在該分流電阻器 〇〇)具有一電阻數值，超過該第一磁性元件（2)之電阻二 值。 6.如申請專利範圍第i項之感測器，其特徵在一第二分流電 阻(14)係並聯配置於該第二電橋部分（9)之一元件（4、 5)。 7·如申請專利範圍第丨或2項之感測器，.其特徵在各磁性 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ---------- 584735 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 件（2、3、4、5)包含一些一種磁性材料之帶子（15),其中 帶子係藉由電導體（16)互相以串聯連接。 8·如申請專利範圍第7項之感測器，其特徵在各磁性元件（2 、3、4、5)之該電導體（16)之電阻係實質相等。 9.如申請專利範圍第7項之感測器，其特徵在該電導體（16) 之材料具有一溫度係數’其相應於該第一磁性元件（2)之 磁性材料之溫度係數。 10.如申請專利範圍第！項、之感測器’其特徵在該第一電橋部 分（8)包含一微調電阻器（18)，其係以串聯連接於該第一 磁性元件（2)及該分流電阻器（1〇)。 11. 種調整用於測量一磁場 一磁性元件（2)、一第二磁性元件（3)、一第三磁性元件 (4)及一第四磁性元件（5)係依據一電橋結構配置於一基板 (1)之上，其中以串聯配置該第一磁性元件（2)，及該第二 磁性元件（3)之一第一電橋部分（8)，及一第二電橋部份中 第三磁性元件（4)及第四磁性元件（5)係以串聯配置於一第 一接點（6)及一第二接點（7)之間，及一第一輸出接點（19) 係配置於該第一元件及該第二元件之間，及一第二輸出 接點（20)係配置於該第三元件（4)及該第四元件（5)之間， 在該第一接點（6)及該第二接點之間施加一電壓，其特 徵在在缺乏一磁場期間，藉由電並聯連接該第一磁性元 件（2)及忒第一電橋部分（8)之一分流電阻器（ι〇)，以減少 在電橋之該第一輸出接點（19)，及該第二輸出接點（2〇)2 間之一輸出電壓。 ~ -19- 584735 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 12. 如申請專利範圍第11項之方法，其特徵在輸出電壓係降 低於一室溫上之溫度。 13. 如申請專利範圍第11項之方法，其特徵在可以調整使用 之該分流電阻器（10)。 14·如申請專利範圍第13項之方法，其特徵在藉由利用一雷 射微調，調整該分流電阻器（10)。

   15.如申請專利範圍第14項之方法，其特徵在調整該分流電 阻之後，在室溫藉由一電可調整之微調電阻器（18)，其 係以串聯連接於該第一磁性元件（2)，以減少該電橋之輸 出電壓。 裝 ij•i -20-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)