JPH05159283A

JPH05159283A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05159283A
Application number: JP35051491A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Umebayashi; 信弘梅林
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Holdings Ltd
Priority date: 1991-12-11
Filing date: 1991-12-11
Publication date: 1993-06-25

Abstract

(57)【要約】【目的】トラツキングサーボが適正に行える信頼性の
高い磁気記録媒体を提供することにある。【構成】発光素子から出射された光を磁気ヘツドトラ
ツキング用光学凹部１２ならびにデータトラツク４の表
面に照射して、それの反射光によつてデータトラツクに
対する磁気ヘツドのトラツキング制御を行なう磁気記録
媒体において、前記光学凹部１２における磁性層の厚さ
Ｔが、０．１０〜０．２４μｍ、０．３４〜０．４８μ
ｍ、０．６１〜０．７４μｍのいずれかの範囲に規制さ
れていることを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばフレキシブル磁
気デイスクなどの磁気記録媒体に係り、特に光学的に磁
気ヘツドのトラツキングができる磁気ヘツドトラツキン
グ用光学凹部を設けた磁気記録媒体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】フレキシブル磁気デイスクにおいて、そ
れのドーナツ状記録帯域の最内周にリフアレンストラツ
クを形成し、そのリフアレンストラツクから半径方向外
側に向けて所定の間隔離れ、かつ前記リフアレンストラ
ツクと同心円状の磁気ヘツドトラツキング用光学凹部を
リング状に多数形成し、各リング状磁気ヘツドトラツキ
ング用光学凹部の間をデータトラツクとしたものが知ら
れている（例えば特開平２−１８７９６９号公報参
照）。

【０００３】図１１ならびに図１２は、この種磁気デイ
スクを説明するための拡大断面図ならびに平面図であ
る。

【０００４】これらの図に示すように、ベースフイルム
１００の表面には磁性層１０１が設けられており、この
磁性層１０１にはトラツキングサーボ用の溝１０２が磁
気デイスクの回転方向に延びるように、例えばレーザ加
工などの手段によつて形成されている。この溝１０２と
溝１０２との間がデータトラツク１０３となる（図１２
参照）。

【０００５】一方、磁気記録再生装置の方には、前記磁
気デイスクの表面にトラツキングサーボ用の光線１０４
を出射する発光素子（図示せず）と、磁気デイスク表面
からの反射光１０５を受光する受光素子１０６ａ，１０
６ｂ，１０６ｃ，１０６ｄ（図１２参照）とを備えてい
る。

【０００６】そして前記発光素子から出射された光線１
０４を磁気デイスク表面に当てて、それからの反射光１
０５を受光素子１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ，１０６
ｄで受光する。

【０００７】前述のように磁性層１０１にはトラツキン
グサーボ用の溝１０２が形成されているため、データト
ラツク１０３上で反射する光強度と溝１０２上で反射す
る光強度は異なる。図１２に示す例では受光素子１０６
ａと１０６ｂの合計出力値と、受光素子１０６ｃと１０
６ｄの合計出力値とを常に比較して、両者の出力値が等
しくなるように磁気ヘツド（図示せず）のトラツキング
サーボが行なわれる。

【０００８】従来の磁気デイスクは磁性層１０１の厚み
が１〜３μｍあり、そのめたデータトラツク１０３上で
反射する光強度と溝１０２上で反射する光強度に明確な
差が出て、良好なサーボトラツキングが可能である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気デイスク
のオーバライト特性を改善するために磁性層の厚さを１
μｍ未満に薄くすると、データトラツク上での反射強度
がばらつきやすくなり、適正なトラツキングサーボが行
なわれ難いという問題が出てきた。

【００１０】本発明者らはこの点について種々検討した
結果、磁性層の厚さとデータトラツク上での反射強度の
ばらつきとの間に特有な相関関係があることを見出し
た。

【００１１】本発明の目的は、このような問題点を解消
し、トラツキングサーボが適正に行える信頼性の高い磁
気記録媒体を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非磁性体からなる基体と、その基体の上
に形成された磁性層を有し、その磁性層の表面に所定の
間隔をおいて多数の磁気ヘツドトラツキング用光学凹部
が設けられ、その磁気ヘツドトラツキング用光学凹部と
隣の磁気ヘツドトラツキング用光学凹部との間に、所望
の情報を記録するデータトラツクが形成された磁気記録
媒体において、前記磁気ヘツドトラツキング用光学凹部
における磁性層の厚さが、０．１０〜０．２４μｍ、
０．３４〜０．４８μｍ、０．６１〜０．７４μｍのい
ずれかの範囲に規制されていることを特徴とするもので
ある。

【００１３】

【作用】本発明は前述のように、磁気ヘツドトラツキン
グ用光学凹部における磁性層の厚さを特定の範囲に規定
することにより、磁気ヘツドトラツキング用光学凹部上
での反射強度が低くでき、そのためデータトラツクとの
反射強度の差が明確になり、トラツキング用光学凹部に
よる磁気ヘツドのトラツキングサーボが適正に行なわれ
る磁気記録媒体を提供することができる。

【００１４】

【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１は実施例に係る磁気デイスクカートリツジの一部を
分解した斜視図、図２は磁気シートの拡大断面図、図３
は磁気デイスクの平面図である。

【００１５】図１に示すように磁気デイスクカートリツ
ジは、カートリツジケース１と、その中に回転自在に収
納されたフレキシブルな磁気デイスク２と、カートリツ
ジケース１にスライド可能に取り付けられたシヤツタ３
と、カートリツジケース１の内面に溶着されたクリーニ
ングシート（図示せず）とから主に構成されている。

【００１６】前記カートリツジケース１は、上ケース１
ａと下ケース１ｂとから構成され、これらは例えばＡＢ
Ｓ樹脂などの硬質合成樹脂で射出成形されている。

【００１７】下ケース１ｂの略中央部には回転駆動軸挿
入用の開口４が形成され、その近くに長方形のヘツド挿
入口５が形成されている。図示していないが、上ケース
１ａにも同様にヘツド挿入口５が形成されている。上ケ
ース１ａと下ケース１ｂの前面付近には、前記シヤツタ
３のスライド範囲を規制するために少し低くなつた凹部
６が形成され、この凹部６の中間位置に前記ヘツド挿入
口５が開口している。

【００１８】前記磁気デイスク２は図３に示すように、
ドーナツ状のフレキシブルな磁気シート７と、その磁気
シート７の中央孔に挿入されて接着された金属製あるい
は合成樹脂製のセンターハブ８とから構成されている。

【００１９】前記磁気シート７は、ベースフイルム９
と、そのベースフイルム９の両面に塗着、形成された磁
性層１０ａ、１０ｂとから構成されている。

【００２０】前記ベースフイルム９は、例えばポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ）あるいはポリイミドなどの合成樹脂フイ
ルムから構成されている。

【００２１】前記磁性層１０ａ、１０ｂは、強磁性粉、
バインダ、研磨粉ならびに潤滑剤などの混合物から構成
されている。

【００２２】前記強磁性粉としては、例えばバリウムフ
エライト、ストロンチウムフエライト、α−Ｆｅ、Ｃｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐ、γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｆｅ₃Ｏ₄、Ｃｏ
含有γ−Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｏ含有γ−Ｆｅ₃Ｏ₄、ＣｒＯ
₂、Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉなどの微粉末が使用される。

【００２３】前記バインダとしては、例えば塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニ
ルアルコール共重合体、ウレタン樹脂、ポリイソシアネ
ート化合物、放射線硬化性樹脂などが使用される。

【００２４】前記研磨粉としては、例えば酸化アルミニ
ウム、酸化クロム、炭化ケイ素、窒化ケイ素などが用い
られる。この研磨粉の添加率は、磁性粉に対して約０．
１〜２５重量％が適当である。

【００２５】前記潤滑剤としては、例えばステアリン
酸、オレイン酸などの高級脂肪酸、これらの高級脂肪酸
エステル、流動パラフイン、スクアラン、フツ素樹脂、
フツ素オイルなどが使用可能である。この潤滑剤の添加
率は、磁性粉に対して約０．１〜２５重量％が適当であ
る。

【００２６】磁性塗料の具体的な組成例を示せば次の通
りである。

【００２７】磁性塗料組成例バリウムフエライト１００重量部（Ｈｃ：５３０〔Ｏｅ〕，飽和磁化量：５７〔ｅｍｕ／ｇ〕，平均粒径：０．０４〔μｍ〕）塩化ビニル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体１１．０重量部ウレタン樹脂６．６重量部三官能性イソシアネート化合物４．４重量部酸化アルミニウム粉末（平均粒径０．４３〔μｍ〕）１５重量部カーボンブラツク２重量部オレイン酸オレイル７重量部シクロヘキサノン１５０重量部トルエン１５０重量部前述の磁性塗料組成例の組成物をボールミル中でよく混
合分散して磁性塗料を調整し、これを６２μｍのポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）のベースフイルムの両
面に、乾燥平均厚みが０．７９μｍとなるように塗布
し、乾燥したのち、カレンダ処理を施して磁性層１０
ａ、１０ｂをそれぞれ形成する。

【００２８】このようにして構成された磁気デイスク２
の磁性層１０ａの表面に、図３に示すようにリフアレン
ストラツク１１と、多数の磁気ヘツドトラツキング用光
学トラツク１２がエンボス加工などによつて形成され
る。これらリフアレンストラツク１１ならびに磁気ヘツ
ドトラツキング用光学トラツク１２は、磁気デイスク２
の回転中心１３を中心にして同心円状に設けられてい
る。

【００２９】１つの磁気ヘツドトラツキング用光学トラ
ツク１２と隣の磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク
１２との間に、所望の情報が記録できるデータトラツク
１４が形成される。

【００３０】図３に示すように磁気デイスク２上に設け
られる記録帯域１５の最内周部に前記リフアレンストラ
ツク１１が形成され、それより径方向外側、すなわち磁
気ヘツドの走行方向と直交する方向外側に磁気ヘツドト
ラツキング用光学トラツク１２とデータトラツク１４が
交互に多数形成される。

【００３１】前記リフアレンストラツク１１は図４に示
すように、磁気ヘツドの走行方向Ｘに沿つて延びてお
り、リフアレンストラツク１１の中心線１６上の任意の
点１７を中心として点対称に長方形のリフアレンス凹部
領域１８Ａとリフアレンス凹部領域１８Ｂが一対になつ
て形成されている。このリフアレンス凹部領域１８Ａの
隣（リフアレンス凹部領域１８Ｂの前方）ならびにリフ
アレンス凹部領域１８Ｂの隣（リフアレンス凹部領域１
８Ａの後方）には凹部のない平面部１９Ａと平面部１９
Ｂとがある。

【００３２】これら一組のリフアレンス凹部領域１８
Ａ、１８Ｂ、平面部１９Ａ、１９Ｂが、磁気ヘツドの走
行方向Ｘに沿つて間欠的または連続的に多数形成される
ことにより、リフアレンストラツク１１を構成してい
る。

【００３３】この実施例において前記リフアレンス凹部
領域１８Ａ、１８Ｂの磁気ヘツド走行方向の長さＬ１は
２．４ｍｍ、幅方向の長さＬ２は１８μｍである。

【００３４】このリフアレンストラツク１１上に所定の
信号が予め記録されており、磁気ヘツドでこのリフアレ
ンストラツク１１上を走査し、そのときの出力波形に基
づいて磁気ヘツド（磁気ギヤツプ）の中心位置をリフア
レンストラツク１１の中心線１６上に導くことができ
る。

【００３５】このようにして磁気ヘツド（磁気ギヤツ
プ）をリフアレンストラツク１１の中心線１６上、すな
わち基準位置に合わせると同時に、その磁気ヘツドに連
結されている発光素子と受光素子群からなる光デイテク
タ（後述する）で磁気ヘツドトラツキング用光学トラツ
ク１２間の光デイテクタの現在位置を検知する。そして
この光学トラツク１２に対する光デイテクタの位置的な
ずれ量を演算し、そのずれ量に基づいて以下述べるよう
に磁気ヘツドのトラツキングサーボを行なう。

【００３６】その後、磁気ヘツドキヤリツジを移送する
モータを回転して、磁気ヘツドの中心位置を最内周にあ
るデータトラツクの中心線２４近くまで移動させる（図
５参照）。

【００３７】そして磁気ヘツドのトラツキングサーボ
は、磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク１２を利用
して各トラツク毎に行なわれる。

【００３８】図５ないし図９は、磁気デイスク２のトラ
ツキングサーボを説明するための図である。図５に示す
ように、磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク１２に
もトラツキング用凹部２３が、磁気ヘツドの走行方向Ｘ
に沿つて間欠的または連続的に形成されている。

【００３９】この実施例の場合、トラツキング用凹部２
３は間欠的に形成され、トラツキング用凹部２３の幅Ｌ
３は５μｍ、データトラツク１４の幅Ｌ４は１５μｍで
ある。

【００４０】前記リフアレンス凹部領域１８Ａ、１８Ｂ
ならびにトラツキング用凹部２３は、図６に示すように
同時にプレス加工によつて形成される。

【００４１】同図に示すようにセンターハブ８を取り付
けた磁気デイスク２が、基台２５上にセツトされる。こ
の基台２５にはセンターハブ８の中央孔２６（図３参
照）に挿入されるセンターピン２７が突設されており、
センターハブ８の中央孔２６にこのセンターピン２７を
通して磁気デイスク２を基台２５上に位置決めする。

【００４２】基台２５の上方には、それと平行にスタン
パ２８が上下動可能に配置され、スタンパ２８は前記セ
ンターピン２７によつて上下動がガイドされるようにな
つている。スタンパ２８の下面には前記リフアレンス凹
部領域１８Ａ、１８Ｂならびにトラツキング用凹部２３
を形成するための微細な突部２９が多数形成されてい
る。図６の状態からスタンパ２８を下げて、磁気デイス
ク２を基台２５とスタンパ２８との間において所定の圧
力で挟持する。これによつてスタンパ２８に形成されて
いる突部２９が磁性層１０ａの表面に食い込み、圧縮に
より断面形状がほぼ台形のリフアレンス凹部領域１８
Ａ、１８Ｂならびにトラツキング用凹部２３が形成され
る。

【００４３】記録再生時には、図７に示すように磁気デ
イスク２は磁気ヘツド３０ａ、３０ｂの間で挟持された
状態で回転する。前記磁気ヘツド３０ａの方には、トラ
ツキングサーボ用の光を出力する例えばＬＥＤなどから
なる発光素子３１と、磁性層１０ａからの反射光を受光
する受光素子群３２とが一体に取り付けられている。

【００４４】そしてこの磁気ヘツド３０ａの発光素子３
１ならびに受光素子群３２が取り付けられている部分
は、磁気デイスク２側に向けて開口している。

【００４５】受光素子群３２は図８に示すように４つの
受光素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄから構成され
ており、データトラツク１４ならびにトラツキング用凹
部２３上で反射する光をこの受光素子３２ａ、３２ｂ、
３２ｃ、３２ｄで受光して、各受光素子３２ａ、３２
ｂ、３２ｃ、３２ｄの出力は図９に示すようにサーボ信
号演算部３３に入力される。そしてこのサーボ信号演算
部３３で求められた位置修正信号がヘツド駆動制御部３
４に入力され、それからの制御信号に基づいて磁気ヘツ
ド３０のトラツキング制御が成される。

【００４６】前にも述べたように、磁性層１０の厚さは
オーバライト特性を改善して、ノイズを少なくするため
には１μｍ未満にする必要があるが、そうすると磁気ヘ
ツドトラツキング用光学凹部２３上での反射強度がばら
つきやすくなり、適正なトラツキングサーボが行なわれ
難いという新たな問題がある。

【００４７】本発明者らは、磁性層１０中の磁気ヘツド
トラツキング用光学凹部２３の厚さとその部分での反射
強度の関係について諸種の実験を行なつた。

【００４８】次の表１は、発光素子３１（赤外発光ダイ
オード使用）から出射される光の中心波長（λ）を８８
０ｎｍ、その光の入射角（θ）を２０度にして、磁気ヘ
ツドトラツキング用光学凹部２３における磁性層の厚さ
（Ｔ図２参照）を種々変えた場合の、その部分での反
射率を測定してまとめた表である。なお、磁性層の厚さ
Ｔは、株式会社日立製作所社製透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）Ｈ−７００Ｈで測定した。後述の各試験にお
いても同装置を用いて磁性層の厚さを測定した。

【００４９】表１光学凹部の厚さ（μｍ）反射率（％）０．０５１３．００．１０７．００．１２４．００．２２５．００．２４７．００．２５１１．００．３３１１．００．３４７．６０．３６５．３０．４６４．００．４８７．８０．４９１１．００．５６１１．００．６１８．００．６３６．００．７３５．１０．７４７．８０．７５１１．００．８４１１．０この表１の結果から明らかなように、トラツキング用光
学凹部２３の厚さによつて反射率が大きく異なり、その
光学凹部２３における磁性層の厚さが０．２５〜０．３
３μｍ、０．４９〜０．５６μｍ、０．７５〜０．８４
μｍのものは、凹部であつても反射率が高い。なぜこの
ように反射率が高いのか理由は明確でないが、トラツキ
ング用光学凹部２３の下にあるベースフイルムの反射性
が影響していると想定される。

【００５０】これに対してトラツキング用光学凹部２３
における磁性層の厚さを０．１０〜０．２４μｍ、０．
３４〜０．４８μｍ、０．６１〜０．７４μｍのいずれ
かの範囲に規制すれば、低い反射率（８％以下）を得る
ことができ、特に光学凹部２３における磁性層の厚さを
０．１２〜０．２２μｍ、０．３６〜０．４６μｍ、
０．６３〜０．７３μｍのいずれかの範囲に規制する
と、さらに低い反射率が得られる。

【００５１】次にトラツキング用光学凹部２３の厚さを
０．７４μｍにして、発光素子３１から出射される光の
中心波長（λ）とその光の入射角（θ）を種々変えたと
きの反射率を測定して、中心波長（λ）と入射角（θ）
と反射率とが互いに密接な関係にあることを見出し、そ
の結果をまとめて図１０に示した。

【００５２】この図は縦軸に発光素子３１から出射され
る光の中心波長（λ）を、横軸に光の入射角（θ）をと
った中心波長とその光の入射角との相関図であり、図中
の◎印は反射率が８％未満、○印は反射率が８％以上で
１０％未満、△印は反射率が１０％以上で１１％未満、
×印は反射率が１１％以上のものを示す。

【００５３】この図から明らかなように、中心波長
（λ）が７００ｎｍから１０４０ｎｍで、光の入射角
（θ）が８０度以下のものが使用でき、トラツキング用
光学凹部２３における磁性層の膜厚が同じでも発光素子
３１から出射される光の中心波長（λ）とその光の入射
角（θ）とを適正に組み合わせることにより、安定した
低い反射率を得ることができる。

【００５４】すなわち、中心波長（λ）とその光の入射角（θ）との相関図において、図中の直線Ｌ₁は、 λ₁＝−２．２θ＋８６０〔ｎｍ〕式１直線Ｌ₂は、 λ₂＝−２．２θ＋９９０〔ｎｍ〕式２直線Ｌ₃は、 λ₃＝−２．２θ＋８３０〔ｎｍ〕式３直線Ｌ₄は、 λ₄＝−２．２θ＋１０４０〔ｎｍ〕式４で表せられる。従って、光の中心波長（λ）とその光の
入射角（θ）とが、前記直線Ｌ₁（式１）以下の範囲ま
たは前記直線Ｌ₂（式２）以上の範囲にあると、反射率
は確実に１１％未満に確保できる。さらに前記直線Ｌ₃
（式３）以下の範囲または前記直線Ｌ₄（式４）以上の
範囲にあると、反射率は確実に１０％未満に確保でき
る。

【００５５】次の表２は、発光素子３１（赤外発光ダイ
オード使用）から出射される光の中心波長を８３０ｎ
ｍ、その光の入射角を４０度にして、トラツキング用光
学凹部２３における磁性層の厚さを種々変えた場合の反
射率を測定してまとめた表である。

【００５６】表２光学凹部の厚さ（μｍ）反射率（％）０．０５１３．３０．１０７．３０．１２４．５０．２２５．５０．２４７．６０．２５１１．００．３３１１．００．３４７．４０．３６５．３０．４６５．００．４８８．００．４９１１．００．５６１１．００．６１７．８０．６３６．１０．７３６．００．７４７．５０．７５１１．００．８４１１．０次の表３は、発光素子３１（半導体レーザ使用）から出
射される光の中心波長を７８０ｎｍ、その光の入射角を
６０度にして、トラツキング用光学凹部２３における磁
性層の厚さを種々変えた場合の磁性層表面での反射率を
測定してまとめた表である。

【００５７】表３光学凹部の厚さ（μｍ）反射率（％）０．０５１２．８０．１０７．３０．１２５．００．２２５．００．２４６．５０．２５１１．００．３３１１．００．３４８．００．３６５．３０．４６４．００．４８７．５０．４９１１．００．５６１１．００．６１８．００．６３５．００．７３６．００．７４７．５０．７５１１．００．８４１１．０この表２ならびに表３の結果からも明らかなように、ト
ラツキング用光学凹部２３における磁性層の厚さを０．
１０〜０．２４μｍ、０．３４〜０．４８μｍ、０．６
２〜０．７４μｍのいずれかの範囲に規制すれば、低い
反射率（１０％以下）を得ることができ、特にトラツキ
ング用光学凹部２３の厚さを０．１２〜０．２２μｍ、
０．３６〜０．４６μｍ、０．６３〜０．７３μｍのい
ずれかの範囲に規制すると、さらに低い反射率が得られ
ることが分かる。

【００５８】このように低い反射率を有するということ
は、前記データタトラツク１４との反射率の差が明確に
現れ、磁気ヘツドのトラツキングサーボが適正に行なわ
れることを意味する。

【００５９】前述の各試験結果から明らかなように、磁
性層の厚さを０．２５〜０．３３μｍ、０．４９〜０．
５６μｍ、０．７５〜０．８４μｍのいずれかの範囲に
規制することにより高い反射率を得ることができる。そ
のためデータトラツクにおける磁性層の厚さを０．２５
〜０．３３μｍ、０．４９〜０．５６μｍ、０．７５〜
０．８４μｍのいずれかの範囲に規制し、かつ、トラツ
キング用光学凹部２３における磁性層の厚さを０．１０
〜０．２４μｍ、０．３４〜０．４８μｍ、０．６２〜
０．７４μｍのいずれかの範囲に規制すれば、データト
ラツクにおける反射率とトラツキング用光学凹部２３に
おける反射率との差が明確に出て、磁気ヘツドのサーボ
トラツキングがより精密に行なわれる。

【００６０】さらに本発明者らはトラツキング用光学凹
部２３における磁性層の厚さを０．６３μｍと一定に
し、発光素子３１として光の中心波長が８８０ｎｍの赤
外発光ダイオードを使用し、発光素子３１からの入射角
度を２０度として、磁性層中の磁性粉の平均粒径と反射
率のばらつきとの関係について検討し、その結果を次の
表４に示す。

【００６１】表４磁性粉の平均粒径（μｍ）反射率（％）０．２０７．０〜１０．１０．１０５．６〜８．６０．０８５．８〜８．２０．０６５．５〜７．００．０４５．５〜７．１この表から明らかなように、磁性粉の平均粒径が０．１
μｍ以下、好ましくは０．０８μｍ以下、さらに好まし
くは０．０６μｍ以下のものは反射率のばらつきが少な
く、品質的に一定していることが分かる。

【００６２】この磁性粉として、特にバリウムフエライ
トあるいはストロンチウムフエライト等の板状フエライ
トが好適である。前記バリウムフエライトはＢａＯ・６
Ｆｅ₂Ｏ₃を主成分とし、ストロンチウムフエライトは
ＳｒＯ・６Ｆｅ₂Ｏ₃を主成分とし、ともにマグネツト
プランバイト型の六方晶の結晶構造を有している。

【００６３】前記実施例ではトラツキング用光学凹部を
形成する手段としてスタンパを使用したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、例えばレーザカツトある
いはエツチングなどの他の方法でトラツキング用光学凹
部を形成してもよい。

【００６４】前記実施例ではデイスク状の磁気記録媒体
について説明したが、本発明は例えば磁気カードなど他
の形態の磁気記録媒体にも適用が可能である。

【００６５】

【発明の効果】本発明は前述のように、トラツキング用
光学凹部における磁性層の厚さとを特定の範囲に限定す
ることにより、その部分の反射強度を確実に低くして、
トラツキング用光学凹部による磁気ヘツドのトラツキン
グサーボが適正に行なわれる磁気記録媒体を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る磁気デイスクカートリツ
ジの一部を分解した斜視図である。

【図２】磁気シートの拡大断面図である。

【図３】磁気デイスクの平面図である。

【図４】リフアレンストラツクの一部拡大平面図であ
る。

【図５】リフアレンストラツクならびに磁気ヘツドトラ
ツキング用光学トラツクを説明するための図である。

【図６】リフアレンストラツクならびに磁気ヘツドトラ
ツキング用光学トラツクを形成する装置を示す断面図で
ある。

【図７】磁気ヘツドのトラツキングサーボを説明するた
めの断面図である。

【図８】受光素子の配置状態を示す説明図である。

【図９】磁気ヘツドのトラツキング制御を説明するため
の断面図である。

【図１０】発光素子から出射される光の中心波長と入射
角との関係を示す相関図である。

【図１１】従来の磁気記録媒体の拡大断面図である。

【図１２】従来の磁気記録媒体上での受光素子の配置状
態を示す説明図図である。

【符号の説明】

２磁気デイスク７磁気シート９ベースフイルム１０ａ．１０ｂ磁性層１１リフアレンストラツク１２磁気ヘツドトラツキング用光学トラツク１４データトラツク１５記録帯域２３トラツキング用凹部３０磁気ヘツド３１発光素子３２受光素子群３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ受光素子３３サーボ信号演算部３４ヘツド駆動制御部Ｔトラツキング用光学凹部の厚さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性体からなる基体と、その基体の上
に形成された磁性層を有し、その磁性層の表面に所定の間隔をおいて多数の磁気ヘツ
ドトラツキング用光学凹部が設けられ、その磁気ヘツドトラツキング用光学凹部と隣の磁気ヘツ
ドトラツキング用光学凹部との間に、所望の情報を記録
するデータトラツクが形成された磁気記録媒体におい
て、前記磁気ヘツドトラツキング用光学凹部における磁性層
の厚さが、０．１０〜０．２４μｍ、０．３４〜０．４
８μｍ、０．６１〜０．７４μｍのいずれかの範囲に規
制されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１記載において、前記磁気ヘツド
トラツキング用光学凹部における磁性層の厚さが、０．
１２〜０．２２μｍ、０．３６〜０．４６μｍ、０．６
３〜０．７３μｍのいずれかの範囲に規制されているこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】請求項１または請求項２記載において、
前記データトラツクにおける磁性層の厚さが、０．２５
〜０．３３μｍ、０．４９〜０．５６μｍ、０．７５〜
０．８４μｍのいずれかの範囲に規制されていることを
特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１ないし請求項３記載のいずれか
において、前記膜厚を有する磁気記録媒体が、磁気ヘツ
ドトラツキング用発光素子から前記磁性層に対して照射
される光の中心波長（λ）が７００〜１０４０ｎｍの範
囲内で、その光の入射角（θ）が８０度以下に設定され
た磁気記録再生装置に使用される磁気記録媒体であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】請求項４記載において、前記磁気ヘツド
トラツキング用発光素子から照射される光の中心波長
（λ）とその光の入射角（θ）とが、その光の中心波長
（λ）と入射角（θ）との相関図において、直線Ｌ
₁（λ₁＝−２．２θ＋８６０〔ｎｍ〕）以下の範囲、
または直線Ｌ₂（λ₂＝−２．２θ＋９９０〔ｎｍ〕）
以上の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】請求項４記載において、前記磁気ヘツド
トラツキング用発光素子から照射される光の中心波長
（λ）とその光の入射角（θ）とが、その光の中心波長
（λ）と入射角（θ）との相関図において、直線Ｌ
₃（λ₃＝−２．２θ＋８３０〔ｎｍ〕）以下の範囲、
または直線Ｌ₄（λ₄＝−２．２θ＋１０４０〔ｎ
ｍ〕）以上の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項７】請求項１ないし請求項３記載のいずれか
において、前記磁性層に含有される磁性粉の平均粒径が
０．１μｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】請求項１ないし請求項３記載のいずれか
において、前記磁性粉が板状フエライトであることを特
徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】請求項８記載において、前記板状フエラ
イトがバリウムフエライトであることを特徴とする磁気
記録媒体。