JPH05148322A - 共重合体及びその製造方法 - Google Patents
共重合体及びその製造方法Info
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- JPH05148322A JPH05148322A JP33610291A JP33610291A JPH05148322A JP H05148322 A JPH05148322 A JP H05148322A JP 33610291 A JP33610291 A JP 33610291A JP 33610291 A JP33610291 A JP 33610291A JP H05148322 A JPH05148322 A JP H05148322A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
- C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
- C08F212/04—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing one ring
- C08F212/06—Hydrocarbons
- C08F212/08—Styrene
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト材料としての要求性能を満たす、新
規な狭分散性のランダム共重合体及びその製造方法を提
供すること。 【構成】 下記構造式化１ 【化１】 （式中Ｒ1 は水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基
であり、Ｒ2 及びＲ3 は炭素数１〜１２のアルキル基で
ある）で表される繰り返し単位及び下記構造式化２ 【化２】 で表される繰り返し単位を、各々共重合体ランダム鎖と
して有する狭分散ランダム共重合体、及び下記構造式化
３ 【化３】 で表されるモノマーとスチレンモノマーとをアニオン重
合させることによる狭分散ランダム共重合体の製造方
法。
規な狭分散性のランダム共重合体及びその製造方法を提
供すること。 【構成】 下記構造式化１ 【化１】 （式中Ｒ1 は水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基
であり、Ｒ2 及びＲ3 は炭素数１〜１２のアルキル基で
ある）で表される繰り返し単位及び下記構造式化２ 【化２】 で表される繰り返し単位を、各々共重合体ランダム鎖と
して有する狭分散ランダム共重合体、及び下記構造式化
３ 【化３】 で表されるモノマーとスチレンモノマーとをアニオン重
合させることによる狭分散ランダム共重合体の製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な共重合体及びそ
の製造方法に関し、特に機能性高分子として優れた、新
規なランダム共重合体及びその製造方法に関する。
の製造方法に関し、特に機能性高分子として優れた、新
規なランダム共重合体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】機能性高分子はコンピューター等に使用さ
れるＬＳＩ（大規模集積回路）等を製造する際の高解像
度のリソグラフィー用レジスト材料として多く使用され
ている。ＬＳＩの製造技術の発展に伴い、近年ＬＳＩの
集積度が年々高密度化されている。そこで、係る高密度
化に対応できる高解像度及び高現像性等の要求性能を有
するレジスト材料が要求されている。
れるＬＳＩ（大規模集積回路）等を製造する際の高解像
度のリソグラフィー用レジスト材料として多く使用され
ている。ＬＳＩの製造技術の発展に伴い、近年ＬＳＩの
集積度が年々高密度化されている。そこで、係る高密度
化に対応できる高解像度及び高現像性等の要求性能を有
するレジスト材料が要求されている。
【０００３】レジスト材料の解像度を高めるためには、
使用する高分子の分子量分布を狭くする（狭分散性）こ
とが有効であるということが理論的に知られている。従
って、高分子を任意の分子量に制御することは、ポリマ
ーをレジスト材料として使用する場合に極めて有効であ
る。
使用する高分子の分子量分布を狭くする（狭分散性）こ
とが有効であるということが理論的に知られている。従
って、高分子を任意の分子量に制御することは、ポリマ
ーをレジスト材料として使用する場合に極めて有効であ
る。
【０００４】従来、このような要求に答えるレジスト材
料としてノボラック樹脂が使用されているが、この場
合、広く分布する分子量の分子を分別することによって
分子量を制御すること（分別手法）が行われていた（例
えば、特開昭６２−１２１７５４号）。しかしながら、
このような分別手法は操作が複雑であるためレジスト材
料の製造に時間が掛かり、製造コスを上昇させるという
欠点があった。
料としてノボラック樹脂が使用されているが、この場
合、広く分布する分子量の分子を分別することによって
分子量を制御すること（分別手法）が行われていた（例
えば、特開昭６２−１２１７５４号）。しかしながら、
このような分別手法は操作が複雑であるためレジスト材
料の製造に時間が掛かり、製造コスを上昇させるという
欠点があった。
【０００５】一方、酸により容易に脱離される官能基を
有し、該官能基の脱離前後で溶解度が異なる化学増幅型
のレジスト材料は、その作業性が優れ、ＬＳＩ等の製造
効率を向上させるために、種々検討されている。このよ
うな化学増幅型のレジスト材料としては、スチレン誘導
体が耐プラズマ性に優れるために好ましいということが
知られている。
有し、該官能基の脱離前後で溶解度が異なる化学増幅型
のレジスト材料は、その作業性が優れ、ＬＳＩ等の製造
効率を向上させるために、種々検討されている。このよ
うな化学増幅型のレジスト材料としては、スチレン誘導
体が耐プラズマ性に優れるために好ましいということが
知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト材料に使用されるスチレン誘導体のポリマーは、従
来、ラジカル重合法或いは縮重合法により製造されてい
るため、分子量や分子量分布を制御することが難しく、
レジスト材料としての要求性能を十分に充たす狭分散性
のスチレン誘導体のポリマーを製造することが困難であ
った。そこで、本発明者等はポリスチレン誘導体につい
て鋭意研究した結果、レジスト材料としての要求性能を
満たす、新規な狭分散性の共重合体及びその製造方法を
見出し本発明に到達した。
ト材料に使用されるスチレン誘導体のポリマーは、従
来、ラジカル重合法或いは縮重合法により製造されてい
るため、分子量や分子量分布を制御することが難しく、
レジスト材料としての要求性能を十分に充たす狭分散性
のスチレン誘導体のポリマーを製造することが困難であ
った。そこで、本発明者等はポリスチレン誘導体につい
て鋭意研究した結果、レジスト材料としての要求性能を
満たす、新規な狭分散性の共重合体及びその製造方法を
見出し本発明に到達した。
【０００７】従って、本発明の第１の目的は、レジスト
材料としての要求性能を満たす新規な狭分散性の共重合
体を提供することにある。本発明の第２の目的は、レジ
スト材料としての要求性能を満たすと共に、狭分散性且
つ、任意の分子量に制御することのできる、新規な共重
合体の製造方法を提供することにある。
材料としての要求性能を満たす新規な狭分散性の共重合
体を提供することにある。本発明の第２の目的は、レジ
スト材料としての要求性能を満たすと共に、狭分散性且
つ、任意の分子量に制御することのできる、新規な共重
合体の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の上記の諸目的
は、下記構造式化５
は、下記構造式化５
【化５】 （式中、Ｒ1 は水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル
基であり、Ｒ2 及びＲ3 は炭素数１〜１２のアルキル基
である）で表される繰り返し単位、及び下記構造式化６
基であり、Ｒ2 及びＲ3 は炭素数１〜１２のアルキル基
である）で表される繰り返し単位、及び下記構造式化６
【化６】 で表される繰り返し単位を、各々共重合体ランダム鎖と
して有する狭分散ランダム共重合体、及びその製造方法
によって達成された。
して有する狭分散ランダム共重合体、及びその製造方法
によって達成された。
【０００９】本発明における狭分散とは、共重合体の重
量平均分子量ＭW と数平均分子量Ｍn の比Ｍｗ／Ｍｎが
１．０３〜１．５０であることを意味する。本発明の上
記化５及び化６の構造式で表される繰り返し単位を有す
るランダム共重合体は、下記構造式化７
量平均分子量ＭW と数平均分子量Ｍn の比Ｍｗ／Ｍｎが
１．０３〜１．５０であることを意味する。本発明の上
記化５及び化６の構造式で表される繰り返し単位を有す
るランダム共重合体は、下記構造式化７
【化７】 で表されるモノマーと下記構造式化８
【化８】 で表されるモノマーとをアニオン重合させることによっ
て容易に製造することができる。
て容易に製造することができる。
【００１０】本発明においては、化７の構造式で表され
るモノマーとスチレンモノマーとをアニオン重合させる
際に、狭分散性のランダム共重合体とする観点から、公
知のリビングアニオン開始剤を使用することが好ましい
が、特に有機金属化合物を用いることが好ましい。
るモノマーとスチレンモノマーとをアニオン重合させる
際に、狭分散性のランダム共重合体とする観点から、公
知のリビングアニオン開始剤を使用することが好ましい
が、特に有機金属化合物を用いることが好ましい。
【００１１】上記の有機金属化合物としては、例えば、
ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ナトリ
ウムナフタレン、ナフタレンカリウム、アントラセンナ
トリウム、α−メチルスチレンテトラマージナトリウ
ム、クミルカリウム、クミルセシウム等の有機アルカリ
金属等を挙げることができる。
ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ナトリ
ウムナフタレン、ナフタレンカリウム、アントラセンナ
トリウム、α−メチルスチレンテトラマージナトリウ
ム、クミルカリウム、クミルセシウム等の有機アルカリ
金属等を挙げることができる。
【００１２】本発明においては、非溶媒系又は有機溶媒
中においてアニオン重合を行わせることができるが、反
応速度を調整する等の観点から、有機溶媒中で重合を行
わせることが好ましい。上記の有機溶媒としては、ベン
ゼン、トルエン等の芳香族炭化水素溶媒、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン等の環状エー
テル溶媒、ジメトキシエタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘ
キサン等の脂肪族炭化水素溶媒及びこれらの混合溶媒等
を挙げることができるが、特にテトラヒドロフランを使
用することが好ましい。
中においてアニオン重合を行わせることができるが、反
応速度を調整する等の観点から、有機溶媒中で重合を行
わせることが好ましい。上記の有機溶媒としては、ベン
ゼン、トルエン等の芳香族炭化水素溶媒、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン等の環状エー
テル溶媒、ジメトキシエタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘ
キサン等の脂肪族炭化水素溶媒及びこれらの混合溶媒等
を挙げることができるが、特にテトラヒドロフランを使
用することが好ましい。
【００１３】上記の有機溶媒中で重合反応を行わせる場
合のモノマー（前記の化７の構造式で表されるモノマー
及びスチレンモノマー）の濃度は１〜３０重量％とする
ことが適当である。又、酸素等との反応を防止する観点
から、高真空下或いは窒素等の不活性ガスの存在下で反
応を行わせることが好ましい。反応を行わせる温度は−
７８℃から反応溶液の沸点温度まで適宜選択することが
できるが、テトラヒドロフラン溶媒中で反応させる場合
は−７８〜０℃の範囲が、又ベンゼン溶媒中では室温が
好ましい。
合のモノマー（前記の化７の構造式で表されるモノマー
及びスチレンモノマー）の濃度は１〜３０重量％とする
ことが適当である。又、酸素等との反応を防止する観点
から、高真空下或いは窒素等の不活性ガスの存在下で反
応を行わせることが好ましい。反応を行わせる温度は−
７８℃から反応溶液の沸点温度まで適宜選択することが
できるが、テトラヒドロフラン溶媒中で反応させる場合
は−７８〜０℃の範囲が、又ベンゼン溶媒中では室温が
好ましい。
【００１４】上記条件で、重合反応を約１０分〜５時間
行わせることによって、化５及び化６の構造式で表され
る繰り返し単位を有するランダム共重合体を得ることが
できる。重合反応の停止は、例えば、メタノール、水、
メチルブロマイド等の停止剤を反応系に添加することに
よって行うことができ、これによって所望の分子量のラ
ンダム共重合体を容易に得ることができる。この場合、
重合反応中の活性末端はリビングアニオン特有の色を有
しているので、この色の有無により重合反応の停止を確
認することが容易である。
行わせることによって、化５及び化６の構造式で表され
る繰り返し単位を有するランダム共重合体を得ることが
できる。重合反応の停止は、例えば、メタノール、水、
メチルブロマイド等の停止剤を反応系に添加することに
よって行うことができ、これによって所望の分子量のラ
ンダム共重合体を容易に得ることができる。この場合、
重合反応中の活性末端はリビングアニオン特有の色を有
しているので、この色の有無により重合反応の停止を確
認することが容易である。
【００１５】本発明のアニオン重合反応によればモノマ
ーが１００％反応するので、使用するモノマーの量と添
加されるリビングアニオン開始剤のモル数（分子数）を
調整することにより、得られるポリマーの分子量を適宜
制御することもできる。
ーが１００％反応するので、使用するモノマーの量と添
加されるリビングアニオン開始剤のモル数（分子数）を
調整することにより、得られるポリマーの分子量を適宜
制御することもできる。
【００１６】本発明においては、ランダム共重合体の数
平均分子量を５００〜５００，０００の範囲とすること
が好ましいが、特に３，０００〜３００，０００の範囲
とすることが好ましい。又、前記の化５又は化６の構造
式で表される繰り返し単位を任意の割合で含有する共重
合体を合成することができるが、通常は、化５で表され
る繰り返し単位／化６で表される繰り返し単位のモル比
が０．１〜９９．９／９９．９〜０．１とする。
平均分子量を５００〜５００，０００の範囲とすること
が好ましいが、特に３，０００〜３００，０００の範囲
とすることが好ましい。又、前記の化５又は化６の構造
式で表される繰り返し単位を任意の割合で含有する共重
合体を合成することができるが、通常は、化５で表され
る繰り返し単位／化６で表される繰り返し単位のモル比
が０．１〜９９．９／９９．９〜０．１とする。
【００１７】ここで、共重合体の重量平均分子量
（ＭW ）は、使用したモノマーの重量及びアニオン開始
剤のモル数（分子数）から容易に計算することができ、
又光散乱法によって測定することもできる。又、数平均
分子量（Ｍｎ）は膜浸透圧計を用いることにより、共重
合体の分子構造は赤外線（ＩＲ）スペクトル及び1 Ｈ−
ＮＭＲスペクトルによって容易に測定又は確認すること
ができる。更に、分子量分布はゲルパーミェーションク
ロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって容易に評価するこ
とができる。尚、共重合体のランダム性については、Ｄ
ＳＣにより測定したＴｇ（ガラス転移点）の測定によっ
て容易に確認することができる。
（ＭW ）は、使用したモノマーの重量及びアニオン開始
剤のモル数（分子数）から容易に計算することができ、
又光散乱法によって測定することもできる。又、数平均
分子量（Ｍｎ）は膜浸透圧計を用いることにより、共重
合体の分子構造は赤外線（ＩＲ）スペクトル及び1 Ｈ−
ＮＭＲスペクトルによって容易に測定又は確認すること
ができる。更に、分子量分布はゲルパーミェーションク
ロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって容易に評価するこ
とができる。尚、共重合体のランダム性については、Ｄ
ＳＣにより測定したＴｇ（ガラス転移点）の測定によっ
て容易に確認することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の新規なランダム共重合体は分子
量分布が狭く単分散とすることができる上、任意の分子
量に制御することができるため、高解像度等のレジスト
材料としての要求性能を充たすと共に製造することも容
易である。
量分布が狭く単分散とすることができる上、任意の分子
量に制御することができるため、高解像度等のレジスト
材料としての要求性能を充たすと共に製造することも容
易である。
【００１９】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳述する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００２０】実施例１．２リットルのフラスコに、溶媒
としてテトラヒドロフラン７００ｍｌ、及び開始剤とし
てｎ−ブチルリチウム２×１０-3モルを仕込み、混合し
た。得られた混合溶液を−７８℃に冷却した後、該溶液
にｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン２０ｇとスチレン２
０ｇとを混合した溶液を添加し、攪拌しながら１時間重
合反応を行わせたところ、該反応溶液は赤色を呈した。
次いで、得られた反応溶液に反応停止剤としてメタノー
ルを添加して重合反応を停止させた後、該溶液をメタノ
ール中に注ぎ、得られた重合体を沈澱させ、分離乾燥さ
せて白色の重合体２９．５ｇを得た。
としてテトラヒドロフラン７００ｍｌ、及び開始剤とし
てｎ−ブチルリチウム２×１０-3モルを仕込み、混合し
た。得られた混合溶液を−７８℃に冷却した後、該溶液
にｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン２０ｇとスチレン２
０ｇとを混合した溶液を添加し、攪拌しながら１時間重
合反応を行わせたところ、該反応溶液は赤色を呈した。
次いで、得られた反応溶液に反応停止剤としてメタノー
ルを添加して重合反応を停止させた後、該溶液をメタノ
ール中に注ぎ、得られた重合体を沈澱させ、分離乾燥さ
せて白色の重合体２９．５ｇを得た。
【００２１】得られた重合体の1 Ｈ−ＮＭＲの測定結果
及びＧＰＣ溶出曲線は図１及び図２に示した通りであ
る。更に、ＤＳＣにより測定したＴｇは１１０℃であっ
た。1 Ｈ−ＮＭＲの測定結果から上記の共重合体は、ス
チレン５０％及びｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン５０
％からなる共重合体であることが確認された。又、膜浸
透圧測定法によって数平均分子量を測定したところ、
５．５×１０4 ｇ／モルであった。更に、ＧＰＣ溶出曲
線の結果から、単分散性が極めて高い（ＭW ／Ｍｎ＝
１．１５）ことが確認された。
及びＧＰＣ溶出曲線は図１及び図２に示した通りであ
る。更に、ＤＳＣにより測定したＴｇは１１０℃であっ
た。1 Ｈ−ＮＭＲの測定結果から上記の共重合体は、ス
チレン５０％及びｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン５０
％からなる共重合体であることが確認された。又、膜浸
透圧測定法によって数平均分子量を測定したところ、
５．５×１０4 ｇ／モルであった。更に、ＧＰＣ溶出曲
線の結果から、単分散性が極めて高い（ＭW ／Ｍｎ＝
１．１５）ことが確認された。
【００２２】実施例２．２リットルのフラスコに、溶媒
としてテトラヒドロフラン１．５リットル及び開始剤と
してクミルカリウム１×１０-2モルを仕込み、混合し
た。得られた混合溶液を−７８℃に冷却した後、該溶液
にｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン８０ｇとスチレン２
０ｇとをテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解した溶液
を添加し、攪拌しながら２時間重合反応を行わせたとこ
ろ、反応溶液は赤色を呈した。次いで、得られた反応溶
液に反応停止剤としてメタノールを添加し、重合反応を
停止させた後該溶液をメタノール中に注いで得られた重
合体を沈澱させ、分離乾燥して白色の重合体７９．５ｇ
を得た。
としてテトラヒドロフラン１．５リットル及び開始剤と
してクミルカリウム１×１０-2モルを仕込み、混合し
た。得られた混合溶液を−７８℃に冷却した後、該溶液
にｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン８０ｇとスチレン２
０ｇとをテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解した溶液
を添加し、攪拌しながら２時間重合反応を行わせたとこ
ろ、反応溶液は赤色を呈した。次いで、得られた反応溶
液に反応停止剤としてメタノールを添加し、重合反応を
停止させた後該溶液をメタノール中に注いで得られた重
合体を沈澱させ、分離乾燥して白色の重合体７９．５ｇ
を得た。
【００２３】得られた重合体を1 Ｈ−ＮＭＲによって測
定したところ、実施例１と同様の特性吸収が観測され
た。又、ＧＰＣ溶出曲線は図３に示した通りであり、得
られた共重合体は極めて単分散性の高い（ＭW ／Ｍｎ＝
１．２１）共重合体であることが確認された。更に、Ｄ
ＳＣにより測定したＴｇは１２０℃であった。1 Ｈ−Ｎ
ＭＲの結果から、上記の共重合体は、スチレン２０％及
びｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン８０％からなる共重
合体であることが確認された。又、膜浸透圧測定法によ
って該共重合体の数平均分子量を測定したところ、１．
２×１０4 ｇ／モルであった。
定したところ、実施例１と同様の特性吸収が観測され
た。又、ＧＰＣ溶出曲線は図３に示した通りであり、得
られた共重合体は極めて単分散性の高い（ＭW ／Ｍｎ＝
１．２１）共重合体であることが確認された。更に、Ｄ
ＳＣにより測定したＴｇは１２０℃であった。1 Ｈ−Ｎ
ＭＲの結果から、上記の共重合体は、スチレン２０％及
びｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン８０％からなる共重
合体であることが確認された。又、膜浸透圧測定法によ
って該共重合体の数平均分子量を測定したところ、１．
２×１０4 ｇ／モルであった。
【図１】実施例１で得られた重合体の1 Ｈ−ＮＭＲ吸収
スペクトルを表す。
スペクトルを表す。
【図２】実施例１で得られた重合体のＧＰＣ溶出曲線を
表す。
表す。
【図３】実施例２で得られた重合体のＧＰＣ溶出曲線を
表す。
表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 素行 神奈川県川崎市高津区坂戸100−１ かな がわサイエンスパーク アールアンドデー ビル エ−12エフ 信越化学工業株式会社 コーポレートリサーチセンター内 (72)発明者 八木橋 不二夫 神奈川県川崎市高津区坂戸100−１ かな がわサイエンスパーク アールアンドデー ビル エ−12エフ 信越化学工業株式会社 コーポレートリサーチセンター内 (72)発明者 高見沢 稔 神奈川県川崎市高津区坂戸100−１ かな がわサイエンスパーク アールアンドデー ビル エ−12エフ 信越化学工業株式会社 コーポレートリサーチセンター内
Claims (2)
- 【請求項１】 下記構造式化１ 【化１】 （式中Ｒ1 は水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基
であり、Ｒ2 及びＲ3 は炭素数１〜１２のアルキル基で
ある）で表される繰り返し単位及び下記構造式化２ 【化２】 で表される繰り返し単位を、各々共重合体ランダム鎖と
して有する狭分散ランダム共重合体。 - 【請求項２】 下記構造式化３ 【化３】 で表されるモノマーと下記構造式化４ 【化４】 で表されるモノマーとをアニオン重合させることを特徴
とする請求項１に記載の狭分散ランダム共重合体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33610291A JPH05148322A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 共重合体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33610291A JPH05148322A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 共重合体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05148322A true JPH05148322A (ja) | 1993-06-15 |
Family
ID=18295720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33610291A Pending JPH05148322A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 共重合体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05148322A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199705A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-12 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | フエノ−ル残基を有する狭分散高分子の製造方法 |
| JPH03200811A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 水酸基含有重合体の製造方法 |
| JPH03277608A (ja) * | 1990-03-27 | 1991-12-09 | Nippon Soda Co Ltd | Ｐ―アルケニルフェノール系重合体の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP33610291A patent/JPH05148322A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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