JPH05145111A - オプトエレクトロニツク−カツプラ - Google Patents
オプトエレクトロニツク−カツプラInfo
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- JPH05145111A JPH05145111A JP12209492A JP12209492A JPH05145111A JP H05145111 A JPH05145111 A JP H05145111A JP 12209492 A JP12209492 A JP 12209492A JP 12209492 A JP12209492 A JP 12209492A JP H05145111 A JPH05145111 A JP H05145111A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by at least one potential or surface barrier
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4295—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with semiconductor devices activated by light through the light guide, e.g. thyristors, phototransistors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 オプトエレクトロニック−カップラの製造時
に生ずる応力を低減させてブレークダウン電圧を高め、
且つ不良品の割合を低下させる。 【構成】 別々の接続導体６，３に固着され、且つ接触
ワイヤを介して１個以上の他の接続導体に電気的に接続
した光送信機９及び光受信機８を具え、これらの送信
機、受信機、接触ワイヤ及び各接続導体の一部を一次包
囲体１３，１５内に埋設し、この一次包囲体を不透明の
二次包囲１体内に埋設したオプトエレクトロニック−カ
ップラであって、前記一次包囲体と二次包囲体との間の
境界面が、前記両包囲体を粘着的に相互接続する少なく
とも１つの領域を具え、且つ前記境界面が、前記両包囲
体を非粘着的に相互接続する少なくとも１つの領域を具
えている。
に生ずる応力を低減させてブレークダウン電圧を高め、
且つ不良品の割合を低下させる。 【構成】 別々の接続導体６，３に固着され、且つ接触
ワイヤを介して１個以上の他の接続導体に電気的に接続
した光送信機９及び光受信機８を具え、これらの送信
機、受信機、接触ワイヤ及び各接続導体の一部を一次包
囲体１３，１５内に埋設し、この一次包囲体を不透明の
二次包囲１体内に埋設したオプトエレクトロニック−カ
ップラであって、前記一次包囲体と二次包囲体との間の
境界面が、前記両包囲体を粘着的に相互接続する少なく
とも１つの領域を具え、且つ前記境界面が、前記両包囲
体を非粘着的に相互接続する少なくとも１つの領域を具
えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は別々の接続導体に固着さ
れ、且つ接触ワイヤを介して１個以上の他の接続導体に
電気的に接続した光送信機及び光受信機を具え、送信
機、受信機、接続ワイヤ及び各接続導体の一部を一次包
囲体内に埋設し、この一次包囲体を不透明の二次包囲体
内に埋設したオプトエレクトロニック−カップラに関す
るものである。
れ、且つ接触ワイヤを介して１個以上の他の接続導体に
電気的に接続した光送信機及び光受信機を具え、送信
機、受信機、接続ワイヤ及び各接続導体の一部を一次包
囲体内に埋設し、この一次包囲体を不透明の二次包囲体
内に埋設したオプトエレクトロニック−カップラに関す
るものである。
【０００２】オプトエレクトロニック−カップラは、特
に例えば周辺機器からの電圧に対してコンピュータ及び
電気通信機器を守るための保護装置に用いられる。これ
らのカップラはオーディオ及びビデオ機器にも用いられ
る。
に例えば周辺機器からの電圧に対してコンピュータ及び
電気通信機器を守るための保護装置に用いられる。これ
らのカップラはオーディオ及びビデオ機器にも用いられ
る。
【０００３】
【従来の技術】斯種のオプトエレクトロニック−カップ
ラは欧州特許明細書 EP192,634号から既知である。これ
に開示されているカップラは光送信機としてのＬＥＤ
（発光ダイオード）及び光受信機としての光電ダイオー
ドを具えており、これらを透明の一次包囲体により互い
に光学的に結合させている。なお、ここに云う「透明包
囲体」とは、カップラの作動中に送信機によって放射さ
れて、受信機により受信される光信号に対して斯かる包
囲体の材料が光学的に透過性であることを意味してい
る。前記光信号の波長は可視光スペクトル並びにＵＶ及
びＩＲスペクトル内の波長とすることができる。
ラは欧州特許明細書 EP192,634号から既知である。これ
に開示されているカップラは光送信機としてのＬＥＤ
（発光ダイオード）及び光受信機としての光電ダイオー
ドを具えており、これらを透明の一次包囲体により互い
に光学的に結合させている。なお、ここに云う「透明包
囲体」とは、カップラの作動中に送信機によって放射さ
れて、受信機により受信される光信号に対して斯かる包
囲体の材料が光学的に透過性であることを意味してい
る。前記光信号の波長は可視光スペクトル並びにＵＶ及
びＩＲスペクトル内の波長とすることができる。
【０００４】カップラの一次透明包囲体は不透明の二次
包囲体内に埋設する。二次包囲体はカップラに必要な強
度を与えると共に一次包囲体に外部から光信号が入らな
いようにする。従来のカップラでは、一次包囲体と二次
包囲体とが粘着的に相互接続されるように一次包囲体の
表面を処理している。この粘着性の改善は一次包囲体を
ＵＶ光、化学試薬、コロナ又はプラズマ放電で処理する
ことにより達成される。このようにすることにより一次
と二次の包囲体間の境界面に湿気が浸透しなくなる。境
界面に湿気が浸透すると接続導体間が短絡さることがあ
る。短絡は５〜１０ｋＶ程度、又はそれよりも高い電圧
で生ずる。この場合、送信機及び受信機が接続されてい
る接続導体間に導電通路が形成される。この導電通路は
２つの包囲体間に存在する湿気膜によって形成される。
包囲体内に埋設する。二次包囲体はカップラに必要な強
度を与えると共に一次包囲体に外部から光信号が入らな
いようにする。従来のカップラでは、一次包囲体と二次
包囲体とが粘着的に相互接続されるように一次包囲体の
表面を処理している。この粘着性の改善は一次包囲体を
ＵＶ光、化学試薬、コロナ又はプラズマ放電で処理する
ことにより達成される。このようにすることにより一次
と二次の包囲体間の境界面に湿気が浸透しなくなる。境
界面に湿気が浸透すると接続導体間が短絡さることがあ
る。短絡は５〜１０ｋＶ程度、又はそれよりも高い電圧
で生ずる。この場合、送信機及び受信機が接続されてい
る接続導体間に導電通路が形成される。この導電通路は
２つの包囲体間に存在する湿気膜によって形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のオプトエレクト
ロニック−カップラには幾つかの欠点がある。例えば、
上記カップラの製造方法では不良品が出る割合が不所望
に高いことが確かめられた。従来の粘着改善手段を用い
たかなりの数のカップラは少しも機能しなかった。
ロニック−カップラには幾つかの欠点がある。例えば、
上記カップラの製造方法では不良品が出る割合が不所望
に高いことが確かめられた。従来の粘着改善手段を用い
たかなりの数のカップラは少しも機能しなかった。
【０００６】本発明の目的は上述したような欠点を除去
するか、又は低減させることにある。特に本発明の目的
は、ブレークダウン電圧が高く、不良品の割合を低く製
造することができるオプトエレクトロニック−カップラ
を提供することにある。
するか、又は低減させることにある。特に本発明の目的
は、ブレークダウン電圧が高く、不良品の割合を低く製
造することができるオプトエレクトロニック−カップラ
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は冒頭にて述べた
種類のオプトエレクトロニック−カップラにおいて、前
記一次包囲体と前記二次包囲体との間の境界面が、前記
両包囲体を粘着的に相互接続する少なくとも１つの領域
を具え、且つ前記境界面が、前記両包囲体を非粘着的に
相互接続する少なくとも１つの領域を具えていることを
特徴とする。
種類のオプトエレクトロニック−カップラにおいて、前
記一次包囲体と前記二次包囲体との間の境界面が、前記
両包囲体を粘着的に相互接続する少なくとも１つの領域
を具え、且つ前記境界面が、前記両包囲体を非粘着的に
相互接続する少なくとも１つの領域を具えていることを
特徴とする。
【０００８】本発明は一次包囲体と二次包囲体を境界面
全体で粘着的に相互接続した場合には不都合であるとい
う識見を実験にて得たことに基いて成したものである。
境界面全体を粘着的に相互接続した場合には、カップラ
の製造中に一次包囲体に許容できない高い弾性応力が及
ぶことになる。こうした応力は二次包囲体を一次包囲体
のまわりに設ける場合、特にこれら包囲体の材質の膨張
係数の差が大きい場合で、しかも二次包囲体を比較的高
い温度で設ける場合に発生する。これは特に、シリコー
ンゴムを主成分とする一次包囲体及びエポキシ樹脂を主
成分とする二次包囲体を用いる場合に云えることであ
る。上述した応力のために、接触ワイヤが切れて、ダイ
オードや、トランジスタや、接続導体から外れたり及び
／又は送信機又は受信機と接続導体との接続が遮断され
たりする。これによりカップラは機能しなくなる。この
ような問題は、双方の包囲体をそれらの境界面の一部分
だけで粘着的に相互接続する場合に十分に低減させるこ
とができることを確かめた。
全体で粘着的に相互接続した場合には不都合であるとい
う識見を実験にて得たことに基いて成したものである。
境界面全体を粘着的に相互接続した場合には、カップラ
の製造中に一次包囲体に許容できない高い弾性応力が及
ぶことになる。こうした応力は二次包囲体を一次包囲体
のまわりに設ける場合、特にこれら包囲体の材質の膨張
係数の差が大きい場合で、しかも二次包囲体を比較的高
い温度で設ける場合に発生する。これは特に、シリコー
ンゴムを主成分とする一次包囲体及びエポキシ樹脂を主
成分とする二次包囲体を用いる場合に云えることであ
る。上述した応力のために、接触ワイヤが切れて、ダイ
オードや、トランジスタや、接続導体から外れたり及び
／又は送信機又は受信機と接続導体との接続が遮断され
たりする。これによりカップラは機能しなくなる。この
ような問題は、双方の包囲体をそれらの境界面の一部分
だけで粘着的に相互接続する場合に十分に低減させるこ
とができることを確かめた。
【０００９】さらに、一次包囲体と二次包囲体を粘着的
に相互接続する境界面の領域は境界面の全表面の少なく
とも１０％とするのが好適であることも確かめた。双方
の包囲体を境界面の１０％以下の面積にわたって粘着的
に相互接続する場合には、ブレークダウンする危険性が
依然としてかなり高くなる。又、双方の包囲体を粘着的
に相互接続する境界面の領域は境界面の全表面の最大で
６０％とするのが好適である。この粘着領域を６０％以
上にすると、オプト−カップラの製造工程での不良品の
割合が許容できない程度に高くなる。
に相互接続する境界面の領域は境界面の全表面の少なく
とも１０％とするのが好適であることも確かめた。双方
の包囲体を境界面の１０％以下の面積にわたって粘着的
に相互接続する場合には、ブレークダウンする危険性が
依然としてかなり高くなる。又、双方の包囲体を粘着的
に相互接続する境界面の領域は境界面の全表面の最大で
６０％とするのが好適である。この粘着領域を６０％以
上にすると、オプト−カップラの製造工程での不良品の
割合が許容できない程度に高くなる。
【００１０】本発明の他の好適例では、前記境界面が前
記一次包囲体及び二次包囲体を粘着的に相互接続する２
領域を具え、これら２領域の一方を前記送信機が電気的
に接続される接続導体に隣接させ、他方の領域を前記受
信機が電気的に接続される接続導体に隣接させ、これら
の２領域を前記境界面の第３領域によって互いに分離さ
せ、この第３領域では前記一次包囲体及び二次包囲体を
非粘着的に相互接続する。
記一次包囲体及び二次包囲体を粘着的に相互接続する２
領域を具え、これら２領域の一方を前記送信機が電気的
に接続される接続導体に隣接させ、他方の領域を前記受
信機が電気的に接続される接続導体に隣接させ、これら
の２領域を前記境界面の第３領域によって互いに分離さ
せ、この第３領域では前記一次包囲体及び二次包囲体を
非粘着的に相互接続する。
【００１１】このようにすれば、粘着領域が接続導体に
隣接する。湿気が浸透する危険性は、特に二次包囲体と
接続導体との間の境界領域にて高くなる。接続導体の縁
に粘着領域を作ることにより湿気が浸透しなくなる。従
って一次包囲体と二次包囲体を非粘着的に相互接続する
個所におけるこれら両包囲体間の境界面領域に湿気が浸
透できなくなる。
隣接する。湿気が浸透する危険性は、特に二次包囲体と
接続導体との間の境界領域にて高くなる。接続導体の縁
に粘着領域を作ることにより湿気が浸透しなくなる。従
って一次包囲体と二次包囲体を非粘着的に相互接続する
個所におけるこれら両包囲体間の境界面領域に湿気が浸
透できなくなる。
【００１２】
【実施例】以下図面を参照して本発明を実施例につき説
明するに、全てのコンポーネントは実寸図示したもので
なく、又各図は同じカップラを示しており、同一コンポ
ーネントには同じ参照番号を付して示してある。
明するに、全てのコンポーネントは実寸図示したもので
なく、又各図は同じカップラを示しており、同一コンポ
ーネントには同じ参照番号を付して示してある。
【００１３】図１は本発明によるオプトエレクトロニッ
ク−カップラを示している。このカップラはエポキシ樹
脂製の二次包囲体１を具えている。この包囲体の組成と
しては、作動時に光送信機が放射して光受信機が感知す
る光を通さないようなものとする。包囲体１の２つの各
反対側の側面から３つづつの接続導体２，３，４及び
５，６，７をそれぞれ突出させるが、図１では接続導体
５，６，７は一部分しか見えない。
ク−カップラを示している。このカップラはエポキシ樹
脂製の二次包囲体１を具えている。この包囲体の組成と
しては、作動時に光送信機が放射して光受信機が感知す
る光を通さないようなものとする。包囲体１の２つの各
反対側の側面から３つづつの接続導体２，３，４及び
５，６，７をそれぞれ突出させるが、図１では接続導体
５，６，７は一部分しか見えない。
【００１４】図２は図１に示した座標のｘｙ平面におけ
るこの図１のカップラの断面図である。ダイオード又は
トランジスタ形態の光学的に敏感な光受信機８及び発光
ダイオード（ＬＥＤ）形態の光送信機９を導電性の接着
剤によって接続導体３及び６にそれぞれ固着し、且つ電
気的に接続する。例えば受信機８としてはシリコンｎｐ
ｎホトトランジスタを用い、送信機としては赤外領域内
で作動させることのできるＧａＡｓダイオードを用い
る。光受信機８は金の接触ワイヤ１０及び１１を介して
接続導体２及び４にそれぞれ電気的に接続する。光送信
機９は金の接触ワイヤ１２により接続導体７に電気的に
接続する。
るこの図１のカップラの断面図である。ダイオード又は
トランジスタ形態の光学的に敏感な光受信機８及び発光
ダイオード（ＬＥＤ）形態の光送信機９を導電性の接着
剤によって接続導体３及び６にそれぞれ固着し、且つ電
気的に接続する。例えば受信機８としてはシリコンｎｐ
ｎホトトランジスタを用い、送信機としては赤外領域内
で作動させることのできるＧａＡｓダイオードを用い
る。光受信機８は金の接触ワイヤ１０及び１１を介して
接続導体２及び４にそれぞれ電気的に接続する。光送信
機９は金の接触ワイヤ１２により接続導体７に電気的に
接続する。
【００１５】受信機８、送信機９、接触ワイヤ１０〜１
２及び接続導体２〜７の一部分は透明の一次包囲体内に
埋設する。この一次包囲体を本例の場合にはシリコーン
ゴムで構成する。この一次包囲体は境界を線１４にて示
している透明のシリコーンゴムから成る中心包囲体１３
を具えている。カップラの作動中に受信機８及び送信機
９は中心包囲体１３を介して互いに光学的に接触する。
上記中心包囲体１３を白色のシリコーンゴム層１５で被
覆する。このシリコーンゴム層１５の境界を線１６にて
示してある。中心包囲体１３に使用するシリコーンゴム
は、これに例えば二酸化チタンをさらに混合して、ゴム
を白色にして上述した層１５用に使用することもでき
る。白色シリコーンゴムは透明シリコーンゴム製の中心
包囲体１３内にて発生される光信号に対する反射層とし
ての働きをする。このような反射層を設けることにより
カップラの光学的感度が向上する。
２及び接続導体２〜７の一部分は透明の一次包囲体内に
埋設する。この一次包囲体を本例の場合にはシリコーン
ゴムで構成する。この一次包囲体は境界を線１４にて示
している透明のシリコーンゴムから成る中心包囲体１３
を具えている。カップラの作動中に受信機８及び送信機
９は中心包囲体１３を介して互いに光学的に接触する。
上記中心包囲体１３を白色のシリコーンゴム層１５で被
覆する。このシリコーンゴム層１５の境界を線１６にて
示してある。中心包囲体１３に使用するシリコーンゴム
は、これに例えば二酸化チタンをさらに混合して、ゴム
を白色にして上述した層１５用に使用することもでき
る。白色シリコーンゴムは透明シリコーンゴム製の中心
包囲体１３内にて発生される光信号に対する反射層とし
ての働きをする。このような反射層を設けることにより
カップラの光学的感度が向上する。
【００１６】一次包囲体１３，１５を熱硬化性のエポキ
シ化合物製の二次包囲体１内に埋設する。エポキシ樹脂
に例えばすすの如き黒色充填剤を混ぜてエイポシ化合物
を黒色化した。このようにしたら、外部からの光信号は
一次包囲体まで到達しなくなった。二次包囲体はカップ
ラに必要な機械的強度を与える。
シ化合物製の二次包囲体１内に埋設する。エポキシ樹脂
に例えばすすの如き黒色充填剤を混ぜてエイポシ化合物
を黒色化した。このようにしたら、外部からの光信号は
一次包囲体まで到達しなくなった。二次包囲体はカップ
ラに必要な機械的強度を与える。
【００１７】図３は図１に示した座標系のｙｚ平面での
図１のカップラの断面図である。この図から透明シリコ
ーンゴム製の中心包囲体１３を如何にして白色シリコー
ンゴム層１５により囲み、送信機９及び受信機８を如何
にして透明シリコーンゴム内に埋設するかが判る。
図１のカップラの断面図である。この図から透明シリコ
ーンゴム製の中心包囲体１３を如何にして白色シリコー
ンゴム層１５により囲み、送信機９及び受信機８を如何
にして透明シリコーンゴム内に埋設するかが判る。
【００１８】図２及び図３の線１６は一次包囲体と二次
包囲体との間の境界面の部分を示しており、一次包囲体
と二次包囲体を粘着的に相互接続する境界面の領域を太
い実線１６にて示してある。これらの領域は送信機及び
受信機を電気的に接続する接続導体に隣接している。前
記２つの領域は一次及び二次包囲体を非粘着的に相互接
続する領域（この領域を破線１６にて示してある）によ
り互いに分離される。
包囲体との間の境界面の部分を示しており、一次包囲体
と二次包囲体を粘着的に相互接続する境界面の領域を太
い実線１６にて示してある。これらの領域は送信機及び
受信機を電気的に接続する接続導体に隣接している。前
記２つの領域は一次及び二次包囲体を非粘着的に相互接
続する領域（この領域を破線１６にて示してある）によ
り互いに分離される。
【００１９】本発明によるオプトエレクトロニック−カ
ップラは次のように製造する。光送信機（例えばＬＥ
Ｄ）及び光受信機（例えば光感応ダイオード又はトラン
ジスタ）を導電性の接着剤によりリードフレームの２つ
の別個の接続導体の上に固着する。送信機及び受信機を
好ましくは金製の接触ワイヤによってリードフレームの
別の接続導体に電気的に接続する。透明の包囲物質をリ
ードフレームの上に滴下させ、送信機、受信機、接触ワ
イヤ及び各接続導体の一部を上記包囲物質内に埋設す
る。この包囲物質の小滴を、例えば二酸化チタンを混合
させたシリコーンゴム製の白色反射層で被覆する。透明
の包囲物質及び反射層の双方をシリコーンゴムを主成分
とする場合には、これら双方は相対的に満足に粘着す
る。
ップラは次のように製造する。光送信機（例えばＬＥ
Ｄ）及び光受信機（例えば光感応ダイオード又はトラン
ジスタ）を導電性の接着剤によりリードフレームの２つ
の別個の接続導体の上に固着する。送信機及び受信機を
好ましくは金製の接触ワイヤによってリードフレームの
別の接続導体に電気的に接続する。透明の包囲物質をリ
ードフレームの上に滴下させ、送信機、受信機、接触ワ
イヤ及び各接続導体の一部を上記包囲物質内に埋設す
る。この包囲物質の小滴を、例えば二酸化チタンを混合
させたシリコーンゴム製の白色反射層で被覆する。透明
の包囲物質及び反射層の双方をシリコーンゴムを主成分
とする場合には、これら双方は相対的に満足に粘着す
る。
【００２０】一次包囲体の表面は、その上に二次包囲体
を設けた後に、これら両包囲体が適切に粘着するように
処理する。このために一次包囲体の表面は、例えばＵＶ
−オゾン、化学試薬、アーク、プラズマ放電又はコロナ
放電で処理するが、コロナ放電処理が好適である。この
コロナ放電処理によれば、一次包囲体の良好に規定した
表面部分を簡単な方法にて処理することができる。前記
他の処理方法は一次包囲体の表面全体を処理するのに好
適である。
を設けた後に、これら両包囲体が適切に粘着するように
処理する。このために一次包囲体の表面は、例えばＵＶ
−オゾン、化学試薬、アーク、プラズマ放電又はコロナ
放電で処理するが、コロナ放電処理が好適である。この
コロナ放電処理によれば、一次包囲体の良好に規定した
表面部分を簡単な方法にて処理することができる。前記
他の処理方法は一次包囲体の表面全体を処理するのに好
適である。
【００２１】コロナ放電処理は一次包囲体の表面におけ
る送信機を電気的に接続する接続導体に隣接する一方の
領域と、受信機と電気的に接続する接続導体に隣接する
他方の領域との２領域を処理するのに好適である。上記
２領域はコロナ放電処理しない第３領域によって互いに
分離される。
る送信機を電気的に接続する接続導体に隣接する一方の
領域と、受信機と電気的に接続する接続導体に隣接する
他方の領域との２領域を処理するのに好適である。上記
２領域はコロナ放電処理しない第３領域によって互いに
分離される。
【００２２】一次包囲体の表面を粘着性改善処置した後
に二次包囲体を設ける。この二次包囲体は、例えば１７
５℃の上昇温度で硬化する熱硬化性のエポキシ化合物で
構成する。一次包囲体の表面の特定領域を粘着性改善処
置したことにより、これらの位置にて一次包囲体と二次
包囲体とが満足に付着する。
に二次包囲体を設ける。この二次包囲体は、例えば１７
５℃の上昇温度で硬化する熱硬化性のエポキシ化合物で
構成する。一次包囲体の表面の特定領域を粘着性改善処
置したことにより、これらの位置にて一次包囲体と二次
包囲体とが満足に付着する。
【００２３】局部粘着改善処置を接続導体も部分的に処
理されるように、これら接続導体の付近で行なうように
すれば一層効果がある。この場合には二次包囲体が接続
導体にさらに良好に粘着することが確かめられた。この
ために二次包囲体と接続導体との間の境界面に沿って湿
気が浸透しなくなる。
理されるように、これら接続導体の付近で行なうように
すれば一層効果がある。この場合には二次包囲体が接続
導体にさらに良好に粘着することが確かめられた。この
ために二次包囲体と接続導体との間の境界面に沿って湿
気が浸透しなくなる。
【図１】本発明によるオプトエレクトロニック−カップ
ラの斜視図である。
ラの斜視図である。
【図２】図１のカップラのｘｙ平面での断面図である。
【図３】図１のカップラのｘｚ平面での断面図である。
１ 二次包囲体 ２〜７ 接続導体 ８ 光受信機 ９ 光送信機 １０，１１，１２ 接触ワイヤ １３ 中心包囲体 １５ シリコーンゴム層 〔１３，１５〕 一次包囲体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アントニウス レオナルダス マリア ヒ ーベン オランダ国 ネイメーヘン ヘルストウエ ツハ ２
Claims (3)
- 【請求項１】 別々の接続導体に固着され、且つ接触ワ
イヤを介して１個以上の他の接続導体に電気的に接続し
た光送信機及び光受信機を具え、送信機、受信機、接続
ワイヤ及び各接続導体の一部を一次包囲体内に埋設し、
この一次包囲体を不透明の二次包囲体内に埋設したオプ
トエレクトロニック−カップラにおいて、前記一次包囲
体と前記二次包囲体との間の境界面が、前記両包囲体を
粘着的に相互接続する少なくとも１つの領域を具え、且
つ前記境界面が、前記両包囲体を非粘着的に相互接続す
る少なくとも１つの領域を具えていることを特徴とする
オプトエレクトロニック−カップラ。 - 【請求項２】 前記一次及び二次包囲体を粘着的に相互
接続する領域が前記境界面の全表面の最小で１０％、最
大で６０％を占めるようにしたことを特徴とする請求項
１に記載のオプトエレクトロニック−カップラ。 - 【請求項３】 前記境界面が前記一次包囲体及び二次包
囲体を粘着的に相互接続する２領域を具え、これら２領
域の一方を前記送信機が電気的に接続される接続導体に
隣接させ、他方の領域を前記受信機が電気的に接続され
る接続導体に隣接させ、これらの２領域を前記境界面の
第３領域によって互いに分離させ、この第３領域では前
記一次包囲体及び二次包囲体を非粘着的に相互接続した
ことを特徴とする請求項２に記載のオプトエレクトロニ
ック−カップラ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL912011939 | 1991-05-17 | ||
| NL91201193:9 | 1991-05-17 | ||
| EP91201193 | 1991-05-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145111A true JPH05145111A (ja) | 1993-06-11 |
| JP3152500B2 JP3152500B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=8207657
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12209492A Expired - Fee Related JP3152500B2 (ja) | 1991-05-17 | 1992-05-14 | オプトエレクトロニック−カップラ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5329131A (ja) |
| EP (1) | EP0513908B1 (ja) |
| JP (1) | JP3152500B2 (ja) |
| DE (1) | DE69201161T2 (ja) |
| PH (1) | PH30641A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017050487A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
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|---|---|---|---|---|
| DE4327133B4 (de) * | 1993-08-12 | 2006-07-13 | Vishay Europe Gmbh | Verfahren zum Aufbringen eines optischen Koppelmediums |
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| US8571360B2 (en) * | 2010-03-23 | 2013-10-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optocoupler with light guide defining element |
| US8412006B2 (en) * | 2010-03-23 | 2013-04-02 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Optocoupler |
| CN102736189A (zh) * | 2011-04-01 | 2012-10-17 | 亿广科技(上海)有限公司 | 光耦合器 |
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| JP2013179226A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Toshiba Corp | 光結合装置 |
| US20140119691A1 (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Opto-coupler with light guide |
| TWI680321B (zh) * | 2018-12-24 | 2019-12-21 | 兆龍國際股份有限公司 | 光耦合器 |
| US20220157681A1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-05-19 | Stmicroelectronics Sdn Bhd | Integrated circuit package with v-shaped notch creepage structure |
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| JPS55154785A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Nec Corp | Photo coupling device |
| JPS5915502B2 (ja) * | 1980-10-09 | 1984-04-10 | 株式会社東芝 | 光結合半導体装置 |
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-
1992
- 1992-04-21 US US07/871,459 patent/US5329131A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-08 EP EP92201307A patent/EP0513908B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-08 DE DE69201161T patent/DE69201161T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-14 JP JP12209492A patent/JP3152500B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-18 PH PH44363A patent/PH30641A/en unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0513908A3 (en) | 1993-03-17 |
| EP0513908A2 (en) | 1992-11-19 |
| JP3152500B2 (ja) | 2001-04-03 |
| PH30641A (en) | 1997-09-16 |
| DE69201161T2 (de) | 1995-08-24 |
| DE69201161D1 (de) | 1995-02-23 |
| EP0513908B1 (en) | 1995-01-11 |
| US5329131A (en) | 1994-07-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |