JPH05144822A - 突起電極の形成方法 - Google Patents
突起電極の形成方法Info
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- JPH05144822A JPH05144822A JP3309153A JP30915391A JPH05144822A JP H05144822 A JPH05144822 A JP H05144822A JP 3309153 A JP3309153 A JP 3309153A JP 30915391 A JP30915391 A JP 30915391A JP H05144822 A JPH05144822 A JP H05144822A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 突起電極を形成するための有機材料膜とメッ
キ電極となる下地金属膜との密着性を十分に高めると共
に、有機材料膜に正確かつ微細にパターンを形成するこ
とにより、半導体基板上に高密度に突起電極を形成でき
る突起電極の形成方法を提供することにある。 【構成】 ＣＣＤ基板１０上に、Ｔｉ膜１５、Ａｕ膜１
６を順に形成する工程と、Ａｕ膜１６の表面にポリイミ
ドを塗布する工程と、塗布したポリイミドを固化させ、
有機材料の薄膜としてのポリイミド膜１７を形成する工
程と、ポリイミド膜１７の表面に無機材料の保護膜とし
てのＡｌ膜１８をパターン形成する工程と、Ｏ2 ガスを
用いて、無機系のＡｌ膜１８をマスクとして有機系のポ
リイミド膜１７に異方性エッチングを施す工程と、Ａｕ
膜１６をメッキ電極としてＣＣＤ基板１０に電気メッキ
を施し、各突起電極の形成予定領域に、電極材料を析出
させる工程とを備える。
キ電極となる下地金属膜との密着性を十分に高めると共
に、有機材料膜に正確かつ微細にパターンを形成するこ
とにより、半導体基板上に高密度に突起電極を形成でき
る突起電極の形成方法を提供することにある。 【構成】 ＣＣＤ基板１０上に、Ｔｉ膜１５、Ａｕ膜１
６を順に形成する工程と、Ａｕ膜１６の表面にポリイミ
ドを塗布する工程と、塗布したポリイミドを固化させ、
有機材料の薄膜としてのポリイミド膜１７を形成する工
程と、ポリイミド膜１７の表面に無機材料の保護膜とし
てのＡｌ膜１８をパターン形成する工程と、Ｏ2 ガスを
用いて、無機系のＡｌ膜１８をマスクとして有機系のポ
リイミド膜１７に異方性エッチングを施す工程と、Ａｕ
膜１６をメッキ電極としてＣＣＤ基板１０に電気メッキ
を施し、各突起電極の形成予定領域に、電極材料を析出
させる工程とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外線センサ等の光検出
素子を１次元、或いは２次元的に配列した半導体基板、
またはＣＣＤ等の信号処理素子を１次元、或いは２次元
的に配列した半導体基板等に形成する突起電極の形成方
法に関する。
素子を１次元、或いは２次元的に配列した半導体基板、
またはＣＣＤ等の信号処理素子を１次元、或いは２次元
的に配列した半導体基板等に形成する突起電極の形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体基板上に突起電極
を形成する方法として、有機材料膜にドライフィルムを
用いる方法が知られている。
を形成する方法として、有機材料膜にドライフィルムを
用いる方法が知られている。
【０００３】この方法の概略を図８に基づいて説明す
る。先ず、半導体基板３０の絶縁膜３１上に、偏平なＡ
ｌ電極３２を形成する。次いで、Ａｌ電極３２上にコン
タクト用の開孔部を有する保護膜３３を形成した後、形
成した保護膜３３の表面とＡｌ電極３２とを覆うよう
に、メッキ電極用の下地金属膜３４を形成する。次い
で、下地金属膜３４上に厚さが一様なドライフィルム３
６を圧着した後、所定の箇所にウエットエッチングを施
し、ドライフィルム３６に突起電極の形成予定領域３５
を形成する。この後、電気メッキを施して、形成予定領
域３５に電極材料を析出させ、突起電極を形成するもの
である。
る。先ず、半導体基板３０の絶縁膜３１上に、偏平なＡ
ｌ電極３２を形成する。次いで、Ａｌ電極３２上にコン
タクト用の開孔部を有する保護膜３３を形成した後、形
成した保護膜３３の表面とＡｌ電極３２とを覆うよう
に、メッキ電極用の下地金属膜３４を形成する。次い
で、下地金属膜３４上に厚さが一様なドライフィルム３
６を圧着した後、所定の箇所にウエットエッチングを施
し、ドライフィルム３６に突起電極の形成予定領域３５
を形成する。この後、電気メッキを施して、形成予定領
域３５に電極材料を析出させ、突起電極を形成するもの
である。
【０００４】このようにドライフィルムを用いる最大の
メリットは、有機材料膜を所望の厚さに形成できるた
め、容易に背の高い突起電極を形成できることにあっ
た。
メリットは、有機材料膜を所望の厚さに形成できるた
め、容易に背の高い突起電極を形成できることにあっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ドライフィル
ム３６を圧着する半導体基板３０の表面は平坦ではな
く、通常、複雑な段差を有しており、図８において一点
鎖線で囲む部位のように、この段差部において、ドライ
フィルム３６と下面の下地金属膜３４との間に間隙が生
じる場合があった。このように十分な密着性が確保でき
ない場合には、メッキ時にこの間隙からメッキ液が浸透
し、ドライフィルムが剥離したり、半導体基板を損傷さ
せるなどの原因となっていた。
ム３６を圧着する半導体基板３０の表面は平坦ではな
く、通常、複雑な段差を有しており、図８において一点
鎖線で囲む部位のように、この段差部において、ドライ
フィルム３６と下面の下地金属膜３４との間に間隙が生
じる場合があった。このように十分な密着性が確保でき
ない場合には、メッキ時にこの間隙からメッキ液が浸透
し、ドライフィルムが剥離したり、半導体基板を損傷さ
せるなどの原因となっていた。
【０００６】また、ドライフィルム圧着時の圧接力を高
めれば、段差部における間隙の発生を抑えることもでき
るが、半導体基板に大きな圧接力が加わるため、基板の
剛性が弱いものには適用できず、使用できる半導体基板
が極く限られてしまい、根本的な解決策とはならなかっ
た。
めれば、段差部における間隙の発生を抑えることもでき
るが、半導体基板に大きな圧接力が加わるため、基板の
剛性が弱いものには適用できず、使用できる半導体基板
が極く限られてしまい、根本的な解決策とはならなかっ
た。
【０００７】さらに、ドライフィルムにウエットエッチ
ングを施す方法では、エッチングが等方的に進み、マス
クパターンが正確に再現されないため、半導体基板の高
集積化を進める上で、突起電極を形成するための有機材
料膜に、正確かつ微細にパターンを形成する方法が望ま
れていた。
ングを施す方法では、エッチングが等方的に進み、マス
クパターンが正確に再現されないため、半導体基板の高
集積化を進める上で、突起電極を形成するための有機材
料膜に、正確かつ微細にパターンを形成する方法が望ま
れていた。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべくな
されたものであり、突起電極を形成するための有機材料
膜と下地金属膜との密着性を十分に高めると共に、有機
材料膜に正確かつ微細にパターンを形成することによ
り、半導体基板上に高密度に突起電極を形成できる突起
電極の形成方法を提供することを目的とする。
されたものであり、突起電極を形成するための有機材料
膜と下地金属膜との密着性を十分に高めると共に、有機
材料膜に正確かつ微細にパターンを形成することによ
り、半導体基板上に高密度に突起電極を形成できる突起
電極の形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的に鑑み
てなされたものであり、その要旨は、半導体基板の表面
に、半導体基板とオーミック接触する下地金属膜を形成
する第１工程と、形成した下地金属膜の表面に有機系の
薄膜材料を塗布する第２工程と、塗布した薄膜材料を固
化させることにより、下地金属の表面に有機材料による
第１の薄膜を形成する第３工程と、突起電極の形成予定
領域を除き、形成した第１の薄膜の表面に無機材料によ
る保護膜を形成する第４工程と、形成した無機材料によ
る保護膜をマスクとして、有機材料に対して浸蝕性を有
するエッチャントを用いて有機材料による第１の薄膜に
異方性エッチングを施し、第１の薄膜に突起電極の形成
予定領域を形成する第５工程と、下地金属膜をメッキ電
極として半導体基板に電気メッキを施し、突起電極の形
成予定領域に、突起電極の電極材料を析出させる第６工
程とを備える突起電極の形成方法にある。
てなされたものであり、その要旨は、半導体基板の表面
に、半導体基板とオーミック接触する下地金属膜を形成
する第１工程と、形成した下地金属膜の表面に有機系の
薄膜材料を塗布する第２工程と、塗布した薄膜材料を固
化させることにより、下地金属の表面に有機材料による
第１の薄膜を形成する第３工程と、突起電極の形成予定
領域を除き、形成した第１の薄膜の表面に無機材料によ
る保護膜を形成する第４工程と、形成した無機材料によ
る保護膜をマスクとして、有機材料に対して浸蝕性を有
するエッチャントを用いて有機材料による第１の薄膜に
異方性エッチングを施し、第１の薄膜に突起電極の形成
予定領域を形成する第５工程と、下地金属膜をメッキ電
極として半導体基板に電気メッキを施し、突起電極の形
成予定領域に、突起電極の電極材料を析出させる第６工
程とを備える突起電極の形成方法にある。
【００１０】
【作用】下地金属膜の表面に有機系の薄膜材料を塗布す
ることにより、下地金属膜の表面に段差部が存在する場
合にも、この段差部の隅々にも有機系の薄膜材料が充填
され、この薄膜材料を固化させることにより、下地金属
膜との密着性が高い有機材料による第１の薄膜が得られ
る。
ることにより、下地金属膜の表面に段差部が存在する場
合にも、この段差部の隅々にも有機系の薄膜材料が充填
され、この薄膜材料を固化させることにより、下地金属
膜との密着性が高い有機材料による第１の薄膜が得られ
る。
【００１１】また、無機材料による保護膜をパターン形
成した後、この保護膜をマスクとして、その下層の有機
材料による第１の薄膜にエッチングを施すが、このエッ
チングは有機材料に対して浸蝕性を有するエッチャント
を用いて異方的に行うため、保護膜によるマスクパター
ンが第１の薄膜に正確に再現されるものである。
成した後、この保護膜をマスクとして、その下層の有機
材料による第１の薄膜にエッチングを施すが、このエッ
チングは有機材料に対して浸蝕性を有するエッチャント
を用いて異方的に行うため、保護膜によるマスクパター
ンが第１の薄膜に正確に再現されるものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る突起電極の形成方法を添
付図面に基づいて工程順に説明する。
付図面に基づいて工程順に説明する。
【００１３】半導体基板としてのＣＣＤ基板１０は、Ｃ
ＣＤを２次元的に配列して構成し、入力された電気信号
を処理するための内部回路を備えている。図１に示すよ
うに、ＣＣＤ基板１０の表面には複数の入力電極１２を
有しており、この上部には突起電極を形成するためのＡ
ｌ膜によるコンタクトホール電極１３が形成されてい
る。また、図では省略したが、このＣＣＤ基板１０の表
面上には、多数の信号線電極が形成されているため、基
板の表面保護のために絶縁膜などのパッシベーション膜
１４を形成している。
ＣＤを２次元的に配列して構成し、入力された電気信号
を処理するための内部回路を備えている。図１に示すよ
うに、ＣＣＤ基板１０の表面には複数の入力電極１２を
有しており、この上部には突起電極を形成するためのＡ
ｌ膜によるコンタクトホール電極１３が形成されてい
る。また、図では省略したが、このＣＣＤ基板１０の表
面上には、多数の信号線電極が形成されているため、基
板の表面保護のために絶縁膜などのパッシベーション膜
１４を形成している。
【００１４】このように形成されているＣＣＤ基板１０
の全面に、このＣＣＤ基板１０とオーミック接触するＴ
ｉ膜１５、Ａｕ膜１６を順次蒸着し、下地金属膜を平面
的に形成する（図２）。なお、このＴｉ膜１５はバリア
メタルであり、Ａｕ膜１６はメッキ用電極である。
の全面に、このＣＣＤ基板１０とオーミック接触するＴ
ｉ膜１５、Ａｕ膜１６を順次蒸着し、下地金属膜を平面
的に形成する（図２）。なお、このＴｉ膜１５はバリア
メタルであり、Ａｕ膜１６はメッキ用電極である。
【００１５】次に、Ａｕ膜１６の全面に有機高分子材料
としてのポリイミドを、５〜７０μｍ程度の厚さに塗布
する。ポリイミドの粘度、塗布時のスピナー回転数等を
調節して、所望の膜厚に形成する。この際、Ａｕ膜１６
に段差部が存在する場合には、この段差よりも厚くなる
ように塗布して、ポリイミドを平坦化する。これによっ
て、段差部の隅々にもポリイミドが充填される。次に、
塗布したポリイミドを固化させ、有機材料による第１の
薄膜となるポリイミド膜１７を形成する（図３参照）。
としてのポリイミドを、５〜７０μｍ程度の厚さに塗布
する。ポリイミドの粘度、塗布時のスピナー回転数等を
調節して、所望の膜厚に形成する。この際、Ａｕ膜１６
に段差部が存在する場合には、この段差よりも厚くなる
ように塗布して、ポリイミドを平坦化する。これによっ
て、段差部の隅々にもポリイミドが充填される。次に、
塗布したポリイミドを固化させ、有機材料による第１の
薄膜となるポリイミド膜１７を形成する（図３参照）。
【００１６】次に、ポリイミド膜１７の表面に、無機材
料の保護膜としてのＡｌ膜１８を１００ｎｍ程度の厚さ
に蒸着する（図３）。なお、無機材料としては、Ａｌ等
のメタルに限定するものではなく、後述する第１のエッ
チングガスに浸蝕されない無機材料であればよい。
料の保護膜としてのＡｌ膜１８を１００ｎｍ程度の厚さ
に蒸着する（図３）。なお、無機材料としては、Ａｌ等
のメタルに限定するものではなく、後述する第１のエッ
チングガスに浸蝕されない無機材料であればよい。
【００１７】次に、形成したＡｌ膜１８上に、有機材料
による第２の薄膜としてのフォトレジスト１９を塗布し
た後、フォトエッチ工程によってパターン化し、突起電
極の形成予定領域を除いてフォトレジスト１９を形成す
る。これによってＡｌ膜１８は、突起電極の形成予定領
域のみが露出した状態である。
による第２の薄膜としてのフォトレジスト１９を塗布し
た後、フォトエッチ工程によってパターン化し、突起電
極の形成予定領域を除いてフォトレジスト１９を形成す
る。これによってＡｌ膜１８は、突起電極の形成予定領
域のみが露出した状態である。
【００１８】次に、第１のエッチングガスとしてＡｒガ
スを用い、パターン化したフォトレジスト１９をマスク
としてＡｌ膜１８に異方性エッチングを施す。このＡｒ
ガスは、有機材料のフォトレジスト１９及びポリイミド
膜１７に対しては浸蝕性を示さず、無機材料のＡｌ膜１
８には浸蝕性を示す（図４）。
スを用い、パターン化したフォトレジスト１９をマスク
としてＡｌ膜１８に異方性エッチングを施す。このＡｒ
ガスは、有機材料のフォトレジスト１９及びポリイミド
膜１７に対しては浸蝕性を示さず、無機材料のＡｌ膜１
８には浸蝕性を示す（図４）。
【００１９】次に、第２のエッチングガスとしてＯ2 ガ
スを用い、前工程にてマスクとして機能したフォトレジ
スト１９をエッチングし除去すると同時に、ポリイミド
膜１７に異方性エッチングを施す。このＯ2 ガスは、無
機材料のＡｌ膜１８には浸蝕性を示さず、有機材料のフ
ォトレジスト１９及びポリイミド膜１７に対しては浸蝕
性を示す。従って、残存するＡｌ膜１８がマスクとして
働き、ポリイミド膜１７は図４に図示した点線部を境と
して浸蝕される（図５）。これによって、Ａｌ膜１８の
マスクパターンが正確に再現され、ポリイミド膜１７の
所定位置に、正確に突起電極の形成予定領域２０を形成
することができる。
スを用い、前工程にてマスクとして機能したフォトレジ
スト１９をエッチングし除去すると同時に、ポリイミド
膜１７に異方性エッチングを施す。このＯ2 ガスは、無
機材料のＡｌ膜１８には浸蝕性を示さず、有機材料のフ
ォトレジスト１９及びポリイミド膜１７に対しては浸蝕
性を示す。従って、残存するＡｌ膜１８がマスクとして
働き、ポリイミド膜１７は図４に図示した点線部を境と
して浸蝕される（図５）。これによって、Ａｌ膜１８の
マスクパターンが正確に再現され、ポリイミド膜１７の
所定位置に、正確に突起電極の形成予定領域２０を形成
することができる。
【００２０】次に、残存したＡｌ膜１８をエッチングし
除去した後、Ａｕ膜１６をメッキ電極としてＣＣＤ基板
１０に電気メッキを施し、低融点金属、例えばＩｎによ
る電極材料２１´を各突起電極の形成予定領域２０に析
出させる（図６）。具体的には、ＣＣＤ基板１０をＩｎ
メッキ溶液中に浸し、Ａｕ膜１６をメッキ電極とし、室
温にて所定の電流値で数十分間メッキを施す。
除去した後、Ａｕ膜１６をメッキ電極としてＣＣＤ基板
１０に電気メッキを施し、低融点金属、例えばＩｎによ
る電極材料２１´を各突起電極の形成予定領域２０に析
出させる（図６）。具体的には、ＣＣＤ基板１０をＩｎ
メッキ溶液中に浸し、Ａｕ膜１６をメッキ電極とし、室
温にて所定の電流値で数十分間メッキを施す。
【００２１】次に、残存するポリイミド膜１７を除去
し、析出した電極材料２１´をマスクとして、露出した
Ａｕ膜１６、その直下のＴｉ膜１５を順にエッチングし
て除去し、突起電極２１の形成工程は終了する（図
７）。
し、析出した電極材料２１´をマスクとして、露出した
Ａｕ膜１６、その直下のＴｉ膜１５を順にエッチングし
て除去し、突起電極２１の形成工程は終了する（図
７）。
【００２２】本実施例では、Ａｒガス、Ｏ2 ガスを用い
てドライエッチングを施す例を示したが、異方性エッチ
ングを施すことができれば、ウエットエッチングであっ
ても良い。また、有機材料による薄膜として、ポリイミ
ド及びフォトレジストを例示したが、他の有機系の薄膜
を用いることもできる。さらに、半導体基板としてＣＣ
Ｄ基板を例示したが、ＭＯＳ集積回路基板などの信号処
理基板の他、赤外線検出素子、或いは可視光領域の光を
検出する光検出素子等、受光した光信号を電気信号に変
換する光検出素子を表面に配列し、裏面には各検出素子
で検出された電気信号が与えられる複数の出力電極を有
する光検出基板を用いることも可能である。
てドライエッチングを施す例を示したが、異方性エッチ
ングを施すことができれば、ウエットエッチングであっ
ても良い。また、有機材料による薄膜として、ポリイミ
ド及びフォトレジストを例示したが、他の有機系の薄膜
を用いることもできる。さらに、半導体基板としてＣＣ
Ｄ基板を例示したが、ＭＯＳ集積回路基板などの信号処
理基板の他、赤外線検出素子、或いは可視光領域の光を
検出する光検出素子等、受光した光信号を電気信号に変
換する光検出素子を表面に配列し、裏面には各検出素子
で検出された電気信号が与えられる複数の出力電極を有
する光検出基板を用いることも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係る突起電
極の形成方法によれば、下地金属膜の表面に有機系の薄
膜材料を塗布するので、下地金属膜の表面に段差部が存
在する場合にも、この段差部の隅々にも有機系の薄膜材
料を充填することができ、この薄膜材料を固化させるこ
とにより、下地金属膜との密着性が高い有機材料による
第１の薄膜を形成することができる。
極の形成方法によれば、下地金属膜の表面に有機系の薄
膜材料を塗布するので、下地金属膜の表面に段差部が存
在する場合にも、この段差部の隅々にも有機系の薄膜材
料を充填することができ、この薄膜材料を固化させるこ
とにより、下地金属膜との密着性が高い有機材料による
第１の薄膜を形成することができる。
【００２４】また、無機材料による保護膜をマスクとし
て、その下層の有機材料による第１の薄膜にエッチング
を施すが、このエッチングは有機材料に対して浸蝕性を
有するエッチャントを用いて異方的に行うため、無機材
料の保護膜によるマスクパターンが有機材料による第１
の薄膜に正確に再現され、突起電極の形成予定領域を形
成するための第１の薄膜に、正確かつ微細にパターンを
形成することができ、これによって半導体基板上に高密
度に突起電極を形成することが可能となる。
て、その下層の有機材料による第１の薄膜にエッチング
を施すが、このエッチングは有機材料に対して浸蝕性を
有するエッチャントを用いて異方的に行うため、無機材
料の保護膜によるマスクパターンが有機材料による第１
の薄膜に正確に再現され、突起電極の形成予定領域を形
成するための第１の薄膜に、正確かつ微細にパターンを
形成することができ、これによって半導体基板上に高密
度に突起電極を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＣＤ基板を示す部分断面図である。
【図２】下地金属膜を形成した状態を示すＣＣＤ基板の
部分断面図である。
部分断面図である。
【図３】下地金属膜上にポリイミド膜、Ａｌ膜を順に形
成した状態を示すＣＣＤ基板の部分断面図である。
成した状態を示すＣＣＤ基板の部分断面図である。
【図４】Ａｌ膜に異方性エッチングを施した状態を示す
ＣＣＤ基板の部分断面図である。
ＣＣＤ基板の部分断面図である。
【図５】ポリイミド膜に異方性エッチングを施した状態
を示すＣＣＤ基板の部分断面図である。
を示すＣＣＤ基板の部分断面図である。
【図６】突起電極の形成予定領域に電極材料を析出させ
た状態を示すＣＣＤ基板の部分断面図である。
た状態を示すＣＣＤ基板の部分断面図である。
【図７】突起電極を形成した状態を示すＣＣＤ基板の部
分断面図である。
分断面図である。
【図８】従来の突起電極の形成方法を示す半導体基板の
部分断面図である。
部分断面図である。
１０…ＣＣＤ基板（半導体基板）、１６…Ａｕ膜（下地
金属膜）、１７…ポリイミド膜（有機材料による第１の
薄膜）、１８…Ａｌ膜（無機材料による保護膜）、１９
…フォトレジスト（有機材料による第２の薄膜）、２０
…突起電極の形成予定領域、２１…突起電極、２１´…
電極材料。
金属膜）、１７…ポリイミド膜（有機材料による第１の
薄膜）、１８…Ａｌ膜（無機材料による保護膜）、１９
…フォトレジスト（有機材料による第２の薄膜）、２０
…突起電極の形成予定領域、２１…突起電極、２１´…
電極材料。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/14
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に、該半導体基板とオ
ーミック接触する下地金属膜を形成する第１工程と、 形成した前記下地金属膜の表面に有機系の薄膜材料を塗
布する第２工程と、 前記塗布した薄膜材料を固化させることにより、前記下
地金属の表面に有機材料による第１の薄膜を形成する第
３工程と、 突起電極の形成予定領域を除き、形成した前記第１の薄
膜の表面に無機材料による保護膜を形成する第４工程
と、 形成した前記無機材料による保護膜をマスクとして、有
機材料に対して浸蝕性を有するエッチャントを用いて前
記有機材料による第１の薄膜に異方性エッチングを施
し、前記第１の薄膜に突起電極の形成予定領域を形成す
る第５工程と、 前記下地金属膜をメッキ電極として前記半導体基板に電
気メッキを施し、前記突起電極の形成予定領域に、該突
起電極の電極材料を析出させる第６工程とを備えること
を特徴とする突起電極の形成方法。 - 【請求項２】 前記第４工程は、 前記有機材料による第１の薄膜の表面を前記無機材料に
よる保護膜で被覆する工程と、 前記突起電極の形成予定領域を除き、前記保護膜の表面
に有機材料による第２の薄膜を形成する工程と、 前記有機材料による第２の薄膜をマスクとして、無機材
料に対して浸蝕性を有するエッチャントを用いて前記無
機材料による保護膜に異方性エッチングを施す工程とか
らなることを特徴とする請求項１記載の突起電極の形成
方法。 - 【請求項３】 前記半導体基板は、複数の入力電極を有
し、該入力電極に入力された電気信号を処理するための
内部回路を備える信号処理基板であることを特徴とする
請求項１又は２記載の突起電極の形成方法。 - 【請求項４】 前記半導体基板は、光信号を電気信号に
変換する検出素子の受光面を一方の面に配列し、他方の
面には該各検出素子で検出された電気信号が与えられる
複数の出力電極を有する光検出基板であることを特徴と
する請求項１又は２記載の突起電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3309153A JPH05144822A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 突起電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3309153A JPH05144822A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 突起電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144822A true JPH05144822A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17989561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3309153A Pending JPH05144822A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | 突起電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272448A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP3309153A patent/JPH05144822A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272448A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Casio Comput Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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