JPS6351657A - 金属パタ−ンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の電極配線などの金属パターンを
形成する方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、ダイオード、トランジスタ、集積回路などの電極
配線の金属ノｆターンを形成するさいには？縁膜および
金属膜をホトエツチングして形成するホトエツチング法
か１．！たは、レジストの溶解を利用するリフトオフ法
が用いられているが、リフトオフ法が、工程の削減、パ
ターン形状の精度の点で優れており、広範囲に用いられ
ている。以下リフトオフ法を用いた従来の金属／ぐター
ン形成方法を第２図を用いて説明する。

まず第２図（、）に示すように、絶縁保護膜でおおわれ
た半導体基板１上にレジスト２を全面塗布し、ホトリン
グラフィにより電極配線を行なう部分に開口部３を設け
、該開口部３に露出した絶縁保護膜３１をエツチング除
去する。

ついで、第２図（ｂ）に示すように半導体基板１の異方
エツチング性を利用して、前記開口部３から半導体基板
ｌをエツチングして、エツチング部分の断面図が台形状
になるように溝部４を形成する。

そして第２図（ｃ）に示すように蒸着またはスパンクリ
ング等により基板上面に金属＆５を付着する。

このとき金属膜５の厚みは台形溝部４の深さと絶縁保護
膜３１の厚さの和り以下とする。

最後に第２図（ｄ）に示すように有機溶剤により、レジ
スト２を溶解除去するとともに、同時にレジスト２上に
付着している金属膜５を除去する。このようにして、半
導体基板１に形成した溝部４内に電極配線の金属パター
ンを形成していた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記のような従来の方法では、レジスト２およびレノス
ト２上の金属膜５をリフトオフ法により除去するために
、溝部４内に付着する金属膜５の厚みを、溝の深さと絶
縁保護膜３１との和り以下にしなければならなかった。

これは、金属膜５の厚みを溝の深さｈ以上にすると、溝
部４内の金属膜５とレジスト２上の金属膜５がつながジ
、リフトオフができなくなるためである。

また金属膜５の厚みを増加するために、溝の深さｈを深
くすることは、半導体基板１にエピタキシャル層が用い
られている場合などは、特注上の制約から困難であった
。

上記のように、従来の金属パターン形成方法では、電極
配線用の金属膜５を厚くできず、配線自体が抵抗を持つ
ようになるという欠点があった。

また半導体装置の特性上の制約から、溝の深さｈを浅く
しなければならない時などは、電極配線の抵抗値はさら
に高くなり、半導体装置の機能が低下するという問題が
あった。

本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、
−極配線用の金属膜５を厚く形成する方法を提供するこ
とを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明は電極配線用の金属膜
５を付着−した恢、さらにレゾスト２上に付着している
金籾膜５上のみに、斜め蒸着等により金属膜を付着して
庇を形成する。その後半導体基板ｌに垂直に蒸着等によ
り金属膜を付着し、台形溝部４内の金属膜５の厚みを増
加させる方法である。

〔実施例〕

以下本発明をその一実施例を用いて詳細に説明する。第
１図＜＆）ないしくｆ）は本発明に係る半導体装置の製
造方法の一実施例における各製造工程での試料の断面を
示す図である。図において第２図と同一符号は同一また
は相当する部分を示す。

第１図（ａ）ないしくＣ）は、第２図（ａ）ないしくＣ
）を用いて説明した従来の方法と全く同様な方法によυ
、台形溝部４内およびレジスト２上に金属膜５を付着す
る。

ついで第１図（ｄ）に示すように、矢印Ａ方向の斜め蒸
着により金属膜１１および矢印Ｂ方向の斜め蒸着により
金属膜１２をそれぞれ付着し、庇１３を形成する。

そして第１図（ｅ）に示すように、半導体基板１に垂直
に蒸着を行ない金属膜１１．１２および５上に金属膜１
４を付着する。

最後に第１図（ｆ）に示すように、リフトオフ法により
レジスト２を有機溶剤で溶解除去するとともに、レジス
ト２上の金属膜５．１１．１２．１４を除去することに
より、台形溝部４内の金属膜５上に金属膜１４を残して
（厚みのある）電極配線を形成する。

上記のように本発明は、金属膜１１および１２の斜め蒸
着により庇１３を形成しているので、金属膜１４の蒸着
によｐ形成した台形溝部４内の金属膜５上の金属ｋ１４
とレジスト２上の金属膜５はつながることはなく、リフ
トオフ法が可能であり、またレノスト２の厚みを調整す
ることにより、台形溝部４内の金属膜５上の金属膜１４
の厚みを調整することができる。以上の金属＆５，１１
゜１２．１４は、それぞれ別の金属で形成しても良いし
、または同一金属（たとえばアルミニウム）で形成して
も良い。また半導体基板ｌがＧａＡｓの場合は、絶縁保
護膜３１を用いずに金属パターンを形成してもよい。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、本発明の半導体装置’ｖ金
ｓパターン形成方法においては、電極配線の金属膜を厚
くすることができるので、電極配線の抵抗値が低くな９
、従来抵抗値が高いために半導体装置の働きを損ねてい
た機能低下という問題を解消することができる。そして
本発明は、リセス構造ＧａＡｓ　ＦＥＴのダート電極の
形成において有効な方法である。

【図面の簡単な説明】

第１図＜＆）ないしくｆ）は本発明の一実施例における
各主要工程での試料の断面図、第２図（ａ）ないしくｄ
）は従来の金属・ぐターン形成方法における各主要工程
での試料の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・レジスト、３・・・開口
部、４・・・台形溝部、５，１１，１２．１４・・・金
属膜、１３庇、３１・・・絶縁保護膜。 特許出願人　　新日本無線株式会社 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上又は、絶縁保護膜でおおわれた半導体基板
   上にホトレジスト膜を形成する工程と、該ホトレジスト
   膜に電極配線パターンを形成する領域に対応する開口部
   を設ける工程と、上記ホトレジスト膜開口部の半導体基
   板又は、絶縁保護膜および半導体基板をエッチングして
   溝を形成する工程と、該溝および上記ホトレジスト膜上
   に金属膜を上記溝の深さ以下の厚さに付着する工程と、
   該付着金属膜のうち上記ホトレジスト膜上に付着した金
   属膜上のみに金属膜を付着する工程と、このホトレジス
   ト膜上に付着した金属膜上のみに付着した金属膜上およ
   び上記溝に付着した金属膜上にさらに金属膜を付着する
   工程と、上記ホトレジスト膜を溶解除去するとともに該
   ホトレジスト膜上に付着しているすべての金属膜を除去
   する工程を備えたことを特徴とする金属パターンの形成
   方法。