JPH0514422B2 - - Google Patents

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JPH0514422B2
JPH0514422B2 JP63109876A JP10987688A JPH0514422B2 JP H0514422 B2 JPH0514422 B2 JP H0514422B2 JP 63109876 A JP63109876 A JP 63109876A JP 10987688 A JP10987688 A JP 10987688A JP H0514422 B2 JPH0514422 B2 JP H0514422B2
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resin
support plate
slide mold
sealing resin
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Takaaki Yokoyama
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Sanken Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は樹脂封止型電子部品の製造方法に係わ
り、詳細には支持板の下面側にも樹脂封止体の一
部が形成された樹脂封止型電子部品の製造方法に
関する。
従来の技術及び解決すべき課題 支持板の下面にも樹脂封止体の一部を形成した
樹脂封止型半導体装置がある。この種の半導体装
置はマイカ板等の絶縁部材を使用せずに外部放熱
体を取付けられる利点があるが、支持板の下面が
露出したタイプの半導体装置に比べて放熱性の点
で不利である。したがつて、支持板の下面側の樹
脂封止体の厚さをできる限り薄く形成する必要が
ある。しかし、下面側の樹脂封止体の厚さを薄く
形成すると、成形金型内での封止用樹脂の「湯ま
わり」が悪くなり、未充填部分が発生し易くなる
ことは周知のとおりである。
上記の問題を解決するため、特開昭60−257529
号公報には支持板の上面側に流入する樹脂の流れ
を抑制する突出部を成形金型の上型に設け、これ
により、支持板の下面側の樹脂の流れを相対的に
強化する樹脂成形方法が開示されている。しか
し、この方法では支持板を固定するためにピンや
位置決めリード等を必要とする。このため、この
部分で樹脂封止後に支持板等の金属が部分的に露
出することになり、製造された樹脂封止型半導体
装置は、厳しい絶縁耐圧が要求される用途にはそ
のままでは使用できなかつた。
特開昭60−130129号公報には上下に移動が可能
な支持板固定用の可動ピンを使用する製造方法が
開示されている。しかし、この方法では可動ピン
の移動タイミングを決定することが困難である。
即ち、可動ピンの移動タイミングが遅れると、可
動ピン近傍の封止用樹脂が硬化して、可動ピンの
移動後に形成された空所に封止用樹脂を注入でき
ないことがある。また、可動ピンの移動タイミン
グが早すぎると、支持板が傾斜してしまい、支持
板の下面側に樹脂封止体を均一な厚みで形成でき
ない。
そこで、本発明は上記の問題を解決し、支持板
の下面側に良好な樹脂封止体を薄く均一な厚みで
形成でき、かつ、外部リード以外に金属の露出部
分が実質的にないことにより高絶縁耐圧が得られ
る樹脂封止型電子部品の製造方法を提供すること
を目的とする。
課題を解決するための手段 本発明の樹脂封止型電子部品の製造方法は、一
方の主面に電子素子及び/又は回路基板の固着さ
れた支持板の下面を含む該支持板の略全面を樹脂
封止体にて被覆した樹脂封止型電子部品の製造方
法において、支持板及び該支持板の一端に連結さ
れた外部リードを有するリードフレーム組立体を
準備する工程と、前記樹脂封止体を形成するため
の成形空所、該成形空所に対して進退可能に設け
られたスライド型及び前記成形空所に通じる樹脂
注入口を有する成形用型を準備する工程と、前記
外部リードを前記成形用型にて挟持し、かつ前記
スライド型の一部を前記支持板の一方の主面の他
端側に当接させることによつて前記支持板を前記
成形空所の底面から離間した位置に固定するとと
もに、前記成形空所のうち、前記支持板の一方の
主面側に形成された第1の領域の前記樹脂注入口
側に前記スライド型を配置する工程と、前記スラ
イド型により前記第1の領域への封止用樹脂の注
入を抑制しつつ、前記支持板の上面よりも下方に
位置する前記樹脂注入口から、前記成形空所のう
ち前記支持板の他方の主面側に形成された第2の
領域に前記封止用樹脂を注入する工程と、前記第
2の領域の略全体が前記封止用樹脂にて充填され
た後に前記スライド型を前記支持板から離間する
ように移動する工程と、前記スライド型の移動に
より形成された空所を含む前記第1の領域に前記
封止用樹脂を注入する工程とから成る。
作 用 本発明によれば、成形空所に対して進退可能に
設けられたスライド型は、支持板を所定の位置に
固定する作用と封止用樹脂の支持板の一方の主面
側に形成される第1の領域への流れを抑制する作
用とを有する。これにより、支持板の他方の主面
側に形成された第2の領域への封止用樹脂の注入
を強めることができる。また、第2の領域の略全
体が封止用樹脂により充填された後にスライド型
を移動するので支持板の傾斜を防止できる。さら
にスライド型は支持板の一方の主面側に形成され
た第1の領域の樹脂注入口側に位置するので、ス
ライド型を移動した後に形成される空所に封止用
樹脂を確実に注入することができる。
実施例 以下、第1図〜第7図に基づいて本発明の一実
施例を説明する。
まず、第7図に示すリードフレームを用意す
る。リードフレーム1は支持板2と、支持板2の
一端に配置された外部リード3と、外部リード3
を並行に連結するダイバー4及び連結細条5と、
支持板2を並行に連結する細条7とを有する。な
お、細条7は支持リード6を介して支持板2と連
結している。また、中央に配置された外部リード
3は支持板2に連結されている。実際のリードフ
レーム1は複数個の支持板2を有する多素子取り
用となつている。図示のリードフレーム1は正確
には支持板2の上面に半導体チツプ8が半田(図
示せず)を介して固着され、半導体チツプ8と外
部リード3とがリード細線9で電気的に接続され
た中間組立体である。以下、この中間組立体をリ
ードフレーム組立体10と称する。なお、11は
支持板2に設けられたネジ挿入用孔である。後述
するトランスフアモールドによりリードフレーム
組立体10には樹脂封止体12が形成される。
次にリードフレーム組立体10を第1図に示す
ようにトランスフアモールド用の成形金型13に
配置してトランスフアモールドを行う。なお、支
持リード6と細条7は成形金型13への配置の直
前に除去する。成形金型13は上型14と下型1
5から成る。上型14には凹部16と、下方に延
び下型15に達する円柱状の突出部17が設けら
れている。下型15には凹部18と、ランナ19
及びゲート(樹脂注入口)20と、外部リード3
が嵌合される溝21が形成されている。更に、本
実施例の成形金型13は上型14に形成された孔
14b内に滑動可能に配置された第1のスライド
型22及び第2のスライド型23を有する。第2
図a,bにそれぞれ示すように、第1のスライド
型22は平板形状に形成され、第2のスライド型
23は切欠部23aと1対の脚部23b,23c
を有する。第1のスライド型22及び第2のスラ
イド型23はそれぞれ駆動制御装置24,25に
よつて独立にかつ上型14に対して相対的に上下
移動される。
上型14と下型15を閉鎖すると、凹部16と
凹部18によつて樹脂封止体12の形状に対応し
た成形空所26が成形金型13内に形成される。
このとき、第1図から明らかなように外部リード
3は下型15の溝21に嵌合され、上型14と下
型15とで挟持される。これにより、支持板2の
下面が成形空所26の底面26cから0.5mm程度
の薄い間隔Lで浮いた状態で位置決めされる。次
に第1のスライド型22及び第2のスライド型2
3を下降させて成形空所26内に突出させる。こ
のとき、第1のスライド型22の底面22a及び
第2のスライド型23の底面23dを成形空所2
6の底面26cから上記の薄い間隔Lと支持板2
の肉厚部の厚さを加えた距離だけ離間させる。こ
の場合、外部リード3側と反対側の支持板2の端
部が浮上つたリードフレーム組立体10であつて
も、浮上がつた端部がスライド型22,23に押
されて、最終的に支持板2の肉厚部分の下面2b
と成形空所26の底面26cとの間隔が全体にわ
たり均一に薄い間隔Lとなる。
次に、第1図に示すように封止用樹脂27をポ
ツト(樹脂投入口)28に投入する。ポツト28
及び成形金型13は予め160℃〜180℃程度の温度
に加熱されており、投入された封止用樹脂27は
溶融して流動化する。続いて、ポツト28内でプ
ランジヤ(押し型)29を下降させて封止用樹脂
27を押圧する。これにより、封止用樹脂27は
ランナ19及びゲート20を通じて成形空所26
に注入される。
第1図に示すように、本実施例では第1のスラ
イド型22が成形空所26のゲート20が形成さ
れた壁面に隣接している。また第1のスライド型
22の側面は第3図に示すように成形空所26の
側面に隣接している。更に、第1のスライド型2
2の底面22aは下降時に支持板2の上面(一方
の主面)2aに当接する。ゲート20は第1のス
ライド型22の底面22aの下方つまり、支持板
2の上面2aの下方に位置する。このため、ゲー
ト20は支持板2の上面2a側の第1の領域26
aには直接通じず、支持板2の下面2b側の第2
の領域26bに直接通じることとなる。したがつ
て、封止用樹脂27はゲート20に直接通じる領
域である支持板2の下面2b側の第2の領域26
bに注入される。実際には第1の領域26aと第
2の領域26bとは支持板2の両側及び外部リー
ド3側で連絡しているため、支持板2の上面側の
第1の領域26aにも封止用樹脂27が一部充填
される。なお、支持板2はスライド型22,23
によつて上方への移動が阻止されているため、封
止用樹脂27の注入時に、支持板2が上方に移動
することはない。また、支持板2の下面2b側に
は封止用樹脂27が注入され、支持板2にはこの
封止用樹脂27によつて上方に押し上げられる力
が加わる。従つて、支持板2が下方に移動するこ
ともない。
第4図に明示するように上型14に設けられた
突出部14aは第2のスライド型23の切欠部2
3aに挿入されている。突出部14aの下面から
支持板2の上面2aまでの間隔は樹脂封止体12
の厚さに相当する。即ち、第2のスライド型23
は第4図に示すように脚部23b,23cの一部
のみが成形空所26内に突出する。
支持板2の下面2b側の第2の領域26bの略
全体に封止用樹脂27が充填された後、第5図に
示すように第1のスライド型22をその底面22
aが成形空所26の沿面の上壁、即ち突出部14
aの下面に一致するまで上昇させる。このとき、
第2のスライド型23は支持板2に当接する下方
位置に保持されており、第2のスライド型23の
切欠部23aを通じて第1の領域26aとゲート
20とが連絡する。この状態で、成形空所26内
に封止用樹脂27を注入すると、第2の領域26
bには既に封止用樹脂27が充填されているの
で、封止用樹脂27は第1の領域26aに注入さ
れる。実際には、第2の領域26に充填された封
止用樹脂27はまだ完全には固化しておらず、若
干の流動性を有するため、封止用樹脂27の一部
は第2の領域26bに既に充填された封止用樹脂
27を押圧して注入されるが、その量は少量であ
る。支持板2の端部に第2のスライド型23が当
接しかつ第2の領域26bにある封止用樹脂27
の流動性がある程度低下しているため、第1の領
域26aに封止用樹脂27を注入している際に、
封止用樹脂27の注入圧力により支持板2が上下
に移動することはない。
スライド型22,23の位置した部分を含む第
1領域26aの空間容積の略半分以上が封止用樹
脂27にて充填された後、第2のスライド型23
を上昇させ、脚部23b,23cの底面23dを
上型14の突出部14aの下面に一致させる。こ
れにより、第2のスライド型23の脚部23b,
23cの位置した部分が空所となり、この空所を
含む第1の領域26aの未充填部分に封止用樹脂
27が注入される。第2のスライド型23を移動
した後は支持板2の一方の端部が固定されない状
態となる。しかし、第2の領域26bには既に封
止用樹脂27が略完全に充填されており、第1の
領域26aもその半分以上が封止用樹脂27で充
填されているので、支持板2はほとんど上下に移
動しない。
成形空所26の全体に封止用樹脂27が注入さ
れた封止用樹脂27が固化した後に、上型14と
下型15とを分離する。その後、リードフレーム
組立体10を成形金型13から取り出し、タイバ
ー4及び連結条5を除去する。これによつて、外
部リード3の導出部分を除いた他の部分全体を樹
脂封止体12にて被覆した樹脂封止型半導体装置
が得られる。第6図に完成した樹脂封止型半導体
装置を示す。なお、12aはネジ穴であり、この
内周面にも樹脂封止体12の一部が形成され、支
持板2は露出しない。
本実施例では種々の優れた効果を得ることがで
きる。第1に、支持板2の下面側の第2の領域2
6bが先に封止用樹脂27にて充填されるので、
第2の領域26bにボイド等の未充填部分のない
良好な樹脂封止体12を薄く形成できる。
第2に、第1の領域26aの半分以上が封止用
樹脂27で充填されるまで、第2のスライド型2
3が支持板2の上方への移動を阻止しているた
め、支持板2の上下移動が生じない。このため、
トランスフアモールド中の支持板2の傾斜を確実
に防止でき、支持板2の裏面に一定の厚みを有す
る樹脂封止体12を形成できる。
第3に、第2のスライド型23がゲート20の
近傍に位置するため、第2のスライド型23の引
抜き後に形成された空所に封止用樹脂27を確実
に注入できる。したがつて、支持板2の全面を樹
脂封止体12にて被覆でき、外部リード3以外に
金属に露出部分のない高絶縁耐圧の樹脂封止型半
導体装置を提供できる。
本実施例では、第1のスライド型22及び第2
のスライド型23の移動タイミングをプランジヤ
29の高さによつて決定することができる。即
ち、封止用樹脂27の投入されるポツト28はラ
ンナ19及びゲート20を通じて2素子分の成形
空所26に連絡している。また、各々の成形空所
26からポツト28までの樹脂の流通路の長さ、
即ちランナ19とゲート20を加えた各々の長さ
は等しくなつている。つまり、2素子分の成形空
所26が1つのポツト28を中心として、左右対
称に配置されている。また、ポツト28から注入
される封止用樹脂27の量は対向する左右2つの
成形空所26で略等しくなる。したがつて、成形
空所26に注入される封止用樹脂27の量は封止
用樹脂27を押圧するプランジヤ29の垂直方向
の移動距離によつて算定される。このため、第2
の領域26bが封止用樹脂27にて略完全に充填
される高さまでプランジヤ29が降下したら、第
1のスライド型22を上昇させる。更に、第1の
領域26aの半分以上が封止用樹脂27にて充填
される高さまでプランジヤ29が降下したら第2
のスライド型23を上昇させる。このように、第
1のスライド型22及び第2のスライド型23の
移動開始時点を容易に決定することができる。
第2の実施例 第2の実施例はゲート20側に配置される第1
のスライド型31は第8図aに示すように切欠部
31aと1対の脚部31b,31cを有する。第
1のスライド型31は第1の実施例で示す第2の
スライド型23に対し類似する形状を有するが、
第1の実施例の第2のスライド型23よりも脚部
31b,31cの幅長が大きい。このため、第9
図及び第10図に示すように、上型14の下型1
5との境界面に設けられた2つのゲート33を脚
部31b,31cで閉塞できる。また、第1のス
ライド型31のゲート20側とは反対側の面に隣
接して配置される第2のスライド型32は第8図
bに示すように凸部32aを有する。第9図に示
すように、第1のスライド型31と第2のスライ
ド型32を下降させて、第1及び第2のスライド
型31,32の底面31d,32bを支持板2の
一方の主面に当接させた時、第1のスライド型3
1の切欠部31aは第2のスライド型32の凸部
32aによつて閉塞される。また、上型14に設
けられた2つのゲート33は第10図に示すよう
に下型15に設けられたゲート20の左右に配置
されている。また、図示しないが、ゲート33は
ランナ19に通じるポツト28とは異なるポツト
ランナ34を介して通じている。
第2の領域26bには封止用樹脂27をポツト
28(第1図)からランナ19及びゲート20を
通じて注入する。このとき、第1の実施例と同様
に第1のスライド型31及び第2のスライド型3
2を下降させておく。これにより、第1の領域2
6aへ流れようとする封止用樹脂27は、第1の
スライド型合31の脚部31b,31c及び第1
のスライド型31の切欠部31aを閉塞する第2
のスライド型32の凸部32aで阻止される。
第2の領域26bに封止用樹脂27が完全に注
入された後、プランジヤ29の移動を停止して封
止用樹脂27の注入を停止する。次に、支持板2
の下面側の第2の領域26bに注入された封止用
樹脂27を固化させる。
第2の領域26b内の封止用樹脂27が固化し
たら、第11図に示すように、第1のスライド型
31を上昇させる。これにより、第1のスライド
型31の脚部31b,31cによるゲート33の
閉塞が解かれて、ゲート33は第2のスライド型
32の凸部32aの両側を通じて第1の領域26
bと連絡する。したがつて、ランナ34に通じる
ポツトのプランジヤを下降させることでゲート3
3から第1の領域26aに封止用樹脂を注入でき
る。第2の実施例ではこの封止用樹脂として第2
の領域26bに注入した封止用樹脂27より安価
なものを使用する。この封止用樹脂の注入の際、
第2の実施例では支持板2の下面側に注入された
第2の領域26b内の封止用樹脂27が既に固化
しているため、第1の実施例よりさらに確実に支
持板2の上下移動を阻止できる。第1の領域26
aの半分以上が封止用樹脂にて充填された後、第
2のスライド型32を上昇し、第2のスライド型
32の移動により形成された空所を含む第1の領
域26aの残部に封止用樹脂を注入する。これに
より、第1の実施例と同様に支持板2の全面が樹
脂封止体12により被覆された高絶縁耐圧の樹脂
封止型半導体置が得られる。
また、第2の実施例では支持板2の上面側の樹
脂封止体12を安価な封止用樹脂により形成でき
るため、コスト低下を図ることができる。なお、
一般に安価な封止用樹脂は熱伝導性が劣る。しか
し、支持板2の上面側の樹脂封止体12は放熱に
さほど寄与しないし、放熱性に寄与する支持板2
の下面側の樹脂封止体12は熱伝導性の良好な封
止用樹脂27によつて形成されている。したがつ
て、放熱性が低下することはない。
変形実施例 スライド型は第1のスライド型22のみにより
構成してもよい。また、第1のスライド型22,
31及び第2のスライド型23,32の横幅を減
少させ、これらの側面を成形空所26の側面から
離間させてもよい。
実施例では1つのポツトから延びるナンラが2
素子分の成形空所に連絡する例を示したが、更に
多数の成形空所に連絡していてもよい。また、封
止用樹脂の流通路の長さは同一でなくてもよい
が、プランジヤの高さ位置の測定によりスライド
型の移動タイミングを決定できることから、前記
実施例のように同一の長さとした方が有利であ
る。
また、第2の実施例において、ゲート20とゲ
ート33に連絡するポツトを同一のものとしても
よい。この場合、先に熱伝導性の良い高価な封止
用樹脂をこのポツトに投入し、後から安価な封止
用樹脂を投入してもよい。
発明の効果 上述のように、本発明の製造方法によれば、支
持板の下面側に良好な樹脂封止体を形成できかつ
実質的に外部リード以外に金属の露出部分のない
高絶縁耐圧の樹脂封止型半導体装置を提供でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による樹脂封止型電子部品の製
造方法の実施例を示すトランスフアモールド用成
形金型の断面図、第2図はスライド型の斜視図、
第3図は第1図の−線に沿う断面図、第4図
は第1図の−線に沿う断面図、第5図は第1
のスライド型を上昇した状態を示す成形金型の断
面図、第6図は本実施例の製造方法により製造さ
れた樹脂封止型半導体装置の斜視図、第7図は本
実施例による製造方法に使用するリードフレーム
の平面図、第8図は本発明の他の実施例に使用す
るスライド型の斜視図、第9図は本発明の他の実
施例を示す成形金型の断面図、第10図は第9図
の−線に沿う断面図、第11図は第9図の実
施例において第1のスライド型を上昇した状態を
示す断面図である。 2……支持板、3……外部リード、8……半導
体チツプ、10……リードフレーム組立体、12
……樹脂封止体、13……成形金型、20,33
……ゲート(樹脂注入口)、22,23,31,
32……スライド型、26……成形空所、26a
……第1の領域、26b……第2の領域、27…
…封止用樹脂。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一方の主面に電子素子及び/又は回路基板の
    固着された支持板の他方の面を含む該支持板の略
    全面を樹脂封止体にて被覆した樹脂封止型電子部
    品の製造方法において、 支持板及び該支持板の一端に連結された外部リ
    ードを有するリードフレーム組立体を準備する工
    程と、 前記樹脂封止体を形成するための成形空所、該
    成形空所に対して進退可能に設けられたスライド
    型及び前記成形空所に通じる樹脂注入口を有する
    成形用型を準備する工程と、 前記外部リードを前記成形用型にて挟持すると
    ともに、前記成形空所のうち、前記支持板の一方
    の主面側に形成された第1の領域の前記樹脂注入
    口側に前記スライド型を突出させる工程と、 前記スライド型により前記第1の領域への封止
    用樹脂の注入を抑制しつつ、且つ前記封止用樹脂
    によつて前記支持板の一方の主面の他端側を前記
    スライド型側に押しつけ前記支持板の上面よりも
    下方に位置する前記樹脂注入口から、前記成形空
    所のうち前記支持板の他方の主面側に形成された
    第2の領域に前記封止用樹脂を注入する工程と、 前記第2の領域の略全体が前記封止用樹脂にて
    充填された後に前記スライド型を前記支持板から
    離間するように移動する工程と、 前記スライド型の移動により形成された空所を
    含む前記第1の領域に前記封止用樹脂を注入する
    工程と、 から成る樹脂封止型電子部品の製造方法。
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