JPH01281740A - 樹脂封止型電子部品の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型電子部品の製造方法

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JPH01281740A
JPH01281740A JP63109876A JP10987688A JPH01281740A JP H01281740 A JPH01281740 A JP H01281740A JP 63109876 A JP63109876 A JP 63109876A JP 10987688 A JP10987688 A JP 10987688A JP H01281740 A JPH01281740 A JP H01281740A
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sealing resin
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Takaaki Yokoyama
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 奮呈上ム五反立災 本発明は樹脂封止型電子部品の製造方法に係わり、詳細
には支持板の下面側にも樹脂封止体の一部が形成された
樹脂封止型電子部品の製造方法に関する。
来の 術 び解 すべき課 支持板の下面にも樹脂封止体の一部を形成した樹脂封止
型半導体装置がある。この種の半導体装置はマイカ板等
の絶縁部材を使用せずに外部放熱体を取付けられる利点
があるが、支持板の下面が露出したタイプの半導体装置
に比べて放熱性の点で不利である。したがって、支持板
の下面側の樹脂封止体の厚さをできる限り薄く形成する
必要がある。しかし、下面側の樹脂封止体の厚さを薄く
形成すると、成形金型内での封止用樹脂の「湯まわり」
が悪くなり、未充填部分が発生し易くなることは周知の
とおりである。
上記の問題を解決するため、特開昭60−257529
号公報には支持板の上面側に流入する樹脂の流れを抑制
する突出部を成形金型の上型に設け、これにより、支持
板の下面側の樹脂の流れを相対的に強化する樹脂成形方
法が開示されている。
しかし、この方法では支持板を固定するためにピンや位
置決めリード等を必要とする。このため。
この部分で樹脂封止後に支持板等の金属が部分的に露出
することになり、製造された樹脂封止型半導体装置は、
厳しい絶縁耐圧が要求される用途にはそのままでは使用
できなかった。
特開昭60−130129号公報には上下に移動が可能
な支持板固定用の可動ピンを使用する製造方法が開示さ
れている。しかし、この方法では可動ピンの移動タイミ
ングを決定することが困難である。即ち、可動ピンの移
動タイミングが遅れると、可動ピン近傍の封止用樹脂が
硬化して、可動ピンの移動後に形成された空所に封止用
樹脂を注入できないことがある。また、可動ピンの移動
タイミングが早すぎると、支持板が傾斜してしまい、支
持板の下面側に樹脂封止体を均一な厚みで形成できない
そこで、本発明は上記の問題を解決し、支持板の下面側
に良好な樹脂封止体を導く均一な厚みで形成でき、かつ
、外部リード以外に金属の露出部分が実質的にないこと
により高絶縁耐圧が得られる樹脂封止型電子部品の製造
方法を提供することを目的とする。
課 を  するための 本発明の樹脂封止型電子部品の製造方法は、−方の主面
に電子素子及び/又は回路基板の固着された支持板の下
面を含む該支持板の略全面を樹脂封止体にて被覆した樹
脂封止型電子部品の製造方法において、支持板及び該支
持板の一端に連結された外部リードを有するリードフレ
ーム組立体を準備する工程と、前記樹脂封止体を形成す
るための成形空所、該成形空所に対して進退可能に設け
られたスライド型及び前記成形空所に通じる樹脂注入口
を有する成形用型を準備する工程と、前記外部リードを
前記成形用型にて挟持し、かつ前記スライド型の一部を
前記支持板の一方の主面の他端側に当接させることによ
って前記支持板を前記成形空所の底面から離間した位置
に固定するとともに、前記成形空所のうち、前記支持板
の一方の主面側に形成された第1の領域の前記樹脂注入
口側に前記スライド型を配置する工程と、前記スライド
型により前記第1の領域への封止用樹脂の注入を抑制し
つつ、前記支持板の上面よりも下方に位置する前記樹脂
注入口から、前記成形空所のうち前記支持板の他方の主
面側に形成された第2の領域に前記封止用樹脂を注入す
る工程と、前記第2の領域の略全体が前記封止用樹脂に
て充填された後に前記スライド型を前記支持板から離間
するように移動する工程と、前記スライド型の移動によ
り形成された空所を含む前記第1の領域に前記封止用樹
脂を注入する工程とから成る。
走−一一朋 本発明によれば、成形空所に対して進退可能に設けられ
たスライド型は、支持板を所定の位置に固定する作用と
封止用樹脂の支持板の一方の主面側に形成される第1の
領域への流れを抑制する作用とを有する。これにより、
支持板の他方の主面側に形成された第2の領域への封止
用樹脂の注入を強めることができる。また、第2の領域
の略全体が封止用樹脂により充填された後にスライド型
を移動するので支持板の傾斜を防止できる。さらにスラ
イド型は支持板の一方の主面側に形成された第1の領域
の樹脂注入口側に位置するので、スライド型を移動した
後に形成される空所に封止用樹脂を確実に注入すること
ができる。
失−五一璽 以下、第1図〜第7図に基づいて本発明の一実施例を説
明する。
まず、第7図に示すリードフレームを用意する。
リードフレーム(1)は支持板(2)と、支持板(2)
の一端に配置された外部リード(3)と。
外部リード(3)を並行に連結するタイバー(4)及び
連結細条(5)と、支持板(2)を並行に連結する細条
(7)とを有する。なお、細条(7)は支持リード(6
)を介して支持板(2)と連結している。また、中央に
配置された外部リード(3)は支持板(2)に連結され
ている。実際のリードフレーム(1)は複数個の支持板
(2)を有する多素子取り用となっている0図示のリー
ドフレーム(1)は正確には支持板(2)の上面に半導
体チップ(8)が半田(図示せず)を介して固着され、
半導体チップ(8)と外部リード(3)とがリード細線
(9)で電気的に接続された中間組立体である。以下、
この中間組立体をリードフレーム組立体(10)と称す
る。なお、(11)は支持板(2)に設けられたネジ挿
入用孔である。
後述するトランスファモールドによりリードフレーム組
立体(10)には樹脂封止体(12)が形成される。
次にリードフレーム組立体(10)を第1図に示すよう
にトランスファモールド用の成形金型(13)に配置し
てトランスファモールドを行う。
なお、支持リード(6)と細条(7)は成形金型(13
)への配置の直前に除去する。成形金型(13)は上型
(14)と下型(15)から成る。
上型(14)には凹部(16)と、下方に延び下型(1
5)に達する円柱状の突出部(17)が設けられている
。下型(15)には凹部(18)と、ランナ(19)及
びゲート(樹脂注入口)(20)と、外部リード(3)
が嵌合される溝(21)が形成されている。更に、本実
施例の成形金型(13)は上型(14)に形成された孔
(14b)内に滑動可能に配置された第1のスライド型
(22)及び第2のスライド型(23)を有する。第2
図(a)(b)にそれぞれ示すように、第1のスライド
型(22)は平板形状に形成され、第2のスライド型(
23)は切欠部(23a)と1対の脚部(23b)(2
3c)を有する。第1のスライド型(22)及び第2の
スライド型(23)はそれぞれ駆動制御装置(24)(
25)によって独立にかつ上型(14)に対して相対的
に上下移動される。
上型(14)と下型(15)を閉鎖すると、凹部(16
)と凹部(18)によって樹脂封止体(2)の形状に対
応した成形空所(26)が成形金型(13)内に形成さ
れる。このとき、第1図から明らかなように外部リード
(3)は下型(15)の溝(21)に嵌合され、上型(
14)と下型(15)とで挟持される。これにより、支
持板(2)の下面が成形空所(26)の底面(26c)
から0.51程度の薄い間隔りで浮いた状態で位置決め
される。次に第1のスライド型(22)及び第2のスラ
イド型(23)を下降させて成形空所(26)内に突出
させるー、このとき、第1のスライド型(22)の底面
(22a)及び第2のスライド型(23)の底面(23
d)を成形空所(26)の底面(26c)から上記の薄
い間隔りと支持板(2)の肉厚部の厚さを加えた距離だ
け離間させる。この場合、外部リード(3)側と反対側
の支持板(2)の端部が浮上ったリードフレーム組立体
(10)であっても、浮上がった端部がスライド型(2
2)(23)に押されて、最終的に支持板(2)の肉厚
部分の下面(2b)と成形空所(26)の底面(26c
)との間隔が全体にわたり均一に薄い間隔りとなる。
次に、第1図に示すように封止用樹脂(27)をポット
(樹脂投入口)(28)に投入する。ポット(28)及
び成形金型(13)は予め160℃〜180℃程度の温
度に加熱されており、投入された封止用樹脂(27)は
溶融して流動化する。
続いて、ポット(28)内でプランジャ(押し型)(2
9)を下降させて封止用樹脂(27)を押圧する。これ
により、封止用樹脂(27)はランナ(19)及びゲー
ト(20)を通じて成形空所(26)に注入される。
第1図に示すように、本実施例では第1のスライド型(
22)が成形空所(26)のゲート(20)が形成され
た壁面に隣接している。また第1のスライド型(22)
の側面は第3図に示すように成形空所(26)の側面に
隣接している。更に。
第1のスライド型(22)の底面(22a)は下降時に
支持板(2)の上面(一方の主面)  (2a)に当接
する。ゲート(20)は第1のスライド型(22)の底
面(22a)の下方つまり、支持板(2)の上面(2a
)の下方に位置する。このため、ゲート(20)は支持
板(2)の上面(2a)側の第1の領域(26a)には
直接通じず、支持板(2)の下面(2b)側の第2の領
域(26b)に直接通じることとなる。したがって、封
止用樹脂(27)はゲート(20)に直接通じる領域で
ある支持板(2)の下面(2b)側の第2の領域(26
b)に注入される。実際には第1の領域(26a)と第
2の領域(26b)とは支持板(2)の両側及び外部リ
ード(3)側で連絡しているため、支持板(2)の上面
側の第1の領域(26a)にも封止用樹脂(27)が一
部充填される。なお、支持板(2)はスライド型(22
)(23)によって上方への移動が阻止されているため
、封止用樹脂(27)の注入時に、支持板(2)が上方
に移動することはない。また、支持板(2)の下面(2
b)側には封止用樹脂(27)が注入され。
支持板(2)にはこの封止用樹脂(27)によって上方
に押し上げられる力が加わる。従って、支持板(2)が
下方に移動することもない。
第4図に明示するように上型(14)に設けられた突出
部(14a)は第2のスライド型(23)の切欠部(2
3a)に挿入されている。突出部(14a)の下面から
支持板(2)の上面(2a)までの間隔は樹脂封止体(
12)の厚さに相当する。
即ち、第2のスライド型(23)は第4図に示すように
脚部(23b)(23c)の一部のみが成形空所(26
)内に突出する。
支持板(2)の下面(2b)側の第2の領域(26b)
の略全体に封止用樹脂(27)が充填された後、第5図
に示すように第1のスライド型(22)をその底面(2
2a)が成形空所(26)の沿面の土壁、即ち突出部(
14a)の下面に一致するまで上昇させる。このとき、
第2のスライド型(23)は支持板(2)に当接する下
方位置に保持されており、第2のスライド型(23)の
切欠部(23a)を通じて第1の領域(26a)とゲー
ト(20)とが連絡する。この状態で、成形空所(26
)内に封止用樹脂(27)を注入すると、第2の領域(
26b)には既に封止用樹脂(27)が充填されている
ので、封止用樹脂(27)は第1の領域(26a)に注
入される。実際には、第2の領域(26b)に充填され
た封止用樹脂(27)はまだ完全には固化しておらず、
若干の流動性を有するため、封止用樹脂(27)の一部
は第2の領域(26b)に既に充填された封止用樹脂(
27)を押圧して注入されるが、その量は少量である。
支持板(2)の端部に第2のスライド型(23)が当接
しかつ第2の領域(26b)にある封止用樹脂(27)
の流動性がある程度低化しているため、第1の領域(2
6a)に封止用樹脂(27)を注入している際に、封止
用樹脂(27)の注入圧力により支持板(2)が上下に
移動することはない。
スライド型(22)(23)の位置した部分を含む第1
の領域(26a)の空間容積の略半分以上が封止用樹脂
(27)にて充填された後、第2のスライド型(23)
を上昇させ、脚部(23b)(23c)の底面(23d
)を上型(14)の突出部(14a)の下面に一致させ
る。これにより、第2のスライド型(23)の脚部(2
3b)  (23c)の位置した部分が空所となり、こ
の空所を含む第1の領域(26a)の未充填部分に封止
用樹脂(27)が注入される。第2のスライド型(23
)を移動した後は支持板(2)の一方の端部が固定され
ない状態となる。しかし、第2の領域(26b)には既
に封止用樹脂(27)が略完全に充填されており、第1
の領域(26a)もその半分以上が封止用樹脂(27)
で充填されているので、支持板(2)はほとんど上下に
移動しない。
成形空所(26)の全体に封止用樹脂(27)が注入さ
れ注入された封止用樹脂(27)が固化した後に、上型
(14)と下型(15)とを分離する。その後、リード
フレーム組立体(10)を成形金型(13)から取り出
し、タイバー(4)及び連結条(5)を除去する。これ
によって、外部リード(3)の導出部分を除いた他の部
分全体を樹脂封止体(12)にて被覆した樹脂封止型半
導体装置が得られる。第6図に完成した樹脂封止型半導
体装置を示す、なお、(12a)はネジ穴であり、この
内周面にも樹脂封止体(12)の−部が形成され、支持
板(2)は露出しない。
本実施例では種々の優れた効果を得ることができる。第
1に、支持板(2)の下面側の第2の領域(26b)が
先に封止用樹脂(27)にて充填されるので、第2の領
域(26b)にボイド等の未充填部分のない良好な樹脂
封止体(12)を薄く形成できる。
第2に、第1の領域(26a)の半分以上が封止用樹脂
(27)で充填されるまで、第2のスライド型(23)
が支持板(2)の上方への移動を阻止しているため、支
持板(2)の上下移動が生じない、このため、トランス
ファモールド中の支持板(2)の傾斜を確実に防止でき
、支持板(2)の裏面に一定の厚みを有する樹脂封止体
(12)を形成できる。
第3に、第2のスライド型(23)がゲート(2o)の
近傍に位置するため、第2のスライド型(23)の引抜
き後に形成された空所に封止用樹脂(27)を確実に注
入できる。したがって。
支持板(2)の全面を樹脂封止体(12)にて被覆でき
、外部リード(3)以外に金属の露呂部分のない高絶縁
耐圧の樹脂封止型半導体装置を提供できる。
本実施例では、第1のスライド型(22)及び第2のス
ライド型(23)の移動タイミングをプランジャ(29
)の高さによって決定することができる。即ち、封止用
樹脂(27)の投入されるポット(28)はランナ(1
9)及びゲート(20)を通じて2素子分の成形空所(
26)に連絡している。また、各々′の成形空所(26
)からポット(28)までの樹脂の流通路の長さ、即ち
ランナ(19)とゲート(20)を加えた各々の長さは
等しくなっている。つまり、2素子分の成形空所(26
)が1つのポット(28)を中心として、左右対称に配
置されている。また、ポット(28)から注入される封
止用樹脂(27)の量は対向する左右2つの成形空所(
26)で略等しくなる。したがって、成形空所(26)
に注入される封止用樹脂(27)の量は封止用樹脂(2
7)を押圧するプランジャ(29)の垂直方向の移動距
離によって算定される。このため、第2の領域(26b
)が封止用樹脂(27)にて略完全に充填される高さま
でプランジャ(29)が降下したら、第1のスライド型
(22)を上昇させる。更に、第1の領域(26a)の
半分以上が封止用樹脂(27)にて充填される高さまで
プランジャ(29)が降下したら第2のスライド型(2
3)を上昇させる。このように、第1のスライド型(2
2)及び第2のスライド型(23)の移動開始時点を容
易に決定することができる。
11立夾適爽 第2の実施例ではゲート(2o)側に配置される第1の
スライド型(31)は第8図(a)に示すように切欠部
(31a)と1対の脚部(31b)(31c)を有する
。第1のスライド型(31)は第1の実施例で示す第2
のスライド型(23)に対し類似する形状を有するが、
第1の実施例の第2のスライド型(23)よりも脚部(
31b)(31c)の幅長が大きい、このため、第9図
及び第10図に示すように、上型(14)の下型(15
)との境界面に設けられた2つのゲート(33)を脚部
(3lb)  (31c)で閉塞できる。
また、第1のスライド型(31)のゲート(2o)側と
は反対側の面に隣接して配置される第2のスライド型(
32)は第8図(b)に示すように凸部(32a)を有
する。第9図に示すように、第1のスライド型(31)
と第2のスライド型(32)を下降させて、第1及び第
2のスライド型(31)(32)の底面(31d)(3
2b)を支持板(2)の一方の主面に当接させた時、第
1のスライド型(31)の切欠部(31a)は第2のス
ライド型(32)の凸部(32a)によって閉塞される
。また、上型(14)に設けられた2つのゲート(33
)は第10図に示すように下型(15)に設けられたゲ
ート(20)の左右に配置されている。また1図示しな
いが、ゲート(33)はランナ(19)に通じるポット
(28)とは異なるポットにランナ(34)を介して通
じている。
第2の領域(26b)には封止用樹脂(27)をポット
(28)(第1図)からランナ(19)及びゲート(2
0)を通じて注入する。このとき、第1の実施例と同様
に第1のスライド型(31)及び第2のスライド型(3
2)を下降させておく。
これにより、第1の領域(26a)へ流れようとする封
止用樹脂(27)は、第1のスライド型(31)の脚部
(31b)  (31c)及び第1のスライド型(23
)の切欠部(31a)を閉塞する第2のスライド型(3
2)の凸部(32a)で阻止される。
第2の領域(26b)に封止用樹脂(27)が完全に注
入された後、プランジャ(29)の移動を停止して封止
用樹脂(27)の注入を停止する。
次に、支持板(2)の下面側の第2の領域(26b)に
注入された封止用樹脂(27)を固化させる。
第2の領域(26b)内の封止用樹脂(27)が固化し
たら、第11図に示すように、第1のスライド型(31
)を上昇させる。これにより、第1のスライド型(31
)の脚部(3lb)  (31c)によるゲート(33
)の閉塞が解かれて、ゲート(33)は第2のスライド
型(32)の凸部(32a)の両側を通じて第1の領域
(26b)と連絡する。したがって、ランナ(34)に
通じるポットのプランジャを下降させることでゲート(
33)から第1の領域(26a)に封止用樹脂を注入で
きる。第2の実施例ではこの封止用樹脂として第2の領
域(26b)に注入した封止用樹脂(27)より安価な
ものを使用する。この封止用樹脂の注入の際、第2の実
施例では支持板(2)の下面側に注入された第2の領域
(26b)内の封止用樹脂(27)が既に固化している
ため、第1の実施例よりさらに確実に支持板(2)の上
下移動を阻止できる。第1の領域(26a)の半分以上
が封止用樹脂にて充填された後、第2のスライド型(3
2)を上昇し、第2のスライド型(32)の移動により
形成された空所を含む第1の領域(26a)の残部に封
止用樹脂を注入する。これにより、第1の実施例と同様
に支持板(2)の全面が樹脂封止体(12)により被覆
された高Me耐圧の樹脂封止型半導体層が得られる。
また、第2の実施例では支持板(2)の上面側の樹脂封
止体(12)を安価な封止用樹脂により形成できるため
、コスト低下を図ることができる。
なお、一般に安価な封止用樹脂は熱伝導性が劣る。
しかし、支持板(2)の上面側の樹脂封止体(12)は
放熱にさほど寄与しないし、放熱性に寄与する支持板(
2)の下面側の樹脂封止体(12)は熱伝導性の良好な
封止用樹脂(27)によって形成されている。したがっ
て、放熱性が低下することはない。
資m匠 スライド型は第1のスライド型(22)のみにより構成
してもよい。また、第1のスライド型(22)(31)
及び第2のスライド型(23)(32)の横幅を減少さ
せ、これらの側面を成形空所(26)の側面から離間さ
せてもよい。
実施例では1つのポットから延びるランナが2素子分の
成形空所に連絡する例を示したが、更に多数の成形空所
に連絡していてもよい、また、封止用樹脂の流通路の長
さは同一でなくてもよいが。
プランジャの高さ位置の測定によりスライド型の移動タ
イミングを決定できることから、前記実施例のように同
一の長さとした方が有利である。
また、第2の実施例において、ゲート(20)とゲー)
−(33)に連絡するポットを同一のものとしでもよい
。この場合、先に熱伝導性の良い高価な封止用樹脂をこ
のポットに投入し、後から安価な封止用樹脂を投入して
もよい。
見匪立夏来 上述のように、本発明の製造方法によれば、支持板の下
面側に良好な樹脂封止体を形成できかつ実質的に外部リ
ード以外に金属の露出部分のない高絶縁耐圧の樹脂封止
型半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による樹脂封止型電子部品の製造方法の
実施例を示すトランスファモールド用成形金型の断面図
、第2図はスライド型の斜視図。 第3図は第1図のI−1線に沿う断面図、第4図は第1
図の■−■線に沿う断面図、第5図は第1のスライド型
を上昇した状態を示す成形金型の断面図、第6図は本実
施例の製造方法により製造された樹脂封止型半導体装置
の斜視図、第7図は本実施例による製造方法に使用する
リードフレームの平面図、第8図は本発明の他の実施例
に使用するスライド型の斜視図、第9図は本発明の他の
実施例を示す成形金型の断面図、第10図は第9図の■
−■線に沿う断面図、第11図は第9図の実施例におい
て第1のスライド型を上昇した状態を示す断面図である
。 (2)、、支持板、 (3)、、外部リード、(8)、
、半導体チップ、  (10)、、リードフレーム組立
体、  (12)、、樹脂封止体、(13) 、 、成
形金型、  (20)、(32)、。 ゲート(樹脂注入口)、  (22)、(23)、(3
1)、(32)、、スライド型、  (26)。 、成形空所、  (26a)、、第1の領域、  (2
6b)、、第2の領域、  (27)、、封止用樹脂、 特許出願人 サンケン電気株式会社 第3図 7L5図 第7図 第8図 第9図 ■ ■ 第10図 第11図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一方の主面に電子素子及び/又は回路基板の固着
    された支持板の下面を含む該支持板の略全面を樹脂封止
    体にて被覆した樹脂封止型電子部品の製造方法において
    、 支持板及び該支持板の一端に連結された外部リードを有
    するリードフレーム組立体を準備する工程と、 前記樹脂封止体を形成するための成形空所、該成形空所
    に対して進退可能に設けられたスライド型及び前記成形
    空所に通じる樹脂注入口を有する成形用型を準備する工
    程と、 前記外部リードを前記成形用型にて挟持し、かつ前記ス
    ライド型の一部を前記支持板の一方の主面の他端側に当
    接させることによって前記支持板を前記成形空所の底面
    から離間した位置に固定するとともに、前記成形空所の
    うち、前記支持板の一方の主面側に形成された第1の領
    域の前記樹脂注入口側に前記スライド型を配置する工程
    と、前記スライド型により前記第1の領域への封止用樹
    脂の注入を抑制しつつ、前記支持板の上面よりも下方に
    位置する前記樹脂注入口から、前記成形空所のうち前記
    支持板の他方の主面側に形成された第2の領域に前記封
    止用樹脂を注入する工程と、 前記第2の領域の略全体が前記封止用樹脂にて充填され
    た後に前記スライド型を前記支持板から離間するように
    移動する工程と、 前記スライド型の移動により形成された空所を含む前記
    第1の領域に前記封止用樹脂を注入する工程と、 から成る樹脂封止型電子部品の製造方法。
JP63109876A 1988-05-07 1988-05-07 樹脂封止型電子部品の製造方法 Granted JPH01281740A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013074035A (ja) * 2011-09-27 2013-04-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法

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