JPH05139825A - チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 - Google Patents
チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法Info
- Publication number
- JPH05139825A JPH05139825A JP3307531A JP30753191A JPH05139825A JP H05139825 A JPH05139825 A JP H05139825A JP 3307531 A JP3307531 A JP 3307531A JP 30753191 A JP30753191 A JP 30753191A JP H05139825 A JPH05139825 A JP H05139825A
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- JP
- Japan
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- lead titanate
- piezoelectric ceramic
- based piezoelectric
- calcined powder
- pressure
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 (Pb1-(3/2)xAx )(Ti1-yBy )O3
〔式中、AはLa,Sm,Nd,Sr,Caから選ばれ
る1種又は2種以上、BはMn,Ni,Crから選ばれ
る1種又は2種以上、そして0.02≦x≦0.06,
0.001≦y≦0.007である。〕で表わされる組
成であり、かつ粒径が1μm以上の割合が2wt%以下の
仮焼粉を成形及び焼成することを特徴とするチタン酸鉛
系圧電磁器の製造方法。 【効果】 キュリー温度が495℃と高く、圧力−電荷
出力においてヒステリシスがなく、温度安定性に優れ
(1100ppm /℃以下)、かつ出力低下も解決さる。
〔式中、AはLa,Sm,Nd,Sr,Caから選ばれ
る1種又は2種以上、BはMn,Ni,Crから選ばれ
る1種又は2種以上、そして0.02≦x≦0.06,
0.001≦y≦0.007である。〕で表わされる組
成であり、かつ粒径が1μm以上の割合が2wt%以下の
仮焼粉を成形及び焼成することを特徴とするチタン酸鉛
系圧電磁器の製造方法。 【効果】 キュリー温度が495℃と高く、圧力−電荷
出力においてヒステリシスがなく、温度安定性に優れ
(1100ppm /℃以下)、かつ出力低下も解決さる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はチタン酸鉛系圧電磁器の
製造方法に係り、この圧電磁器はキュリー温度、ヒステ
リシス、圧力−電荷出力特性等に優れ、圧力センサ、加
速度センサ、フィルター等の分野に特に有用である。
製造方法に係り、この圧電磁器はキュリー温度、ヒステ
リシス、圧力−電荷出力特性等に優れ、圧力センサ、加
速度センサ、フィルター等の分野に特に有用である。
【0002】
【従来の技術】圧電磁器は、圧電効果を利用して圧力セ
ンサあるいは加速度センサに応用することが可能であ
る。すなわち、圧電磁器に圧力を加えると、圧力(変
形)に応じて電荷が発生するので、これを検出して圧力
あるいは加速度を測定することができる。
ンサあるいは加速度センサに応用することが可能であ
る。すなわち、圧電磁器に圧力を加えると、圧力(変
形)に応じて電荷が発生するので、これを検出して圧力
あるいは加速度を測定することができる。
【0003】本発明に近い組成のチタン酸鉛圧電材料
が、特公昭和60−21941号公報、特開昭55−1
51381号公報、及び特開昭63−151667号公
報に開示されている。
が、特公昭和60−21941号公報、特開昭55−1
51381号公報、及び特開昭63−151667号公
報に開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】圧力センサ、加速度セ
ンサとして使用する圧電材料は、圧力−電荷出力が安定
していることが求められ、特に温度変化のある環境で
は、その使用温度範囲内で特性が安定している必要があ
る。しかしながら,このような条件を、実用的な意味で
満足する圧電材料は得られていない。
ンサとして使用する圧電材料は、圧力−電荷出力が安定
していることが求められ、特に温度変化のある環境で
は、その使用温度範囲内で特性が安定している必要があ
る。しかしながら,このような条件を、実用的な意味で
満足する圧電材料は得られていない。
【0005】そこで、本発明者は、先々、(Pb
1-(3/2)xAx )(Ti1-y By )O3 〔式中、AはL
a,Sm,Nd,Sr,Caから選ばれる1種又は2種
以上、BはMn,Ni,Crから選ばれる1種又は2種
以上、そして0.02≦x≦0.06,0.001≦y
≦0.007である。〕で表わされる組成であることを
特徴とするチタン酸鉛系圧電セラミックス材料を開示
し、上記問題を解決した(特願平3−111535
号)。
1-(3/2)xAx )(Ti1-y By )O3 〔式中、AはL
a,Sm,Nd,Sr,Caから選ばれる1種又は2種
以上、BはMn,Ni,Crから選ばれる1種又は2種
以上、そして0.02≦x≦0.06,0.001≦y
≦0.007である。〕で表わされる組成であることを
特徴とするチタン酸鉛系圧電セラミックス材料を開示
し、上記問題を解決した(特願平3−111535
号)。
【0006】しかしながら、この圧電セラミックス材料
では、ヒステリシス、温度安定性等の問題は解決する
が、圧力−電荷出力が若干低下する問題があった。そこ
で、本発明は、上記圧電セラミックス材料の出力を向上
させることを目的とする。
では、ヒステリシス、温度安定性等の問題は解決する
が、圧力−電荷出力が若干低下する問題があった。そこ
で、本発明は、上記圧電セラミックス材料の出力を向上
させることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、(Pb1-(3/2)xAx )(Ti1-y By )
O3 〔式中、AはLa,Sm,Nd,Sr,Caから選
ばれる1種又は2種以上、BはMn,Ni,Crから選
ばれる1種又は2種以上、そして0.02≦x≦0.0
6,0.001≦y≦0.007である。〕で表わされ
る組成であり、かつ粒径が1μm以上の割合が2wt%以
下の仮焼粉を成形及び焼成することを特徴とするチタン
酸鉛系圧電磁器の製造方法を提供する。
成するために、(Pb1-(3/2)xAx )(Ti1-y By )
O3 〔式中、AはLa,Sm,Nd,Sr,Caから選
ばれる1種又は2種以上、BはMn,Ni,Crから選
ばれる1種又は2種以上、そして0.02≦x≦0.0
6,0.001≦y≦0.007である。〕で表わされ
る組成であり、かつ粒径が1μm以上の割合が2wt%以
下の仮焼粉を成形及び焼成することを特徴とするチタン
酸鉛系圧電磁器の製造方法を提供する。
【0008】本発明の製造方法によって得られる圧電セ
ラミックス材料の基本的性質については、特願平3−1
11535号に説明されているが、簡単に述べると次の
通りである。この圧電セラミックス材料は、チタン酸鉛
の鉛の1部をLa,Sm,Nd,Sr又はCaで置換
し、チタンの1部をMn,Ni又はCrで置換した構造
を有すると考えられる。鉛の1部をCa等で置換するこ
とによって焼結が可能になる。この置換量を表すxが
0.02〜0.06の範囲外では圧電セラミックス材料
の圧力−電荷出力特性の温度安定性が悪くなる。
ラミックス材料の基本的性質については、特願平3−1
11535号に説明されているが、簡単に述べると次の
通りである。この圧電セラミックス材料は、チタン酸鉛
の鉛の1部をLa,Sm,Nd,Sr又はCaで置換
し、チタンの1部をMn,Ni又はCrで置換した構造
を有すると考えられる。鉛の1部をCa等で置換するこ
とによって焼結が可能になる。この置換量を表すxが
0.02〜0.06の範囲外では圧電セラミックス材料
の圧力−電荷出力特性の温度安定性が悪くなる。
【0009】また、チタンの1部をMn等で置換するこ
とにより、分極が可能になり、圧電特性が発揮できるよ
うになる。この置換量を表わすyが0.001〜0.0
07の範囲外では圧力−電荷出力のヒステリシスが大き
くなる。この圧電セラミックス材料は、一般に、Pb
O,TiO2 ,La2 O3 ,MnO等の原料酸化物、あ
るいは焼成して酸化物となる原料を、目的の組成比率に
配合し、酸素含有雰囲気中で仮焼及び焼成して作成する
ことができるが、本発明では、その仮焼し粉砕して得ら
れる仮焼粉を、粒径が1μm以上の粗大粒の割合を2重
量%以下にして成形及び本焼成することを特徴としてい
る。
とにより、分極が可能になり、圧電特性が発揮できるよ
うになる。この置換量を表わすyが0.001〜0.0
07の範囲外では圧力−電荷出力のヒステリシスが大き
くなる。この圧電セラミックス材料は、一般に、Pb
O,TiO2 ,La2 O3 ,MnO等の原料酸化物、あ
るいは焼成して酸化物となる原料を、目的の組成比率に
配合し、酸素含有雰囲気中で仮焼及び焼成して作成する
ことができるが、本発明では、その仮焼し粉砕して得ら
れる仮焼粉を、粒径が1μm以上の粗大粒の割合を2重
量%以下にして成形及び本焼成することを特徴としてい
る。
【0010】このように微細な仮焼粉を用いることによ
り、焼結体中のMn等の分散性が良くなり、そのため少
量のMn等でも分極が容易になり、結果として圧力−電
荷出力が向上する。また、Mn等が少量でよいため、ヒ
ステリシスも解決される効果もある。Mn等は仮焼粉の
表面により多く存在するため、粒径が1μm以上の粗大
粒が2wt%より多いと、焼結体中に均一に分散しない組
織が得られ、出力が低下する。この様子を図1に模式的
に示す。粒径が1μm以上の粗粒も平均粒径0.2〜
0.6μmの仮焼粉であることが好ましい。
り、焼結体中のMn等の分散性が良くなり、そのため少
量のMn等でも分極が容易になり、結果として圧力−電
荷出力が向上する。また、Mn等が少量でよいため、ヒ
ステリシスも解決される効果もある。Mn等は仮焼粉の
表面により多く存在するため、粒径が1μm以上の粗大
粒が2wt%より多いと、焼結体中に均一に分散しない組
織が得られ、出力が低下する。この様子を図1に模式的
に示す。粒径が1μm以上の粗粒も平均粒径0.2〜
0.6μmの仮焼粉であることが好ましい。
【0011】したがって、本発明の製造方法では、上記
仮焼粉を原料としてこれを成形し、焼結して圧力センサ
ー等を作成する。本発明の方法で製造したチタン酸鉛系
圧電磁器は、圧力−電荷出力の温度安定性等が優れるこ
とから主として圧電センサ、加速度センサ等として有用
であるが、そのほかフィルター等としても有用である。
仮焼粉を原料としてこれを成形し、焼結して圧力センサ
ー等を作成する。本発明の方法で製造したチタン酸鉛系
圧電磁器は、圧力−電荷出力の温度安定性等が優れるこ
とから主として圧電センサ、加速度センサ等として有用
であるが、そのほかフィルター等としても有用である。
【0012】
【作用】仮焼粉の粒径を微細にしたことにより、Mn等
の均一分散性が向上し、その結果が少量のMn等でも分
極が容易になり、圧力−電荷出力が向上する。
の均一分散性が向上し、その結果が少量のMn等でも分
極が容易になり、圧力−電荷出力が向上する。
【0013】
【実施例】まず、比較例として、PbO,TiO2 、希
土類元素Ln(La,Sm,Nd等)、MnOを出発原
料として用いた。なお、このほか原料として最終的に上
記酸化物になるようなもの、たとえばMnCO3 などを
用いてもよい。一般式(Pb,Ln)(Ti1-x Mn
x)O3 〔0.001(0.1mol %)≦x≦ 0.0
07(0.7mol %)〕になるよう秤量し、φ10mmの
ジルコニアボールを用いてポットミル中で湿式混合粉砕
をした。粉砕後に脱水乾燥し、700〜950℃で2時
間仮焼した。その仮焼粉を、再びφ10mmのジルコニア
ボールを用いてポットミルで湿式粉砕し、最終的な仮焼
粉を得た。
土類元素Ln(La,Sm,Nd等)、MnOを出発原
料として用いた。なお、このほか原料として最終的に上
記酸化物になるようなもの、たとえばMnCO3 などを
用いてもよい。一般式(Pb,Ln)(Ti1-x Mn
x)O3 〔0.001(0.1mol %)≦x≦ 0.0
07(0.7mol %)〕になるよう秤量し、φ10mmの
ジルコニアボールを用いてポットミル中で湿式混合粉砕
をした。粉砕後に脱水乾燥し、700〜950℃で2時
間仮焼した。その仮焼粉を、再びφ10mmのジルコニア
ボールを用いてポットミルで湿式粉砕し、最終的な仮焼
粉を得た。
【0014】その粒径を測定したところ平均粒径0.4
3μm,1μm以上の粒子の割合が10%であった。次
に特性を評価するため、ペレット型の素子を作ることと
し、バインダーとしてPVA(ポリビニルアルコール)
を約3wt%加えて造粒後、成形圧力1t/cm 2 で直径2
0mm、厚さ1mmの円板に成形した。成形体は、昇降温速
度200℃/h、焼成温度1250℃で2時間焼成し
た。
3μm,1μm以上の粒子の割合が10%であった。次
に特性を評価するため、ペレット型の素子を作ることと
し、バインダーとしてPVA(ポリビニルアルコール)
を約3wt%加えて造粒後、成形圧力1t/cm 2 で直径2
0mm、厚さ1mmの円板に成形した。成形体は、昇降温速
度200℃/h、焼成温度1250℃で2時間焼成し
た。
【0015】焼成体に銀電極を付け、200℃でシリコ
ンオイル中で分極処理を行うこととした。ここで分極電
圧を4kV/mmより大きくすると、素子に全てクラックが
生じたので、分極電圧4kV/mmで30分印加し、特性評
価を行った。圧電定数である結合定数kt、比誘電率εr
を測定した結果を表1に示す。
ンオイル中で分極処理を行うこととした。ここで分極電
圧を4kV/mmより大きくすると、素子に全てクラックが
生じたので、分極電圧4kV/mmで30分印加し、特性評
価を行った。圧電定数である結合定数kt、比誘電率εr
を測定した結果を表1に示す。
【0016】
【表1】
【0017】次に、最終的な仮焼粉の粒径を変化させる
為に、粉砕ボールの径を1〜10mmで変化させたとこ
ろ、平均粒径は、0.43μmで一定であったが、1μ
m以上の割合が0.5%〜10%の間で変化した。これ
らの最終的な仮焼粉で、焼成条件を比較例と同様にし
て、焼成体を作成し、銀電極を付け、200℃でシリコ
ンオイル中で分極処理を行うこととした。ここで、各素
子のクラックが生じない、最大の分極電圧を30分印加
し、特性評価を行った。圧電定数である、結合定数k
t、比較誘電率εrを測定した結果を表2に示す。
為に、粉砕ボールの径を1〜10mmで変化させたとこ
ろ、平均粒径は、0.43μmで一定であったが、1μ
m以上の割合が0.5%〜10%の間で変化した。これ
らの最終的な仮焼粉で、焼成条件を比較例と同様にし
て、焼成体を作成し、銀電極を付け、200℃でシリコ
ンオイル中で分極処理を行うこととした。ここで、各素
子のクラックが生じない、最大の分極電圧を30分印加
し、特性評価を行った。圧電定数である、結合定数k
t、比較誘電率εrを測定した結果を表2に示す。
【0018】
【表2】
【0019】表2より、1μm以上の割合が2wt%以下
になると、全て最大の分極電圧が6.5kV/mmに達し、
結合定数kt、比誘電率εrともに、圧倒的に優れた焼
成体が得られることがわかる。
になると、全て最大の分極電圧が6.5kV/mmに達し、
結合定数kt、比誘電率εrともに、圧倒的に優れた焼
成体が得られることがわかる。
【0020】
【発明の効果】実施例で示すように、仮焼粉の1μm以
上の粒子を2wt%以下にすることにより、Mn添加量
0.7mol %以下でも6.5kV/mmで分極できるように
なり、Mn添加量1mol %よりも、kt、εrが優れて
いて、出力のヒステリシスが0のチタン酸鉛セラミック
スが得られる。
上の粒子を2wt%以下にすることにより、Mn添加量
0.7mol %以下でも6.5kV/mmで分極できるように
なり、Mn添加量1mol %よりも、kt、εrが優れて
いて、出力のヒステリシスが0のチタン酸鉛セラミック
スが得られる。
【図1】本発明の原理を模式的に説明する図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 (Pb1-(3/2)xAx )(Ti1-y By )
O3 〔式中、AはLa,Sm,Nd,Sr,Caから選
ばれる1種又は2種以上、BはMn,Ni,Crから選
ばれる1種又は2種以上、そして0.02≦x≦0.0
6,0.001≦y≦0.007である。〕で表わされ
る組成であり、かつ粒径が1μm以上の割合が2wt%以
下の仮焼粉を成形及び焼成することを特徴とするチタン
酸鉛系圧電磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3307531A JPH05139825A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3307531A JPH05139825A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05139825A true JPH05139825A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=17970214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3307531A Pending JPH05139825A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | チタン酸鉛系圧電磁器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05139825A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100455218B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-11-06 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
KR100462873B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-12-17 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
KR100481718B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2005-04-11 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
KR100481717B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2005-04-11 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63151667A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物 |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP3307531A patent/JPH05139825A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63151667A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100455218B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-11-06 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
KR100462873B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-12-17 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
KR100481718B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2005-04-11 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
KR100481717B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2005-04-11 | 주식회사 에스세라 | 압전 세라믹 조성물과 그 압전 세라믹 조성물을 이용한 압전소자 |
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