JPH0513885A - 可視光半導体レーザの製造方法 - Google Patents
可視光半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0513885A JPH0513885A JP16414291A JP16414291A JPH0513885A JP H0513885 A JPH0513885 A JP H0513885A JP 16414291 A JP16414291 A JP 16414291A JP 16414291 A JP16414291 A JP 16414291A JP H0513885 A JPH0513885 A JP H0513885A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層へのドーパントの拡散、パイルアップ
を防ぎ、特性、寿命の劣化を防止した可視光半導体レー
ザを得る。 【構成】 溝を形成したｎ型ＧａＡｓ基板１にｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層２を成長して溝を埋めて平坦化し、
その上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド槽３，ＧａＩｎＰ
層４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を成長す
る。 【効果】 溝をＡｌＧａＡｓで埋めるので、表面の平坦
な結晶欠陥の少ない結晶成長ができる。活性層を成長し
た後には再成長をしないのでドーパントの拡散が起こら
ない。したがって、しきい値電流密度の上昇や寿命の劣
化のない、かつ特性および信頼性の良好な可視光半導体
レーザが得られる。
を防ぎ、特性、寿命の劣化を防止した可視光半導体レー
ザを得る。 【構成】 溝を形成したｎ型ＧａＡｓ基板１にｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層２を成長して溝を埋めて平坦化し、
その上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド槽３，ＧａＩｎＰ
層４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を成長す
る。 【効果】 溝をＡｌＧａＡｓで埋めるので、表面の平坦
な結晶欠陥の少ない結晶成長ができる。活性層を成長し
た後には再成長をしないのでドーパントの拡散が起こら
ない。したがって、しきい値電流密度の上昇や寿命の劣
化のない、かつ特性および信頼性の良好な可視光半導体
レーザが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌＧａＩｎＰ系の材
料を用いて作製される可視光半導体レーザの製造方法に
関するものである。
料を用いて作製される可視光半導体レーザの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の可視光半導体レーザを示す
断面図である。この図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板、１２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１３はＧａ
ＩｎＰ活性層、１４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
１５はｐ型ＧａＩｎＰ層、１６はｐ型ＧａＡｓ層、１７
はｎ型ＧａＡｓブロック層、１８はｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層、２０はメサである。
断面図である。この図において、１はｎ型ＧａＡｓ基
板、１２はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、１３はＧａ
ＩｎＰ活性層、１４はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
１５はｐ型ＧａＩｎＰ層、１６はｐ型ＧａＡｓ層、１７
はｎ型ＧａＡｓブロック層、１８はｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層、２０はメサである。
【０００３】図６は、図５の従来の可視光半導体レーザ
の製造方法を示す工程フロー図であり、以下に説明する
手順でこの可視光半導体レーザは作製される。
の製造方法を示す工程フロー図であり、以下に説明する
手順でこの可視光半導体レーザは作製される。
【０００４】まず、図６（ａ）に示すように、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２，Ｇ
ａＩｎＰ活性層１３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
４，ｐ型ＧａＩｎＰ層１５，ｐ型ＧａＡｓ層１６を順次
ＭＯＣＶＤ法で成長する。次に、このウエハ上にＳｉＮ
膜１９を形成し、写真製版により幅３μｍ程度のストラ
イプ状にパターニングした後、図６（ｂ）に示すよう
に、パターニングされたＳｉＮ膜１９をマスクとしてｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４の途中までエッチング
しメサ２０を形成する。次に、図６（ｃ）に示すよう
に、ＳｉＮ膜１９をそのまま選択成長のマスクとして用
いて、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＧａＡｓブロック層１７
をメサ２０の両側に埋込み成長する。次に、図６（ｄ）
に示すように、ＳｉＮ膜１９を除去し、ウエハ全面にｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１８を成長して図５の構造の可
視光半導体レーザが出来上がる。
Ａｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２，Ｇ
ａＩｎＰ活性層１３，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
４，ｐ型ＧａＩｎＰ層１５，ｐ型ＧａＡｓ層１６を順次
ＭＯＣＶＤ法で成長する。次に、このウエハ上にＳｉＮ
膜１９を形成し、写真製版により幅３μｍ程度のストラ
イプ状にパターニングした後、図６（ｂ）に示すよう
に、パターニングされたＳｉＮ膜１９をマスクとしてｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４の途中までエッチング
しメサ２０を形成する。次に、図６（ｃ）に示すよう
に、ＳｉＮ膜１９をそのまま選択成長のマスクとして用
いて、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＧａＡｓブロック層１７
をメサ２０の両側に埋込み成長する。次に、図６（ｄ）
に示すように、ＳｉＮ膜１９を除去し、ウエハ全面にｐ
型ＧａＡｓコンタクト層１８を成長して図５の構造の可
視光半導体レーザが出来上がる。
【０００５】次に、動作について説明する。図５の構造
のウエハの表面と裏面に電極を形成して分離した素子に
ｐ側が正となる電圧を印加すると電流はメサ２０の部分
を集中して流れ、メサ２０の両側はｎ型ＧａＡｓブロッ
ク層１７によるｎＰ逆バイアス接合があるため電流は流
れない。その結果、ＧａＩｎＰ活性層１３のメサ直下の
部分でレーザ発振が生じる。また、発生した光はメサ２
０の下にあたる部分ではｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１４が十分に厚いために閉じ込められるが、メサ２０の
外側ではｎ型ＧａＡｓブロック層１７に吸収されるため
横方向にも安定に導波される。
のウエハの表面と裏面に電極を形成して分離した素子に
ｐ側が正となる電圧を印加すると電流はメサ２０の部分
を集中して流れ、メサ２０の両側はｎ型ＧａＡｓブロッ
ク層１７によるｎＰ逆バイアス接合があるため電流は流
れない。その結果、ＧａＩｎＰ活性層１３のメサ直下の
部分でレーザ発振が生じる。また、発生した光はメサ２
０の下にあたる部分ではｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１４が十分に厚いために閉じ込められるが、メサ２０の
外側ではｎ型ＧａＡｓブロック層１７に吸収されるため
横方向にも安定に導波される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の可視光半導体レ
ーザの構造と製造方法では、１回目の成長でＧａＩｎＰ
活性層１３を成長した後、２回目，３回目の成長を必要
とする。しきい値電流密度Ｊthを評価した場合、１回目
の成長後のしきい値電流密度Ｊthは低い値が得られて
も、２回目，３回目の成長後にはしきい値電流密度Ｊth
が大幅に上昇するという問題点があった。これは、再成
長時に、ＺｎがＧａＩｎＰ活性層１３に拡散し、このＧ
ａＩｎＰ活性層１３とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
４とのヘテロ界面にパイルアップすることが原因と推測
されている。また、再成長により寿命が劣化するという
問題点があった。
ーザの構造と製造方法では、１回目の成長でＧａＩｎＰ
活性層１３を成長した後、２回目，３回目の成長を必要
とする。しきい値電流密度Ｊthを評価した場合、１回目
の成長後のしきい値電流密度Ｊthは低い値が得られて
も、２回目，３回目の成長後にはしきい値電流密度Ｊth
が大幅に上昇するという問題点があった。これは、再成
長時に、ＺｎがＧａＩｎＰ活性層１３に拡散し、このＧ
ａＩｎＰ活性層１３とｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
４とのヘテロ界面にパイルアップすることが原因と推測
されている。また、再成長により寿命が劣化するという
問題点があった。
【０００７】また、他の従来例として、ＧａＩｎＰ活性
層１３を成長した後に再成長を行う必要が無く、図５の
構造とほぼ同様の電流狭窄、横モード制御が得られる構
造として波長〜０．９μｍ帯のＡｌＧａＡｓ系レーザで
は図７に示すインナー・ストライプ型レーザがある(App
lied Physics Letter.Vol.40,No.5,p373(1982)参照）。
層１３を成長した後に再成長を行う必要が無く、図５の
構造とほぼ同様の電流狭窄、横モード制御が得られる構
造として波長〜０．９μｍ帯のＡｌＧａＡｓ系レーザで
は図７に示すインナー・ストライプ型レーザがある(App
lied Physics Letter.Vol.40,No.5,p373(1982)参照）。
【０００８】図７において、３１はｎ型ＧａＡｓ基板、
３２はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、３３はＧａＡｓ活
性層、３４はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、３５はｐ型
ＧａＡｓブロック層、３６はｐ型ＧａＡｓコンタクト層
である。
３２はｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、３３はＧａＡｓ活
性層、３４はｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、３５はｐ型
ＧａＡｓブロック層、３６はｐ型ＧａＡｓコンタクト層
である。
【０００９】このインナー・ストライプ構造を可視光半
導体レーザに適用した場合、その作製過程において図８
に示すようにクラッド層となるｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４
２を溝を形成した段差の有るｎ型ＧａＡｓ基板４１上に
成長する必要がある。ところが、ＡｌＧａＩｎＰは平坦
部と斜面で成長速度が異なり、溝斜面の成長速度が速い
ため、表面が凹凸になって平らに埋まらず、また、平ら
な部分からの成長と斜面からの成長が出合う界面で欠陥
が生じることが実験的に確認されている。
導体レーザに適用した場合、その作製過程において図８
に示すようにクラッド層となるｎ型ＡｌＧａＩｎＰ層４
２を溝を形成した段差の有るｎ型ＧａＡｓ基板４１上に
成長する必要がある。ところが、ＡｌＧａＩｎＰは平坦
部と斜面で成長速度が異なり、溝斜面の成長速度が速い
ため、表面が凹凸になって平らに埋まらず、また、平ら
な部分からの成長と斜面からの成長が出合う界面で欠陥
が生じることが実験的に確認されている。
【００１０】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、活性層を成長した後に再成長の
必要が無く、その結果しきい値電流密度や寿命の劣化の
無い可視光半導体レーザおよびその製造方法を提供する
ことを目的としている。
ためになされたもので、活性層を成長した後に再成長の
必要が無く、その結果しきい値電流密度や寿命の劣化の
無い可視光半導体レーザおよびその製造方法を提供する
ことを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る可視光半導
体レーザの製造方法は、第１導電型のＧａＡｓ基板上に
第２導電型のＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ層を形成す
る工程と、前記ＧａＡｓ基板に達するストライプ状の溝
を形成する工程と、この溝を形成したウエハに第１導電
型のＡｌＧａＡｓ層、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ層、
ＧａＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰ活性層、第２導電型
のＡｌＧａＩｎＰクラッド層を順次形成する工程を含む
ものである。
体レーザの製造方法は、第１導電型のＧａＡｓ基板上に
第２導電型のＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ層を形成す
る工程と、前記ＧａＡｓ基板に達するストライプ状の溝
を形成する工程と、この溝を形成したウエハに第１導電
型のＡｌＧａＡｓ層、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ層、
ＧａＩｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰ活性層、第２導電型
のＡｌＧａＩｎＰクラッド層を順次形成する工程を含む
ものである。
【００１２】
【作用】本発明においては、活性層を成長した後には再
成長を行わないので、ドーパントであるＺｎの拡散が無
く、その結果しきい値電流密度の上昇や寿命の劣化が生
じず、良好な特性および信頼性が得られる。
成長を行わないので、ドーパントであるＺｎの拡散が無
く、その結果しきい値電流密度の上昇や寿命の劣化が生
じず、良好な特性および信頼性が得られる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の可視光半導体レーザの一実施例を示
す構造断面図で、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層、４はＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰ活性層（以
下、ＧａＩｎＰ活性層という）、５はｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、６はｐ型ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓブ
ロック層（以下、ｐ型ＧａＡｓブロック層という）、７
はｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。
る。図１は本発明の可視光半導体レーザの一実施例を示
す構造断面図で、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層、３はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層、４はＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰ活性層（以
下、ＧａＩｎＰ活性層という）、５はｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、６はｐ型ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓブ
ロック層（以下、ｐ型ＧａＡｓブロック層という）、７
はｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。
【００１４】次に、図１の可視光半導体レーザの製造方
法を図２（ａ）〜（ｄ）により説明する。まず、図２
（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型Ｇａ
Ａｓブロック層６を成長する。次に図２（ｂ）に示すよ
うに、写真製版により幅３μｍ程度の、ｎ型ＧａＡｓ基
板１に達するストライプ状の溝を形成する。次に図２
（ｃ）に示すように、ＧａＩｎＰ活性層４よりもバンド
ギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２を成長
して溝を埋めて平坦にする。続いて図２（ｄ）に示すよ
うに、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，ＧａＩｎＰ活
性層４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５およびｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層７を順次成長する。
法を図２（ａ）〜（ｄ）により説明する。まず、図２
（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型Ｇａ
Ａｓブロック層６を成長する。次に図２（ｂ）に示すよ
うに、写真製版により幅３μｍ程度の、ｎ型ＧａＡｓ基
板１に達するストライプ状の溝を形成する。次に図２
（ｃ）に示すように、ＧａＩｎＰ活性層４よりもバンド
ギャップの大きいｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２を成長
して溝を埋めて平坦にする。続いて図２（ｄ）に示すよ
うに、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，ＧａＩｎＰ活
性層４，ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５およびｐ型Ｇ
ａＡｓコンタクト層７を順次成長する。
【００１５】この構造および製造方法によれば、ＧａＩ
ｎＰ活性層４を成長した後の２回目，３回目の結晶成長
（再成長）を行う必要が無いので、Ｚｎ等のドーパント
の拡散やヘテロ界面でのパイルアップが生じず、その結
果、しきい値電流密度の上昇や寿命の劣化の無い、特性
および信頼性の優れた可視光半導体レーザが得られる。
ｎＰ活性層４を成長した後の２回目，３回目の結晶成長
（再成長）を行う必要が無いので、Ｚｎ等のドーパント
の拡散やヘテロ界面でのパイルアップが生じず、その結
果、しきい値電流密度の上昇や寿命の劣化の無い、特性
および信頼性の優れた可視光半導体レーザが得られる。
【００１６】本発明によれば、下側のクラッド層を２層
構造にし、まず、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２を成長
して溝を埋めて平坦にした後にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３を成長するので、溝のある基板に直接ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層を成長した場合に起こる表面が凹凸に
なったり、結晶欠陥が生じる等の問題が無い。
構造にし、まず、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２を成長
して溝を埋めて平坦にした後にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３を成長するので、溝のある基板に直接ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層を成長した場合に起こる表面が凹凸に
なったり、結晶欠陥が生じる等の問題が無い。
【００１７】本実施例の可視光半導体レーザにｐ側が正
となる電圧を印加すると電流は溝の形成された領域を集
中して流れ、溝の両側はｐ型ＧａＡｓブロック層６によ
るｎＰ逆バイアス接合があるため電流は流れない。その
結果、ＧａＩｎＰ活性層４の溝の上部の部分でレーザ発
振が生じる。
となる電圧を印加すると電流は溝の形成された領域を集
中して流れ、溝の両側はｐ型ＧａＡｓブロック層６によ
るｎＰ逆バイアス接合があるため電流は流れない。その
結果、ＧａＩｎＰ活性層４の溝の上部の部分でレーザ発
振が生じる。
【００１８】また、発生した光は溝の上にあたる部分で
はクラッド層が十分に厚いために閉じ込められるが、溝
の外側ではｐ型ＧａＡｓブロック層６に吸収されるた
め、横方向にも安定に導波される。
はクラッド層が十分に厚いために閉じ込められるが、溝
の外側ではｐ型ＧａＡｓブロック層６に吸収されるた
め、横方向にも安定に導波される。
【００１９】なお、上記実施例では溝の形状が図１に示
すような底が平らな順メサ形状であったが、溝の形状は
その他の形状であってもよく、例えば、図３に示すよう
なＶ溝形状や、図４に示すような逆メサ形状の溝であっ
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
すような底が平らな順メサ形状であったが、溝の形状は
その他の形状であってもよく、例えば、図３に示すよう
なＶ溝形状や、図４に示すような逆メサ形状の溝であっ
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
溝を形成したＧａＡｓ基板に、活性層よりバンドギャッ
プの大きいＡｌＧａＡｓを成長することにより溝を埋め
て平坦にし、その上にＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層、
活性層を成長するので、表面の平坦な結晶欠陥の少ない
結晶成長が可能である。また、活性層を成長した後に再
成長を行わないので、ドーパントの拡散が無く、その結
果、しきい値電流密度の上昇や寿命の劣化の無い特性お
よび信頼性の良好な可視光半導体レーザが得られる。
溝を形成したＧａＡｓ基板に、活性層よりバンドギャッ
プの大きいＡｌＧａＡｓを成長することにより溝を埋め
て平坦にし、その上にＡｌＧａＩｎＰ系のクラッド層、
活性層を成長するので、表面の平坦な結晶欠陥の少ない
結晶成長が可能である。また、活性層を成長した後に再
成長を行わないので、ドーパントの拡散が無く、その結
果、しきい値電流密度の上昇や寿命の劣化の無い特性お
よび信頼性の良好な可視光半導体レーザが得られる。
【図１】本発明の一実施例を示す可視光半導体レーザの
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の可視光半導体レーザの製造方法を示す工
程断面図である。
程断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す可視光半導体レーザ
の断面図である。
の断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例を示す可視光半導体
レーザの断面図である。
レーザの断面図である。
【図５】従来の可視光半導体レーザを示す断面図であ
る。
る。
【図６】図５の可視光半導体レーザの製造方法を示す工
程断面図である。
程断面図である。
【図７】従来のインナー・ストライプ型レーザを示す断
面図である。
面図である。
【図８】従来の溝付き基板にＡｌＧａＩｎＰを直接成長
した場合の成長形態を示す断面図である。
した場合の成長形態を示す断面図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板 ２ ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ４ ＧａＩｎＰ活性層 ５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 ６ ｐ型ＧａＡｓクラッド層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１導電型のＧａＡｓ基板上に第２導電
型のＧａＡｓあるいはＡｌＧａＡｓ層を形成する工程
と、前記ＧａＡｓ基板に達するストライプ状の溝を形成
する工程と、この溝を形成したウエハに第１導電型のＡ
ｌＧａＡｓ層、第１導電型のＡｌＧａＩｎＰ層、ＧａＩ
ｎＰあるいはＡｌＧａＩｎＰ活性層、第２導電型のＡｌ
ＧａＩｎＰクラッド層を順次形成する工程を含むことを
特徴とする可視光半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16414291A JPH0513885A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 可視光半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16414291A JPH0513885A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 可視光半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513885A true JPH0513885A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15787551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16414291A Pending JPH0513885A (ja) | 1991-07-04 | 1991-07-04 | 可視光半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513885A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT3310B (en) | 1988-12-02 | 1995-06-26 | Basf Lacke & Farben | Liquid, radiation-cured coating composition for glass surfaces, process for coating, optical glass fibre |
| LT3330B (en) | 1989-04-29 | 1995-07-25 | Basf Lacke & Farben | Liquid, radiation-cured coating composition for glass surfaces |
| JP2019079911A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
1991
- 1991-07-04 JP JP16414291A patent/JPH0513885A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| LT3310B (en) | 1988-12-02 | 1995-06-26 | Basf Lacke & Farben | Liquid, radiation-cured coating composition for glass surfaces, process for coating, optical glass fibre |
| LT3330B (en) | 1989-04-29 | 1995-07-25 | Basf Lacke & Farben | Liquid, radiation-cured coating composition for glass surfaces |
| JP2019079911A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
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