JP2586826B2 - ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法 - Google Patents
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法Info
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- JP2586826B2 JP2586826B2 JP6162774A JP16277494A JP2586826B2 JP 2586826 B2 JP2586826 B2 JP 2586826B2 JP 6162774 A JP6162774 A JP 6162774A JP 16277494 A JP16277494 A JP 16277494A JP 2586826 B2 JP2586826 B2 JP 2586826B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ、特にＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法に係わる。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザにおいては、その電流閾値
や発振特性、放射角等の各種の特性の改善、或いは使用
目的に適合した特性を得るために種々の構造のものが提
案されている。
や発振特性、放射角等の各種の特性の改善、或いは使用
目的に適合した特性を得るために種々の構造のものが提
案されている。
【０００３】このような半導体レーザにおいて、横方向
の電流の集中、或いはキャリアないしは光の実質的閉じ
込めを行うために、内部ストライプ構造の形成、或いは
屈折率の差を形成するなどの目的をもって、溝加工すな
わち凹凸の形成が行われ、これの上に半導体層の形成を
行うような製造手順をとることが屡々ある。
の電流の集中、或いはキャリアないしは光の実質的閉じ
込めを行うために、内部ストライプ構造の形成、或いは
屈折率の差を形成するなどの目的をもって、溝加工すな
わち凹凸の形成が行われ、これの上に半導体層の形成を
行うような製造手順をとることが屡々ある。
【０００４】例えば、図５に示す構造のものにおいて
は、例えばｎ型のＧａＡｓ単結晶基板１に共振器長方
向、例えば図５において紙面と直交する方向に伸びるス
トライプ状の溝２を例えばエッチングによって形成し、
この溝が形成された基板１上に順次ｎ型のＡｌＧａＡｓ
より成る第１のクラッド層３−ＧａＡｓ活性層４−ｐ型
のＡｌＧａＡｓより成る第２のクラッド層５−ｐ型の低
抵抗のＧａＡｓキャップ層６が形成され、活性層４に横
方向に屈曲部を形成し、第１および第２のクラッド層３
および５によって横方向に関しても光の閉じ込めを行う
ようにしたものである。７はキャップ層６上に被着形成
された絶縁層で、これに穿設した電極窓を通じて一方の
電極８がキャップ層６にオーミックに被着される。また
９は基板１にオーミックに被着された他方の電極を示
す。
は、例えばｎ型のＧａＡｓ単結晶基板１に共振器長方
向、例えば図５において紙面と直交する方向に伸びるス
トライプ状の溝２を例えばエッチングによって形成し、
この溝が形成された基板１上に順次ｎ型のＡｌＧａＡｓ
より成る第１のクラッド層３−ＧａＡｓ活性層４−ｐ型
のＡｌＧａＡｓより成る第２のクラッド層５−ｐ型の低
抵抗のＧａＡｓキャップ層６が形成され、活性層４に横
方向に屈曲部を形成し、第１および第２のクラッド層３
および５によって横方向に関しても光の閉じ込めを行う
ようにしたものである。７はキャップ層６上に被着形成
された絶縁層で、これに穿設した電極窓を通じて一方の
電極８がキャップ層６にオーミックに被着される。また
９は基板１にオーミックに被着された他方の電極を示
す。
【０００５】一方、近時例えばＡｌＧａＡｓ、或いはＡ
ｌＧａＩｎＰ系等の各種化合物半導体の製造において、
いわゆるＭＯＣＶＤ（Metalorganic Chemical Vapor De
position）或いはＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）等
の有機金属ないしは金属気相成長法の適用が望まれてい
る。これは、ＭＯＣＶＤやＭＢＥによって半導体層をエ
ピタキシーする場合、結晶性にすぐれた半導体層を得や
すいことと、この半導体層の組成の制御性、厚さの制御
性、不純物の濃度の制御性等にすぐれているという利点
があることによる。
ｌＧａＩｎＰ系等の各種化合物半導体の製造において、
いわゆるＭＯＣＶＤ（Metalorganic Chemical Vapor De
position）或いはＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）等
の有機金属ないしは金属気相成長法の適用が望まれてい
る。これは、ＭＯＣＶＤやＭＢＥによって半導体層をエ
ピタキシーする場合、結晶性にすぐれた半導体層を得や
すいことと、この半導体層の組成の制御性、厚さの制御
性、不純物の濃度の制御性等にすぐれているという利点
があることによる。
【０００６】そして、実際に、0.8 μｍ波長帯のＡｌＧ
ａＡｓ系半導体レーザにおいては、例えば前述した図５
の構造のもののように溝加工の施された被エピタキシー
面、もしくは例えばストライプ状のメサを形成した被エ
ピタキシー面、すなわち凹凸面への有機金属ないしは金
属気相成長法による半導体層のエピタキシーは良好に行
われる。
ａＡｓ系半導体レーザにおいては、例えば前述した図５
の構造のもののように溝加工の施された被エピタキシー
面、もしくは例えばストライプ状のメサを形成した被エ
ピタキシー面、すなわち凹凸面への有機金属ないしは金
属気相成長法による半導体層のエピタキシーは良好に行
われる。
【０００７】一方、光磁気ディスク等において、高密度
記録の要求から短波長発光をなす半導体レーザの開発が
望まれ、例えば580 〜650 ｎｍの発光をなすＡｌＧａＩ
ｎＰ系の半導体レーザの実用化が要求されている。
記録の要求から短波長発光をなす半導体レーザの開発が
望まれ、例えば580 〜650 ｎｍの発光をなすＡｌＧａＩ
ｎＰ系の半導体レーザの実用化が要求されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した短波長発光を
なすＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを製造するに当たっ
ても、前述したように各点に関して制御性にすぐれたＭ
ＯＣＶＤないしはＭＢＥによる有機金属ないしは金属気
相成長法によることが望ましいが、このＡｌＧａＩｎＰ
系の化合物半導体を、ＭＯＣＶＤないしはＭＢＥによっ
てエピタキシーする場合、その被エピタキシー面の結晶
面によって、すなわち、例えば(100) 結晶面か(111) 結
晶面であるかによって良好なエピタキシーをなすための
条件が異なる。
なすＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを製造するに当たっ
ても、前述したように各点に関して制御性にすぐれたＭ
ＯＣＶＤないしはＭＢＥによる有機金属ないしは金属気
相成長法によることが望ましいが、このＡｌＧａＩｎＰ
系の化合物半導体を、ＭＯＣＶＤないしはＭＢＥによっ
てエピタキシーする場合、その被エピタキシー面の結晶
面によって、すなわち、例えば(100) 結晶面か(111) 結
晶面であるかによって良好なエピタキシーをなすための
条件が異なる。
【０００９】したがって、上述したように、例えば(10
0) 結晶面を主面とする基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザを構成する場合において、上述の溝あるいは
メサ等のストライプ状凹凸の形成を行う場合、その凹凸
の側面は(100) 結晶面とは異なる他の結晶面、例えば(1
11) 結晶面となるので、両面に対するＭＯＣＶＤないし
はＭＢＥによるエピタキシーの条件が相違し、これがた
め、この溝２上にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層をＭＯＣ
ＶＤないしはＭＢＥ法によって良好に形成することは困
難となり、特に(111) 結晶面に対するＭＯＣＶＤないし
はＭＢＥによる結晶成長は極めて困難である。一般に半
導体レーザの光出射端面、すなわち共振器端面は結晶の
劈開面(110) 結晶面によって形成することから、(100)
結晶面による基板１を用いる場合、その共振器長方向と
なるストライプ状凹凸のストライプ方向は 〈110 〉軸
方向に選定されることになり、凹凸の側面は(100) 結晶
面以外の面となる。そして、特にこの凹凸の形成を例え
ば結晶異方性を有する化学的エッチングによって形成す
る場合、その凹凸の側面は(111)A面となり、この(111)A
面にはＭＯＣＶＤないしはＭＢＥによる結晶成長が困難
であることから、良質なエピタキシャル成長、すなわち
良好な結晶性を有する半導体層の形成が極めて難しいと
いう課題がある。
0) 結晶面を主面とする基板上に、ＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザを構成する場合において、上述の溝あるいは
メサ等のストライプ状凹凸の形成を行う場合、その凹凸
の側面は(100) 結晶面とは異なる他の結晶面、例えば(1
11) 結晶面となるので、両面に対するＭＯＣＶＤないし
はＭＢＥによるエピタキシーの条件が相違し、これがた
め、この溝２上にＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層をＭＯＣ
ＶＤないしはＭＢＥ法によって良好に形成することは困
難となり、特に(111) 結晶面に対するＭＯＣＶＤないし
はＭＢＥによる結晶成長は極めて困難である。一般に半
導体レーザの光出射端面、すなわち共振器端面は結晶の
劈開面(110) 結晶面によって形成することから、(100)
結晶面による基板１を用いる場合、その共振器長方向と
なるストライプ状凹凸のストライプ方向は 〈110 〉軸
方向に選定されることになり、凹凸の側面は(100) 結晶
面以外の面となる。そして、特にこの凹凸の形成を例え
ば結晶異方性を有する化学的エッチングによって形成す
る場合、その凹凸の側面は(111)A面となり、この(111)A
面にはＭＯＣＶＤないしはＭＢＥによる結晶成長が困難
であることから、良質なエピタキシャル成長、すなわち
良好な結晶性を有する半導体層の形成が極めて難しいと
いう課題がある。
【００１０】本発明は、このような課題の解決をはかる
ことができるようにしたＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
とその製法を提供するものである。
ことができるようにしたＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
とその製法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によるＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザは、図１にその一例の概略的断面図
を示すように、少なくとも第１のクラッド層２３と、平
坦状に形成された活性層２４と、第２のクラッド層２５
とを有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいて、そ
の第１のクラッド層２３と、活性層２４と、第２のクラ
ッド層２５のうちの少なくとも一部に凹凸を有し、この
凹凸の両側に光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少なくと
もいづれか一方の機能を有するＡｌＧａＡｓまたはＧａ
Ａｓ系半導体層３７が形成された構成とする。
ｎＰ系半導体レーザは、図１にその一例の概略的断面図
を示すように、少なくとも第１のクラッド層２３と、平
坦状に形成された活性層２４と、第２のクラッド層２５
とを有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいて、そ
の第１のクラッド層２３と、活性層２４と、第２のクラ
ッド層２５のうちの少なくとも一部に凹凸を有し、この
凹凸の両側に光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少なくと
もいづれか一方の機能を有するＡｌＧａＡｓまたはＧａ
Ａｓ系半導体層３７が形成された構成とする。
【００１２】本発明によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザの製法は、図２〜図３にその一例の工程図を示すよう
に、有機金属ないしは金属気相成長法によって図２に示
すように、第１のクラッド層２３と、活性層２４と、第
２のクラッド層２５とを形成する平坦なＡｌＧａＩｎＰ
系半導体層の形成工程と、図３に示すように、第１のク
ラッド層２３と、活性層２４と、第２のクラッド層２５
のうちの少なくとも一部に凹凸加工を施す工程と、図４
に示すように、この凹凸加工処理後に有機金属ないしは
金属気相成長法によってＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓ系
半導体層３７による横方向の光の閉じ込めあるいは電流
狭搾の少なくともともいづれか一方の機能部を形成する
工程とを経て図１に示す目的とするＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザを製造するものである。
ザの製法は、図２〜図３にその一例の工程図を示すよう
に、有機金属ないしは金属気相成長法によって図２に示
すように、第１のクラッド層２３と、活性層２４と、第
２のクラッド層２５とを形成する平坦なＡｌＧａＩｎＰ
系半導体層の形成工程と、図３に示すように、第１のク
ラッド層２３と、活性層２４と、第２のクラッド層２５
のうちの少なくとも一部に凹凸加工を施す工程と、図４
に示すように、この凹凸加工処理後に有機金属ないしは
金属気相成長法によってＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓ系
半導体層３７による横方向の光の閉じ込めあるいは電流
狭搾の少なくともともいづれか一方の機能部を形成する
工程とを経て図１に示す目的とするＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザを製造するものである。
【００１３】
【作用】本発明によれば、凹凸加工を施す前にＡｌＧａ
ＩｎＰ系半導体層による発光機構部、例えばタブルヘテ
ロ接合部を、特にＭＯＣＶＤないしＭＢＥによって形成
しておくものであり、その後に凹凸加工を施し、その後
に形成する各部、すなわち発光機構、云い換えれば発光
波長を決定する部分以外の部分を構成する半導体層に関
しては、被エピタキシャル面の結晶面に対するエピタキ
シー条件の依存性の小さいＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層
３７によって構成するので、特性にすぐれたＡｌＧａＩ
ｎＰ系の短波長発光をなす半導体レーザを得ることがで
きることになる。
ＩｎＰ系半導体層による発光機構部、例えばタブルヘテ
ロ接合部を、特にＭＯＣＶＤないしＭＢＥによって形成
しておくものであり、その後に凹凸加工を施し、その後
に形成する各部、すなわち発光機構、云い換えれば発光
波長を決定する部分以外の部分を構成する半導体層に関
しては、被エピタキシャル面の結晶面に対するエピタキ
シー条件の依存性の小さいＡｌＧａＩｎＰ系の半導体層
３７によって構成するので、特性にすぐれたＡｌＧａＩ
ｎＰ系の短波長発光をなす半導体レーザを得ることがで
きることになる。
【００１４】
【実施例】図１〜図４を参照して、本発明の一例を説明
する。この例においては発光機構部がタブルヘテロ接合
型構成を採り、その中央に電流集中をなした利得ガイド
型構成をとるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを得る場合
である。この場合、図２に示すように、１の導電型の基
板、例えばｎ型のＧａＡｓ単結晶基板２１を設ける。こ
の基板２１は、その板面方向、すなわち主面が例えば(1
00) 結晶面を有する。この基板２１の１主面上に、それ
ぞれＭＯＣＶＤ法によって必要に応じてバッファ層２２
をエピタキシーし、続いてこれの上にタブルヘテロ接合
型の発光機構部を構成する第１のクラッド層２３、活性
層２４、第２のクラッド層２５を順次連続的に１回のＭ
ＯＣＶＤによってエピタキシーする。
する。この例においては発光機構部がタブルヘテロ接合
型構成を採り、その中央に電流集中をなした利得ガイド
型構成をとるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを得る場合
である。この場合、図２に示すように、１の導電型の基
板、例えばｎ型のＧａＡｓ単結晶基板２１を設ける。こ
の基板２１は、その板面方向、すなわち主面が例えば(1
00) 結晶面を有する。この基板２１の１主面上に、それ
ぞれＭＯＣＶＤ法によって必要に応じてバッファ層２２
をエピタキシーし、続いてこれの上にタブルヘテロ接合
型の発光機構部を構成する第１のクラッド層２３、活性
層２４、第２のクラッド層２５を順次連続的に１回のＭ
ＯＣＶＤによってエピタキシーする。
【００１５】バッファ層２２、第１のクラッド層２３
は、基板２１と同導電型の例えばｎ型より成り、第２の
クラッド層２５は、他の導電型の例えばｐ型とされる。
バッファ層２２は、例えばＧａＡｓ半導体層によって形
成され、第１および第２のクラッド層２３および２５
は、それぞれｎ型およびｐ型の（Ａｌx Ｇａ1-x ）z Ｉ
ｎ1-z Ｐによって形成され、活性層２４は、（Ａｌy Ｇ
Ａ1-y ）z Ｉｎ1-z Ｐであって、第１および第２のクラ
ッド層２３および２５に比し、そのエネルギーバンドギ
ャップＥｇが小さくなるように、活性層２４においては
Ａｌを添加しないか、あるいはクラッド層２３および２
５に比し、Ａｌ量を小とする。好ましくはこれら閉じ込
め層２３および２５によって活性層２３にキャリアおよ
び光の閉じ込めを行うことができるようにｘ−ｙ＞0.3
に選ばれる。尚上記組成において、格子整合の上からｚ
の値は実際上ｚ＝0.52±0.01程度が望ましく、ｚ＝0.52
において、ｙ＝０とするとき、すなわちＧａ0.52Ｉｎ
0.48ＰとするときＥｇは1.9 ｅＶであり、ｘ＝ｚとする
とき、すなわちＡｌ0.52Ｉｎ0.48Ｐとするとき、Ｅｇ＝
2.35ｅＶとなる。
は、基板２１と同導電型の例えばｎ型より成り、第２の
クラッド層２５は、他の導電型の例えばｐ型とされる。
バッファ層２２は、例えばＧａＡｓ半導体層によって形
成され、第１および第２のクラッド層２３および２５
は、それぞれｎ型およびｐ型の（Ａｌx Ｇａ1-x ）z Ｉ
ｎ1-z Ｐによって形成され、活性層２４は、（Ａｌy Ｇ
Ａ1-y ）z Ｉｎ1-z Ｐであって、第１および第２のクラ
ッド層２３および２５に比し、そのエネルギーバンドギ
ャップＥｇが小さくなるように、活性層２４においては
Ａｌを添加しないか、あるいはクラッド層２３および２
５に比し、Ａｌ量を小とする。好ましくはこれら閉じ込
め層２３および２５によって活性層２３にキャリアおよ
び光の閉じ込めを行うことができるようにｘ−ｙ＞0.3
に選ばれる。尚上記組成において、格子整合の上からｚ
の値は実際上ｚ＝0.52±0.01程度が望ましく、ｚ＝0.52
において、ｙ＝０とするとき、すなわちＧａ0.52Ｉｎ
0.48ＰとするときＥｇは1.9 ｅＶであり、ｘ＝ｚとする
とき、すなわちＡｌ0.52Ｉｎ0.48Ｐとするとき、Ｅｇ＝
2.35ｅＶとなる。
【００１６】その後、図３に示すように、第２のクラッ
ド層２５、活性層２４、第１のクラッド層２３に対し、
ストライプ状に一部残してその両側を選択的にエッチン
グするメサエッチングを施す。
ド層２５、活性層２４、第１のクラッド層２３に対し、
ストライプ状に一部残してその両側を選択的にエッチン
グするメサエッチングを施す。
【００１７】その後、図４に示すように、メサ部を覆っ
て高比抵抗、すなわち半絶縁性のＡｌＧａＡｓよりなる
半導体層３７、この例では電流狭搾層をＭＯＣＶＤによ
ってエピタキシーする。
て高比抵抗、すなわち半絶縁性のＡｌＧａＡｓよりなる
半導体層３７、この例では電流狭搾層をＭＯＣＶＤによ
ってエピタキシーする。
【００１８】次に、図１に示すように、メサ上の半導体
層３７にたいして、例えばＺｎを選択的に拡散して低抵
抗領域３３を形成し、その後、全面的にキャップ層２８
をＭＯＣＶＤによってエピタキシーし、このキャップ層
２８上と基板２１とにそれぞれ電極２９および３０をオ
ーミックに被着する。
層３７にたいして、例えばＺｎを選択的に拡散して低抵
抗領域３３を形成し、その後、全面的にキャップ層２８
をＭＯＣＶＤによってエピタキシーし、このキャップ層
２８上と基板２１とにそれぞれ電極２９および３０をオ
ーミックに被着する。
【００１９】このようにすれば、メサ部すなわち第１の
クラッド層２３と、活性層２４と、第２のクラッド層２
５とによって形成されたダブルヘテロ接合型の発光機構
部の両側に高比抵抗の通電を阻止する電流狭搾層として
機能する半導体層３７が配置されたことによって、上述
の発光機構部に電流集中がなされる半導体レーザが構成
される。
クラッド層２３と、活性層２４と、第２のクラッド層２
５とによって形成されたダブルヘテロ接合型の発光機構
部の両側に高比抵抗の通電を阻止する電流狭搾層として
機能する半導体層３７が配置されたことによって、上述
の発光機構部に電流集中がなされる半導体レーザが構成
される。
【００２０】上述した例では、バッファ層２２を設けて
発光機構部において良好な結晶性を得るようにした場合
であるが、或る場合は、このバッファ層２２を省略して
第１のクラッド層２３の厚さを比較的大にして、基板２
１との界面における低い結晶性が発光機構部の結晶性に
影響を及ぼすことのないようにすることができる。
発光機構部において良好な結晶性を得るようにした場合
であるが、或る場合は、このバッファ層２２を省略して
第１のクラッド層２３の厚さを比較的大にして、基板２
１との界面における低い結晶性が発光機構部の結晶性に
影響を及ぼすことのないようにすることができる。
【００２１】上述の各半導体層を形成するＭＯＣＶＤ
は、原料ガスとして例えばトリエチルアルミニウム、ト
リエチルガリウム、トリエチルインジウム、フォスフン
およびアルシンを用い、これらの供給量を調整すること
によって各組成のＡｌＧａＩｎＰ系、或いはＡｌＧａＡ
ｓ系のエピタキシーを行うことができる。また上述した
例ではＭＯＣＶＤによって各層の形成を行った場合であ
るが、これらを周知のＭＢＥによって形成することもで
きる。
は、原料ガスとして例えばトリエチルアルミニウム、ト
リエチルガリウム、トリエチルインジウム、フォスフン
およびアルシンを用い、これらの供給量を調整すること
によって各組成のＡｌＧａＩｎＰ系、或いはＡｌＧａＡ
ｓ系のエピタキシーを行うことができる。また上述した
例ではＭＯＣＶＤによって各層の形成を行った場合であ
るが、これらを周知のＭＢＥによって形成することもで
きる。
【００２２】また、上述した例においては、ダブルヘテ
ロ接合型の半導体レーザを得る場合であるが、他の各種
半導体レーザ、例えば量子井戸による発光機構部を有す
る半導体レーザ、いわゆるＱＷ（Quantum Well）型ない
しはＭＱＷ（Multi QuantumWell）型の半導体レーザに
本発明を適用することができる。
ロ接合型の半導体レーザを得る場合であるが、他の各種
半導体レーザ、例えば量子井戸による発光機構部を有す
る半導体レーザ、いわゆるＱＷ（Quantum Well）型ない
しはＭＱＷ（Multi QuantumWell）型の半導体レーザに
本発明を適用することができる。
【００２３】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、凹凸加
工を施す前に発光機構部をＡｌＧａＩｎＰ系半導体の有
機金属ないしは金属気相成長法によって形成するように
したので、１種の結晶面例えば100 結晶面に対してエピ
タキシーをなすことができ、ＡｌＧａＩｎＰ系とするに
もかかわらず少なくとも、直接発光に寄与する部分にお
いては良好な結晶性を得ることがき特性のよい安定した
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを構成することができる
ものである。
工を施す前に発光機構部をＡｌＧａＩｎＰ系半導体の有
機金属ないしは金属気相成長法によって形成するように
したので、１種の結晶面例えば100 結晶面に対してエピ
タキシーをなすことができ、ＡｌＧａＩｎＰ系とするに
もかかわらず少なくとも、直接発光に寄与する部分にお
いては良好な結晶性を得ることがき特性のよい安定した
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを構成することができる
ものである。
【図１】本発明によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの
一例の断面図である。
一例の断面図である。
【図２】本発明によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの
製法の一例の一工程における断面図である。
製法の一例の一工程における断面図である。
【図３】本発明によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの
製法の一例の一工程における断面図である。
製法の一例の一工程における断面図である。
【図４】本発明によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの
製法の一例の一工程における断面図である。
製法の一例の一工程における断面図である。
【図５】従来の製法の説明に供する略線的拡大断面図で
ある。
ある。
２１ 基板 ２３ 第１のバッファ層 ２４ 活性層 ２５ 第２のクラッド層 ３７ 半導体層
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも第１のクラッド層と、平坦状
に形成された活性層と、第２のクラッド層とを有するＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザにおいて、 前記第１のクラッド層と、活性層と、第２のクラッド層
のうちの少なくとも一部に凹凸を有し、 この凹凸の両側に光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少な
くともいづれか一方の機能を有するＡｌＧａＡｓまたは
ＧａＡｓ系半導体層が形成されてなることを特徴とする
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ。 - 【請求項２】 有機金属ないしは金属気相成長法によっ
て第１のクラッド層と、活性層と、第２のクラッド層と
を形成する平坦なＡｌＧａＩｎＰ系半導体層の形成工程
と、 前記第１のクラッド層と、活性層と、第２のクラッド層
のうちの少なくとも一部に凹凸加工を施す工程と、 この凹凸加工処理後に有機金属ないしは金属気相成長法
によってＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓ系半導体層による
横方向の光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少なくともと
もいづれか一方の機能部を形成する工程とを有すること
を特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162774A JP2586826B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162774A JP2586826B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147459A JPH07147459A (ja) | 1995-06-06 |
| JP2586826B2 true JP2586826B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=15760971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6162774A Expired - Lifetime JP2586826B2 (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザとその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586826B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5496386A (en) * | 1978-01-14 | 1979-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of buried optical semiconductor device |
| JPS58209117A (ja) * | 1982-05-29 | 1983-12-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 化合物半導体膜の製造方法 |
| JPS59129473A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-06-21 JP JP6162774A patent/JP2586826B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07147459A (ja) | 1995-06-06 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |