JP3621155B2 - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザに関し、特にリッジ構造を有する半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図18は従来の半導体レーザの一例である可視光レーザダイオードの構造を示す断面図であり、図において、1はn−GaAs基板、3はn−GaAsバッファ層、4はn−AlGaInPクラッド層、5aはGaInP活性層、6a,6bは第1,第2のp−AlGaInPクラッド層、15はp−GaInPエッチングストッパ層、7はp−GaInPバンド不連続緩和層、8はp−GaAsキャップ層で、第2のp−AlGaInPクラッド層6b,p−GaInPバンド不連続緩和層7,p−GaAsキャップ層8は〈01/1〉方向(いわゆる順メサ方向)に伸びるストライプ状の順メサリッジを形成している。10aは該リッジサイドを埋め込むn−GaAs電流ブロック層、11は上記リッジ上,及びn−GaAs電流ブロック層10a上に形成されたp−GaAsコンタクト層、12はn側電極,13はp側電極、9aは選択マスクである。
【0003】
次に、従来の可視光レーザダイオードの製造工程について示す。まず、図18(a) に示すように、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属気相成長法)により、n−GaAs基板1上に、n−GaAsバッファ層3、n−AlGaInPクラッド層4、GaInP活性層5a、第1のp−AlGaInPクラッド層6a、p−GaInPエッチングストッパ層15、第2のp−AlGaInPクラッド層6b、p−GaInPバンド不連続緩和層7、p−GaAsキャップ層8を順次結晶成長させる。次に、p−GaAsキャップ層8上にSiN膜、または、SiON膜等の選択マスクをCVD(Chemical Vapor Deposition:気相成長法)で成膜し、この上にレジストを塗布し、写真製版技術を用いて、〈01/1〉方向に伸びるストライプ状の選択マスク9aを形成する。次に、図18(b) に示すように、選択マスク9aをマスクとして、酒石酸系のエッチング液でp−GaAsキャップ層8を選択エッチングし、次に、塩酸系のエッチング液でp−GaInPバンド不連続層7を選択エッチングし、次に、硫酸系のエッチング液でp−AlGaInPクラッド層6bをp−GaInPエッチングストッパ層15に達するまで選択エッチングしてストライプ状のリッジを形成する(図18(c))。次に、図18(d) に示すように、このリッジサイドにn−GaAs電流ブロック層10aをリッジの高さに達するまで選択成長した後、選択マスク9aを除去し、全面にp−GaAsコンタクト層11を成長し、最後に蒸着等によりn側電極12,p側電極13を形成する(図18(e))。
【0004】
次に動作について説明する。n側電極12及びp側電極13に順方向電圧を印加すると、電流は電流ブロック層10aがあるため、コンタクト層11と電流ブロック層10aとエッチングストッパ層15の間に形成されたpnp接合により、無効電流がブロックされ、電流はリッジ部に集中して流れ、リッジ近傍の活性層5に注入された電子と正孔の発光再結合により光を発生する。発生した光はストライプ状のリッジに沿って導波され、一対のへき開端面(図示せず)の間で反射増幅されレーザ発振が生じる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体レーザは以上のように構成されていたが、リッジを形成する際に、GaInPがエッチングされ、AlGaInPがエッチングされないような充分な選択性を有するエッチング液,即ち、選択エッチャントがないため、塩酸系のエッチング液でp−GaInPバンド不連続緩和層7をエッチングする時に、第2のp−AlGaInP層6bもエッチングされる。このため、ウェハ面内で同時に形成されるレーザダイオード間においても、また、同一のレーザダイオードチップの異なる位置間においても、AlGaInPクラッド層6bの残り厚に差が生じ、続いて、このAlGaInP層6bをエッチングする際においても、硫酸系エッチング液のAlGaInPとGaInPの選択比が小さいため、p−GaInPエッチングストッパ層15までエッチングされる部分が生じたり、完全にAlGaInPクラッド層6bが除去されない部分が生じたりするなどの問題が生じ、良好で精度のよいリッジ形成が難しいという問題があった。
【0006】
また、従来の半導体レーザは、リッジに注入された電流が、リッジとエッチングストッパ層15が接する部分で共振器長方向,即ち横方向へ拡がって流れるため、この横方向の電流拡がりが、レーザダイオードの低しきい値化、高出力化の妨げとなるという問題があった。
【0007】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたものであり、リッジの加工精度を容易に向上させることができ、かつ横方向の電流拡がりを抑制して、低しきい値化、及び高出力化を図ることができる半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、第1導電型基板の{100}面上に〈011〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成し、これをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成し、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたものである。
【0009】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、第1導電型基板の{100}面上に〈0/11〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成し、これをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成し、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたものである。
【0010】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、第1導電型基板の{100}面上に〈001〉方向又は〈010〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成し、これをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成し、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたものである。
【0011】
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、第1導電型基板の{100}面上に〈011〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成し、これをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成し、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたものである。
【0012】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、第1導電型基板の{100}面上に〈0/11〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成し、これをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成し、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたものである。
【0013】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法は、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、第1導電型基板の{100}面上に〈001〉方向又は〈010〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成し、これをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成し、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたものである。
【0014】
また、上記半導体レーザの製造方法において、上記リッジストライプを形成した後、上記選択マスクを除去し、上記リッジ周囲の上記基板の{100}面上に上記活性層よりも禁制帯幅が大きい材料からなる電流ブロック層を、少なくとも上記リッジの高さに達する高さまで埋め込み形成し、上記半導体レーザのレーザ端面を、上記リッジストライプの活性層を有さない領域において形成するものである。
【0015】
また、上記半導体レーザの製造方法において、上記リッジの端面を上記半導体レーザの共振器端面とするものである。
【0016】
また、上記半導体レーザの製造方法において、上記活性層を構成する材料として、上記リッジを構成する他の材料よりもマイグレーションしやすい材料を用い、上記リッジの選択成長を、上記リッジを構成する材料がマイグレーションしやすい条件で行うものである。
【0022】
【作用】
この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成するようにし、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジを形成するために結晶成長を行った後、選択エッチングを繰り返し行う必要がなく、リッジの加工精度のばらつきを減らすことができるとともに、容易にリッジを形成することができる。また、上記第1導電型クラッド層の側面上に形成される第2導電型クラッド層や活性層は厚さが薄く、かつドーパントの取り込み効率が下がっており、リッジ側面の上記第1導電型クラッド層近傍領域が高抵抗となるように形成されるため、該領域において無効電流をブロックして、リッジに注入された電流を全て活性層に注入させることにより、共振器幅方向への電流の広がりを抑制することができる。
【0023】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成するようにし、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジを形成するために結晶成長を行った後、選択エッチングを繰り返し行う必要がなく、リッジの加工精度のばらつきを減らすことができるとともに、容易にリッジを形成することができる。また、上記第1導電型クラッド層の側面上に形成される第2導電型クラッド層や活性層は厚さが薄く、かつドーパントの取り込み効率が下がっており、リッジ側面の上記第1導電型クラッド層近傍領域が高抵抗となるように形成されるため、該領域において無効電流をブロックして、リッジに注入された電流を全て活性層に注入させることにより、共振器幅方向への電流の広がりを抑制することができる。
【0024】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成するようにし、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジを形成するために結晶成長を行った後、選択エッチングを繰り返し行う必要がなく、リッジの加工精度のばらつきを減らすことができるとともに、容易にリッジを形成することができる。また、上記第1導電型クラッド層の側面上に形成される第2導電型クラッド層や活性層は厚さが薄く、かつドーパントの取り込み効率が下がっており、リッジ側面の上記第1導電型クラッド層近傍領域が高抵抗となるように形成されるため、該領域において無効電流をブロックして、リッジに注入された電流を全て活性層に注入させることにより、共振器幅方向への電流の広がりを抑制することができる。
【0025】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成するようにし、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジを形成するために結晶成長を行った後、選択エッチングを繰り返し行う必要がなく、リッジの加工精度のばらつきを減らすことができるとともに、容易にリッジを形成することができる。また、上記第1導電型クラッド層の側面上に形成される第2導電型クラッド層や活性層は厚さが薄く、かつドーパントの取り込み効率が下がっており、リッジ側面の上記第1導電型クラッド層近傍領域が高抵抗となるように形成されるため、該領域において無効電流をブロックして、リッジに注入された電流を全て活性層に注入させることにより、共振器幅方向への電流の広がりを抑制することができる。
【0026】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成するようにし、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジを形成するために結晶成長を行った後、選択エッチングを繰り返し行う必要がなく、リッジの加工精度のばらつきを減らすことができるとともに、容易にリッジを形成することができる。また、上記第1導電型クラッド層の側面上に形成される第2導電型クラッド層や活性層は厚さが薄く、かつドーパントの取り込み効率が下がっており、リッジ側面の上記第1導電型クラッド層近傍領域が高抵抗となるように形成されるため、該領域において無効電流をブロックして、リッジに注入された電流を全て活性層に注入させることにより、共振器幅方向への電流の広がりを抑制することができる。
【0027】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成するようにし、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジを形成するために結晶成長を行った後、選択エッチングを繰り返し行う必要がなく、リッジの加工精度のばらつきを減らすことができるとともに、容易にリッジを形成することができる。また、上記第1導電型クラッド層の側面上に形成される第2導電型クラッド層や活性層は厚さが薄く、かつドーパントの取り込み効率が下がっており、リッジ側面の上記第1導電型クラッド層近傍領域が高抵抗となるように形成されるため、該領域において無効電流をブロックして、リッジに注入された電流を全て活性層に注入させることにより、共振器幅方向への電流の広がりを抑制することができる。
【0028】
また、上記半導体レーザの製造方法において、上記リッジストライプを形成した後、上記選択マスクを除去し、上記リッジ周囲の上記基板の{100}面上に上記活性層よりも禁制帯幅が大きい材料からなる電流ブロック層を、少なくとも上記リッジの高さに達する高さまで埋め込み形成し、上記半導体レーザのレーザ端面を、上記リッジストライプの活性層を有さない領域において形成するようにしたから、電流ブロック層の形成工程において、共振器端面に光を吸収しない電流ブロック層を設けることができ、容易に窓構造を得ることができる。
【0029】
また、上記半導体レーザの製造方法において、上記リッジの端面を上記半導体レーザの共振器端面としたから、共振器端面に光を吸収しない第2導電型クラッド層を設けることができ、容易に窓構造を得ることができる。
【0030】
また、上記半導体レーザの製造方法において、上記活性層を構成する材料として、上記リッジを構成する他の材料よりもマイグレーションしやすい材料を用い、上記リッジの選択成長を、上記リッジを構成する材料がマイグレーションしやすい条件で行うようにしたから、第1導電型クラッド層の側面への活性層の形成を防ぐことができる。
【0036】
【実施例】
実施例1.
図1は本発明の第1の実施例による半導体レーザの製造方法を示す(011)面と平行な面による断面工程図であり、図において、1は表面が(100)面であるn−GaAs基板、3は該n−GaAs基板1の表面に形成されたn−GaAsバッファ層,2は絶縁膜からなる第1の選択マスク,4は該n−GaAsバッファ層3の(100)面上に形成された部分の厚さが約1.5μmであるn−AlGaInPクラッド層,5は該n−AlGaInPクラッド層4の(100)面上に形成された部分の厚さが約数100オングストロームであるGaInP活性層である。6は該活性層5の(100)面上に形成された部分の厚さが約1.5μmであるp−AlGaInPクラッド層,7は該p−AlGaInPクラッド層6の(100)面上に形成された部分の厚さが約0.1μmであるp−GaInPバンド不連続緩和層で、その他の材料としては、AlGaInPとGaAsの間のバンドギャップを有するp−AlGaAs等の材料が好ましい。8は該p−GaInPバンド不連続緩和層7の(100)面上に形成された部分の厚さが約0.3〜0.4μmであるp−GaAsキャップ層で、n−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,p−GaInPバンド不連続緩和層7,p−GaAsキャップ層8は順メサ形状のリッジ50を形成している。10は該リッジを埋め込むように形成された電流ブロック層で、AlyGa(1−y) InP等の材料からなる高抵抗層である。従来の半導体レーザでは、クラッド層と,ブロック層と,コンタクト層とがpnp構造(あるいは、npn構造)を形成しており、リッジ50以外の領域を流れる無効電流をブロックしていたが、本実施例の半導体レーザの構造では、n型の電流ブロック層を設けてもpnp構造とならないため、無効電流をブロックできない。そのため、ブロック層を高抵抗層にする必要があり、AlyGa(1−y) InPやAlInP等の高抵抗層を用いている。なお、AlyGa(1−y) InP層は、Al組成比yが高いほど高抵抗になり易い。また、AlyGa(1−y) InP結晶はアンドープでも高抵抗になるが、酸素を混入させても良く、酸素濃度が高い程高抵抗になり易い傾向にある。この場合、酸素濃度は1.0E+16/cm3 以上にすることが好ましい。また、Al組成が高いほど酸素が結晶中に取り込まれ易い傾向にある。11はp−GaAsコンタクト層で、コンタクト層の材料としては、p−GaAsの代わりにGaAs基板に格子整合するp−Geとしてもよい。p−Geはp−GaAsより抵抗を下げることができ、電極とのコンタクトが取りやすくなる。12はn側電極,13はp側電極、2はSiNや,SiO等の絶縁膜,9はSiN等の絶縁マスクである。
【0037】
また、図2は本発明の第1の実施例による半導体レーザの製造方法を示す斜視図であり、図において、図1と同一符号は同一又は相当する部分を示している。
【0038】
次に、本実施例1の半導体レーザの製造方法を図1,図2を用いて説明する。まず、図1(a)に示すn−GaAs基板1の(100)面上にSiNまたはSiO等の絶縁膜2を成膜し、写真製版により〔011〕方向(いわゆる順メサ方向)に伸びるストライプ状の開口部を形成して第1の選択マスク2を形成する(図1(b),図2(a))。
【0039】
次に、図1(c) に示すように、選択マスク2を用いて、有機金属気相成長(Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD) 法により、可視光レーザのダブルヘテロ構造部となるn−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,AlxGa(1−x) InP活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,バンド不連続緩和層7,及びp−GaAsキャップ層8を順次選択成長させる。
【0040】
ここで、K.Kamon,S.Takagishi and H.Mori,J.Crystal Growth 73(1985)73−76に述べられているように、GaAs基板の{100}面上に形成したSiN膜に〈011〉方向(いわゆる順メサ方向)に伸びたストライプ状の開口部をあけ、この開口部にAlGaAsを成長させると、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状で、ストライプ長方向の断面が、その端部が外側に突出した三角形形状であり、かつ左右が対称である六角形形状となるようなリッジ状に結晶成長し、そのストライプ長方向の端面の一方は、上部が{111}A面で、下部が{/111}B面となり、ストライプ幅方向の側面の一方が{11/1}B面になることが知られている。ストライプ幅方向の成長が{11/1}B面で止まるのは、B面での材料の付着係数が小さいためである。このため、本実施例においても、図2(b) に示すように、n−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,AlxGa(1−x) InP活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,バンド不連続緩和層7,及びp−GaAsキャップ層8が、順に下層の表面を覆うように結晶成長して、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状で、ストライプ長方向の断面が、その端部が外側に突出した三角形形状であり、かつ左右が対称である六角形形状となるストライプ状のリッジ50が形成される。なお、{11/1}B面への結晶成長は、{100}面の平面への成長に比べ非常に遅い速度で成長する。従って、n−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,AlxGa1−x InP活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,バンド不連続緩和層7,及びp−GaAsキャップ層8を連続に成長し、ストライプ状のリッジ50を形成すると、上記各層がリッジ50の側面である(11/1)B面に積層される厚さは、(100)面と垂直な方向に積層される厚さに対して非常に薄くなる。この時の断面構造は図1(c) のようになり、活性層5のリッジストライプ幅方向の両端はクラッド層6により覆われ、活性層5全体がリッジ中にリッジストライプに沿って埋め込まれるように配置される。
【0041】
次に、ウェットエッチングやドライエッチング等の方法で、第1の選択マスク2を除去し、リッジの上部に新たに第2の選択マスク9を形成し、これをマスクとして、上記リッジと同じ高さとなるように電流ブロック層10として高抵抗層を成長する(図1(d),図2(c))。この時、活性層5は、周囲がクラッド層4,及びクラッド層6により埋め込まれているので、第1の選択マスク2を除去する工程や、第2の選択マスク9の形成工程、電流ブロック層10を形成する再成長の工程で、GaInP活性層5がダメージを受けないように保護される。その結果、活性層5にダメージを与えることなく活性層5の両サイドを電流ブロック層10で埋め込むことができる。
【0042】
次に、ウェットエッチングやドライエッチング等の方法を用いて第2の選択マスク9を除去した後、p−GaAsコンタクト層11を成長し、電極形成プロセスにより、基板1の裏面側にn型電極12を、また、コンタクト層11表面にp型電極13を形成する(図1(e),図2(d))。最後に、活性層5が存在する部分においてへき開を行い、共振器長方向の長さが約650μmである半導体レーザダイオード素子を得る(図2(e))。
【0043】
次に動作について説明する。n側電極12及びp側電極13に順方向電圧を印加すると、電流は高抵抗層からなる電流ブロック層10aがあるため、無効電流がブロックされ、電流はリッジ50に集中して流れ、リッジ50中に形成されている活性層5に注入された電子と正孔の発光再結合により光を発生する。発生した光はストライプ状のリッジ50に沿って導波され、一対のへき開端面(図示せず)の間で反射増幅されレーザ発振が生じる。このとき、上述したように、(11/1)B面上では結晶成長速度が遅いため、クラッド層4のリッジ50の側面上には、活性層5は非常に薄い厚さでしか積層されないため、リッジ50の側面に形成された活性層5においては、ほとんどレーザ光は発生しない。また、クラッド層4の(11/1)面上に形成される活性層5及びp−AlGaInPクラッド層6の厚さは充分に薄く、抵抗は充分に高くなるため、n−AlGaInPクラッド層4の(11/1)面を通過しようとする無効電流は、この高抵抗な活性層5及びp−AlGaInPクラッド層6によりブロックされる。
【0044】
本実施例の半導体レーザは、MOCVD装置を用いた選択成長により、リッジ50を形成しており、従来のようにリッジを形成するために結晶成長を行った後、選択エッチングを繰り返し行う必要がない。従って、選択エッチングのばらつき等によるリッジの加工精度のばらつきの問題が発生せず、かつ工程を短縮して容易にリッジを形成することができる。
【0045】
また、本実施例の半導体レーザにおいては、n−AlGaInPクラッド層4の(11/1)面を通過しようとする無効電流は、上述したように、活性層5及びp−AlGaInPクラッド層6の、n−AlGaInPクラッド層4の(11/1)面上に形成された高抵抗領域でブロックされるため、リッジ50に注入された電流は全て(100)面上に形成された活性層5に注入される。従って、共振器幅方向,即ち横方向への電流広がりを抑制したしきい値の低い、高出力な半導体レーザを得ることができる。
【0046】
ここで、リッジ50の選択成長時に、成長条件を材料がマイグレーションしやすいように、例えば低圧、高温、基板を回転させる場合は回転速度を大きくする等の条件に設定すると{11/1}面上の成長速度が遅くなる。一方、成長条件を材料がマイグレーションしにくい方向に設定すると{11/1}面上の成長速度が速くなる。また、マイグレーションしにくい材料は{11/1}面上の成長速度が速く、マイグレーションしやすい材料は{11/1}面上の成長速度が小さい。例えば、本実施例のように活性層5がGaInPからなる場合、通常の方法で活性層5を成長させると、図3(a) に示すようにリッジ50のストライプ幅方向の側面上に非常に薄い厚さの活性層が形成される場合がある。しかし、AlGaInPよりGaInPの材料の方がマイグレーションしやすいため、AlGaInPに比べGaInPの{11/1}面上の成長速度が小さくなる。従って、この性質を利用し、リッジ50を選択成長させる際に、各材料がマイグレーションしやすいように成長条件を設定して活性層5を成長させると、(11/1)面上においてGaInP活性層5の成長が抑えられ、その後AlGaInPクラッド層6を成長させると、図3(b) に示すように、(100)面上にのみGaInP活性層5が形成され、その回りをAlGaInPクラッド層6に埋めこまれた形となる。このようにすると、(11/1)斜面でのレーザ発光を抑えることができ、より半導体レーザの特性を向上できる。なお、図3において、図2と同一符号は同一又は相当する部分を示している。
【0047】
このように本実施例によれば、基板上に、〔011〕方向に伸びるストライプ状の開口部を有する絶縁膜をマスクとして、クラッド層,活性層,およびクラッド層を選択成長させて〔011〕方向に伸びるストライプ状のリッジを形成するようにしたから、加工精度の高いリッジを備えた半導体レーザを容易に形成することができ、かつ横方向の電流拡がりを抑制した、低しきい値で、高出力な半導体レーザを提供することができる。
【0048】
なお、本実施例においては、AlyGa(1−y) InP高抵抗層からなる電流ブロック層を用いた場合について説明したが、本実施例の半導体レーザは高抵抗層以外のブロック層を用いることも可能な構造のものであり、電流ブロック層の材質や構造を変化させることで、活性層の両サイドを電流ブロック層で埋め込む構造の半導体レーザや、活性層の両サイドの屈折率を変える実屈折率ガイド構造の半導体レーザの特性を向上させることも可能である。以下、本実施例の電流ブロック層の変形例について示す。
【0049】
例えば、高抵抗層として、Alz Ga(1−z) As結晶をブロック層に用いてもよい。Alz Ga(1−z) As結晶はアンドープで高抵抗になり、さらに、結晶に酸素を混入させることにより抵抗率を向上でき、Al組成が高いほど、また酸素濃度が高いほど高抵抗になるため、AlyGa(1−y) InP高抵抗層と同様の効果を得ることができる。
【0050】
また、GaAs基板と格子定数が異なる高抵抗の結晶,例えばAlq In(1−q) As、FeドープのInP等の材料からなる層をブロック層に用いても良い。
【0051】
さらに、ブロック層とコンタクト層とのバンド不連続を利用して無効電流をブロックするようにしても良い。例えば、II−VI 族の結晶(例えばZnSe等)をブロック層に用いると、II−VI 族の結晶とp−GaAsコンタクト層の間にバンド不連続が生じ、このバンド不連続により電流をブロックできる。
【0052】
また、ブロック層を多層構造や、超格子構造としても良く、各層の層厚や組成,結晶を調節することにより、横方向の光閉じ込め効率の制御が可能となる。そして、レーザの発光効率を向上できる。例えば、埋め込み成長層を2層構造とし、下層をp型GaAs層に、上層をn型GaAs層にする。これにより、p型ブロック層、n型ブロック層、及びコンタクト層がpnp構造となり電流をブロックできる。また、上記と同様にして、埋め込み成長層を2層構造とし、ブロック層の下層をn型の層にして、この層の上にp型GaAs層とn型GaAs層との2層を積層するか、高抵抗層を設けるようにしてもよい。さらに、上記の2層構造の埋め込み成長層を2回以上繰り返し形成した多層構造としてもよい。
【0053】
また、ブロック層を多層構造とする場合において、その多層を構成する一つの層として、高抵抗層を用いるようにしても良く、この場合、この高抵抗層において無効電流をブロックするため、上記高抵抗層の上、または下に積層する層はどのような半導体結晶でも、いずれの電導型(p型、n型、高抵抗)を示す半導体結晶であってもよい。例えば、図7に示すように、リッジ50側面及びGaAs基板1上をAlxGa(1−x) InP高抵抗層14で覆った後、AlGaInP/GaInP多層構造でリッジ50を埋め込むようにしてもよい。なお、多層構造,及び超格子構造の材料としては、AlGaInP/GaInP,AlxGa(1−x) InP(0≦x≦1)/AlvGa(1−v) InP(0≦v≦1), AlGaInP/GaAs, AlxGa(1−x) InP(0≦x≦1)/AlrGa(1−r) As(0≦r≦1), AlrGa(1−r) As(0≦r≦1)/AltGa(1−t) As(0≦t≦1),Gax1In(1−x1)Asy1P(1−y1)(0≦x1≦1,0≦y1≦1)/Gax2In(1−x2)Asy2P(1−y2)(0≦x2≦1,0≦y2≦1)等を用いることが可能である。
【0054】
また、図8に示すように、半導体結晶以外の物質,例えばポリイミド等の絶縁膜をブロック層に用いるようにしてもよい。図8に示すように、リッジ50を選択成長後、ポリイミド等からなる絶縁膜41でリッジ50の両サイドを埋め込み、リッジ50上,及び絶縁膜41上に電極42を形成する。上記実施例1の半導体レーザのリッジ構造においては、リッジ50中に形成された活性層5はクラッド層の材料で覆われており、結晶成長後のプロセスでダメージを受けないため、絶縁膜41等を埋め込む場合においても、活性層5が保護され、半導体レーザ特性に劣化等を生じない。したがって、電流ブロック層の材料の選択の幅が広くなり、設計の自由度が向上する効果がある。例えば電流ブロック層として、電圧をかけて屈折率を変えられる材料を用いることもできる。
【0055】
また、第2の選択マスクとして、該第2の選択マスクに対して基板上の第1の選択マスクのみを選択除去可能な材料を用いる場合、リッジの成長後、第1の選択マスクをマスクとしてリッジ上に第2の選択マスクを選択成長させるようにしてもよく、このような場合には、第2の選択マスクの形成工程を容易にすることができる効果がある。
【0056】
実施例2.
上記実施例1においては、リッジ形成後、基板上の第1の選択マスクを除去して、リッジの(100)面上に第2の選択マスクを形成し、これをマスクとしてリッジを電流ブロック層で埋め込み、さらに絶縁膜を除去して、リッジ上及びブロック層上にコンタクト層を形成していたが、図9に示すように、リッジ50形成後、基板1上の第1の選択マスク(図示せず)を除去し、リッジ50全体を覆うようにGaAs等からなるアンドープ電流ブロック層51、またはp型層/アンドープ層からなるブロック層を表面が平坦となるように埋め込み、リッジ50上のブロック層51の表面から、リッジ50の上部に達するまでZn拡散を行い、ブロック層51にZn拡散領域52を形成し、その後、n側電極(図示せず),p側電極(図示せず)を形成するようにしてもよい。このZn拡散の工程は、気相拡散と固相拡散の2種類の工程がある。気相拡散により行う場合には、アンドープのブロック層51上に絶縁膜を成膜し、リッジ上部にストライプ状の開口部を形成し、Znの気相拡散を行いリッジ50上部に達するまでZnを拡散させてZn拡散領域52を形成する。また、固相拡散により行う場合は、アンドープのブロック層51上のリッジ50上部のみにストライプ状にZnO、またはZnO/SiO(図示せず)を成膜し、熱を加えてZnの固相拡散を行いリッジ50上部までZnを拡散させてZn拡散領域52を形成する。このような実施例2においても上記実施例1と同様の効果を奏する。
【0057】
なお、Zn拡散の工程後、更に、電極とのコンタクトを良くするため、図10に示すように、電流ブロック層51上にp−GaAsコンタクト層61を成長する工程を追加するようにしてもよい。
【0058】
また、上記のアンドープ電流ブロック層として、i−GaInP,i−AlGaInP,i−AlGaAs等のアンドープで高抵抗になる結晶、または、酸素を混入して高抵抗となった結晶を用いるようにしてもよい。なお、i−GaInP,またはi−AlGaAsをアンドープ層として用いる際は、p−GaAsコンタクト層を成長する前に、アンドープ層と同じ結晶でp型導電性を有するバッファ層を成長するようにする。また、i−AlGaInPを用いる場合は、リッジ50形成の際に、p−AlGaInPクラッド層までで成長を止め、p−GaInPバンド不連続緩和層,及びp−GaAsキャップ層は成長しないようにし、選択マスクを除去し、リッジ50全体をi−AlGaInPブロック層で埋め、リッジ50上部のp−AlGaInP層までZn拡散を行った後、p−AlGaInPバッファ層を成長し、コンタクト層を成長し、結晶成長後、電極を設けるようにする。このコンタクト層は、バンド不連続を緩和するため、p−GaAsコンタクト/p−GaInPバンド不連続緩和層構造にする。このようなアンドープブロック層を用いた場合においても上記実施例1と同様の効果を奏する。
【0059】
また、上記実施例2においては埋め込み層を単層構造としたが、埋め込み層の結晶を多層構造にしてもよい。例えば、p−GaAs/i−GaInP、i−GaInP/i−AlGaInP、p−GaAs/i−GaInP/i−AlGaInP等の結晶を用いるようにしてもよい。なお、コンタクト層を設ける際には、p−GaAs層を用いる。このような場合においても上記第1の実施例と同様の効果を奏する。
【0060】
実施例3.
上記実施例1においてはリッジと同じ高さまでリッジ側面を電流ブロック層を埋め込んだ後、コンタクト層を設けるようにしたが、図11(a) に示すように、ダブルヘテロ構造を選択成長させリッジ50を形成し、リッジ50全体をAlGaInPブロック層10で完全に埋め込み、リッジ50上部のブロック層10のみをp−GaAsキャップ層8に達するまで選択エッチングし、図11(b) に示すように、リッジ50上,及びブロック層10上にp−GaAsコンタクト層71を形成するようにしてもよい。なお、上記ブロック層10のエッチングには、p−GaAsキャップ層8でエッチングが停止する選択エッチング液を用いるようにする。また、上記ブロック層としては、i−GaInP,i−AlGaInP,i−GaAs,i−AlGaAs等のアンドープで高抵抗になる結晶、または酸素を混入して高抵抗となった結晶を用いるようにしてもよい。このような場合のおいても上記実施例1と同様の効果を奏することができる。
【0061】
実施例4.
図4は本発明の第4の実施例による半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図であり、図において、図1と同一符号は同一又は相当する部分を示している。
【0062】
本実施例4は上記第1の実施例において図1で示したリッジ50の選択成長の工程において、p−AlGaInPクラッド層6の成長時に、図4に示すように、DEZn等のp型ドーパントとH2 Se,SiH4 ,Si2 H6 等のn型ドーパントを同時に供給するようにしたものである。(100)GaAs基板を用いて選択成長を行う際に、p型ドーパントとn型ドーパントを同時に供給すると、(100)面上に形成される半導体層はp型になりやすく、選択成長で形成される(100)面に対して傾いた斜面はn型になりやすい。この場合、斜面の角度が急になるほど、n型になる傾向がある。従って、選択成長でリッジ50を形成すると(11/1)B面等の斜面が形成されるが、p−AlGaInPクラッド層6を成長する時に、適切なp/n比を選択したドーパントを供給することにより、p−AlGaInPクラッド層6の(11/1)B面にp型ドーパントとn型ドーパントを混在させて、該クラッド層6の(11/1)B面等の斜面を高抵抗にすることができる。そして、リッジ50斜面に流れる電流を低減でき、活性層5への電流注入効率を向上できる。
【0063】
このような本実施例によれば、斜面を流れる無効電流を低減して、活性層への電流注入効率を向上させることができるから、上記実施例1の半導体レーザに対して、低しきい値で、高出力動作が可能な優れた特性を有する半導体レーザを得ることができる。
【0064】
なお、上記実施例4においては、基板の導電型がn型の場合について説明したが、本発明は基板の導電型をp型として導電型を逆にした場合においても適用できるものであり、このような場合においては、上記実施例4のn−AlGaInPクラッド層4の代わりに用いるp−AlGaInP下クラッド層を成長させる際に、適切なp/n比を選択したドーパントを供給することにより、該p−AlGaInP下クラッド層の斜面領域を高抵抗とすることができ、上記実施例4と同様の効果を得ることができる。
【0065】
実施例5.
図5は本発明の第5の実施例による半導体レーザの製造方法を示す(0/11)面と平行な面による断面工程図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当する部分を示しており、60はリッジである。
【0066】
また、図6は本発明の第5の実施例による半導体レーザの製造方法を示す斜視図であり、図5と同一符号は同一又は相当する部分を示している。
【0067】
上記第1の実施例においては、基板上の絶縁膜に〔011〕方向に伸びるストライプ状の開口部を設け、該開口部にダブルヘテロ構造からなるリッジを選択成長させるようにしたが、本実施例5は基板上の絶縁膜に〔0/11〕方向に伸びるストライプ状の開口部を設け、該開口部にダブルヘテロ構造からなるリッジを選択成長させるようにしたものである。
【0068】
次に、本実施例5の半導体レーザの製造方法を図5,及び図6を用いて説明する。まず、図5(a)に示すn−GaAs基板1の(100)面上にSiNまたはSiO等の絶縁膜2を成膜し、写真製版により〔0/11〕方向(いわゆる逆メサ方向)に伸びるストライプ状の開口部を設け、第1の選択マスク2を形成する(図5(b),図6(a))。次に、図5(c) に示すように、第1の選択マスク2を用いて、有機金属気相成長法によりn−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,GaInP活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,バンド不連続緩和層7,及びp−GaAsキャップ層8を順次選択成長させる。
【0069】
ここで、上述したK.Kamon,S.Takagishi and H.Mori,J.Crystal Growth 73(1985)73−76に述べられているように、GaAs基板の{100}面上に形成したSiN膜に〈0/11〉方向(いわゆる逆メサ方向)に伸びたストライプ状の開口部をあけ、この開口部にAlGaAsを成長させると、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状で、ストライプ幅方向の断面が、その端部が外側に凸状に突出した形状であり、かつ左右が対称である六角形形状となるようなリッジ状に結晶成長し、そのストライプ幅方向の側面の一方は上部が{111}A面で、下部が{/111}B面となり、ストライプ長方向の端面の一方は{11/1}B面になることが知られている。このため、本実施例においても、図6(b) に示すように、n−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,GaInP活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,バンド不連続緩和層7,及びp−GaAsキャップ層8が、順に下層の表面を覆うように結晶成長して、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状で、ストライプ幅方向の断面が、その端部が外側に凸状に突出した形状であり、かつ左右が対称である六角形形状となるストライプ状のリッジ60が形成される。なお、{100}面の平面への成長に比べ、{111}A面、及び{/111}B面等の面への結晶成長は、非常に遅い速度で成長する。従って、上記リッジ60を構成する各層がリッジ60の側面である{111}A面、及び{/111}B面に積層される厚さは、(100)面と垂直な方向の厚さに対して非常に薄くなる。この時の断面構造は図5(c) のようになり、活性層5のリッジストライプ幅方向の両端はクラッド層6により覆われ、活性層5全体がリッジ60中にリッジストライプに沿って埋め込まれるように配置される。
【0070】
その後、上記実施例1と同様に、絶縁膜2を除去し、リッジ60の上部に第2の選択マスク9を形成し、これをマスクとして、上記リッジ60を埋め込むように電流ブロック層10を成長させ(図5(d),図6(c))、選択マスク9を除去した後、p−GaAsコンタクト層11を成長し、基板1の裏面側にn側電極12を、また、コンタクト層11表面にp側電極13を形成し(図5(e),図6(d))、最後に、活性層5が存在する部分においてへき開を行い、半導体レーザダイオード素子を得る(図6(e))。
【0071】
本実施例5の半導体レーザにおいても、上述したように、{111}A面、及び{/111}B面上では結晶成長速度が遅いため、クラッド層4の側面には、活性層5は非常に薄い厚さでしか積層されないため、リッジ側面領域に形成された活性層5においては、ほとんどレーザ光は発生しない。なお、リッジ60の側面に形成される活性層5をできるだけ薄くしたい場合は、上記実施例1と同様にマイグレーションしやすい条件で活性層を成長させるようにすればよい。また、クラッド層4のリッジ60の側面に形成される活性層5及びp−AlGaInPクラッド層6の厚さは充分に薄く、抵抗は充分に高くなるため、リッジ60のn−AlGaInPクラッド層4の側面を通過しようとする無効電流は、この高抵抗な活性層5及びp−AlGaInPクラッド層6によりブロックされる。なお、上記実施例4において説明したように、適切なp/n比を選択したp型ドーパントとn型ドーパントをクラッド層6成長時に供給することにより、より確実にリッジ60の側面を高抵抗にするようにしてもよい。
【0072】
このような本実施例においても、基板1上に、〔0/11〕方向に伸びるストライプ状の開口部を有する第1の選択マスクをマスクとして、n型クラッド層3,活性層5,およびp型クラッド層6を選択成長させて〔0/11〕方向に伸びるストライプ状のリッジ60を形成するようにしたから、上記実施例1と同様に、エッチングを行うことなく、加工精度の高いリッジを容易に形成することができ、かつ横方向の電流拡がりを抑制した、低しきい値で、高出力な半導体レーザを提供することができる。
【0083】
実施例7.
図14は本発明の第7の実施例による半導体レーザの構造を示す断面図であり、図において、図1と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、20は窓構造である。
【0084】
上記第1の実施例においては、レーザ端面形成のためのへき開を、活性層が存在する部分において行うようにした。しかし、本実施例7の半導体レーザにおいては、予めリッジの長さをレーザ共振器長に合わせた所定の長さにしておき、レーザ端面形成のためのへき開,あるいは端面形成のためのドライエッチングを、活性層のストライプ長方向の端部から該方向に所定の距離を隔てた,活性層を含まない領域において行うようにしたものである。
【0085】
このようにしてへき開を行うと、そのレーザ共振器長方向の断面は、図14に示すように、半導体レーザの活性層5の共振器長方向の端面がp−AlGaInPクラッド層6で覆われており、さらに、半導体レーザの共振器端面近傍が電流ブロック層10により覆われた形状となる。このとき、p−AlGaInPクラッド層7及びAlGaInP高抵抗層からなるブロック層10は活性層5であるGaInPよりも禁制帯幅が大きいため、共振器端面近傍部が窓構造20、即ち、端面領域でレーザ光を吸収しにくくした構造となる。これにより高出力動作時においても端面破壊の生じにくい半導体レーザを得ることができる。
【0086】
このように、本実施例7においては、上記実施例と同様の効果を奏するとともに、活性層5を含まない領域でへき開を行うようにしたから、容易に窓構造を備えた高出力動作が可能な半導体レーザを得ることができる。
【0087】
実施例8.
図15は本発明の第8の実施例による半導体レーザの構造を示す断面図であり、図において、図5と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、21は窓構造である。
【0088】
上記第5の実施例においては、レーザ端面形成のためのへき開を、活性層が存在する部分において行うようにした。しかし、本実施例8の半導体レーザにおいては、予めリッジの長さをレーザ共振器長に合わせた所定の長さにしておき、レーザ端面形成のためのへき開,あるいは端面形成のためのドライエッチングを、活性層のストライプ長方向の端部から該方向に所定の距離を隔てた,活性層を含まない領域において行うようにしたものである。
【0089】
このようにしてへき開を行うと、そのレーザ共振器長方向の断面は、図15に示すように、半導体レーザの活性層5の共振器長方向の端面がp−AlGaInPクラッド層6で覆われており、さらに、半導体レーザの共振器端面近傍がブロック層10により覆われた形状となる。このとき、p−AlGaInPクラッド層6及びAlGaInP高抵抗層からなるブロック層10は活性層5であるGaInPよりも禁制帯幅が大きいため、共振器端面近傍部が窓構造21、即ち、端面領域でレーザ光を吸収しにくくした構造となる。これにより高出力動作時においても端面破壊の生じにくい半導体レーザを得ることができる。
【0090】
このように、本実施例8においては、上記実施例5と同様の効果を奏するとともに、活性層5を含まない領域でへき開を行うようにしたから、容易に窓構造を備えた高出力動作が可能な半導体レーザを得ることができる。
【0091】
実施例9.
図12は本発明の第9の実施例による半導体レーザの製造方法を示す(001)面と平行な面による断面工程図であり、図において、図1と同一符号は同一または相当する部分を示しており、70はリッジである。
また、図13は本発明の第9の実施例による半導体レーザの製造方法を示す斜視図であり、図12と同一符号は同一又は相当する部分を示している。
図16は本発明の第9の実施例による半導体レーザの構造を示す断面図であり、図において、図12と同一符号は同一又は相当する部分を示しており、22は窓構造である。
【0092】
上記第1の実施例においては、基板上の絶縁膜に〔011〕方向に伸びるストライプ状の開口部を設け、該開口部にダブルヘテロ構造からなるリッジを選択成長させるようにしたが、本実施例9は基板上の絶縁膜に〔001〕方向に伸びるストライプ状の開口部を設け、該開口部にダブルヘテロ構造からなるリッジを選択成長させるようにしたものである。
次に、本実施例9の半導体レーザの製造方法を図12,図13を用いて説明する。まず、図12 (a )に示すn−GaAs基板1の(100)面上にSiNまたはSiO等の絶縁膜を成膜し、写真製版により〔001〕方向に伸びるストライプ状の開口部を設け、選択マスク2を形成する。(図12 (b), 図13 (a)) 。
次に、図12 (c) に示すように、選択マスク2を用いて、有機金属気相成長法により、n−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,GaInP活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,バンド不連続緩和層7,及びp−GaAsキャップ層8を順次選択成長させる。
このとき、図13 (b) に示すように、n−GaAsバッファ層3,n−AlGaInPクラッド層4,GaInP活性層5,p−AlGaInPクラッド層6,バンド不連続緩和層7,及びp−GaAsキャップ層8が、順に下層の表面を覆うように結晶成長して、直方体形状のストライプ状のリッジ70が形成される。なお、(100)面の平面上への成長に比べ、(010)面等の平面上への結晶成長は、非常に遅い速度で成長する。従って、リッジ70を構成する各層のリッジストライプ幅方向の厚さは、(100)面と垂直な方向の厚さに対して非常に薄くなる。この時の断面構造は図12 (c) のようになり、活性層5のリッジストライプ幅方向の両端はクラッド層6等により覆われ、活性層5全体がリッジ70中にリッジストライプに沿って埋め込まれるように配置される。
その後、上記実施例1と同様に、絶縁膜2を除去し、リッジ70の上部に絶縁マスク9を形成し、これをマスクとして、上記リッジ70を埋め込むように電流ブロック層10を成長させ(図12 (d), 図13 (c)) 、絶縁マスク9を除去した後、p−GaAsコンタクト層11を成長し、基板1の裏面側にn型電極12を、また、コンタクト層11表面にp型電極13を形成する(図12 (e), 図13 (d)) 。 本実施例9の半導体レーザにおいては、予めリッジの長さをレーザ共振器長に合わせた所定の長さにしておき、レーザ端面形成のためのドライエッチングを、活性層のストライプ長方向の端部から、該方向に所定の距離を隔てた,活性層を含まない領域において行う。
【0093】
このようにしてレーザ端面形成を行うと、そのレーザ共振器長方向の断面は、図16に示すように、半導体レーザの活性層5の共振器長方向の端部がp−AlGaInPクラッド層6で覆われており、さらに、半導体レーザの共振器端面近傍がブロック層10により覆われた形状となる。このとき、p−AlGaInPクラッド層6及びAlGaInP高抵抗層からなるブロック層10は活性層5であるGaInPよりも禁制帯幅が大きいため、共振器端面近傍部が窓構造22、即ち、端面領域でレーザ光を吸収しにくくした構造となる。これにより高出力動作時においても、端面破壊の生じにくい半導体レーザを得ることができる。
本実施例9の半導体レーザにおいても、上述したように、n型クラッド層4のリッジストライプ幅方向の側面には、活性層5は非常に薄い厚さでしか積層されないため、リッジ70の側面領域に形成された活性層5においては、ほとんどレーザ光は発生しない。なお、リッジ70の側面に形成される活性層5をできるだけ薄くしたい場合は、上記実施例1と同様にマイグレーションしやすい条件で活性層を成長させるようにすればよい。また、クラッド層4の側面に形成される活性層5及びp−AlGaInPクラッド層6の厚さは充分に薄く、抵抗は充分に高くなるため、リッジ70のn−AlGaInPクラッド層4の側面近傍を通過しようとする無効電流は、この高抵抗な活性層5及びp−AlGaInPクラッド層6によりブロックされる。なお、上記実施例4において説明したように、適切なp/n比を選択したp型ドーパントとn型ドーパントをp型クラッド層6成長時に供給することにより、より確実にリッジ70の側面を高抵抗にするようにしてもよい。
【0094】
このように、本実施例9においては、基板1上に、〔001〕方向に伸びるストライプ状の開口部を有する絶縁膜からなる選択マスクを用いて、クラッド層4,活性層5,およびクラッド層6を選択成長させて〔001〕方向に伸びるストライプ状のリッジ70を形成するようにしたから、上記実施例1と同様に、エッチングを行うことなく、加工精度の高いリッジを容易に形成することができ、かつ横方向への電流の広がりを抑制した、低しきい値で、高出力な半導体レーザを提供することができるとともに、活性層5を含まない領域でレーザ端面形成を行うようにしたから、容易に窓構造を備えた高出力動作が可能な半導体レーザを得ることができる。
【0095】
なお、上記実施例9においては絶縁膜上の開口部のストライプ方向を〔001〕とした場合について説明したが、ストライプ方向を〔010〕方向としても、リッジは直方体形状に選択成長されるから、本発明はストライプ方向を〔010〕方向とした場合についても適用でき、上記実施例9と同様の効果を奏する。
なお、上記第7〜第9の実施例においては、ブロック層としてAlGaInP高抵抗層を用いた場合について説明したが、ブロック層として、上記活性層よりも禁制帯幅が大きく、ブロック層として使用可能な性質を備えた、その他の材料を用いるようにしてもよく、上記第7〜第9の実施例と同様の効果を奏する。
【0096】
実施例10.
図17は本発明の第10の実施例による半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図(図17(a),(b)),及び図17(b) のI−I線による断面図(図17(c))であり、図において、図12と同一符号は同一又は相当する部分を示している。
【0097】
上記実施例9においては、リッジの共振器長方向の端面をブロック層で埋め込むようにして窓構造を備えた半導体レーザを形成したが、本実施例10の半導体レーザは、図17に示すように、予め、ストライプ長が共振器の長さと同じとなるようにリッジ70を形成しておき、電流ブロック層10を形成する際に、図17(a) に示すように、選択マスク9をマスクとしてリッジ70の側面のみをブロック層10で埋め込み、リッジ70のストライプ長方向の端面をブロック層10で埋め込まないようにし、その後、図17(b) に示すように絶縁マスク9を除去し、コンタクト層11,n側電極12,p側電極13を形成して半導体レーザを形成するようにしたものである。
【0098】
このようにして形成された半導体レーザにおいては、上述したように、〔001〕方向,あるいは〔010〕方向に伸びるように選択成長により形成されたリッジ70の端面が共振器長方向に対して垂直であるため、この端面をレーザ端面として使用できる。従って、本実施例においては、へき開を行うことなくレーザ端面形成が可能となる。また、図17(c) に示すように活性層5の共振器長方向の端面が活性層5よりも禁制帯幅の大きいp−AlGaInPクラッド層6で覆われているため、この部分が窓構造として機能する。
【0099】
このように本実施例によれば、へき開を行うことなく、窓構造を備えた半導体レーザを容易に提供することができる。
【0100】
なお、上記各実施例においては、活性層としてGaInPを用いた場合について説明したが、他の材料を用いるようにしてもよい。他の活性層の材料としてはAlxGa1−x InP(0≦x≦1)が好ましい。
【0101】
また、上記実施例においては単層からなる活性層を用いた場合について説明したが、活性層の構造は、多重量子井戸(Multi Quantum Well:MQW) 構造や,二重量子井戸(Double Quantum Well: DQW)構造や,単量子井戸(Single Quantum Well: SQW)構造であってもよい。また活性層近傍が分離閉じ込めヘテロ(Separate Confinement Heterostructure:SCH) 構造や、活性層と多重量子障壁(Multi Quantum Barrier:MQB)構造とを組み合わせた構造であってもよい。さらに、上記量子井戸構造の活性層やMQB構造等の超格子構造に歪みを加えるようにしてもよい。このような場合においても上記第1の実施例と同様の効果を奏する。
【0102】
また、上記各実施例においては、半導体レーザの材料として、可視光レーザであるAlGaInP系の材料で、n−GaAs基板を用いた場合について説明したが、AlGaInP系の材料以外の、短波系のAlGaAs系や長波系のInP系の材料についても適用でき、上記各実施例と同様の効果を奏する。
【0103】
さらに、本発明は上記各実施例と反対の導電型を有する半導体レーザについても適用できるものであり、上記各実施例と同様の効果を奏する。この時、上記実施例2において示したように、リッジ上部のブロック層に不純物を拡散させてリッジとのコンタクトを取る必要がある場合には、コンタクト層には、n−GaAs、又は、n−Geを用い、Znの代わりにSe,Si等のn型ドーパントを用いるようにすればよい。
【0104】
なお、上記各実施例においては、半導体基板の表面が(100)面であり、リッジストライプ方向が〔011〕方向,〔0/11〕方向,〔001〕方向及び〔010〕方向である場合について説明したが、本発明は基板表面が(100)面と等価の面,即ち{100}であり、リッジストライプ方向が〈011〉方向,〈0/11〉方向,〈001〉方向及び〈010〉方向である場合においても適用できるものであり、このような場合においても、上記各実施例と同様の効果を奏する。
【0105】
また、上記各実施例においては、基板のリッジストライプ形成面として、{100}面を用いた場合について説明したが、本発明は基板のリッジストライプ形成面が{100}面に対して傾いている場合においても適用できるものであり、このような場合においては、リッジストライプの形状は傾斜角度に応じて変化するが、上記各実施例と同様の効果を奏する。
【0106】
【発明の効果】
以上のようにこの発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成し、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジの加工精度を向上させ、共振器幅方向への電流の広がりを抑制して、しきい値が低く、高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。また、リッジ側面の第1導電型クラッド層近傍領域をより高抵抗とすることができ、確実に無効電流を低減させることができ、半導体レーザの特性を向上させることができる効果がある。
【0107】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成し、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジの加工精度を向上させ、共振器幅方向への電流の広がりを抑制して、しきい値が低く、高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。また、リッジ側面の第1導電型クラッド層近傍領域をより高抵抗とすることができ、確実に無効電流を低減させることができ、半導体レーザの特性を向上させることができる効果がある。
【0108】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成し、上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジの加工精度を向上させ、共振器幅方向への電流の広がりを抑制して、しきい値が低く、高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。また、リッジ側面の第1導電型クラッド層近傍領域をより高抵抗とすることができ、確実に無効電流を低減させることができ、半導体レーザの特性を向上させることができる効果がある。
【0109】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成し、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジの加工精度を向上させ、共振器幅方向への電流の広がりを抑制して、しきい値が低く、高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。また、リッジ側面の第1導電型クラッド層近傍領域をより高抵抗とすることができ、確実に無効電流を低減させることができ、半導体レーザの特性を向上させることができる効果がある。
【0110】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成し、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジの加工精度を向上させ、共振器幅方向への電流の広がりを抑制して、しきい値が低く、高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。また、リッジ側面の第1導電型クラッド層近傍領域をより高抵抗とすることができ、確実に無効電流を低減させることができ、半導体レーザの特性を向上させることができる効果がある。
【0111】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成し、上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うようにしたから、リッジの加工精度を向上させ、共振器幅方向への電流の広がりを抑制して、しきい値が低く、高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。また、リッジ側面の第1導電型クラッド層近傍領域をより高抵抗とすることができ、確実に無効電流を低減させることができ、半導体レーザの特性を向上させることができる効果がある。
【0112】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、上記半導体レーザの製造方法において、上記リッジストライプを形成した後、上記選択マスクを除去し、上記リッジ周囲の上記基板の{100}面上に上記活性層よりも禁制帯幅が大きい材料からなる電流ブロック層を、少なくとも上記リッジの高さに達する高さまで埋め込み形成し、上記半導体レーザのレーザ端面を、上記リッジストライプの活性層を有さない領域において形成するようにしたから、窓構造を備えた高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。
【0113】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、上記半導体レーザの製造方法において、上記リッジの端面を上記半導体レーザの共振器端面としたから、窓構造を備えた高出力動作が可能な半導体レーザを容易に提供できる効果がある。
【0114】
また、この発明に係る半導体レーザの製造方法によれば、上記半導体レーザの製造方法において、上記活性層を構成する材料として、上記リッジを構成する他の材料よりもマイグレーションしやすい材料を用い、上記リッジの選択成長を、上記リッジを構成する材料がマイグレーションしやすい条件で行うようにしたから、第1導電型クラッド層の側面への活性層の形成を防ぐことができ、半導体レーザの特性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例による半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
【図2】この発明の第1の実施例による半導体レーザの製造方法を示す斜視図である。
【図3】この発明の第1の実施例による(111)面への活性層の成長速度の成長条件依存性を示す断面図である。
【図4】この発明の第1の実施例によるリッジ形成時のp/n同時ドーピングを説明するための断面模式図である。
【図5】この発明の第5の実施例による半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
【図6】この発明の第5の実施例による半導体レーザの製造方法を示す斜視図である。
【図7】この発明の第1の実施例の変形例による多層構造の電流ブロック層を備えた半導体レーザの構造を説明するための断面図である。
【図8】この発明の第1の実施例の変形例による電流ブロック層に絶縁膜を用いた半導体レーザの構造を説明するための断面図である。
【図9】この発明の第2の実施例による半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図10】この発明の第2の実施例の変形例による半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図11】この発明の第3の実施例による半導体レーザの製造方法の主要工程を示す断面図である。
【図12】この発明の第9の実施例による半導体レーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図13】この発明の第9の実施例による半導体レーザの製造方法を説明するための斜視図である。
【図14】この発明の第7の実施例による半導体レーザの構造を示す共振器長方向の断面図である。
【図15】この発明の第8の実施例による半導体レーザの構造を示す共振器長方向の断面図である。
【図16】この発明の第9の実施例による半導体レーザの構造を示す共振器長方向の断面図である。
【図17】この発明の第10の実施例による半導体レーザの製造方法の主要工程を示す斜視図(図17(a),(b)),及び構造を示す共振器長方向の断面図(図17(c))である。
【図18】従来の半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
1 n−GaAs基板、2 第1の選択マスク、3 n−GaAsバッファ層、4 n−AlGaInPクラッド層、5,5a GaInP活性層、6 p−AlGaInPクラッド層、6a,6b 第1,第2のp−AlGaInPクラッド層、7 p−GaInPバンド不連続緩和層、8 p−GaAsキャップ層、9 第2の選択マスク,9a 選択マスク、10 高抵抗電流ブロック層、10a n−GaAs電流ブロック層、11 p−GaAsコンタクト層、12 n側電極、13,42 p側電極、14 高抵抗層、15 p−GaInPエッチングストッパ層、16 AlGaInP/GaInP多層構造、20,21,22 窓構造部、 41 絶縁膜、50,60,70 リッジ、51 アンドープGaAsブロック層、52 Zn拡散領域、61 p−GaAsコンタクト層、71 p−GaAsコンタクト層。
Claims (9)
- 材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、
第1導電型基板の{100}面上に〈011〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、
該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成する工程とを備え、
上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、
上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、
第1導電型基板の{100}面上に〈0/11〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、
該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成する工程とを備え、
上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、
上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、
第1導電型基板の{100}面上に〈001〉方向又は〈010〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、
該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成する工程とを備え、
上記第2導電型クラッド層はp型クラッド層であり、
上記第2導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、リッジ側面に形成される該第2導電型クラッド層が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、
第1導電型基板の{100}面上に〈011〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、
該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成する工程とを備え、
上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、
上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパント を、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、
第1導電型基板の{100}面上に〈0/11〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、
該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が左右対称な六角形形状であり、ストライプ長方向の断面が等脚台形形状であるリッジストライプを形成する工程とを備え、
上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、
上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 材料系がAlGaInP系、AlGaAs系、またはInP系である半導体レーザの製造方法であって、
第1導電型基板の{100}面上に〈001〉方向又は〈010〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、
該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われている直方体形状のリッジストライプを形成する工程とを備え、
上記第1導電型クラッド層はp型クラッド層であり、
上記第1導電型クラッド層を選択成長させる工程は、p型ドーパントとn型ドーパントを、該第1導電型クラッド層のリッジ側面領域が高抵抗になるよう所定の比率で混合したガスを供給した雰囲気下で行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法において、
上記リッジストライプを形成した後、上記選択マスクを除去し、上記リッジ周囲の上記基板の{100}面上に上記活性層よりも禁制帯幅が大きい材料からなる電流ブロック層を、少なくとも上記リッジの高さに達する高さまで埋め込み形成する工程と、
上記半導体レーザの共振器端面を、上記リッジストライプの活性層を有さない領域において形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 請求項3または6のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法において、
上記リッジストライプを形成した後、上記リッジの端面を上記半導体レーザの共振器端面とすることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法において、
上記活性層を構成する材料として、上記リッジを構成する他の材料よりもマイグレーションしやすい材料を用い、
上記リッジを選択成長させる工程を、上記リッジを構成する材料がマイグレーションしやすい条件で行うことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
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