JPH05136535A - プリント配線基板およびその製造方法 - Google Patents
プリント配線基板およびその製造方法Info
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- JPH05136535A JPH05136535A JP31971891A JP31971891A JPH05136535A JP H05136535 A JPH05136535 A JP H05136535A JP 31971891 A JP31971891 A JP 31971891A JP 31971891 A JP31971891 A JP 31971891A JP H05136535 A JPH05136535 A JP H05136535A
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- Japan
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- wiring board
- printed wiring
- vinyl compound
- polyfunctional vinyl
- bis
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率が低く、耐熱性に優れたプリント配線
基板を簡便な方法で製造する。 【構成】 ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウ
ム塩）の重合体と多官能ビニル化合物を混合、加熱して
得られた架橋ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）からなる
プリント配線基板。
基板を簡便な方法で製造する。 【構成】 ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウ
ム塩）の重合体と多官能ビニル化合物を混合、加熱して
得られた架橋ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）からなる
プリント配線基板。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品を実装するプリ
ント配線基板およびその製造方法に関し、さらに詳しく
は、誘電率が小さく高周波回路基板に適したプリント配
線基板およびその製造方法に関する。
ント配線基板およびその製造方法に関し、さらに詳しく
は、誘電率が小さく高周波回路基板に適したプリント配
線基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の科学技術の進歩に伴う電子機器の
高速化、高集積化に対応して、回路の高周波化が進み、
同時に積層基板の利用も増大している。一般に、高周波
数域では基板材料の誘電率に依存して誘電損失および信
号伝播遅延時間が決まり、誘電率の低いプリント配線基
板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周波回路
基板に適していることが知られている。このため、従来
のガラスクロスを含浸したエポキシ樹脂に比べて低誘電
率のプリント配線基板開発が行われている。これまでに
ビスマレイミドとトリアジンの２成分を基本成分とする
重合体が開発されている。また、誘電率が２以下のフッ
素樹脂を使用したプリント配線基板も開発されている。
一方、T.Mates 等による Mater．Res．Soc．Symp．Pro
c．誌，１９９０年，１６７巻，１２３頁には、可溶性
の前駆体から製造したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
が低誘電率であり、耐熱性にも優れていることが提示さ
れている。
高速化、高集積化に対応して、回路の高周波化が進み、
同時に積層基板の利用も増大している。一般に、高周波
数域では基板材料の誘電率に依存して誘電損失および信
号伝播遅延時間が決まり、誘電率の低いプリント配線基
板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周波回路
基板に適していることが知られている。このため、従来
のガラスクロスを含浸したエポキシ樹脂に比べて低誘電
率のプリント配線基板開発が行われている。これまでに
ビスマレイミドとトリアジンの２成分を基本成分とする
重合体が開発されている。また、誘電率が２以下のフッ
素樹脂を使用したプリント配線基板も開発されている。
一方、T.Mates 等による Mater．Res．Soc．Symp．Pro
c．誌，１９９０年，１６７巻，１２３頁には、可溶性
の前駆体から製造したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
が低誘電率であり、耐熱性にも優れていることが提示さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のビスマレイミド
とトリアジンの２成分を基本成分とする重合体は、誘電
率が３．５であり、従来のエポキシ樹脂に比べると小さ
いものの、高周波回路基板材料として使用するには不十
分である。一方、フッ素樹脂を使用したプリント配線基
板では、フッ素樹脂が熱可塑性であるため、成形は樹脂
の融点である３２７℃の近傍またはそれ以上の温度で行
う必要がある。また、この樹脂は従来のエポキシ樹脂と
異なって成形後も融点付近まで加熱すると変形する。こ
のため、フッ素樹脂は高周波回路基板材料として十分な
低誘電率を有する材料であるといえるが、加工性並びに
耐熱性に問題がある。さらにポリ（ｐ−フェニレンビニ
レン）は低誘電率で耐熱性にも優れているが、銅張積層
板として利用する場合には基板同士、および基板と銅箔
の間の接着力が小さい。従って、誘電率の低いプリント
配線基板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周
波回路基板に有利に使用できることが期待されているも
のの、未だその性能を十分に生かした、すなわち、誘電
率が低く加工性と耐熱性に優れ、かつ接着性も良好なプ
リント配線基板は開発されていない。本発明の目的は、
前記の問題点を解消することにより良好な高周波特性を
有し、しかも加工性と耐熱性に優れたプリント配線基板
並びにその簡便なる製造方法を提供することにある。
とトリアジンの２成分を基本成分とする重合体は、誘電
率が３．５であり、従来のエポキシ樹脂に比べると小さ
いものの、高周波回路基板材料として使用するには不十
分である。一方、フッ素樹脂を使用したプリント配線基
板では、フッ素樹脂が熱可塑性であるため、成形は樹脂
の融点である３２７℃の近傍またはそれ以上の温度で行
う必要がある。また、この樹脂は従来のエポキシ樹脂と
異なって成形後も融点付近まで加熱すると変形する。こ
のため、フッ素樹脂は高周波回路基板材料として十分な
低誘電率を有する材料であるといえるが、加工性並びに
耐熱性に問題がある。さらにポリ（ｐ−フェニレンビニ
レン）は低誘電率で耐熱性にも優れているが、銅張積層
板として利用する場合には基板同士、および基板と銅箔
の間の接着力が小さい。従って、誘電率の低いプリント
配線基板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周
波回路基板に有利に使用できることが期待されているも
のの、未だその性能を十分に生かした、すなわち、誘電
率が低く加工性と耐熱性に優れ、かつ接着性も良好なプ
リント配線基板は開発されていない。本発明の目的は、
前記の問題点を解消することにより良好な高周波特性を
有し、しかも加工性と耐熱性に優れたプリント配線基板
並びにその簡便なる製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ビニル基の一
部が多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）からなることを特徴とするプリント
配線基板である。またその製造方法は、ｐ−キシリレン
−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビ
ニル化合物を混合し、加熱することを特徴とする。本発
明のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介して架橋
したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）とは、ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）を基本構造とし、多官能ビニル化
合物を使用して架橋した高分子であって、架橋部位がビ
ニル基であるものをいい、多官能ビニル化合物とポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）のビニル基との反応の様式
は特に限定されない。
部が多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）からなることを特徴とするプリント
配線基板である。またその製造方法は、ｐ−キシリレン
−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビ
ニル化合物を混合し、加熱することを特徴とする。本発
明のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介して架橋
したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）とは、ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）を基本構造とし、多官能ビニル化
合物を使用して架橋した高分子であって、架橋部位がビ
ニル基であるものをいい、多官能ビニル化合物とポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）のビニル基との反応の様式
は特に限定されない。
【０００５】本発明の多官能ビニル化合物としては、例
えば１，４−ブタンジオ−ルアクリレ―ト、１，６−ヘ
キサンジオ−ルアクリレ―ト、ペンタエリスリト−ルト
リアクリレ―ト、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ
―ト、アルキル変性ジペンタエリスリト−ルアクリレ―
ト、２−プロペノイックアシッド（２−（１，１−ジメ
チル−２−（（１−オキソ−２−プロペニル）オキシ）
エチル）−５−エチル−１，３−ジオキサン−５−イ
ル）メチルエステル、ジビニルベンゼン、１，２，４−
ベンゼントリカルボン酸トリアリル、テレフタル酸ジア
リル、ヘキサヒドロフタル酸ジアリル、トリアクリルホ
ルマ―ル、トリアリルシアヌレ―ト、トリメタアリルイ
ソシアヌレ―ト等の分子内に２またはそれ以上のビニル
基を有するものをいう。
えば１，４−ブタンジオ−ルアクリレ―ト、１，６−ヘ
キサンジオ−ルアクリレ―ト、ペンタエリスリト−ルト
リアクリレ―ト、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ
―ト、アルキル変性ジペンタエリスリト−ルアクリレ―
ト、２−プロペノイックアシッド（２−（１，１−ジメ
チル−２−（（１−オキソ−２−プロペニル）オキシ）
エチル）−５−エチル−１，３−ジオキサン−５−イ
ル）メチルエステル、ジビニルベンゼン、１，２，４−
ベンゼントリカルボン酸トリアリル、テレフタル酸ジア
リル、ヘキサヒドロフタル酸ジアリル、トリアクリルホ
ルマ―ル、トリアリルシアヌレ―ト、トリメタアリルイ
ソシアヌレ―ト等の分子内に２またはそれ以上のビニル
基を有するものをいう。
【０００６】本発明のプリント配線基板はポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化
合物を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上し
ている。本発明においては架橋点の数は特に限定され
ず、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）１分子に平均１個
以上の架橋点があれば実質的に上記の効果が得られる。
架橋点の増大に伴って、誘電率が低下し、耐熱性も向上
する。本発明ではプリント配線基板としてのドリル加工
等の作業性を架橋点の数で制御することもできる。
ェニレンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化
合物を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上し
ている。本発明においては架橋点の数は特に限定され
ず、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）１分子に平均１個
以上の架橋点があれば実質的に上記の効果が得られる。
架橋点の増大に伴って、誘電率が低下し、耐熱性も向上
する。本発明ではプリント配線基板としてのドリル加工
等の作業性を架橋点の数で制御することもできる。
【０００７】本発明のプリント配線基板は、ｐ−キシリ
レン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官
能ビニル化合物を混合し、加熱して製造する。ｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）とはｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロマイド）、ｐ
−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムクロリド）
等であり、その重合体とは例えば以下の一般式で表され
る。
レン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官
能ビニル化合物を混合し、加熱して製造する。ｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）とはｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロマイド）、ｐ
−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムクロリド）
等であり、その重合体とは例えば以下の一般式で表され
る。
【化１】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）混合方法は特に限
定されないが、通常はｐ−キシリレン−ビス（ジエチル
スルホニウム塩）の重合体の水溶液に前記の多官能ビニ
ル化合物を溶解または分散、懸濁させて混合する。プリ
ント配線基板の架橋点の数は多官能ビニル化合物の添加
量で制御できる。本発明の製造法ではｐ−キシリレン−
ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体および多官能
ビニル化合物の濃度は特に限定されない。
定されないが、通常はｐ−キシリレン−ビス（ジエチル
スルホニウム塩）の重合体の水溶液に前記の多官能ビニ
ル化合物を溶解または分散、懸濁させて混合する。プリ
ント配線基板の架橋点の数は多官能ビニル化合物の添加
量で制御できる。本発明の製造法ではｐ−キシリレン−
ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体および多官能
ビニル化合物の濃度は特に限定されない。
【０００８】本発明の製造法ではｐ−キシリレン−ビス
（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビニル化
合物の混合液をそのまま、または濃縮した後にキャスト
あるいはスピンコ―トして前駆体フィルムを製造する。
このとき、従来のプリント配線基板と同様にガラスクロ
スを含浸させることもできる。この前駆体フィルムを加
熱することによって８０℃以上でスルホニウム塩側鎖の
脱離反応が進行し、同時に多官能ビニル化合物との架橋
反応も進行する。加熱温度および加熱時間は特に限定さ
れないが、上記反応の容易さから反応温度８０〜３５０
℃、反応時間１分以上が好ましい。本発明のプリント配
線基板では脱離反応および架橋反応を途中で停止し、銅
張りや積層を行った後に反応を完結させることもでき
る。
（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビニル化
合物の混合液をそのまま、または濃縮した後にキャスト
あるいはスピンコ―トして前駆体フィルムを製造する。
このとき、従来のプリント配線基板と同様にガラスクロ
スを含浸させることもできる。この前駆体フィルムを加
熱することによって８０℃以上でスルホニウム塩側鎖の
脱離反応が進行し、同時に多官能ビニル化合物との架橋
反応も進行する。加熱温度および加熱時間は特に限定さ
れないが、上記反応の容易さから反応温度８０〜３５０
℃、反応時間１分以上が好ましい。本発明のプリント配
線基板では脱離反応および架橋反応を途中で停止し、銅
張りや積層を行った後に反応を完結させることもでき
る。
【０００９】
【作用】本発明のプリント配線基板はポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化合物
を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上してい
る。このため、誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく
高周波回路基板に有利に使用できる。
レンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化合物
を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上してい
る。このため、誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく
高周波回路基板に有利に使用できる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミ
ド）を塩基性の条件で５℃で反応した重合体の１０％水
溶液５０ｇに多官能ビニル化合物であるジビニルベンゼ
ン０．０２ｇを添加し、攪拌して当該多官能ビニル化合
物が分散したｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニ
ウムブロミド）の重合体水溶液を得た。この水溶液をガ
ラス製シャ―レに展開し、６０℃で２４時間乾燥し、膜
厚１００μｍの淡黄色のキャストフィルムを得た。この
前駆体フィルムを２００℃で３０分間熱処理したとこ
ろ、褐色のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介し
て架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）が生成し
た。得られたフィルムの１ＭＨｚで測定した誘電率は
１．９であり、熱分解開始温度４００℃以上の高周波回
路用プリント配線基板として良好な性質を有するもので
あった。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミ
ド）を塩基性の条件で５℃で反応した重合体の１０％水
溶液５０ｇに多官能ビニル化合物であるジビニルベンゼ
ン０．０２ｇを添加し、攪拌して当該多官能ビニル化合
物が分散したｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニ
ウムブロミド）の重合体水溶液を得た。この水溶液をガ
ラス製シャ―レに展開し、６０℃で２４時間乾燥し、膜
厚１００μｍの淡黄色のキャストフィルムを得た。この
前駆体フィルムを２００℃で３０分間熱処理したとこ
ろ、褐色のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介し
て架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）が生成し
た。得られたフィルムの１ＭＨｚで測定した誘電率は
１．９であり、熱分解開始温度４００℃以上の高周波回
路用プリント配線基板として良好な性質を有するもので
あった。
【００１１】実施例２ 実施例１の多官能ビニル化合物（ジビニルベンゼン）の
添加量０．０２ｇに代えて添加量の異なるｐ−キシリレ
ン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水
溶液を作製し、実施例１の方法で前駆体フィルムを製造
し、熱処理してビニル基の一部が多官能ビニル化合物を
介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を得
た。表１に多官能ビニル化合物の添加量と誘電率の関係
を示す。いずれのフィルムも１ＭＨｚで測定した誘電率
が２．１以下で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
添加量０．０２ｇに代えて添加量の異なるｐ−キシリレ
ン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水
溶液を作製し、実施例１の方法で前駆体フィルムを製造
し、熱処理してビニル基の一部が多官能ビニル化合物を
介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を得
た。表１に多官能ビニル化合物の添加量と誘電率の関係
を示す。いずれのフィルムも１ＭＨｚで測定した誘電率
が２．１以下で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例３ 実施例１のジビニルベンゼンに代えてペンタエリスリト
−ルトリアクリレ―トを使う以外は実施例１と同様の方
法で前駆体フィルムを製造し、熱処理してビニル基の一
部が当該多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ
−フェニレンビニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨ
ｚで測定した誘電率は２．０で、熱分解開始温度４００
℃以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な
性質を有するものであった。
−ルトリアクリレ―トを使う以外は実施例１と同様の方
法で前駆体フィルムを製造し、熱処理してビニル基の一
部が当該多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ
−フェニレンビニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨ
ｚで測定した誘電率は２．０で、熱分解開始温度４００
℃以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な
性質を有するものであった。
【００１４】実施例４ 実施例１のジビニルベンゼンに代えてトリアクリルホル
マ―ルを使う以外は実施例１と同様の方法で前駆体フィ
ルムを製造し、熱処理してビニル基の一部が当該多官能
ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨｚで測定した誘
電率は２．０で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
マ―ルを使う以外は実施例１と同様の方法で前駆体フィ
ルムを製造し、熱処理してビニル基の一部が当該多官能
ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨｚで測定した誘
電率は２．０で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
【００１５】実施例５ 実施例１のジビニルベンゼンが分散したｐ−キシリレン
−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水溶
液からキャストした前駆体フィルムを、温度を変えて３
０分間熱処理したところ、褐色のビニル基の一部が多官
能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）が生成した。表２に反応温度と得られたフィ
ルムの１ＭＨｚで測定した誘電率を示す。いずれのフィ
ルムも誘電率は２以下であり、熱分解開始温度４００℃
以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な性
質を有するものであった。
−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水溶
液からキャストした前駆体フィルムを、温度を変えて３
０分間熱処理したところ、褐色のビニル基の一部が多官
能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）が生成した。表２に反応温度と得られたフィ
ルムの１ＭＨｚで測定した誘電率を示す。いずれのフィ
ルムも誘電率は２以下であり、熱分解開始温度４００℃
以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な性
質を有するものであった。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
周波回路用プリント配線基板として良好な特性を有す
る、誘電率が低く、耐熱性に優れたプリント配線基板が
得られる。更に、その簡便な製造方法を提供でき、その
効果は大である。
周波回路用プリント配線基板として良好な特性を有す
る、誘電率が低く、耐熱性に優れたプリント配線基板が
得られる。更に、その簡便な製造方法を提供でき、その
効果は大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 仁志 東京都港区芝５丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ビニル基の一部が多官能ビニル化合物を
介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）からな
ることを特徴とするプリント配線基板。 - 【請求項２】 ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホ
ニウム塩）の重合体と多官能ビニル化合物を混合し、加
熱することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31971891A JP2692465B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31971891A JP2692465B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136535A true JPH05136535A (ja) | 1993-06-01 |
| JP2692465B2 JP2692465B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=18113403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31971891A Expired - Lifetime JP2692465B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692465B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP31971891A patent/JP2692465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692465B2 (ja) | 1997-12-17 |
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