JP2692465B2 - プリント配線基板およびその製造方法 - Google Patents
プリント配線基板およびその製造方法Info
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- JP2692465B2 JP2692465B2 JP31971891A JP31971891A JP2692465B2 JP 2692465 B2 JP2692465 B2 JP 2692465B2 JP 31971891 A JP31971891 A JP 31971891A JP 31971891 A JP31971891 A JP 31971891A JP 2692465 B2 JP2692465 B2 JP 2692465B2
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- Japan
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- printed wiring
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- dielectric constant
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品を実装するプリ
ント配線基板およびその製造方法に関し、さらに詳しく
は、誘電率が小さく高周波回路基板に適したプリント配
線基板およびその製造方法に関する。
ント配線基板およびその製造方法に関し、さらに詳しく
は、誘電率が小さく高周波回路基板に適したプリント配
線基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の科学技術の進歩に伴う電子機器の
高速化、高集積化に対応して、回路の高周波化が進み、
同時に積層基板の利用も増大している。一般に、高周波
数域では基板材料の誘電率に依存して誘電損失および信
号伝播遅延時間が決まり、誘電率の低いプリント配線基
板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周波回路
基板に適していることが知られている。このため、従来
のガラスクロスを含浸したエポキシ樹脂に比べて低誘電
率のプリント配線基板開発が行われている。これまでに
ビスマレイミドとトリアジンの２成分を基本成分とする
重合体が開発されている。また、誘電率が２以下のフッ
素樹脂を使用したプリント配線基板も開発されている。
一方、T.Mates 等による Mater．Res．Soc．Symp．Pro
c．誌，１９９０年，１６７巻，１２３頁には、可溶性
の前駆体から製造したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
が低誘電率であり、耐熱性にも優れていることが提示さ
れている。
高速化、高集積化に対応して、回路の高周波化が進み、
同時に積層基板の利用も増大している。一般に、高周波
数域では基板材料の誘電率に依存して誘電損失および信
号伝播遅延時間が決まり、誘電率の低いプリント配線基
板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周波回路
基板に適していることが知られている。このため、従来
のガラスクロスを含浸したエポキシ樹脂に比べて低誘電
率のプリント配線基板開発が行われている。これまでに
ビスマレイミドとトリアジンの２成分を基本成分とする
重合体が開発されている。また、誘電率が２以下のフッ
素樹脂を使用したプリント配線基板も開発されている。
一方、T.Mates 等による Mater．Res．Soc．Symp．Pro
c．誌，１９９０年，１６７巻，１２３頁には、可溶性
の前駆体から製造したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
が低誘電率であり、耐熱性にも優れていることが提示さ
れている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のビスマレイミド
とトリアジンの２成分を基本成分とする重合体は、誘電
率が３．５であり、従来のエポキシ樹脂に比べると小さ
いものの、高周波回路基板材料として使用するには不十
分である。一方、フッ素樹脂を使用したプリント配線基
板では、フッ素樹脂が熱可塑性であるため、成形は樹脂
の融点である３２７℃の近傍またはそれ以上の温度で行
う必要がある。また、この樹脂は従来のエポキシ樹脂と
異なって成形後も融点付近まで加熱すると変形する。こ
のため、フッ素樹脂は高周波回路基板材料として十分な
低誘電率を有する材料であるといえるが、加工性並びに
耐熱性に問題がある。さらにポリ（ｐ−フェニレンビニ
レン）は低誘電率で耐熱性にも優れているが、銅張積層
板として利用する場合には基板同士、および基板と銅箔
の間の接着力が小さい。従って、誘電率の低いプリント
配線基板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周
波回路基板に有利に使用できることが期待されているも
のの、未だその性能を十分に生かした、すなわち、誘電
率が低く加工性と耐熱性に優れ、かつ接着性も良好なプ
リント配線基板は開発されていない。本発明の目的は、
前記の問題点を解消することにより良好な高周波特性を
有し、しかも加工性と耐熱性に優れたプリント配線基板
並びにその簡便なる製造方法を提供することにある。
とトリアジンの２成分を基本成分とする重合体は、誘電
率が３．５であり、従来のエポキシ樹脂に比べると小さ
いものの、高周波回路基板材料として使用するには不十
分である。一方、フッ素樹脂を使用したプリント配線基
板では、フッ素樹脂が熱可塑性であるため、成形は樹脂
の融点である３２７℃の近傍またはそれ以上の温度で行
う必要がある。また、この樹脂は従来のエポキシ樹脂と
異なって成形後も融点付近まで加熱すると変形する。こ
のため、フッ素樹脂は高周波回路基板材料として十分な
低誘電率を有する材料であるといえるが、加工性並びに
耐熱性に問題がある。さらにポリ（ｐ−フェニレンビニ
レン）は低誘電率で耐熱性にも優れているが、銅張積層
板として利用する場合には基板同士、および基板と銅箔
の間の接着力が小さい。従って、誘電率の低いプリント
配線基板が誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく高周
波回路基板に有利に使用できることが期待されているも
のの、未だその性能を十分に生かした、すなわち、誘電
率が低く加工性と耐熱性に優れ、かつ接着性も良好なプ
リント配線基板は開発されていない。本発明の目的は、
前記の問題点を解消することにより良好な高周波特性を
有し、しかも加工性と耐熱性に優れたプリント配線基板
並びにその簡便なる製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、ビニル基の一
部が多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）からなることを特徴とするプリント
配線基板である。またその製造方法は、ｐ−キシリレン
−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビ
ニル化合物を混合し、加熱することを特徴とする。本発
明のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介して架橋
したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）とは、ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）を基本構造とし、多官能ビニル化
合物を使用して架橋した高分子であって、架橋部位がビ
ニル基であるものをいい、多官能ビニル化合物とポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）のビニル基との反応の様式
は特に限定されない。
部が多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）からなることを特徴とするプリント
配線基板である。またその製造方法は、ｐ−キシリレン
−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビ
ニル化合物を混合し、加熱することを特徴とする。本発
明のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介して架橋
したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）とは、ポリ（ｐ−
フェニレンビニレン）を基本構造とし、多官能ビニル化
合物を使用して架橋した高分子であって、架橋部位がビ
ニル基であるものをいい、多官能ビニル化合物とポリ
（ｐ−フェニレンビニレン）のビニル基との反応の様式
は特に限定されない。
【０００５】本発明の多官能ビニル化合物としては、例
えば１，４−ブタンジオ−ルアクリレ―ト、１，６−ヘ
キサンジオ−ルアクリレ―ト、ペンタエリスリト−ルト
リアクリレ―ト、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ
―ト、アルキル変性ジペンタエリスリト−ルアクリレ―
ト、２−プロペノイックアシッド（２−（１，１−ジメ
チル−２−（（１−オキソ−２−プロペニル）オキシ）
エチル）−５−エチル−１，３−ジオキサン−５−イ
ル）メチルエステル、ジビニルベンゼン、１，２，４−
ベンゼントリカルボン酸トリアリル、テレフタル酸ジア
リル、ヘキサヒドロフタル酸ジアリル、トリアクリルホ
ルマ―ル、トリアリルシアヌレ―ト、トリメタアリルイ
ソシアヌレ―ト等の分子内に２またはそれ以上のビニル
基を有するものをいう。
えば１，４−ブタンジオ−ルアクリレ―ト、１，６−ヘ
キサンジオ−ルアクリレ―ト、ペンタエリスリト−ルト
リアクリレ―ト、トリメチロ―ルプロパントリアクリレ
―ト、アルキル変性ジペンタエリスリト−ルアクリレ―
ト、２−プロペノイックアシッド（２−（１，１−ジメ
チル−２−（（１−オキソ−２−プロペニル）オキシ）
エチル）−５−エチル−１，３−ジオキサン−５−イ
ル）メチルエステル、ジビニルベンゼン、１，２，４−
ベンゼントリカルボン酸トリアリル、テレフタル酸ジア
リル、ヘキサヒドロフタル酸ジアリル、トリアクリルホ
ルマ―ル、トリアリルシアヌレ―ト、トリメタアリルイ
ソシアヌレ―ト等の分子内に２またはそれ以上のビニル
基を有するものをいう。
【０００６】本発明のプリント配線基板はポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化
合物を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上し
ている。本発明においては架橋点の数は特に限定され
ず、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）１分子に平均１個
以上の架橋点があれば実質的に上記の効果が得られる。
架橋点の増大に伴って、誘電率が低下し、耐熱性も向上
する。本発明ではプリント配線基板としてのドリル加工
等の作業性を架橋点の数で制御することもできる。
ェニレンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化
合物を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フ
ェニレンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上し
ている。本発明においては架橋点の数は特に限定され
ず、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）１分子に平均１個
以上の架橋点があれば実質的に上記の効果が得られる。
架橋点の増大に伴って、誘電率が低下し、耐熱性も向上
する。本発明ではプリント配線基板としてのドリル加工
等の作業性を架橋点の数で制御することもできる。
【０００７】本発明のプリント配線基板は、ｐ−キシリ
レン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官
能ビニル化合物を混合し、加熱して製造する。ｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）とはｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロマイド）、ｐ
−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムクロリド）
等であり、その重合体とは例えば以下の一般式で表され
る。
レン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官
能ビニル化合物を混合し、加熱して製造する。ｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウム塩）とはｐ−キシ
リレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロマイド）、ｐ
−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムクロリド）
等であり、その重合体とは例えば以下の一般式で表され
る。
【化１】 （式中、Ｘはハロゲン原子を示す。）混合方法は特に限
定されないが、通常はｐ−キシリレン−ビス（ジエチル
スルホニウム塩）の重合体の水溶液に前記の多官能ビニ
ル化合物を溶解または分散、懸濁させて混合する。プリ
ント配線基板の架橋点の数は多官能ビニル化合物の添加
量で制御できる。本発明の製造法ではｐ−キシリレン−
ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体および多官能
ビニル化合物の濃度は特に限定されない。
定されないが、通常はｐ−キシリレン−ビス（ジエチル
スルホニウム塩）の重合体の水溶液に前記の多官能ビニ
ル化合物を溶解または分散、懸濁させて混合する。プリ
ント配線基板の架橋点の数は多官能ビニル化合物の添加
量で制御できる。本発明の製造法ではｐ−キシリレン−
ビス（ジエチルスルホニウム塩）の重合体および多官能
ビニル化合物の濃度は特に限定されない。
【０００８】本発明の製造法ではｐ−キシリレン−ビス
（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビニル化
合物の混合液をそのまま、または濃縮した後にキャスト
あるいはスピンコ―トして前駆体フィルムを製造する。
このとき、従来のプリント配線基板と同様にガラスクロ
スを含浸させることもできる。この前駆体フィルムを加
熱することによって８０℃以上でスルホニウム塩側鎖の
脱離反応が進行し、同時に多官能ビニル化合物との架橋
反応も進行する。加熱温度および加熱時間は特に限定さ
れないが、上記反応の容易さから反応温度８０〜３５０
℃、反応時間１分以上が好ましい。本発明のプリント配
線基板では脱離反応および架橋反応を途中で停止し、銅
張りや積層を行った後に反応を完結させることもでき
る。
（ジエチルスルホニウム塩）の重合体と多官能ビニル化
合物の混合液をそのまま、または濃縮した後にキャスト
あるいはスピンコ―トして前駆体フィルムを製造する。
このとき、従来のプリント配線基板と同様にガラスクロ
スを含浸させることもできる。この前駆体フィルムを加
熱することによって８０℃以上でスルホニウム塩側鎖の
脱離反応が進行し、同時に多官能ビニル化合物との架橋
反応も進行する。加熱温度および加熱時間は特に限定さ
れないが、上記反応の容易さから反応温度８０〜３５０
℃、反応時間１分以上が好ましい。本発明のプリント配
線基板では脱離反応および架橋反応を途中で停止し、銅
張りや積層を行った後に反応を完結させることもでき
る。
【０００９】
【作用】本発明のプリント配線基板はポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化合物
を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上してい
る。このため、誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく
高周波回路基板に有利に使用できる。
レンビニレン）のビニル基の一部が多官能ビニル化合物
を介して架橋しているので、誘電率がポリ（ｐ−フェニ
レンビニレン）に比べて更に低く、耐熱性も向上してい
る。このため、誘電損失、信号伝播遅延時間共に小さく
高周波回路基板に有利に使用できる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミ
ド）を塩基性の条件で５℃で反応した重合体の１０％水
溶液５０ｇに多官能ビニル化合物であるジビニルベンゼ
ン０．０２ｇを添加し、攪拌して当該多官能ビニル化合
物が分散したｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニ
ウムブロミド）の重合体水溶液を得た。この水溶液をガ
ラス製シャ―レに展開し、６０℃で２４時間乾燥し、膜
厚１００μｍの淡黄色のキャストフィルムを得た。この
前駆体フィルムを２００℃で３０分間熱処理したとこ
ろ、褐色のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介し
て架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）が生成し
た。得られたフィルムの１ＭＨｚで測定した誘電率は
１．９であり、熱分解開始温度４００℃以上の高周波回
路用プリント配線基板として良好な性質を有するもので
あった。
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミ
ド）を塩基性の条件で５℃で反応した重合体の１０％水
溶液５０ｇに多官能ビニル化合物であるジビニルベンゼ
ン０．０２ｇを添加し、攪拌して当該多官能ビニル化合
物が分散したｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホニ
ウムブロミド）の重合体水溶液を得た。この水溶液をガ
ラス製シャ―レに展開し、６０℃で２４時間乾燥し、膜
厚１００μｍの淡黄色のキャストフィルムを得た。この
前駆体フィルムを２００℃で３０分間熱処理したとこ
ろ、褐色のビニル基の一部が多官能ビニル化合物を介し
て架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）が生成し
た。得られたフィルムの１ＭＨｚで測定した誘電率は
１．９であり、熱分解開始温度４００℃以上の高周波回
路用プリント配線基板として良好な性質を有するもので
あった。
【００１１】実施例２ 実施例１の多官能ビニル化合物（ジビニルベンゼン）の
添加量０．０２ｇに代えて添加量の異なるｐ−キシリレ
ン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水
溶液を作製し、実施例１の方法で前駆体フィルムを製造
し、熱処理してビニル基の一部が多官能ビニル化合物を
介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を得
た。表１に多官能ビニル化合物の添加量と誘電率の関係
を示す。いずれのフィルムも１ＭＨｚで測定した誘電率
が２．１以下で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
添加量０．０２ｇに代えて添加量の異なるｐ−キシリレ
ン−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水
溶液を作製し、実施例１の方法で前駆体フィルムを製造
し、熱処理してビニル基の一部が多官能ビニル化合物を
介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）を得
た。表１に多官能ビニル化合物の添加量と誘電率の関係
を示す。いずれのフィルムも１ＭＨｚで測定した誘電率
が２．１以下で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
【００１２】
【表１】
【００１３】実施例３ 実施例１のジビニルベンゼンに代えてペンタエリスリト
−ルトリアクリレ―トを使う以外は実施例１と同様の方
法で前駆体フィルムを製造し、熱処理してビニル基の一
部が当該多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ
−フェニレンビニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨ
ｚで測定した誘電率は２．０で、熱分解開始温度４００
℃以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な
性質を有するものであった。
−ルトリアクリレ―トを使う以外は実施例１と同様の方
法で前駆体フィルムを製造し、熱処理してビニル基の一
部が当該多官能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ
−フェニレンビニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨ
ｚで測定した誘電率は２．０で、熱分解開始温度４００
℃以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な
性質を有するものであった。
【００１４】実施例４ 実施例１のジビニルベンゼンに代えてトリアクリルホル
マ―ルを使う以外は実施例１と同様の方法で前駆体フィ
ルムを製造し、熱処理してビニル基の一部が当該多官能
ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨｚで測定した誘
電率は２．０で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
マ―ルを使う以外は実施例１と同様の方法で前駆体フィ
ルムを製造し、熱処理してビニル基の一部が当該多官能
ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビ
ニレン）を得た。このフィルムの１ＭＨｚで測定した誘
電率は２．０で、熱分解開始温度４００℃以上の高周波
回路用プリント配線基板としては良好な性質を有するも
のであった。
【００１５】実施例５ 実施例１のジビニルベンゼンが分散したｐ−キシリレン
−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水溶
液からキャストした前駆体フィルムを、温度を変えて３
０分間熱処理したところ、褐色のビニル基の一部が多官
能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）が生成した。表２に反応温度と得られたフィ
ルムの１ＭＨｚで測定した誘電率を示す。いずれのフィ
ルムも誘電率は２以下であり、熱分解開始温度４００℃
以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な性
質を有するものであった。
−ビス（ジエチルスルホニウムブロミド）の重合体水溶
液からキャストした前駆体フィルムを、温度を変えて３
０分間熱処理したところ、褐色のビニル基の一部が多官
能ビニル化合物を介して架橋したポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）が生成した。表２に反応温度と得られたフィ
ルムの１ＭＨｚで測定した誘電率を示す。いずれのフィ
ルムも誘電率は２以下であり、熱分解開始温度４００℃
以上の高周波回路用プリント配線基板としては良好な性
質を有するものであった。
【００１６】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
周波回路用プリント配線基板として良好な特性を有す
る、誘電率が低く、耐熱性に優れたプリント配線基板が
得られる。更に、その簡便な製造方法を提供でき、その
効果は大である。
周波回路用プリント配線基板として良好な特性を有す
る、誘電率が低く、耐熱性に優れたプリント配線基板が
得られる。更に、その簡便な製造方法を提供でき、その
効果は大である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 仁志 東京都港区芝５丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−218525（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−234418（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 ビニル基の一部が多官能ビニル化合物を
介して架橋したポリ（ｐ−フェニレンビニレン）からな
ることを特徴とするプリント配線基板。 - 【請求項２】 ｐ−キシリレン−ビス（ジエチルスルホ
ニウム塩）の重合体と多官能ビニル化合物を混合し、加
熱することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31971891A JP2692465B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31971891A JP2692465B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136535A JPH05136535A (ja) | 1993-06-01 |
| JP2692465B2 true JP2692465B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=18113403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31971891A Expired - Lifetime JP2692465B2 (ja) | 1991-11-08 | 1991-11-08 | プリント配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692465B2 (ja) |
-
1991
- 1991-11-08 JP JP31971891A patent/JP2692465B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05136535A (ja) | 1993-06-01 |
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