JPH0513420A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH0513420A JPH0513420A JP16550191A JP16550191A JPH0513420A JP H0513420 A JPH0513420 A JP H0513420A JP 16550191 A JP16550191 A JP 16550191A JP 16550191 A JP16550191 A JP 16550191A JP H0513420 A JPH0513420 A JP H0513420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- bonded
- bumps
- bump
- bump forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板，回路基板等の電極端子にバンプ
を形成するバンプ形成方法を提供する。 【構成】 バンプ形成材料６を半導体基板，回路基板等
の被ボンディング材２の電極位置に位置決めする工程
と、被ボンディング材２を加熱する工程と、バンプ形成
材料６を加圧する工程を備えた。
を形成するバンプ形成方法を提供する。 【構成】 バンプ形成材料６を半導体基板，回路基板等
の被ボンディング材２の電極位置に位置決めする工程
と、被ボンディング材２を加熱する工程と、バンプ形成
材料６を加圧する工程を備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバンプ形成方法に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】以下従来のバンプ形成方法について説明
する。
する。
【０００３】図３（ａ）〜（ｅ）は従来のバンプ形成方
法の工程図である。まず図３（ａ）に示すように、キャ
ピラリ１１の穴に通したＡｕワイヤ１２の先端に電気放
電１３などによって、図３（ｂ）に示すようにＡｕワイ
ヤ１２の径の２〜３倍の径のボール１４を形成する。次
に図３（ｃ）に示すように、キャピラリ１１を介してＬ
ＳＩチップ１５の電極パッド１６に固着させてバンプ１
７の底部を形成する。次に図３（ｄ）に示すように、キ
ャピラリ１１をバンプ１７の上方で垂直方向にループ状
軌道を描いて移動させた後、キャピラリ１１を降下させ
てＡｕワイヤ１２を切断し、図３（ｅ）に示すようにバ
ンプ１７の上部に頂部１７ａを形成する。
法の工程図である。まず図３（ａ）に示すように、キャ
ピラリ１１の穴に通したＡｕワイヤ１２の先端に電気放
電１３などによって、図３（ｂ）に示すようにＡｕワイ
ヤ１２の径の２〜３倍の径のボール１４を形成する。次
に図３（ｃ）に示すように、キャピラリ１１を介してＬ
ＳＩチップ１５の電極パッド１６に固着させてバンプ１
７の底部を形成する。次に図３（ｄ）に示すように、キ
ャピラリ１１をバンプ１７の上方で垂直方向にループ状
軌道を描いて移動させた後、キャピラリ１１を降下させ
てＡｕワイヤ１２を切断し、図３（ｅ）に示すようにバ
ンプ１７の上部に頂部１７ａを形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、ワイヤボンディング法を応用しバンプを
形成するため、バンプを１個ずつ順次形成しなければな
らず、必要なバンプの数が増加するに比例して形成に必
要な時間が増加するとともに高さのばらつき、位置ずれ
のため、配線との接続がとれないものが発生し易いとい
う課題を有していた。
来の構成では、ワイヤボンディング法を応用しバンプを
形成するため、バンプを１個ずつ順次形成しなければな
らず、必要なバンプの数が増加するに比例して形成に必
要な時間が増加するとともに高さのばらつき、位置ずれ
のため、配線との接続がとれないものが発生し易いとい
う課題を有していた。
【０００５】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、バンプを一括で形成することにより、必要なバンプ
の個数に関係なく、形成時間が短く、バンプ形状のばら
つきが少ないバンプ形成方法の提供を目的とする。
で、バンプを一括で形成することにより、必要なバンプ
の個数に関係なく、形成時間が短く、バンプ形状のばら
つきが少ないバンプ形成方法の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のバンプ形成方法は、バンプ形成材料をバンプ
形成すべき半導体，基板等の被ボンディング材に位置決
め固定する工程と、被ボンディング材を加熱する工程
と、前記バンプ形成材料を加圧する工程とを備えたもの
である。
に本発明のバンプ形成方法は、バンプ形成材料をバンプ
形成すべき半導体，基板等の被ボンディング材に位置決
め固定する工程と、被ボンディング材を加熱する工程
と、前記バンプ形成材料を加圧する工程とを備えたもの
である。
【０００７】
【作用】この構成により、バンプを一括で形成でき、必
要バンプの個数に関係なく、形成時間が短く、バンプ形
状のばらつきが少ないバンプを形成することができる。
要バンプの個数に関係なく、形成時間が短く、バンプ形
状のばらつきが少ないバンプを形成することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【０００９】図１は本発明の一実施例におけるバンプ形
成方法に用いるバンプ形成装置の要部斜視図である。
成方法に用いるバンプ形成装置の要部斜視図である。
【００１０】図１において、１は水平面上で互いに直交
するＸ方向とＹ方向及びθ回転に位置決め可能なＸＹθ
テーブル（図示せず）上に搭載されたヒートブロックで
あり、バンプ形成すべき半導体等の被ボンディング材２
を固定支持し、加熱するように構成されている。３は被
ボンディング材２に金属球供給装置４から供給される金
ボール等の金属球６を位置決め固定し、バンプの高さを
定める一定の厚さを持つマスクである。５は被ボンディ
ング材２の上の所定の位置に供給位置決めされた金属球
６に圧力を加えバンプを形成するための加工ブロックで
ある。
するＸ方向とＹ方向及びθ回転に位置決め可能なＸＹθ
テーブル（図示せず）上に搭載されたヒートブロックで
あり、バンプ形成すべき半導体等の被ボンディング材２
を固定支持し、加熱するように構成されている。３は被
ボンディング材２に金属球供給装置４から供給される金
ボール等の金属球６を位置決め固定し、バンプの高さを
定める一定の厚さを持つマスクである。５は被ボンディ
ング材２の上の所定の位置に供給位置決めされた金属球
６に圧力を加えバンプを形成するための加工ブロックで
ある。
【００１１】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例に
おけるバンプ形成方法の工程図である。まず図２（ａ）
に示すように、被ボンディング材２にマスク３を位置決
めし、金属球６をマスク３の穴に供給する。
おけるバンプ形成方法の工程図である。まず図２（ａ）
に示すように、被ボンディング材２にマスク３を位置決
めし、金属球６をマスク３の穴に供給する。
【００１２】次に図２（ｂ）に示すように、加圧ブロッ
ク５を用いて被ボンディング材２に金属球６を接合する
と同時にマスク３により一定の高さのバンプ７を形成す
る。次に図２（ｃ）に示すように、加圧ブロック５，マ
スク３の順に被ボンディング材２から離す。この動作を
繰り返すことにより、バンプ形成を行なう。マスク３の
厚み、マスク３の穴形状、金属球６の大きさにより、任
意の高さ、任意の形状のバンプ７が形成できる。
ク５を用いて被ボンディング材２に金属球６を接合する
と同時にマスク３により一定の高さのバンプ７を形成す
る。次に図２（ｃ）に示すように、加圧ブロック５，マ
スク３の順に被ボンディング材２から離す。この動作を
繰り返すことにより、バンプ形成を行なう。マスク３の
厚み、マスク３の穴形状、金属球６の大きさにより、任
意の高さ、任意の形状のバンプ７が形成できる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、バンプを一括で
形成することにより、形成すべきバンプの個数に関係な
く形成時間が短く、バンプ形状のばらつきが少ない優れ
たバンプ形成方法を実現できるものである。
形成することにより、形成すべきバンプの個数に関係な
く形成時間が短く、バンプ形状のばらつきが少ない優れ
たバンプ形成方法を実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例におけるバンプ形成方法に用
いるバンプ形成装置の要部斜視図
いるバンプ形成装置の要部斜視図
【図２】本発明の一実施例におけるバンプ形成方法の工
程図
程図
【図３】従来のバンプ形成方法の工程図
１ ヒートブロック ２ 被ボンディング材 ３ マスク ５ 加圧ブロック ６ 金属球（バンプ形成材料） ７ バンプ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】バンプ形成材料を半導体基板，回路基板等
の被ボンディング材の電極位置に位置決めする工程と、
前記被ボンディング材を加熱する工程と、前記バンプ形
成材料を加圧する工程とを有するバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16550191A JPH0513420A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16550191A JPH0513420A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513420A true JPH0513420A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15813593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16550191A Pending JPH0513420A (ja) | 1991-07-05 | 1991-07-05 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513420A (ja) |
-
1991
- 1991-07-05 JP JP16550191A patent/JPH0513420A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3531852A (en) | Method of forming face-bonding projections | |
| JP3429953B2 (ja) | 微細金属バンプの製造方法および製造装置 | |
| US20030162378A1 (en) | Bonding method and bonding apparatus | |
| JPH0513420A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JPH08107123A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法、その製造装置および半導体集積回路装置 | |
| US11573266B2 (en) | Electronic device temperature test on strip film frames | |
| JPH10154726A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3887993B2 (ja) | Ｉｃチップと回路基板との接続方法 | |
| JPH07226425A (ja) | 微小球除去方法及びその装置 | |
| JPH0521437A (ja) | バンプ形成装置 | |
| US5899375A (en) | Bump bonder with a discard bonding area | |
| JP2576426B2 (ja) | 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置 | |
| US20040203187A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor wafer | |
| JP3244001B2 (ja) | ワークの実装方法 | |
| JPH07326619A (ja) | 超音波熱圧着装置 | |
| JP2712592B2 (ja) | ボンディング・ツールとその固定方法 | |
| JPH1167775A (ja) | 半導体チップ接続バンプ形成方法 | |
| JP2888036B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2753409B2 (ja) | 半導体チップの接続装置 | |
| JPH1074803A (ja) | 電子部品及びその実装方法 | |
| JP2002134563A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
| JPS6046039A (ja) | 半導体素子のボンデング方法 | |
| JPH11317424A (ja) | 半導体装置の実装方法および実装構造 | |
| JPH0567618A (ja) | バンプ形成方法 | |
| JP2002124529A (ja) | 半導体チップおよび半導体チップのはんだバンプ平坦化方法 |