JPH0567618A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH0567618A JPH0567618A JP22591691A JP22591691A JPH0567618A JP H0567618 A JPH0567618 A JP H0567618A JP 22591691 A JP22591691 A JP 22591691A JP 22591691 A JP22591691 A JP 22591691A JP H0567618 A JPH0567618 A JP H0567618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bump
- bump forming
- bumps
- forming method
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 1アクションで、任意の高さのバンプを形成
できるバンプ形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 バンプ材料(金箔など)13を、所定形状に
バンプ材料打抜き装置14で打抜き、打抜いたバンプ形
成材料13aを被ボンディング材12の被ボンディング
部12a(電極パッド)に、バンプ形成ツール15で固
着させるバンプ形成方法。
できるバンプ形成方法を提供することを目的とする。 【構成】 バンプ材料(金箔など)13を、所定形状に
バンプ材料打抜き装置14で打抜き、打抜いたバンプ形
成材料13aを被ボンディング材12の被ボンディング
部12a(電極パッド)に、バンプ形成ツール15で固
着させるバンプ形成方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はバンプ形成方法に関す
る。
る。
【0002】
【従来の技術】従来のバンプ形成方法は図3に示すよう
に、キャピラリ2の孔2aに通したAuワイヤ3の先端
に、電気放電などによってAuワイヤ3の径の2〜3倍
の径のボール1をキャピラリ2を介して被ボンディング
材の電極パッド4に固着させてバンプ5の底部を形成す
る。さらにキャピラリ2を、バンプ5の底部の上方で垂
直方向にループ状軌道を描いて移動した後、キャピラリ
2を降下させて、Auワイヤ3を切欠してバンプ5の底
部の上部に頂部5aを形成するスタッドバンプ形成方法
があった。
に、キャピラリ2の孔2aに通したAuワイヤ3の先端
に、電気放電などによってAuワイヤ3の径の2〜3倍
の径のボール1をキャピラリ2を介して被ボンディング
材の電極パッド4に固着させてバンプ5の底部を形成す
る。さらにキャピラリ2を、バンプ5の底部の上方で垂
直方向にループ状軌道を描いて移動した後、キャピラリ
2を降下させて、Auワイヤ3を切欠してバンプ5の底
部の上部に頂部5aを形成するスタッドバンプ形成方法
があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらスタッド
バンプ方式では、ワイヤボンディング法を応用し、キャ
ピラリ2をループ状に作動させてバンプ5を形成するた
め、バンプ5の形成に2アクションが必要であり、その
後に電気放電などによりボール1を形成するという動作
を繰返すため、タクトが長く、またループ高さ、ボール
1径のばらつきなどで高さばらつきが大きい。バンプ5
の高さを高くしようとすると金線径を大きくし、ボール
1径を大きくしなければならないため、ツール交換など
の手間がかかるとともに狭ピッチに対応できないという
課題を有している。
バンプ方式では、ワイヤボンディング法を応用し、キャ
ピラリ2をループ状に作動させてバンプ5を形成するた
め、バンプ5の形成に2アクションが必要であり、その
後に電気放電などによりボール1を形成するという動作
を繰返すため、タクトが長く、またループ高さ、ボール
1径のばらつきなどで高さばらつきが大きい。バンプ5
の高さを高くしようとすると金線径を大きくし、ボール
1径を大きくしなければならないため、ツール交換など
の手間がかかるとともに狭ピッチに対応できないという
課題を有している。
【0004】現在、フリップチップボンディング実装に
おいて、接続の信頼性確保のために高いバンプの形成が
要求されている。
おいて、接続の信頼性確保のために高いバンプの形成が
要求されている。
【0005】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、1アクションで任意の高さのバンプを形成できるバ
ンプ形成方法を提供することを目的とする。
で、1アクションで任意の高さのバンプを形成できるバ
ンプ形成方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明のバンプ形成方法は、バンプ材料を所定形状に
バンプ材料打抜き装置で打抜き、打抜いたバンプ形成材
料を、被ボンディング材の電極パッドにバンプ形成ツー
ルで固着させるものである。
め本発明のバンプ形成方法は、バンプ材料を所定形状に
バンプ材料打抜き装置で打抜き、打抜いたバンプ形成材
料を、被ボンディング材の電極パッドにバンプ形成ツー
ルで固着させるものである。
【0007】
【作用】この構成により本発明のバンプ形成方法は、1
アクションでバンプを形成し、バンプ形成中に次のバン
プ形成材料を供給することにより、タクトが短く、ま
た、バンプ形成材料の厚みを変えることにより、任意の
高さのバンプを形成できることとなる。
アクションでバンプを形成し、バンプ形成中に次のバン
プ形成材料を供給することにより、タクトが短く、ま
た、バンプ形成材料の厚みを変えることにより、任意の
高さのバンプを形成できることとなる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の一実施例のバンプ形成方法を
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【0009】図1において、11は水平面上で互いに直
交するX方向とY方向に位置決め可能な、XYテーブル
(図示していない)上に搭載されたヒートブロックであ
り、バンプボンディングすべき被ボンディング材12
(半導体など)を固定支持し、加熱するように構成され
ている。13はバンプ材料(金箔など)で、バンプ材料
打抜き装置14に供給される。15は、バンプ形成ツー
ルであり、超音波ホーン16の先端に装置されており、
その先端に打抜かれたバンプ形成材料13aを真空吸着
できるようになっている。また、この超音波ホーン16
は上下動作ができるように支持されている。
交するX方向とY方向に位置決め可能な、XYテーブル
(図示していない)上に搭載されたヒートブロックであ
り、バンプボンディングすべき被ボンディング材12
(半導体など)を固定支持し、加熱するように構成され
ている。13はバンプ材料(金箔など)で、バンプ材料
打抜き装置14に供給される。15は、バンプ形成ツー
ルであり、超音波ホーン16の先端に装置されており、
その先端に打抜かれたバンプ形成材料13aを真空吸着
できるようになっている。また、この超音波ホーン16
は上下動作ができるように支持されている。
【0010】図2は本実施例のバンプ形成方法の動作を
示したもので、(a)でバンプ材料打抜き装置14でバ
ンプ材料13を打抜きバンプ形成材料13aを準備す
る。次に(b)でバンプ形成ツール15がバンプ形成材
料13aを吸着する。次に(c)で被ボンディング部1
2aにバンプ16を形成すると同時に、一方で(a)に
もどりバンプ材料13をバンプ材料打抜き装置14に送
り、バンプ材料13を打抜き、次のバンプ形成材料13
aの準備をする。この動作を繰返すことによりバンプの
形成を行なう。
示したもので、(a)でバンプ材料打抜き装置14でバ
ンプ材料13を打抜きバンプ形成材料13aを準備す
る。次に(b)でバンプ形成ツール15がバンプ形成材
料13aを吸着する。次に(c)で被ボンディング部1
2aにバンプ16を形成すると同時に、一方で(a)に
もどりバンプ材料13をバンプ材料打抜き装置14に送
り、バンプ材料13を打抜き、次のバンプ形成材料13
aの準備をする。この動作を繰返すことによりバンプの
形成を行なう。
【0011】
【発明の効果】以上の実施例の説明により明らかなよう
に、本発明のバンプ形成方法によれば、1アクションで
バンプを形成し、バンプ形成中に次のバンプ形成材料を
供給することにより、タクトが短かく、また、バンプ形
成材料の厚みを変えることにより、任意の高さのバンプ
を形成することができる。
に、本発明のバンプ形成方法によれば、1アクションで
バンプを形成し、バンプ形成中に次のバンプ形成材料を
供給することにより、タクトが短かく、また、バンプ形
成材料の厚みを変えることにより、任意の高さのバンプ
を形成することができる。
【図1】本発明の一実施例のバンプ形成方法の概略構成
を示す斜視図
を示す斜視図
【図2】同動作を説明する工程を示す断面図
【図3】従来のバンプ形成方法の動作を説明する工程を
示す断面図
示す断面図
12 被ボンディング材 13 バンプ材料(金箔など) 14 バンプ材料打抜き装置 15 バンプ形成ツール
Claims (4)
- 【請求項1】バンプ材料を所定形状にバンプ材料打抜き
装置で打抜き、打抜いたバンプ形成材料を被ボンディン
グ材の電極パッドにバンプ形成ツールで固着させるバン
プ形成方法。 - 【請求項2】バンプ形成材料を予め複数種揃え供給する
請求項1記載のバンプ形成方法。 - 【請求項3】バンプ形成材料を複数回打抜き、同一のボ
ンディング材の電極パッドに重ねて形成することにより
バンプの高さを任意に変化させうる請求項1記載のバン
プ形成方法。 - 【請求項4】打抜くバンプ材料の材質を任意に変更し、
任意の材質のバンプを形成しうる請求項1記載のバンプ
形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22591691A JPH0567618A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22591691A JPH0567618A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | バンプ形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0567618A true JPH0567618A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16836898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22591691A Pending JPH0567618A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0567618A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08139095A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半田バンプの形成方法 |
US5735452A (en) * | 1996-06-17 | 1998-04-07 | International Business Machines Corporation | Ball grid array by partitioned lamination process |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP22591691A patent/JPH0567618A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08139095A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Nec Corp | 半田バンプの形成方法 |
US5735452A (en) * | 1996-06-17 | 1998-04-07 | International Business Machines Corporation | Ball grid array by partitioned lamination process |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2159243C (en) | Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device | |
US5328079A (en) | Method of and arrangement for bond wire connecting together certain integrated circuit components | |
US7129586B2 (en) | Flip chip packaging structure and related packaging method | |
KR101410514B1 (ko) | 리드프레임과 클립을 이용하는 반도체 다이 패키지 및 그제조방법 | |
US7122401B2 (en) | Area array type semiconductor package fabrication method | |
KR101612976B1 (ko) | 포일 캐리어 구조를 형성하고, 집적 회로 디바이스를 패키징하기 위한 방법 | |
US20060192295A1 (en) | Semiconductor package flip chip interconnect having spacer | |
KR20090003251A (ko) | 솔더러블 루프 접촉부를 가진 반도체 소자 | |
JP2009514250A (ja) | フリップチップ・オン・リード半導体パッケージの方法および装置 | |
JP2008520111A (ja) | ワイヤボンド相互接続 | |
JP2004526333A (ja) | 半導体ダイ・パッケージ用の金属突起を有するキャリヤ | |
CN104685622A (zh) | Bva中介结构 | |
US6277222B2 (en) | Electronic component connecting method | |
TWI395301B (zh) | 使用在金屬氧化物半導體場效電晶體球閘陣列封裝技術上之摺疊框架載體 | |
US7442641B2 (en) | Integrated ball and via package and formation process | |
US5408127A (en) | Method of and arrangement for preventing bonding wire shorts with certain integrated circuit components | |
US6012626A (en) | Method of forming ball grid array contacts | |
JPH0567618A (ja) | バンプ形成方法 | |
JPH0799202A (ja) | ワイヤボンディング装置用のキャピラリー及びそのキャピラリーを用いた電気的接続バンプの形成方法 | |
JPH08153748A (ja) | シングルポイントボンディング方法 | |
JP2000232119A (ja) | 半導体チップの接続部材及びその製造方法とその接続部材を用いた半導体チップの接続方法 | |
JPH1140728A (ja) | リードフレーム及びそのリードフレームを用いた電子部品並びにその電子部品の製造方法 | |
JP2962256B2 (ja) | はんだバンプの形成方法 | |
JP2004063868A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH11317424A (ja) | 半導体装置の実装方法および実装構造 |