JP2753409B2 - 半導体チップの接続装置 - Google Patents
半導体チップの接続装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップの接続装置
に係り、特に半田バンプが形成された半導体チップを所
定の配線パターンが形成されたフィルム基板に自動的に
接続するための半導体チップの接続装置に関する。
に係り、特に半田バンプが形成された半導体チップを所
定の配線パターンが形成されたフィルム基板に自動的に
接続するための半導体チップの接続装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの
小型化、高集積化および多ピン化に伴い、所定の基板に
これら半導体チップを高密度に接続する技術が不可欠と
なっており、この半導体チップの接続技術として、フィ
ルム状の基板に対して半導体チップを一括して自動的に
実装する半導体チップの接続装置が用いられている。
小型化、高集積化および多ピン化に伴い、所定の基板に
これら半導体チップを高密度に接続する技術が不可欠と
なっており、この半導体チップの接続技術として、フィ
ルム状の基板に対して半導体チップを一括して自動的に
実装する半導体チップの接続装置が用いられている。
【０００３】図４はこのような従来の半導体チップの接
続装置を示したもので、上面が平坦なボンディング基台
１が配設されており、このボンディング基台１の上方に
は、ボンディングツール２が図示しないエアシリンダ等
の加圧機構により駆動シャフト３を介して昇降自在に配
設されている。
続装置を示したもので、上面が平坦なボンディング基台
１が配設されており、このボンディング基台１の上方に
は、ボンディングツール２が図示しないエアシリンダ等
の加圧機構により駆動シャフト３を介して昇降自在に配
設されている。
【０００４】一方、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ４に
は、図示しない接続パッドが形成されており、この接続
パッド部分には、あらかじめほぼ球形の半田バンプ５が
形成されている。また、フィルム基板６の表面には、銅
箔等からなり前記半導体チップ４の接続パッド部分に対
応する所望形状の配線パターン７が形成されており、前
記フィルム基板６の前記配線パターン７の端子部分に
は、前記配線パターン７の端子部分を露出させるデバイ
スホール８が形成されている。
は、図示しない接続パッドが形成されており、この接続
パッド部分には、あらかじめほぼ球形の半田バンプ５が
形成されている。また、フィルム基板６の表面には、銅
箔等からなり前記半導体チップ４の接続パッド部分に対
応する所望形状の配線パターン７が形成されており、前
記フィルム基板６の前記配線パターン７の端子部分に
は、前記配線パターン７の端子部分を露出させるデバイ
スホール８が形成されている。
【０００５】前記従来の接続装置において、前記半導体
チップ４とフィルム基板６とを接続する場合は、まず、
図５（ａ）に示すように、前記ボンディング基台１の上
面に、所定の半導体チップ４をその半田バンプ５の形成
側面が上面側に位置するように載置するとともに、この
半導体チップ４の上方に、フィルム基板６をその配線パ
ターン７の端子部分が前記半導体チップ４の半田バンプ
５部分に位置するように配置する。
チップ４とフィルム基板６とを接続する場合は、まず、
図５（ａ）に示すように、前記ボンディング基台１の上
面に、所定の半導体チップ４をその半田バンプ５の形成
側面が上面側に位置するように載置するとともに、この
半導体チップ４の上方に、フィルム基板６をその配線パ
ターン７の端子部分が前記半導体チップ４の半田バンプ
５部分に位置するように配置する。
【０００６】そして、図５（ｂ）に示すように、前記駆
動シャフト３を駆動してボンディングツール２を下降さ
せ、前記配線パターン７の端子部分と半導体チップ４の
半田バンプ５とを所定圧力で圧接させる。この状態で、
加熱することにより、図５（ｃ）に示すように、前記半
田バンプ５を溶融させ、前記半導体チップ４をフィルム
基板６に接続させるようになっている。
動シャフト３を駆動してボンディングツール２を下降さ
せ、前記配線パターン７の端子部分と半導体チップ４の
半田バンプ５とを所定圧力で圧接させる。この状態で、
加熱することにより、図５（ｃ）に示すように、前記半
田バンプ５を溶融させ、前記半導体チップ４をフィルム
基板６に接続させるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の半
導体チップ４の接続装置においては、ボンディングツー
ル２によりフィルム基板６の配線パターン７と半導体チ
ップ４の半田バンプ５とを加圧した状態で、半田バンプ
５を溶融して半導体チップ４とフィルム基板６とを接続
するようにしており、前記半田バンプ５の溶融時に、前
記ボンディングツール２の加圧力が加わっているので、
図５（ｃ）に示すように、半田バンプ５の溶融による軟
化により、半田バンプ５が必要以上に押しつぶされてし
まい、これにより、半田バンプ５が横方向に広がり、隣
接する半田バンプ５が接触してしまい、回路のショート
等が発生してしまうという問題を有している。
導体チップ４の接続装置においては、ボンディングツー
ル２によりフィルム基板６の配線パターン７と半導体チ
ップ４の半田バンプ５とを加圧した状態で、半田バンプ
５を溶融して半導体チップ４とフィルム基板６とを接続
するようにしており、前記半田バンプ５の溶融時に、前
記ボンディングツール２の加圧力が加わっているので、
図５（ｃ）に示すように、半田バンプ５の溶融による軟
化により、半田バンプ５が必要以上に押しつぶされてし
まい、これにより、半田バンプ５が横方向に広がり、隣
接する半田バンプ５が接触してしまい、回路のショート
等が発生してしまうという問題を有している。
【０００８】このような隣接する半田バンプ５同士の接
触を防止するためには、半導体チップ４の接続パッドお
よびフィルム基板６の配線パターン７の配設ピッチを広
げる必要があり、基板に対する半導体チップ４の高密度
化を図ることができないという問題を有している。
触を防止するためには、半導体チップ４の接続パッドお
よびフィルム基板６の配線パターン７の配設ピッチを広
げる必要があり、基板に対する半導体チップ４の高密度
化を図ることができないという問題を有している。
【０００９】本発明は前記した点に鑑みてなされたもの
で、半導体チップとフィルム基板の配線パターンとの接
続時に、半田バンプのつぶれを防止して隣接する半田バ
ンプの接触を確実に防止することのできる半導体チップ
の接続装置を提供することを目的とするものである。
で、半導体チップとフィルム基板の配線パターンとの接
続時に、半田バンプのつぶれを防止して隣接する半田バ
ンプの接触を確実に防止することのできる半導体チップ
の接続装置を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明に係る半導体チップの接続装置は、接続パッド部
分に半田バンプが形成された半導体チップを載置するボ
ンディング基台を配設し、このボンディング基台の上方
に前記半導体チップおよび所定の配線パターンが形成さ
れたフィルム基板を前記ボンディング基台との間で圧接
保持するボンディングツールを昇降動作自在に配設し、
前記ボンディング基台の上面に半導体チップを載置する
とともに、この半導体チップの上方に前記フィルム基板
を配置し、前記ボンディングツールを駆動して前記半導
体チップの半田バンプと前記フィルム基板の配線パター
ンとを圧接させた状態で加熱して前記半田バンプを溶融
させることにより、前記半導体チップとフィルム基板の
配線パターンとを接続する半導体チップの接続装置にお
いて、前記半導体チップおよびフィルム基板の圧接時
に、前記ボンディング基台と前記ボンディングツールと
の間隙寸法を任意の寸法に保持するストッパ機構を設け
たことを特徴とするものである。
本発明に係る半導体チップの接続装置は、接続パッド部
分に半田バンプが形成された半導体チップを載置するボ
ンディング基台を配設し、このボンディング基台の上方
に前記半導体チップおよび所定の配線パターンが形成さ
れたフィルム基板を前記ボンディング基台との間で圧接
保持するボンディングツールを昇降動作自在に配設し、
前記ボンディング基台の上面に半導体チップを載置する
とともに、この半導体チップの上方に前記フィルム基板
を配置し、前記ボンディングツールを駆動して前記半導
体チップの半田バンプと前記フィルム基板の配線パター
ンとを圧接させた状態で加熱して前記半田バンプを溶融
させることにより、前記半導体チップとフィルム基板の
配線パターンとを接続する半導体チップの接続装置にお
いて、前記半導体チップおよびフィルム基板の圧接時
に、前記ボンディング基台と前記ボンディングツールと
の間隙寸法を任意の寸法に保持するストッパ機構を設け
たことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば、ボンディング基台の上面に半
導体チップを載置するとともに、この半導体チップの上
方にフィルム基板を配置し、ボンディングツールを駆動
して前記半導体チップの半田バンプと前記フィルム基板
の配線パターンとを圧接させた状態で加熱することによ
り、前記半導体チップとフィルム基板の配線パターンと
を接続するようにしており、この接続時に、ストッパ機
構により、前記ボンディングツールとボンディング基台
との間隙寸法を一定に保持するようにしているので、ボ
ンディングツールにより半田バンプが必要以上に押しつ
ぶされてしまうことがなく、その結果、隣接する半田バ
ンプ同士が接触して回路がショートしてしまうことを確
実に防止することができ、基板に対する半導体チップの
高密度化を図ることができるものである。
導体チップを載置するとともに、この半導体チップの上
方にフィルム基板を配置し、ボンディングツールを駆動
して前記半導体チップの半田バンプと前記フィルム基板
の配線パターンとを圧接させた状態で加熱することによ
り、前記半導体チップとフィルム基板の配線パターンと
を接続するようにしており、この接続時に、ストッパ機
構により、前記ボンディングツールとボンディング基台
との間隙寸法を一定に保持するようにしているので、ボ
ンディングツールにより半田バンプが必要以上に押しつ
ぶされてしまうことがなく、その結果、隣接する半田バ
ンプ同士が接触して回路がショートしてしまうことを確
実に防止することができ、基板に対する半導体チップの
高密度化を図ることができるものである。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１乃至図３を参照
して説明する。
して説明する。
【００１３】図１は本発明に係る半導体チップの接続装
置の一実施例を示したもので、上面が平坦なボンディン
グ基台１が配設されており、このボンディング基台１の
上方には、ボンディングツール２が図示しないエアシリ
ンダ等の加圧機構により駆動シャフト３を介して昇降自
在に配設されている。また、本実施例においては、前記
駆動シャフト３の上方には、ストッパ機構としての円板
状のシャフトストッパ９が固着されており、前記駆動シ
ャフト３の外周近傍であって前記シャフトストッパ９の
下方には、前記駆動シャフト３の下降動作時に前記シャ
フトストッパ９に当接して前記ボンディングツール２の
下面と前記ボンディング基台１との間隙を一定に規制す
るストッパ受け１０が配設されている。
置の一実施例を示したもので、上面が平坦なボンディン
グ基台１が配設されており、このボンディング基台１の
上方には、ボンディングツール２が図示しないエアシリ
ンダ等の加圧機構により駆動シャフト３を介して昇降自
在に配設されている。また、本実施例においては、前記
駆動シャフト３の上方には、ストッパ機構としての円板
状のシャフトストッパ９が固着されており、前記駆動シ
ャフト３の外周近傍であって前記シャフトストッパ９の
下方には、前記駆動シャフト３の下降動作時に前記シャ
フトストッパ９に当接して前記ボンディングツール２の
下面と前記ボンディング基台１との間隙を一定に規制す
るストッパ受け１０が配設されている。
【００１４】一方、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ４の
図示しない接続パッド部分には、あらかじめほぼ球形の
半田バンプ５が形成されており、また、フィルム基板６
の表面には、銅箔等からなる所望形状の配線パターン７
およびこの配線パターン７の端子部分を露出させるデバ
イスホール８がそれぞれ形成されている。
図示しない接続パッド部分には、あらかじめほぼ球形の
半田バンプ５が形成されており、また、フィルム基板６
の表面には、銅箔等からなる所望形状の配線パターン７
およびこの配線パターン７の端子部分を露出させるデバ
イスホール８がそれぞれ形成されている。
【００１５】次に、本実施例の作用について説明する。
【００１６】まず、図２（ａ）に示すように、前記ボン
ディング基台１の上面に、所定の半導体チップ４をその
半田バンプ５の形成側面が上面側に位置するように載置
するとともに、この半導体チップ４の上方に、フィルム
基板６をその配線パターン７の端子部分が前記半導体チ
ップ４の半田バンプ５部分に位置するように配置する。
ディング基台１の上面に、所定の半導体チップ４をその
半田バンプ５の形成側面が上面側に位置するように載置
するとともに、この半導体チップ４の上方に、フィルム
基板６をその配線パターン７の端子部分が前記半導体チ
ップ４の半田バンプ５部分に位置するように配置する。
【００１７】そして、前記駆動シャフト３を駆動してボ
ンディングツール２を下降させ、前記配線パターン７の
端子部分と半導体チップ４の半田バンプ５とを所定圧力
で圧接させる。このとき、図２（ｂ）に示すように、前
記駆動シャフト３のシャフトストッパ９がストッパ受け
１０に当接され、これにより、前記ボンディングツール
２の下面とボンディング基台１の上面との間隙寸法は、
一定に保持されている。
ンディングツール２を下降させ、前記配線パターン７の
端子部分と半導体チップ４の半田バンプ５とを所定圧力
で圧接させる。このとき、図２（ｂ）に示すように、前
記駆動シャフト３のシャフトストッパ９がストッパ受け
１０に当接され、これにより、前記ボンディングツール
２の下面とボンディング基台１の上面との間隙寸法は、
一定に保持されている。
【００１８】この状態で、加熱することにより、前記半
田バンプ５を溶融させ、前記半導体チップ４をフィルム
基板６に接続させるようになっている。
田バンプ５を溶融させ、前記半導体チップ４をフィルム
基板６に接続させるようになっている。
【００１９】したがって、本実施例においては、駆動シ
ャフト３のシャフトストッパ９をストッパ受け１０に当
接させ、前記ボンディングツール２の下面とボンディン
グ基台１の上面との間隙寸法を一定に保持した状態で、
半田バンプ５を溶融して半導体チップ４とフィルム基板
６とを接続するようにしているので、加熱により半田バ
ンプ５が軟化しても、ボンディングツール２により半田
バンプ５が必要以上に押しつぶされてしまうことがな
い。その結果、隣接する半田バンプ５同士が接触して回
路がショートしてしまうことを確実に防止することがで
き、半導体チップ４の接続パッドおよびフィルム基板６
の配線パターン７の配設ピッチを広げる必要がなく、基
板に対する半導体チップ４の高密度化を図ることができ
る。
ャフト３のシャフトストッパ９をストッパ受け１０に当
接させ、前記ボンディングツール２の下面とボンディン
グ基台１の上面との間隙寸法を一定に保持した状態で、
半田バンプ５を溶融して半導体チップ４とフィルム基板
６とを接続するようにしているので、加熱により半田バ
ンプ５が軟化しても、ボンディングツール２により半田
バンプ５が必要以上に押しつぶされてしまうことがな
い。その結果、隣接する半田バンプ５同士が接触して回
路がショートしてしまうことを確実に防止することがで
き、半導体チップ４の接続パッドおよびフィルム基板６
の配線パターン７の配設ピッチを広げる必要がなく、基
板に対する半導体チップ４の高密度化を図ることができ
る。
【００２０】また、図３は本発明の他の実施例を示した
もので、上面が平坦なボンディング基台１の両側には、
ストッパ機構としてのブロック状の基台ストッパ１１が
配設されており、この基台ストッパ１１の高さ寸法は、
半導体チップ４に形成される半田バンプ５が押しつぶさ
れない高さに設定されている。また、このボンディング
基台１の上方には、ボンディングツール２が図示しない
エアシリンダ等の加圧機構により駆動シャフト３を介し
て昇降自在に配設されており、本実施例においては、前
記駆動シャフト３には、シャフトストッパは設けられて
いない。
もので、上面が平坦なボンディング基台１の両側には、
ストッパ機構としてのブロック状の基台ストッパ１１が
配設されており、この基台ストッパ１１の高さ寸法は、
半導体チップ４に形成される半田バンプ５が押しつぶさ
れない高さに設定されている。また、このボンディング
基台１の上方には、ボンディングツール２が図示しない
エアシリンダ等の加圧機構により駆動シャフト３を介し
て昇降自在に配設されており、本実施例においては、前
記駆動シャフト３には、シャフトストッパは設けられて
いない。
【００２１】その他の部分は前記実施例のものと同様で
あるので、その説明を省略する。
あるので、その説明を省略する。
【００２２】本実施例においては、ボンディング基台１
の上面に半導体チップ４を載置するとともに、この半導
体チップ４の上方に、フィルム基板６を配置した状態
で、前記駆動シャフト３を駆動してボンディングツール
２を下降させ、前記配線パターン７の端子部分と半導体
チップ４の半田バンプ５とを所定圧力で圧接させる。こ
のとき、本実施例においては、前記ボンディングツール
２の下面が前記フィルム基板６および配線パターン７を
それぞれ介して基台ストッパ１１に当接され、これによ
り、前記ボンディングツール２の下面とボンディング基
台１の上面との間隙寸法を一定に保持するようになって
いる。
の上面に半導体チップ４を載置するとともに、この半導
体チップ４の上方に、フィルム基板６を配置した状態
で、前記駆動シャフト３を駆動してボンディングツール
２を下降させ、前記配線パターン７の端子部分と半導体
チップ４の半田バンプ５とを所定圧力で圧接させる。こ
のとき、本実施例においては、前記ボンディングツール
２の下面が前記フィルム基板６および配線パターン７を
それぞれ介して基台ストッパ１１に当接され、これによ
り、前記ボンディングツール２の下面とボンディング基
台１の上面との間隙寸法を一定に保持するようになって
いる。
【００２３】その後、加熱して前記半田バンプ５を溶融
させることにより、前記半導体チップ４をフィルム基板
６の配線パターン７に接続するようになっている。
させることにより、前記半導体チップ４をフィルム基板
６の配線パターン７に接続するようになっている。
【００２４】したがって、本実施例においても前記実施
例と同様に、前記ボンディングツール２の下面を基台ス
トッパ１１に当接させ、これにより、前記ボンディング
ツール２の下面とボンディング基台１の上面との間隙寸
法を一定に保持した状態で、半田バンプ５を溶融して半
導体チップ４とフィルム基板６とを接続するようにして
いるので、ボンディングツール２により半田バンプ５が
必要以上に押しつぶされてしまうことがなく、その結
果、隣接する半田バンプ５同士が接触して回路がショー
トしてしまうことを確実に防止することができ、基板に
対する半導体チップの高密度化を図ることができる。
例と同様に、前記ボンディングツール２の下面を基台ス
トッパ１１に当接させ、これにより、前記ボンディング
ツール２の下面とボンディング基台１の上面との間隙寸
法を一定に保持した状態で、半田バンプ５を溶融して半
導体チップ４とフィルム基板６とを接続するようにして
いるので、ボンディングツール２により半田バンプ５が
必要以上に押しつぶされてしまうことがなく、その結
果、隣接する半田バンプ５同士が接触して回路がショー
トしてしまうことを確実に防止することができ、基板に
対する半導体チップの高密度化を図ることができる。
【００２５】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、例えば、前記駆動シャフトをパルスモータ
により駆動する場合は、駆動パルスのプログラム設定に
より、駆動シャフトの下降停止位置を制御する等、必要
に応じて種々変更することができるものである。
のではなく、例えば、前記駆動シャフトをパルスモータ
により駆動する場合は、駆動パルスのプログラム設定に
より、駆動シャフトの下降停止位置を制御する等、必要
に応じて種々変更することができるものである。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明に係る半導体チ
ップの接続装置は、ストッパ機構により、ボンディング
ツールとボンディング基台との間隙寸法を一定に保持し
た状態で、半田バンプを溶融して半導体チップとフィル
ム基板とを接続するようにしているので、ボンディング
ツールにより半田バンプが必要以上に押しつぶされてし
まうことがなく、その結果、隣接する半田バンプ同士が
接触して回路がショートしてしまうことを確実に防止す
ることができ、基板に対する半導体チップの高密度化を
図ることができる等の効果を奏する。
ップの接続装置は、ストッパ機構により、ボンディング
ツールとボンディング基台との間隙寸法を一定に保持し
た状態で、半田バンプを溶融して半導体チップとフィル
ム基板とを接続するようにしているので、ボンディング
ツールにより半田バンプが必要以上に押しつぶされてし
まうことがなく、その結果、隣接する半田バンプ同士が
接触して回路がショートしてしまうことを確実に防止す
ることができ、基板に対する半導体チップの高密度化を
図ることができる等の効果を奏する。
【図１】本発明に係る半導体チップの接続装置の一実施
例を示す概略正面図
例を示す概略正面図
【図２】図２（ａ）は半田バンプと配線パターンとの接
続前の状態を示す説明図、図２（ｂ）は半田バンプと配
線パターンとの接続後の状態を示す説明図
続前の状態を示す説明図、図２（ｂ）は半田バンプと配
線パターンとの接続後の状態を示す説明図
【図３】本発明の他の実施例を示す概略正面図
【図４】従来の半導体チップの接続装置を示す概略正面
図
図
【図５】図５（ａ）は従来の半田バンプと配線パターン
との接続前の状態を示す説明図、図５（ｂ）は半田バン
プ加熱前の状態を示す説明図、図５（ｃ）は半田バンプ
と配線パターンとの接続後の状態を示す説明図
との接続前の状態を示す説明図、図５（ｂ）は半田バン
プ加熱前の状態を示す説明図、図５（ｃ）は半田バンプ
と配線パターンとの接続後の状態を示す説明図
【符号の説明】 １ ボンディング基台 ２ ボンディングツール ３ 駆動シャフト ４ 半導体チップ ５ 半田バンプ ６ フィルム基板 ７ 配線パターン ８ デバイスホール ９ シャフトストッパ １０ ストッパ受け １１ 基台ストッパ
Claims (1)
- 【請求項１】 接続パッド部分に半田バンプが形成され
た半導体チップを載置するボンディング基台を配設し、
このボンディング基台の上方に前記半導体チップおよび
所定の配線パターンが形成されたフィルム基板を前記ボ
ンディング基台との間で圧接保持するボンディングツー
ルを昇降動作自在に配設し、前記ボンディング基台の上
面に半導体チップを載置するとともに、この半導体チッ
プの上方に前記フィルム基板を配置し、前記ボンディン
グツールを駆動して前記半導体チップの半田バンプと前
記フィルム基板の配線パターンとを圧接させた状態で加
熱して前記半田バンプを溶融させることにより、前記半
導体チップとフィルム基板の配線パターンとを接続する
半導体チップの接続装置において、前記半導体チップお
よびフィルム基板の圧接時に、前記ボンディング基台と
前記ボンディングツールとの間隙寸法を任意の寸法に保
持するストッパ機構を設けたことを特徴とする半導体チ
ップの接続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238326A JP2753409B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体チップの接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238326A JP2753409B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体チップの接続装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582588A JPH0582588A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2753409B2 true JP2753409B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=17028549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3238326A Expired - Fee Related JP2753409B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体チップの接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2753409B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3238326A patent/JP2753409B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0582588A (ja) | 1993-04-02 |
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