JP3163707B2 - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JP3163707B2 JP3163707B2 JP36053591A JP36053591A JP3163707B2 JP 3163707 B2 JP3163707 B2 JP 3163707B2 JP 36053591 A JP36053591 A JP 36053591A JP 36053591 A JP36053591 A JP 36053591A JP 3163707 B2 JP3163707 B2 JP 3163707B2
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- Japan
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- chip
- wiring board
- bonding pads
- solder
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0286—Programmable, customizable or modifiable circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】配線基板には種々のものがあるが、ここ
では、例えば図５に示すような配線基板１上にＩＣチッ
プをフリップチップボンディングにより搭載する場合に
ついて説明する。図５に示す配線基板１は、セラミッ
ク、ガラス、樹脂等からなる基板２の上面に銅等の金属
からなる配線パターン３が形成され、点線で示すＩＣチ
ップ搭載エリア内における配線パターン３の各端部にボ
ンディングパッド４が設けられた構造となっている。そ
して、図６に示すように、ＩＣチップ５の電極（図示せ
ず）に設けられた半田バンプ（図示せず）を配線基板１
のボンディングパッド４上に位置合わせして載置し、次
いで熱圧着によりＩＣチップ５の電極に設けられた半田
バンプを溶融させ、この後この溶融した半田バンプが固
化して配線基板１のボンディングパッド４に固着するこ
とにより、ＩＣチップ５の電極を配線基板１のボンディ
ングパッド４に半田を介して接続し、かくしてＩＣチッ
プ５を配線基板１上に搭載している。
では、例えば図５に示すような配線基板１上にＩＣチッ
プをフリップチップボンディングにより搭載する場合に
ついて説明する。図５に示す配線基板１は、セラミッ
ク、ガラス、樹脂等からなる基板２の上面に銅等の金属
からなる配線パターン３が形成され、点線で示すＩＣチ
ップ搭載エリア内における配線パターン３の各端部にボ
ンディングパッド４が設けられた構造となっている。そ
して、図６に示すように、ＩＣチップ５の電極（図示せ
ず）に設けられた半田バンプ（図示せず）を配線基板１
のボンディングパッド４上に位置合わせして載置し、次
いで熱圧着によりＩＣチップ５の電極に設けられた半田
バンプを溶融させ、この後この溶融した半田バンプが固
化して配線基板１のボンディングパッド４に固着するこ
とにより、ＩＣチップ５の電極を配線基板１のボンディ
ングパッド４に半田を介して接続し、かくしてＩＣチッ
プ５を配線基板１上に搭載している。
【０００３】ところで、このようにしてＩＣチップ５を
配線基板１上に搭載した後、バーンイン（高温動作試
験）等の検査を行い、この検査によってＩＣチップ５が
不良品と判定された場合、この不良品と判定されたＩＣ
チップ５を別のＩＣチップと交換することがある。この
場合、不良品と判定されたＩＣチップ５をその半田を溶
融して配線基板１上から除去し、この除去した部分に別
のＩＣチップを搭載している。
配線基板１上に搭載した後、バーンイン（高温動作試
験）等の検査を行い、この検査によってＩＣチップ５が
不良品と判定された場合、この不良品と判定されたＩＣ
チップ５を別のＩＣチップと交換することがある。この
場合、不良品と判定されたＩＣチップ５をその半田を溶
融して配線基板１上から除去し、この除去した部分に別
のＩＣチップを搭載している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなＩＣチップの実装技術では、不良品と判定さ
れたＩＣチップ５をその半田を溶融して配線基板１上か
ら除去する際、半田が不均一に剥離され、このため図７
に示す配線基板１のボンディングパッド４上の半田６が
不均一に残存し、しかもこの残存した半田６の高さが不
均一となり、このためこの残存した半田６の高さを均一
とするために、半田ごて等で平坦化処理を行う必要があ
り、面倒であるという問題があった。この発明の目的
は、不良品と判定されたＩＣチップを別のＩＣチップと
交換する際、ボンディングパッド上に不均一に残存した
半田の平坦化処理を行う必要がない配線基板を提供する
ことにある。
このようなＩＣチップの実装技術では、不良品と判定さ
れたＩＣチップ５をその半田を溶融して配線基板１上か
ら除去する際、半田が不均一に剥離され、このため図７
に示す配線基板１のボンディングパッド４上の半田６が
不均一に残存し、しかもこの残存した半田６の高さが不
均一となり、このためこの残存した半田６の高さを均一
とするために、半田ごて等で平坦化処理を行う必要があ
り、面倒であるという問題があった。この発明の目的
は、不良品と判定されたＩＣチップを別のＩＣチップと
交換する際、ボンディングパッド上に不均一に残存した
半田の平坦化処理を行う必要がない配線基板を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、フリップチ
ップボンディングによりＩＣチップが搭載される配線基
板であって、搭載される１つのＩＣチップの１組の電極
に対して複数の主ボンディングパッド及び複数の副ボン
ディングパッドが基板上に並列に設けられ、前記主ボン
ディングパッド及び前記副ボンディングパッドは、前記
主ボンディングパッド及び前記副ボンディングパッドよ
り幅狭の配線により互いに接続されているものである。
ップボンディングによりＩＣチップが搭載される配線基
板であって、搭載される１つのＩＣチップの１組の電極
に対して複数の主ボンディングパッド及び複数の副ボン
ディングパッドが基板上に並列に設けられ、前記主ボン
ディングパッド及び前記副ボンディングパッドは、前記
主ボンディングパッド及び前記副ボンディングパッドよ
り幅狭の配線により互いに接続されているものである。
【０００６】
【作用】この発明によれば、一のＩＣチップの１組の電
極を基板上の主ボンディングパッドに半田バンプを介し
て固着した後、この一のＩＣチップを別のＩＣチップと
交換するために基板上から除去したとき、基板上の主ボ
ンディングパッド上に半田が不均一に残存しても、別の
ＩＣチップの１組の電極を基板上の副ボンディングパッ
ドに半田バンプを介して固着すればよく、したがって不
良品と判定されたＩＣチップを別のＩＣチップと交換す
る際、ボンディングパッド上に不均一に残存した半田の
平坦化処理を行う必要がない。
極を基板上の主ボンディングパッドに半田バンプを介し
て固着した後、この一のＩＣチップを別のＩＣチップと
交換するために基板上から除去したとき、基板上の主ボ
ンディングパッド上に半田が不均一に残存しても、別の
ＩＣチップの１組の電極を基板上の副ボンディングパッ
ドに半田バンプを介して固着すればよく、したがって不
良品と判定されたＩＣチップを別のＩＣチップと交換す
る際、ボンディングパッド上に不均一に残存した半田の
平坦化処理を行う必要がない。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の一実施例における配線基板
の要部を示したものである。この配線基板１１はセラミ
ック、ガラス、樹脂等からなる基板１２を備えている。
基板１２の上面には銅等の金属からなる配線パターン１
３ａ、１３ｂが形成されている。そして、この配線基板
１１では、搭載される１つのＩＣチップ（ここでは図示
せず）の１組の電極に設けられた１組の半田バンプに対
して、１組の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂと１
組の副ボンディングパッド１５ａ、１５ｂの合計２組の
ボンディングパッドが基板１２上に並列して設けられて
いる。すなわち、図１の左側における配線パターン１３
ａの各端部およびその途中の各所定の個所にはボンディ
ングパッドが設けられ、このうち各左側のボンディング
パッドは左側の主ボンディングパッド１４ａとされ、各
右側のボンディングパッドは左側の副ボンディングパッ
ド１５ａとされている。また、図１の右側における配線
パターン１３ｂの各端部およびその途中の各所定の個所
にはボンディングパッドが設けられ、このうち各左側の
ボンディングパッドは右側の主ボンディングパッド１４
ｂとされ、各右側のボンディングパッドは右側の副ボン
ディングパッド１５ｂとされている。
の要部を示したものである。この配線基板１１はセラミ
ック、ガラス、樹脂等からなる基板１２を備えている。
基板１２の上面には銅等の金属からなる配線パターン１
３ａ、１３ｂが形成されている。そして、この配線基板
１１では、搭載される１つのＩＣチップ（ここでは図示
せず）の１組の電極に設けられた１組の半田バンプに対
して、１組の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂと１
組の副ボンディングパッド１５ａ、１５ｂの合計２組の
ボンディングパッドが基板１２上に並列して設けられて
いる。すなわち、図１の左側における配線パターン１３
ａの各端部およびその途中の各所定の個所にはボンディ
ングパッドが設けられ、このうち各左側のボンディング
パッドは左側の主ボンディングパッド１４ａとされ、各
右側のボンディングパッドは左側の副ボンディングパッ
ド１５ａとされている。また、図１の右側における配線
パターン１３ｂの各端部およびその途中の各所定の個所
にはボンディングパッドが設けられ、このうち各左側の
ボンディングパッドは右側の主ボンディングパッド１４
ｂとされ、各右側のボンディングパッドは右側の副ボン
ディングパッド１５ｂとされている。
【０００８】さて、このような構造の配線基板１１上に
ＩＣチップを搭載する場合には、図２に示すように、Ｉ
Ｃチップ１６の電極（図示せず）に設けられた半田バン
プ（図示せず）を配線基板１１の主ボンディングパッド
１４ａ、１４ｂ上に位置合わせして載置し、次いで熱圧
着によりＩＣチップ１６の電極に設けられた半田バンプ
を溶融させ、この後この溶融した半田バンプが固化して
配線基板１１の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂに
固着することにより、ＩＣチップ１６の電極を配線基板
１１の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂに半田を介
して接続し、かくしてＩＣチップ１６を配線基板１１上
に搭載する。
ＩＣチップを搭載する場合には、図２に示すように、Ｉ
Ｃチップ１６の電極（図示せず）に設けられた半田バン
プ（図示せず）を配線基板１１の主ボンディングパッド
１４ａ、１４ｂ上に位置合わせして載置し、次いで熱圧
着によりＩＣチップ１６の電極に設けられた半田バンプ
を溶融させ、この後この溶融した半田バンプが固化して
配線基板１１の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂに
固着することにより、ＩＣチップ１６の電極を配線基板
１１の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂに半田を介
して接続し、かくしてＩＣチップ１６を配線基板１１上
に搭載する。
【０００９】次に、このようにしてＩＣチップ１６を配
線基板１１上に搭載した後、バーンイン等の検査を行
い、この検査によってＩＣチップ１６が不良品と判定さ
れ、この不良品と判定されたＩＣチップ１６を別のＩＣ
チップと交換する場合について説明する。この場合に
は、まず、不良品と判定されたＩＣチップ１６をその半
田を溶融して配線基板１１上から除去する。すると、図
３に示すように、配線基板１１の主ボンディングパッド
１４ａ、１４ｂ上に半田１７が不均一に残存するが、こ
の残存した半田１７に対して平坦化処理を行うことな
く、配線基板１１上に別のＩＣチップを搭載する。すな
わち、図４に示すように、別のＩＣチップ１８の電極
（図示せず）に設けられた半田バンプ（図示せず）を配
線基板１１の副ボンディングパッド１５ａ、１５ｂ上に
位置合わせして載置し、次いで熱圧着により別のＩＣチ
ップ１８の電極に設けられた半田バンプを溶融させ、こ
の後この溶融した半田バンプが固化して配線基板１１の
リペフ用ボンディングパッド１５ａ、１５ｂに固着する
ことにより、別のＩＣチップ１８の電極を配線基板１１
の副ボンディングパッド１５ａ、１５ｂに半田を介して
接続し、かくして別のＩＣチップ１８を配線基板１１上
に搭載する。
線基板１１上に搭載した後、バーンイン等の検査を行
い、この検査によってＩＣチップ１６が不良品と判定さ
れ、この不良品と判定されたＩＣチップ１６を別のＩＣ
チップと交換する場合について説明する。この場合に
は、まず、不良品と判定されたＩＣチップ１６をその半
田を溶融して配線基板１１上から除去する。すると、図
３に示すように、配線基板１１の主ボンディングパッド
１４ａ、１４ｂ上に半田１７が不均一に残存するが、こ
の残存した半田１７に対して平坦化処理を行うことな
く、配線基板１１上に別のＩＣチップを搭載する。すな
わち、図４に示すように、別のＩＣチップ１８の電極
（図示せず）に設けられた半田バンプ（図示せず）を配
線基板１１の副ボンディングパッド１５ａ、１５ｂ上に
位置合わせして載置し、次いで熱圧着により別のＩＣチ
ップ１８の電極に設けられた半田バンプを溶融させ、こ
の後この溶融した半田バンプが固化して配線基板１１の
リペフ用ボンディングパッド１５ａ、１５ｂに固着する
ことにより、別のＩＣチップ１８の電極を配線基板１１
の副ボンディングパッド１５ａ、１５ｂに半田を介して
接続し、かくして別のＩＣチップ１８を配線基板１１上
に搭載する。
【００１０】このように、この配線基板１１では、一の
ＩＣチップ１６の１組の電極に設けられた１組の半田バ
ンプを１組の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂに固
着した後、この一のＩＣチップ１６を別のＩＣチップ１
８と交換するために基板１１上から除去したとき、１組
の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂ上に半田１７が
不均一に残存しても、別のＩＣチップ１８の１組の電極
に設けられた１組の半田バンプを１組の副ボンディング
パッド１５ａ、１５ｂに固着することができ、したがっ
て不良品と判定された一のＩＣチップ１６を別のＩＣチ
ップ１８と交換する際、１組の主ボンディングパッド１
４ａ、１４ｂ上に不均一に残存した半田１７の平坦化処
理を行う必要がない。また、主ボンディングパッド１４
ａ、１４ｂの近傍に副ボンディングパッド１５ａ、１５
ｂを設けているので、配線パターン１３ａ、１３ｂの引
き回しやＩＣチップの搭載位置が複雑になることがな
く、したがって実装密度等に不利が生じないようにする
ことができる。なお、１組の副ボンディングパッド１５
ａ、１５ｂのほかに、もう１組副ボンディングパッドを
設けた場合には、別のＩＣチップ１８が不良品と判定さ
れたとき、この不良品と判定された別のＩＣチップ１８
をさらに別のＩＣチップと交換することもできる。
ＩＣチップ１６の１組の電極に設けられた１組の半田バ
ンプを１組の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂに固
着した後、この一のＩＣチップ１６を別のＩＣチップ１
８と交換するために基板１１上から除去したとき、１組
の主ボンディングパッド１４ａ、１４ｂ上に半田１７が
不均一に残存しても、別のＩＣチップ１８の１組の電極
に設けられた１組の半田バンプを１組の副ボンディング
パッド１５ａ、１５ｂに固着することができ、したがっ
て不良品と判定された一のＩＣチップ１６を別のＩＣチ
ップ１８と交換する際、１組の主ボンディングパッド１
４ａ、１４ｂ上に不均一に残存した半田１７の平坦化処
理を行う必要がない。また、主ボンディングパッド１４
ａ、１４ｂの近傍に副ボンディングパッド１５ａ、１５
ｂを設けているので、配線パターン１３ａ、１３ｂの引
き回しやＩＣチップの搭載位置が複雑になることがな
く、したがって実装密度等に不利が生じないようにする
ことができる。なお、１組の副ボンディングパッド１５
ａ、１５ｂのほかに、もう１組副ボンディングパッドを
設けた場合には、別のＩＣチップ１８が不良品と判定さ
れたとき、この不良品と判定された別のＩＣチップ１８
をさらに別のＩＣチップと交換することもできる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、不良品と判定されたＩＣチップを別のＩＣチップと
交換する際、ボンディングパッド上に不均一に残存した
半田の平坦化処理を行う必要がないので、ＩＣチップの
交換作業を簡単化することができる。
ば、不良品と判定されたＩＣチップを別のＩＣチップと
交換する際、ボンディングパッド上に不均一に残存した
半田の平坦化処理を行う必要がないので、ＩＣチップの
交換作業を簡単化することができる。
【図１】この発明の一実施例における配線基板の要部を
示す平面図。
示す平面図。
【図２】この配線基板上にＩＣチップを搭載した状態を
示す平面図。
示す平面図。
【図３】この配線基板上から一度搭載したＩＣチップを
除去した状態を示す平面図。
除去した状態を示す平面図。
【図４】この配線基板上に別のＩＣチップを搭載した状
態を示す平面図。
態を示す平面図。
【図５】従来の配線基板の一例を示す平面図。
【図６】この従来の配線基板上にＩＣチップを搭載した
状態を示す平面図。
状態を示す平面図。
【図７】この従来の配線基板上から一度搭載したＩＣチ
ップを除去した状態を示す平面図。
ップを除去した状態を示す平面図。
１１ 配線基板 １２ 基板 １３ａ、１３ｂ 配線パターン １４ａ、１４ｂ 主ボンディングパッド １５ａ、１５ｂ 副ボンディングパッド
Claims (1)
- 【請求項１】 フリップチップボンディングによりＩＣ
チップが搭載される配線基板であって、搭載される１つ
のＩＣチップの１組の電極に対して複数の主ボンディン
グパッド及び複数の副ボンディングパッドが基板上に並
列に設けられ、前記主ボンディングパッド及び前記副ボ
ンディングパッドは、前記主ボンディングパッド及び前
記副ボンディングパッドより幅狭の配線により互いに接
続されていることを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36053591A JP3163707B2 (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36053591A JP3163707B2 (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183011A JPH05183011A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3163707B2 true JP3163707B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=18469817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36053591A Expired - Fee Related JP3163707B2 (ja) | 1991-12-30 | 1991-12-30 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163707B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2725560B1 (fr) * | 1994-10-06 | 1996-12-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'echange d'un composant hybride par des billes de soudure |
-
1991
- 1991-12-30 JP JP36053591A patent/JP3163707B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05183011A (ja) | 1993-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |