JPH07326619A - 超音波熱圧着装置 - Google Patents

超音波熱圧着装置

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JPH07326619A JP6120986A JP12098694A JPH07326619A JP H07326619 A JPH07326619 A JP H07326619A JP 6120986 A JP6120986 A JP 6120986A JP 12098694 A JP12098694 A JP 12098694A JP H07326619 A JPH07326619 A JP H07326619A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】超音波熱圧着装置に係り、特に半導体チップに
バンプを形成する際に使用される超音波熱圧着装置に関
し、超音波ホーンの膨張を軽減させ、精度良いバンプ接
合を行わせることが出来る超音波熱圧着装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】導電性のワイヤ5を保持するキャピラリ3と、
該キャピラリ3に超音波を伝達する超音波ホーン4と、
該超音波ホーン4を移動させるモータ7とを有し、ヒー
タ1上に載置された半導体チップ2にバンプを形成する
超音波熱圧着装置において、前記超音波ホーン4を冷却
する冷却機構6を設けるよう構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超音波熱圧着装置に係
り、特に半導体チップにバンプを形成する際に使用され
る超音波熱圧着装置に関するものである。
【0002】近年のパーソナル商品の小型化,軽量化に
伴い、高密度実装技術の開発が求められている。このた
め、プリント基板へ半導体チップを直接実装するベアチ
ップ実装が開発されているが,ベアチップ自体の多ピン
化が発展し、ベアチップランドか狭ピッチとなり、その
対応が必要となってきている。そのため、接続精度を向
上させる技術が求められている。
【0003】
【従来の技術】まず、プリント基板に半導体チップをベ
アチップ実装する工程について図3を用いて説明する。
【0004】最初に半導体チップ30がプリント基板と
電気的接続を行うためのバンプ31を形成する。このバ
ンプ31は導電性のワイヤーが内部に通されたキャピラ
リ32を所定の位置に移動させて超音波を伝導させるこ
とで、そのワイヤーの先端にバンプ31を形成しそのバ
ンプ31を半導体チップ30に接合する。
【0005】このバンプ31の高さにバラツキがあるた
め、ガラス平板33に押しつけてレベリングを行い各バ
ンプの高さを揃える。続いて、予めガラス平板35(先
のガラス平板33と同じものであってもよい)上に導電
性接着剤34が薄くスキージングされており、この導電
性接着剤34に各バンプ31を押しつけて付着させる転
写が行われる。
【0006】一方、搭載される半導体チップ30のバン
プ31の数に対応してパッド36か形成されたプリント
基板38上に、スクリーン印刷法により補強用として熱
硬化性の絶縁性接着剤37が塗布される。このプリント
基板38の上方に図示しないボンディングヘッドで吸着
された上記半導体チップ30が移送される。
【0007】そして、プリント基板のパッド36と半導
体チップ30のバンプ31とをアライメントし、ボンデ
ィングヘッドにより加圧,加熱して半導体チップ30を
プリント基板38にフリップチップ接合と実装を同時に
行うものである。
【0008】以上半導体チップの実装工程の中で説明し
たように、半導体チップ接合されるバンプを形成する際
に超音波熱圧着装置が用いられている。この超音波熱圧
着装置にはワイヤーの先端にバンプを形成するために使
用されるキャピラリに超音波を伝達するために超音波ホ
ーンが設けられている。
【0009】一方、バンプを接合されている時の半導体
チップの背面には、そのバンプの付着を良好にするため
にヒータが位置づけされており、よって予備加熱を行い
ながら半導体チップにバンプが接合されるようになって
いる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップにバンプ
を形成する場合にはヒータを用いて予備加熱を行いなが
ら実施していたことと、超音波を伝達する超音波ホーン
が金属体で製造されていたため、ヒータからの放射熱に
より半導体チップをボンディングしながら移動する超音
波ホーンが膨張してしまい、ボンディング作業中に位置
ズレが生じ狭ピッチへのボンディングが困難になる問題
があった。
【0011】つまり、図4を用いて具体的に説明する
と、複数の半導体チップ2a〜2dはヒータ1の上に載
置され、(実際はトレーの上に載置され、そのトレーの
下にヒータが存在している)図中左から右へと流れてい
る。一方、それら半導体チップ2a〜2dにバンプを接
合する超音波ホーン4は逆に図中右から左へと移動して
いる。即ち、1つの半導体チップ2aに所定数のバンプ
を接合した後、次の半導体チップ2bへというふうに移
動する。
【0012】本来、この超音波ホーン4は長さLである
が、ヒータ1からの放射熱によってL+ΔLに膨張す
る。例えば超音波ホーン4の膨張が一点破線で示すもの
であると、半導体チップ2aについては接合対象のパッ
ドのほぼ中心にバンプを接合することができるが、半導
体チップ2dにおいては接合対象のパッドの中心とズレ
た位置にバンプが接合されることとなる。
【0013】従って,本発明は超音波ホーンの膨張を軽
減させ、精度良いバンプ接合を行わせることが出来る超
音波熱圧着装置を提供することを目的とするものであ
る。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的は、導電性のワ
イヤ5を保持するキャピラリ3と、該キャピラリ3に超
音波を伝達する超音波ホーン4と、該超音波ホーン4を
移動させるモータ7とを有し、ヒータ1上に載置された
半導体チップ2にバンプを形成する超音波熱圧着装置に
おいて、前記超音波ホーン4を冷却する冷却機構6を設
けたことを特徴とする超音波熱圧着装置によって、また
は前記冷却機構6に防風板6cを設けたことを特徴とす
る請求項1に記載の超音波熱圧着装置によって達成する
ことができる。
【0015】
【作用】即ち、本発明によれば超音波ホーン自体を冷却
するようにしているため、仮に超音波ホーンがヒータか
らの放射熱によって膨張しようとしても、その膨張を抑
えることができる。よって精度良いバンプ接合を実現す
ることができる。
【0016】
【実施例】以下、本発明の望ましい実施例について図面
を用いて説明する。図1は本発明の実施例を示す図であ
る。
【0017】図2は図1における正面図である。尚、図
1および図2を通じて同一符号を付したものは同一対象
物をそれぞれ示すものである。
【0018】バンプが形成される半導体チップ2はヒー
タ1上に載置され(実際はヒータ1の上に半導体チップ
2は直接載置されず図示しないトレーの上に載置されて
いる)、バンプの接合を良好に行うためにヒータ1より
予備加熱されている。
【0019】一方、バンプを形成する超音波熱圧着装置
は、その先端に導電性のワイヤー5がその内部に収納さ
れたキャピラリ3が接続されており、そのキャピラリ3
を保持すると共に、キャピラリ3の先端にバンプを形成
するための超音波を伝達する超音波ホーン4を有してい
る。またこの超音波ホーンを移動させるためのモータ7
も接続されており、よって超音波熱圧着装置を自由に移
動させることができる。
【0020】ヒータ1が予備加熱を行うことによりその
放射熱が超音波ホーン4を膨張させようとするが、その
超音波ホーン4を空冷にて冷却する冷却機構6を設ける
ことによって、その膨張を抑えることができる。この冷
却機構6は、図示しない冷風供給装置からパイプ6aを
介して冷風が供給され、ノズル6bから超音波ホーン4
に対して冷風が噴射される。その結果、超音波ホーン4
が冷却される。
【0021】冷風を供給することが超音波ホーン4の膨
張を抑えることができるが、超音波ホーン4を冷却した
風がキャピラリ3の方向に移動すると、ワイヤー5が振
動させ、精度良いバンプ形成を行えなくなる恐れがあ
る。
【0022】このため、キャピラリ3方向に冷風が移動
しないように冷却機構6の先端に防風板6cを設けるこ
とが望ましい。この防風板6cの位置関係について図2
を用いて説明すると、冷風を噴射するノズル6bと一部
オーパーラップした状態で防風板6cを半導体チップ2
のバンプ形成面に対して垂直方向に設ける。すると、ノ
ズル6bから噴射された冷風は防風板6cによって直接
キャピラリ3方向およびワイヤー5方向に衝突すること
がなくなり、精度よくバンプを形成することができる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、超
音波ホーンの熱膨張を抑えることができ、狭ピッチベア
チップの接続が行えるので製品の小型化・狭ピッチ化の
向上に効果を奏し、それに伴い製品の小型・軽量化がで
き、パーソナル製品の性能向上に寄与するところが大き
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す図である。
【図2】図1における正面図である。
【図3】半導体チップの実装工程を示す図である。
【図4】課題を示す図である。
【符号の説明】
1 ヒータ, 2 半導体チップ, 3 キャピラリ, 4 超音波ホーン, 5 ワイヤー, 6 冷却機構, 7 モータ,

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 導電性のワイヤ(5)を保持するキャピ
    ラリ(3)と、 該キャピラリ(3)に超音波を伝達する超音波ホーン
    (4)と、 該超音波ホーン(4)を移動させるモータ(7)とを有
    し、 ヒータ(1)上に載置された半導体チップ(2)にバン
    プを形成する超音波熱圧着装置において、 前記超音波ホーン(4)を冷却する冷却機構(6)を設
    けたことを特徴とする超音波熱圧着装置。
  2. 【請求項2】 前記冷却機構(6)に防風板(6c)を
    設けたことを特徴とする請求項1に記載の超音波熱圧着
    装置。
JP6120986A 1994-06-02 1994-06-02 超音波熱圧着装置 Expired - Lifetime JP2986677B2 (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7264146B2 (en) 2003-11-27 2007-09-04 Fujitsu Limited Ultrasonic tool and ultrasonic bonder
US7731504B2 (en) 2005-12-09 2010-06-08 Ibiden Co., Ltd. Printed board with component mounting pin
US7773388B2 (en) 2005-12-09 2010-08-10 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board with component mounting pin and electronic device using the same
US8409461B2 (en) 2005-12-09 2013-04-02 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with component mounting pin
FR3008015A1 (fr) * 2013-07-08 2015-01-09 Besi Switzerland Ag Appareil de distribution et de repartition de brasure sans flux, sur un substrat

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7264146B2 (en) 2003-11-27 2007-09-04 Fujitsu Limited Ultrasonic tool and ultrasonic bonder
US7731504B2 (en) 2005-12-09 2010-06-08 Ibiden Co., Ltd. Printed board with component mounting pin
US7773388B2 (en) 2005-12-09 2010-08-10 Ibiden Co., Ltd. Printed wiring board with component mounting pin and electronic device using the same
US7891089B2 (en) 2005-12-09 2011-02-22 Ibiden Co., Ltd. Printed board with component mounting pin
US8409461B2 (en) 2005-12-09 2013-04-02 Ibiden Co., Ltd. Method of manufacturing printed wiring board with component mounting pin
FR3008015A1 (fr) * 2013-07-08 2015-01-09 Besi Switzerland Ag Appareil de distribution et de repartition de brasure sans flux, sur un substrat
US9889516B2 (en) 2013-07-08 2018-02-13 Besi Switzerland Ag Device for dispensing and distributing flux-free solder on a substrate

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