JP2000124250A - 突起電極形成装置及びその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 突起電極の高さのばらつきを抑えて、接続信
頼性を向上させることができる突起電極形成装置及びそ
の形成方法をを提供すること。 【解決手段】 半導体チップＩＣの電極上に複数の突起
電極ＢＰを形成するためのバンプ形成部２０と、複数の
前記突起電極ＢＰの高さを調節するためのレベリング部
３０を有する突起電極形成装置１００において、前記レ
ベリング部３０には、前記半導体チップＩＣ及び前記突
起電極ＢＰを冷却するための冷却装置３３が配置されて
いる突起電極形成装置１００により、達成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、突起電極形成装置
及びその形成方法の改良、特に、半導体チップに形成さ
れている複数の突起電極における高さのばらつきを小さ
くすることができる突起電極形成装置及びその形成方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、パーソナルデジタルセルラホン、
ＶＣＲ（ｖｉｄｅｏ ｃａｓｓｅｔｔｅ ｒｅｃｏｒｄ
ｅｒ）及び地上波又は衛星放送用のチューナ等の電子機
器においては、信号伝送、信号処理及び信号記録のデジ
タル化が進行するとともに、取り扱われる情報量も増大
し、またシステムクロックも増加する傾向にある。さら
に電気機器においては、セルラ電話、ＩＳＤＮ（Ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄＳｅｒｖｉｃｅｓ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｎ
ｅｔｗｏｒｋ）及びパーソナルコンピュータ（ＰＣ）等
の情報通信（ネットワーク）技術の進展により、様々な
機器に対して高周波ブロックや高速シリアルインターフ
ェイス等が搭載されるようになされている。

【０００３】このようなデジタル化及び信号の高速化と
いったシステムの変化や、ノイズの減少や機器の小型化
の要請により、半導体チップの実装方法としてマルチチ
ップモジュール（ＭＣＭ：Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏ
ｄｕｌｅ）化による実装方法や、フリップチップ実装等
のベアチップ実装方法が用いられている。特にフリップ
チップ実装方法においては、通常、半導体チップの入出
力電極（パッド）上にそれぞれ突起電極（バンプ）を形
成し、当該半導体チップをフェイスダウン法により配線
基板上にはんだ等を介して実装するようになされてい
る。このためフリップチップ実装方法は、パッケージＩ
Ｃ等を用いた実装方法と比較して、低インダクタンス及
び低容量で、かつ配線パスが短く形成されるといった高
速及び高周披特性に優れた特徴を有する。さらに直接ガ
ラスエポキシ基板等へ半導体チップを搭載し得ることか
ら、高密度実装を実現することができる。

【０００４】なお、フリップチップ接続の例としては、
半導体チップの電極上にバンプを形成し、配線基板上に
は金属プリコートを行って接続するフリップチップ法が
ある。具体的には図７に示すように、フリップチップ接
続によるプリント回路基板１において、半導体チップ２
の実装面２Ａに複数のアルミニウム（Ａ１）でなる電極
３が所定パターンで形成され、当該各電極３に対応して
それぞれ金（Ａｕ）等でなるバンプ４が形成されてい
る。またガラスエポキシ樹脂でなる配線基板５の基板面
５Ａには複数のランド６が所定パターンで形成されてい
る。半導体チップ２の実装面２Ａを配線基板５の基板面
５Ａに対向させた後、各バンプ４を当該基板面５Ａに形
成された各ランド６に対応させて位置合わせして、リフ
ローすることにより、半導体チップ２が配線基板５に実
装される。

【０００５】従来、半導体チップ２の各バンプ４は、金
属ワイヤの先端を溶融して形成したボール状の塊を接続
パッド３上に超音波圧着し、当該金属ワイヤを引きちぎ
ることにより形成される。その後、バンプ４上に、銀
（Ａｇ）ペーストなどの導電性ペーストを適量転写した
後、直接配線基板５の基板面５Ａにマウント接続する
（フリップチップ法）。ところで、このように形成され
たバンプ４にはピン状の突起が形成され易いことから、
かかる突起を平垣化（レベリング）させる必要がある。
このため各バンプ４を半導体チップ２に設ける場合に、
当該バンプ４をレベリングする方法として、図８に示す
ようなレベリング装置を用いる方法がある。

【０００６】図８のレベリング装置７は、駆動部８、ホ
ーン９、レベリングツール１０等を有している。駆動部
８の下側部にはホーン９が矢印Ｚ方向に移動可能に設け
られていて、当該ホーン９の下端部にはレベリングツー
ル１０が取り付けられている。レベリングツール１０
は、下側端部がテーパ状でかつ先端がバンプ４の略１個
分に相当する平垣面１０Ａでなる格各円柱状に形成され
ている。当該レベリングツール１０は、配線基板５の基
板面５Ａの各ランド６に対応して接合されたバンプ４に
位置決めされている。

【０００７】ここで、図９にはバンプＢＰをレベリング
する工程を示しており、図９を参照して従来のレベリン
グ工程の一例について説明する。まず、図９（Ａ）に示
すように、レベリングツール１０の下にバンプ４が位置
決めされた後、駆動部８によりレベリングツール１０が
矢印Ｚ１方向に下降移動する。そして、図９（Ｂ）に示
すように、レベリングツール１０の下端に形成された平
坦面１０Ａをバンプ４に接触させ、圧力を加える。この
結果、レベリングツール１０の平垣面１０Ａにバンプ４
のピン状の突起部４Ａが圧接され、突起部４Ａに平坦部
が形成される。最後に、駆動部によりレベリングツール
１０が矢印Ｚ２方向に移動する。この作業が半導体チッ
プ２に形成されている複数のバンプ４に対して行われる
ことで、バンプ４の高さを所定の高さに設定することが
できる。

【０００８】図１０には、従来の別のレベリングツール
１１を用いて、レベリング工程を行っている工程図を示
している。なお、図１０のレベリング工程において図９
のレベリング工程とほぼ同一の構造を有するものは、同
じ符号を付して、その説明を省略する。図１０におい
て、レベリングツール１１の先端部には平面部１１ａが
形成されていて、平面部１１ａは複数のバンプ４に圧力
を加えることができる。これにより、レベリング工程が
効率よく行われる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、バンプ４が
形成される際、半導体チップ２が高温になるように、ス
テージの温度がたとえば２００℃〜３００℃に加熱され
ていて、バンプ４はバンプ材料が溶解されている状態で
半導体チップ２に圧着される。このため、バンプ４が形
成された直後において、半導体チップ２を保持している
ステージ及びバンプ４は高温の状態になっている。一
方、この半導体チップ２にバンプ４を形成した後、すぐ
にレベリング工程が行われるため、半導体チップ２及び
バンプ４は高温のままレベリングされることになる。

【００１０】しかし、半導体チップ２及びバンプ４が高
温の状態でレベリング工程を行うと、半導体チップ２及
びバンプ４の熱により、ステージ及びレベリングツール
１０の温度が作業するに従って高くなる。よって、レベ
リング工程において複数のバンプ４毎で処理する温度条
件が異なってしまい、レベリングツール１０が同一の圧
力でレベリング工程を行っても、複数のバンプ４ごとに
よってその高さにばらつきが生じてしまうという問題が
ある。

【００１１】そこで本発明は上記課題を解消し、突起電
極の高さのばらつきを抑えて、接続信頼性を向上させる
ことができる突起電極形成装置及びその形成方法を提供
することを目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明によれば、半導体チップの電極上に複数の突起電極
を形成するための突起電極形成部と、複数の前記突起電
極の高さを調節するためのレベリング部を有する突起電
極形成装置において、前記レベリング部には、前記半導
体チップ及び前記突起電極を冷却するための冷却装置が
配置されている突起電極形成装置により、達成される。

【００１３】請求項１の構成によれば、レベリング部に
は冷却装置が配置されていて、冷却装置は半導体チップ
及び突起電極を冷却する。そして、突起電極の高さを調
節する際、冷却装置が半導体チップ及び突起電極を冷却
する。これにより、突起電極の高さを調整する際に、複
数の突起電極ごとの処理温度条件がほぼ等しくなり、各
突起電極の高さのばらつきが小さく抑えられる。

【００１４】請求項２の発明によれば、請求項１の構成
において、前記レベリング部は、前記半導体チップを保
持するレベリングステージと、前記半導体チップに形成
されている前記突起電極に圧力を加えて高さを調節する
レベリングツールとを有しており、前記冷却装置は、前
記レベリングステージ及び前記レベリングツールを冷却
することにより、前記半導体チップ及び前記突起電極を
冷却する突起電極形成装置により、達成される。請求項
２の構成によれば、突起電極に接触するレベリングツー
ルと、半導体チップを保持しているレベリングステージ
とを冷却することで、突起電極の高さを調整する際に、
複数の突起電極ごとの処理温度条件がほぼ等しくなり、
各突起電極の高さのばらつきが小さく抑えられる。

【００１５】請求項３の発明によれば、請求項１の構成
において、前記冷却装置は、前記半導体チップに対して
空気を送り、前記半導体チップ及び前記突起電極を冷却
する突起電極形成装置により、達成される。請求項３の
構成によれば、冷却装置が半導体チップに対して空気を
送り、半導体チップ及び突起電極の温度を低くする。こ
れにより、突起電極の高さを調整する際に、複数の突起
電極ごとの処理温度条件がほぼ等しくなり、各突起電極
の高さのばらつきが小さく抑えられる。

【００１６】請求項４の発明によれば、半導体チップの
電極に対して複数の突起電極を形成し、複数の前記突起
電極の高さを調整する突起形成方法において、複数の前
記突起電極の高さを調整する際には、前記突起電極を冷
却しながら高さ調整を行う突起形成方法により、達成さ
れる。請求項４の構成によれば、突起電極の高さを調整
する際に、複数の突起電極ごとの処理温度条件がほぼ等
しくなり、各突起電極の高さのばらつきが小さく抑えら
れる。

【００１７】請求項５の発明によれば、請求項４の構成
において、前記突起電極の高さを調整する際には、前記
突起電極に略３秒乃至７秒間圧力を加える突起形成方法
により、達成される。請求項５の構成によれば、半導体
チップ及び突起電極を冷却しながら、略３秒乃至７秒間
圧力を加える。これにより、複数の突起電極ごとの処理
温度条件がほぼ等しくなり、各突起電極の高さのばらつ
きが小さく抑えられる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明
の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨
の記載がない限り、これらの形態に限られるものではな
い。

【００１９】図１は本発明のバンプ形成装置の好ましい
実施の形態を示す斜視図であり、図１を参照してバンプ
形成装置１００について詳しく説明する。図１のバンプ
形成装置１００は、基台１０１、バンプ形成部２０、レ
ベリング部３０等を有している。バンプ形成部２０は、
半導体チップＩＣ上にバンプＢＰを形成するものであ
り、レベリング部３０は形成されたバンプＢＰの高さを
調整するものである。バンプ形成部２０及びレベリング
部３０は基台１０１の上に配置されている。

【００２０】まず、図１を参照してバンプ形成部２０に
ついて詳しく説明する。バンプ形成部２０は、バンプス
テージ部２１、超音波発生装置２２、ホーン２３、キャ
ピラリ２４、放電装置２５、トーチ２６、バンプ材料供
給部２９等から構成されている。バンプステージ部２１
は基台１０１の上に矢印ＸＹ方向に移動可能に配置され
ている。バンプステージ部２１には図示しないヒータが
内蔵されていて、ヒータは温度調節器２７によりその温
度が制御されている。また、バンプステージ部２１には
通気孔２１ａが設けられていて、この通気孔２１ａは真
空発生装置２８と接続されている。この通気孔２１ａの
上に半導体チップＩＣが配置された後、真空発生装置２
８の作動により半導体チップＩＣが保持される。

【００２１】超音波発生装置２２は基台１０１の上に配
置されていて、ホーン２３を介してキャピラリ２４と接
続されている。超音波発生装置２２から発生した超音波
は、ホーン２３により超音波振動子の振幅が拡大され、
キャピラリ２４に伝達される。キャピラリ２４はバンプ
材料供給部２９からバンプ材料からなる線材Ｗ１を引き
出すものであり、このバンプ材料は、たとえば金、金と
はんだとパラジウムの合金等の金を含んだ合金、銅等か
らなっている。キャピラリ２４付近にはトーチ２６が配
置されていて、トーチ２６は放電装置２５と接続されて
いる。トーチ２６はキャピラリ２４の先端に突出した線
材Ｗ１を放電装置２５からの放電エネルギーによって溶
解しボール上の塊Ｗ２を形成させる。

【００２２】図２はレベリング部３０を示す模式図であ
り、図１と図２を参照してレベリング部３０について詳
しく説明する。図１と図２のレベリング部３０はレベリ
ングステージ部３１、レベリングツール３２、冷却装置
３３等を有している。レベリングステージ部３１は、矢
印ＸＹ方向に移動可能に設けられていて、通気孔３１ａ
が形成されている。通気孔３１ａは真空発生装置３４と
接続されていて、通気孔３１ａの上に半導体チップＩＣ
が配置された後、真空発生装置３４の作動により半導体
チップＩＣが保持される。レベリングステージ部３１は
冷却装置３３と接続されていて、冷却装置３３により冷
却される。

【００２３】図２のレベリングツール３２は、下端部が
テーパ状に形成されていて、その先端部には平坦面が形
成されている。この平坦面にはたとえばバンプＢＰの大
きさとほぼ同一の面積を有しており、その表面には、た
とえば複数のダイヤモンド粒子が蒸着されている。ま
た、レベリングツール３２は冷却装置３３と接続されて
いて、冷却装置３３により冷却される。ここで冷却装置
３３は、たとえばレベリングステージ部３１及びレベリ
ングツール３２内に冷却水を循環させて、レベリングス
テージ部３１及びレベリングツール３２の熱を奪うこと
により冷却する。レベリングステージ部３１及びレベリ
ングツール３２を冷却することにより、後述するバンプ
ＢＰの高さを調整する際に、複数のバンプごとの処理温
度条件がほぼ等しくなり、各バンプの高さのばらつきが
小さく抑えられる。

【００２４】図３と図４は本発明のバンプ形成方法の好
ましい実施の形態を示す工程図であり、図１乃至図４を
参照してバンプ形成方法について詳しく説明する。ま
ず、図１のバンプステージ部２１に半導体チップＩＣが
配置されて、真空発生装置２８の作動により保持され
る。その後、図示しない撮像素子が半導体チップＩＣに
形成されているアライメントマークを認識する。そし
て、撮像素子が取り込んだ画像データに基づいて、半導
体チップＩＣにおけるバンプＢＰを形成する部位がキャ
ピラリ２４の下側にくるように、バンプステージ２１が
矢印ＸＹ方向に移動する。

【００２５】その後、キャピラリ２４がバンプ材料供給
部２９から所定の長さの線材Ｗ１を引き出す。そして、
放電装置２５が作動しトーチ２６からの放電エネルギー
により、図３（Ａ）に示すように、線材Ｗ１からボール
状の塊Ｗ２が形成される。次に、図３（Ｂ）に示すよう
に、キャピラリ２４が矢印Ｚ１方向に移動して、金ボー
ルが半導体チップＩＣの電極に接着される。具体的に
は、超音波装置２２の作動により、超音波加熱しながら
キャピラリ２４が矢印Ｚ１方向に移動してボール状の塊
Ｗ２を半導体チップＩＣに圧着する。そして、図３
（Ｃ）に示すように、キャピラリ２４が矢印Ｚ２方向に
移動し、ボール状の塊Ｗ２が線材Ｗ１から切断され、バ
ンプＢＰが電極上に形成される。図３（Ａ）〜図３
（Ｃ）の作業を繰り返し行い、半導体チップＩＣの実装
面に対して所定のパターンで複数のバンプＢＰが形成さ
れる。

【００２６】次に、図４を参照して、形成されたバンプ
ＢＰを平坦化（レベリング）する工程について詳しく説
明する。まず、複数のバンプＢＰが形成された半導体チ
ップＩＣが図示しない移載部によりレベリングステージ
部３１に載せられる。そして、真空発生装置３４の作動
により半導体チップＩＣが保持された状態で、図４
（Ａ）に示すように、所定のバンプＢＰがレベリングツ
ール３２の下側に位置決めされる。次に、図４（Ｂ）に
示すように、駆動部３５の作動によりレベリングツール
３２が矢印Ｚ１方向に移動する。すると、バンプＢＰの
突起部ＢＰ１が押されて、バンプＢＰの上面に平坦面Ｂ
Ｐ２が形成される。このとき、レベリングツール３２は
バンプＢＰをたとえば３秒〜７秒間圧力を加え続ける。
これにより、後述するように、各バンプＢＰの高さのば
らつきを抑えることができる。

【００２７】その後、駆動部３５の作動により、レベリ
ングツール３２が矢印Ｚ２方向に移動する。この図４
（Ａ）〜図４（Ｃ）の作業が半導体チップＩＣに形成さ
れている複数のバンプＢＰに対して繰り返し行われる。
これにより、複数のバンプＢＰが所定の高さに形成さ
れ、バンプＢＰの高さにばらつきが生じることを防止
し、半導体チップＩＣの実装精度を向上させることがで
きる。

【００２８】このレベリング工程が行われる際、図１の
冷却装置３３はレベリングステージ３１及びレベリング
ツール３２を冷却している。これにより、レベリング工
程において、レベリングステージ３１に載せられている
半導体チップＩＣ及びバンプＢＰの温度を下げることが
でき、バンプＢＰの高さのばらつきを抑えることができ
る。図６（Ａ）はバンプＢＰの温度と高さのばらつき
（標準偏差）の関係を示すグラフ図であるが、図６
（Ａ）において、温度が低いとき、ばらつきが最も小さ
くなっていることがわかる。これは、以下の理由によ
る。

【００２９】バンプ形成工程において、形成されたバン
プＢＰ及び半導体チップＩＣの温度はたとえば２００℃
〜３００℃の高温の状態になっている。そして、バンプ
形成工程が終了した半導体チップＩＣは、すぐにレベリ
ング工程に移されるため、レベリング工程における半導
体チップＩＣの温度も高温の状態を保っている。この状
態でレベリング工程を行うと、レベリングステージ３１
及びレベリングツール３２の温度も作業するに従って温
度が高くなる。従って、複数のバンプＢＰ毎でレベリン
グステージ３１及びレベリングツール３２の温度が異な
るものとなり、レベリング工程処理におけるバンプＢＰ
の温度条件が異なるものとなる。よって、レベリングツ
ール３２が同一の圧力でレベリング工程を行っても、バ
ンプＢＰ毎によってその高さが異なってしまう場合があ
る。これを防止するため、レベリングステージ３１及び
レベリングツール３２に冷却装置３３を接続して、複数
のバンプＢＰにおいて同一の条件でレベリングを行う。
すると、複数のバンプＢＰごとのレベリング工程におけ
る温度条件の差が小さくなり、各バンプＢＰの高さのば
らつきを小さくすることができる。

【００３０】また、図６（Ｂ）は、図４（Ｂ）のレベリ
ングツール３２がバンプＢＰに圧力を加える時間（レベ
リング時間）と標準偏差の関係を示すグラフ図である。
図６（Ｂ）において、レベリングツール３２が、たとえ
ば３秒〜７秒にすることで、バンプＢＰの高さのばらつ
きを抑えることができるがわかる。さらに、図６（Ｃ）
は、図４（Ｂ）のレベリングツール３２がバンプＢＰに
圧力を加える圧力と標準偏差の関係を示すグラフ図であ
る。図６（Ｃ）において、レベリングツール３２がバン
プＢＰに加える圧力がたとえば６ＭＰａであるとき、バ
ンプＢＰの高さのばらつきが抑えられている。また、圧
力が６ＭＰａより大きければ、さらにばらつきを抑える
ことも可能である。

【００３１】図５は本発明の突起電極形成装置における
レベリング部の別の実施の形態を示すシステム図であ
り、図５を参照してレベリング部１３０について詳しく
説明する。なお、図５のレベリング部１３０が図２のレ
ベリング部３０と同一の構成を有する場合には同一の符
号を付してその説明を省略する。図５のレベリング部１
３０が図１のレベリングツール３０と異なる点は、冷却
装置１３３の構造である。冷却装置１３３はエア発生器
１３３ａ、１３３ｂからなっており、エア発生器１３３
ａ、１３３ｂはそれぞれノズルを介して半導体チップＩ
Ｃ及びバンプＢＰの表面に冷却された空気を送り込む。
これにより、バンプＢＰ及び半導体チップＩＣ及びバン
プＢＰが冷却されて、高さのばらつきの少ないバンプＢ
Ｐを形成することができる。

【００３２】上記各実施の形態のよれば、バンプＢＰを
形成時にレベリングする際、レベリング装置３０に温度
を低くする冷却装置３３をつけることにより高さばらつ
きを抑えることができる。また、冷却装置３３はレベリ
ングステージ部３１とレベリングツール３２に水又は空
気等を用いることにより高さばらつきを抑えることがで
きる。さらに、レベリング時間を３秒〜７秒にする事に
より、高さばらつきを抑えることができる。

【００３３】本発明は、上記実施の形態には限定されな
い。たとえば、図２の冷却装置３３としてペルチェ素子
を用いてもよい。この場合、このペルチェ素子がレベリ
ングステージ部３１及びレベリングツール３２内に内蔵
されて、レベリングステージ部３１及びレベリングツー
ル３２を冷却するようになる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
突起電極の高さのばらつきを抑えて、接続信頼性を向上
させることができる突起電極形成装置及びその形成方法
をを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の突起電極形成装置の好ましい実施の形
態を示す概略斜視図。

【図２】本発明の突起電極形成装置におけるレベリング
部を示すシステム図。

【図３】本発明の突起電極形成方法における突起電極形
成工程を示す図。

【図４】本発明の突起電極形成方法における平坦加工工
程を示す図。

【図５】本発明の突起電極形成装置の別の実施の形態を
示すシステム図。

【図６】本発明の突起電極形成装置における突起電極の
高さのばらつきを示すグラフ図。

【図７】従来の半導体チップと基板を示す模式図。

【図８】従来の突起電極形成装置におけるレベリング部
の一例を示すシステム図。

【図９】従来の突起電極形成方法の一例を示す工程図。

【図１０】従来の別の突起電極形成方法の一例を示す工
程図。

【符号の説明】

１００・・・突起電極形成装置、２０・・・突起電極形
成部、３０・・・レベリング部、３３・・・冷却装置、
ＢＰ・・・バンプ、ＩＣ・・・半導体チップ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１１年２月４日（１９９９．２．４）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１９】図１は本発明の突起電極形成装置の好まし
い実施の形態を示す斜視図であり、図１を参照して突起
電極形成装置１００について詳しく説明する。図１の突
起電極形成装置１００は、基台１０１、突起電極形成部
であるバンプ形成部２０、レベリング部３０等を有して
いる。バンプ形成部２０は、半導体チップＩＣ上にバン
プＢＰを形成するものであり、レベリング部３０は形成
されたバンプＢＰの高さを調整するものである。バンプ
形成部２０及びレベリング部３０は基台１０１の上に配
置されている。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２０】まず、図１を参照してバンプ形成部２０に
ついて詳しく説明する。バンプ形成部２０は、バンプス
テージ部２１、超音波発生装置２２、ホーン２３、キャ
ピラリ２４、放電装置２５、トーチ２６、バンプ材料供
給部２９等から構成されている。バンプステージ部２１
は基台１０１の上に矢印ＸＹ方向に移動可能に配置され
ている。バンプステージ部２１には図示しないヒータが
内蔵されていて、ヒータは温度調整器２７によりその温
度が制御されている。また、バンプステージ部２１には
通気孔２１ａが設けられていて、この通気孔２１ａは真
空発生装置２８と接続されている。この通気孔２１ａの
上に半導体チップＩＣが配置された後、真空発生装置２
８の作動により半導体チップＩＣが保持される。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３１】図５は本発明の突起電極形成装置における
レベリング部の別の実施の形態を示すシステム図であ
り、図５を参照してレベリング部１３０について詳しく
説明する。なお、図５のレベリング部１３０が図２のレ
ベリング部３０と同一の構成を有する場合には同一の符
号を付してその説明を省略する。図５のレベリング部１
３０が図１のレベリングツール３２と異なる点は、冷却
装置１３３の構造である。冷却装置１３３はエア発生器
１３３ａ、１３３ｂからなっており、エア発生器１３３
ａ、１３３ｂはそれぞれノズルを介して半導体チップＩ
Ｃ及びバンプＢＰの表面に冷却された空気を送り込む。
これにより、バンプＢＰ及び半導体チップＩＣ及びバン
プＢＰが冷却されて、高さのばらつきの少ないバンプＢ
Ｐを形成することができる。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】符号の説明

【補正方法】変更

【補正内容】

【符号の説明】 １００・・・突起電極形成装置、２０・・・バンプ形成
部（突起電極形成部）、３０・・・レベリング部、３３
・・・冷却装置、ＢＰ・・・バンプ、ＩＣ・・・半導体
チップ。

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップの電極上に複数の突起電極
   を形成するための突起電極形成部と、複数の前記突起電
   極の高さをそろえるためのレベリング部を有する突起電
   極形成装置において、 前記レベリング部には、前記半導体チップ及び前記突起
   電極を冷却するための冷却装置が配置されていることを
   特徴とする突起電極形成装置。
2. 【請求項２】 前記レベリング部は、前記半導体チップ
   を保持するレベリングステージと、前記半導体チップに
   形成されている前記突起電極に圧力を加えて高さを調節
   するレベリングツールとを有しており、前記冷却装置
   は、前記レベリングステージ及び前記レベリングツール
   を冷却することにより、前記半導体チップ及び前記突起
   電極を冷却する請求項１に記載の突起電極形成装置。
3. 【請求項３】 前記冷却装置は、前記半導体チップの表
   面に対して空気を送り、前記半導体チップ及び前記突起
   電極を冷却する請求項１に記載の突起電極形成装置。
4. 【請求項４】 半導体チップの電極に対して複数の突起
   電極を形成し、複数の前記突起電極の高さを調整する突
   起形成方法において、 複数の前記突起電極の高さを調整する際には、前記突起
   電極を冷却しながら高さ調整を行うことを特徴とする突
   起形成方法。
5. 【請求項５】 前記突起電極の高さを調整する際には、
   前記突起電極に略３秒乃至７秒間圧力を加える請求項４
   に記載の突起形成方法。