JPH0513309A - Ｘ線露光マスク及びｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光マスク及びｘ線露光方法Info
- Publication number
- JPH0513309A JPH0513309A JP3167005A JP16700591A JPH0513309A JP H0513309 A JPH0513309 A JP H0513309A JP 3167005 A JP3167005 A JP 3167005A JP 16700591 A JP16700591 A JP 16700591A JP H0513309 A JPH0513309 A JP H0513309A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- absorber
- mask
- cobalt
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工し易く、且つ大面積の微細な回路パター
ンを半導体基板などの被加工物に転写する。 【構成】 Ｘ線マスクの吸収体を、従来用いられている
タングステン、タンタル、金などに代えて、コバルト、
ニッケル、銅またはこれらの合金とする。また、このマ
スクを用い、波長１０〜１５オングストロームのＸ線で
露光する。
ンを半導体基板などの被加工物に転写する。 【構成】 Ｘ線マスクの吸収体を、従来用いられている
タングステン、タンタル、金などに代えて、コバルト、
ニッケル、銅またはこれらの合金とする。また、このマ
スクを用い、波長１０〜１５オングストロームのＸ線で
露光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路パターンを半導体
基板などの被加工物上に転写するＸ線露光に使用するの
に好適なＸ線露光用マスク及び、そのマスクを用いたＸ
線露光方法に関する。
基板などの被加工物上に転写するＸ線露光に使用するの
に好適なＸ線露光用マスク及び、そのマスクを用いたＸ
線露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光の原理は、図２に示すように、
マスクパターンが描かれたＸ線マスク２７を通してＸ線
２１を被加工物２６上に照射し、Ｘ線レジスト２５にマ
スクパターンを転写するものである。
マスクパターンが描かれたＸ線マスク２７を通してＸ線
２１を被加工物２６上に照射し、Ｘ線レジスト２５にマ
スクパターンを転写するものである。
【０００３】Ｘ線マスク２７は、Ｘ線が透過し易い窒化
ケイ素、炭化ケイ素、ケイ素などの材料からなるＸ線透
過膜２２上に、Ｘ線を吸収し易い重金属からなるＸ線吸
収体パターン２３を形成した構造となっている。従来、
吸収体の材料としては、金、タングステン、タンタルな
どが用いられてきた。また、Ｘ線露光に使用する７〜１
０オングストロームの波長のＸ線に対して十分な遮蔽効
果を得るため、０．５〜０．８μｍの吸収体膜厚が必要
である。
ケイ素、炭化ケイ素、ケイ素などの材料からなるＸ線透
過膜２２上に、Ｘ線を吸収し易い重金属からなるＸ線吸
収体パターン２３を形成した構造となっている。従来、
吸収体の材料としては、金、タングステン、タンタルな
どが用いられてきた。また、Ｘ線露光に使用する７〜１
０オングストロームの波長のＸ線に対して十分な遮蔽効
果を得るため、０．５〜０．８μｍの吸収体膜厚が必要
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線マスクで
は、膜厚が０．５〜０．８μｍと厚いため、微細なパタ
ーンの形成が難しいという問題を有している。例えば、
次々世代の超ＬＳＩメモリ素子である２５６メガビット
ダイナミックＲＡＭの最小線幅にあたる０．２５μｍの
パターンを形成する場合、線幅の２倍以上の高さをもつ
パターンが必要となる。
は、膜厚が０．５〜０．８μｍと厚いため、微細なパタ
ーンの形成が難しいという問題を有している。例えば、
次々世代の超ＬＳＩメモリ素子である２５６メガビット
ダイナミックＲＡＭの最小線幅にあたる０．２５μｍの
パターンを形成する場合、線幅の２倍以上の高さをもつ
パターンが必要となる。
【０００５】また、従来のＸ線マスクに用いられている
金、タングステン、タンタルは、希少な元素であるた
め、高価である。
金、タングステン、タンタルは、希少な元素であるた
め、高価である。
【０００６】本発明の目的は、このような従来の欠点を
除去し、微細パターンの形成が容易で安価なＸ線マスク
及びＸ線露光方法を提供することである。
除去し、微細パターンの形成が容易で安価なＸ線マスク
及びＸ線露光方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によるＸ線露光マスクにおいては、Ｘ線透過
膜及びＸ線吸収体を有するＸ線露光マスクであって、Ｘ
線透過膜は、Ｘ線吸収体によるパターンを形成するもの
であり、Ｘ線吸収体は、コバルト、ニッケルまたは銅、
あるいはこれらの合金であるものである。
め、本発明によるＸ線露光マスクにおいては、Ｘ線透過
膜及びＸ線吸収体を有するＸ線露光マスクであって、Ｘ
線透過膜は、Ｘ線吸収体によるパターンを形成するもの
であり、Ｘ線吸収体は、コバルト、ニッケルまたは銅、
あるいはこれらの合金であるものである。
【０００８】また、本発明のＸ線露光方法においては、
コバルト、ニッケルまたは銅、あるいはこれらの合金を
吸収体とするＸ線マスクを用い、波長１０〜１５オング
ストロームのＸ線によって露光するものである。
コバルト、ニッケルまたは銅、あるいはこれらの合金を
吸収体とするＸ線マスクを用い、波長１０〜１５オング
ストロームのＸ線によって露光するものである。
【０００９】
【作用】吸収体膜厚の薄膜化が可能なため、微細加工が
容易となる。
容易となる。
【００１０】また、地殻中に豊富に存在し、一般に広く
利用されているコバルト、ニッケルまたは銅を用いるた
め、従来のＸ線マスクに比べ、入手が容易であり、安価
である。
利用されているコバルト、ニッケルまたは銅を用いるた
め、従来のＸ線マスクに比べ、入手が容易であり、安価
である。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１２】図１は、本発明に係るＸ線マスクの実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【００１３】本発明においては、吸収体１にコバルト、
ニッケル、銅またはこれらの合金を用いたものであり、
Ｘ線透過膜２及び支持枠３上に設置して使用する点、お
よび露光の要領は、図１に示すように従来のＸ線マスク
と同一である。
ニッケル、銅またはこれらの合金を用いたものであり、
Ｘ線透過膜２及び支持枠３上に設置して使用する点、お
よび露光の要領は、図１に示すように従来のＸ線マスク
と同一である。
【００１４】コバルト、ニッケルおよび銅は、密度が約
９ｇ／ｃｍ3であり、従来用いられている吸収体材料と
比較すると約半分であるが、Ｌ吸収端が１３〜１６オン
グストロームにあるため、１０〜１５オングストローム
の波長のＸ線に対し、大きな吸収を示す。波長１２．２
５オングストロームのＸ線に対するＸ線の線吸収係数お
よびマスクコントラストを１０とするのに必要な膜厚、
即ち入射Ｘ線の９０％を吸収するのに必要な膜厚を、表
１に示す。
９ｇ／ｃｍ3であり、従来用いられている吸収体材料と
比較すると約半分であるが、Ｌ吸収端が１３〜１６オン
グストロームにあるため、１０〜１５オングストローム
の波長のＸ線に対し、大きな吸収を示す。波長１２．２
５オングストロームのＸ線に対するＸ線の線吸収係数お
よびマスクコントラストを１０とするのに必要な膜厚、
即ち入射Ｘ線の９０％を吸収するのに必要な膜厚を、表
１に示す。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１から明かなように、コバルト、ニッケ
ルおよび銅は、タンタル及びタングステンに比較して、
Ｘ線の吸収が大きく、膜厚を薄くすることが可能であ
り、微細加工が容易である。金と比較すると、吸収係数
は同等であるが、金より反応性が大きいため、ドライエ
ッチングが可能であるため、微細加工が容易である。
ルおよび銅は、タンタル及びタングステンに比較して、
Ｘ線の吸収が大きく、膜厚を薄くすることが可能であ
り、微細加工が容易である。金と比較すると、吸収係数
は同等であるが、金より反応性が大きいため、ドライエ
ッチングが可能であるため、微細加工が容易である。
【００１７】また、コバルト、ニッケルおよび銅は、タ
ンタル及びタングステンの十倍以上、金の千倍以上地殻
中に存在するため、はるかに安価にＸ線マスクを製造す
ることができる。
ンタル及びタングステンの十倍以上、金の千倍以上地殻
中に存在するため、はるかに安価にＸ線マスクを製造す
ることができる。
【００１８】本発明の露光方法は、以上示した本発明の
Ｘ線マスクを用い、波長を従来の５〜１０オングストロ
ームから１０〜１５オングストロームに代えることによ
って容易に実現できる。
Ｘ線マスクを用い、波長を従来の５〜１０オングストロ
ームから１０〜１５オングストロームに代えることによ
って容易に実現できる。
【００１９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
吸収体の薄膜化が可能であり、ドライエッチングによる
微細加工が可能であり、しかも入手が容易で安価である
という、顕著な特徴をもつＸ線マスクおよびＸ線露光方
法を提供できる。
吸収体の薄膜化が可能であり、ドライエッチングによる
微細加工が可能であり、しかも入手が容易で安価である
という、顕著な特徴をもつＸ線マスクおよびＸ線露光方
法を提供できる。
【図１】本発明のＸ線マスクの一実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】Ｘ線露光の原理を示す模式図である。
１ コバルト、ニッケルまたは銅からなるＸ線吸収体
２ Ｘ線透過膜
３ 支持枠
２１ Ｘ線
２２ Ｘ線透過膜
２５ Ｘ線レジスト
２６ 被加工物
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線透過膜及びＸ線吸収体を有するＸ線
露光マスクであって、 Ｘ線透過膜は、Ｘ線吸収体によるパターンを形成するも
のであり、 Ｘ線吸収体は、コバルト、ニッケルまたは銅、あるいは
これらの合金であることを特徴とするＸ線露光マスク。 - 【請求項２】 コバルト、ニッケルまたは銅、あるいは
これらの合金を吸収体とするＸ線マスクを用い、波長１
０〜１５オングストロームのＸ線によって露光すること
を特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167005A JPH0513309A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | Ｘ線露光マスク及びｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3167005A JPH0513309A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | Ｘ線露光マスク及びｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513309A true JPH0513309A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15841616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3167005A Pending JPH0513309A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | Ｘ線露光マスク及びｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513309A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366639B1 (en) | 1998-06-23 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray mask, method of manufacturing the same, and X-ray exposure method |
| EP1193553A2 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure apparatus, x-ray mask, semiconductor device and microstructure |
| JP2003302753A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP3167005A patent/JPH0513309A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366639B1 (en) | 1998-06-23 | 2002-04-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray mask, method of manufacturing the same, and X-ray exposure method |
| EP1193553A2 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure apparatus, x-ray mask, semiconductor device and microstructure |
| EP1193553A3 (en) * | 2000-09-27 | 2004-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure apparatus, x-ray mask, semiconductor device and microstructure |
| JP2003302753A (ja) * | 2002-04-11 | 2003-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
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