JPH05121600A - モノリシツク集積回路 - Google Patents
モノリシツク集積回路Info
- Publication number
- JPH05121600A JPH05121600A JP27942891A JP27942891A JPH05121600A JP H05121600 A JPH05121600 A JP H05121600A JP 27942891 A JP27942891 A JP 27942891A JP 27942891 A JP27942891 A JP 27942891A JP H05121600 A JPH05121600 A JP H05121600A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- monolithic integrated
- integrated circuit
- semiconductor chip
- heat generating
- generating body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明のモノリシック集積回路は、半導体チッ
プの上に、モノリシック集積素子の本来の動作機能２と
は関係なく、発熱体３をそれぞれ独立して、外部導出リ
ード６に引き出している。 【効果】本発明のモノリシック集積回路では、発熱体を
モノリシック集積素子とは独立して外部導出リードに引
き出しているため、発熱体により、半導体チップまたは
樹脂を常に一定温度以上にあたためることができ、外気
からの水分又は湿気の浸入を完全にしゃ断し、耐湿性の
問題は皆無となる。
プの上に、モノリシック集積素子の本来の動作機能２と
は関係なく、発熱体３をそれぞれ独立して、外部導出リ
ード６に引き出している。 【効果】本発明のモノリシック集積回路では、発熱体を
モノリシック集積素子とは独立して外部導出リードに引
き出しているため、発熱体により、半導体チップまたは
樹脂を常に一定温度以上にあたためることができ、外気
からの水分又は湿気の浸入を完全にしゃ断し、耐湿性の
問題は皆無となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モノリシック集積回路
に関し、特に民生分野などで広く使用される樹脂封止さ
れたモノリシック集積回路に関する。
に関し、特に民生分野などで広く使用される樹脂封止さ
れたモノリシック集積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のモノリシック集積回路を図３の上
面透視図および図４の断面図に示す。半導体基板上にト
ランジスタ，ダイオード等を回路構成して集積した半導
体チップ１１をフレーム４に接着し、半導体チップ１１
上の外部引き出し部のボンディングパッドと外部導出リ
ード６とを金属細線のボンディングワイヤ５により結線
して、これらを樹脂７等により樹脂封止してなってい
る。
面透視図および図４の断面図に示す。半導体基板上にト
ランジスタ，ダイオード等を回路構成して集積した半導
体チップ１１をフレーム４に接着し、半導体チップ１１
上の外部引き出し部のボンディングパッドと外部導出リ
ード６とを金属細線のボンディングワイヤ５により結線
して、これらを樹脂７等により樹脂封止してなってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来、この種のモノリ
シック集積回路では樹脂により封止しているために、水
分や湿度に対する耐湿性が悪いという問題点があった。
特に樹脂と外部導出リードの密着性が良くない場合、又
は、半導体素子のパッシベーション（表面保護膜）が良
くない場合など特に問題である。そうでなくても樹脂は
必らず水分を吸湿するためモノリシック集積回路の実装
時の際の熱ストレスにより樹脂とリードに必らずスキ間
ができることからその部分からの水分浸入、もしくな半
導体素子を完全なパッシベーション膜でおおったとして
もボンディングパッド部は必らず開口しなくてはなら
ず、その部分の腐食等、従来のモノリシック集積回路で
は耐湿性の問題はさけなれない。
シック集積回路では樹脂により封止しているために、水
分や湿度に対する耐湿性が悪いという問題点があった。
特に樹脂と外部導出リードの密着性が良くない場合、又
は、半導体素子のパッシベーション（表面保護膜）が良
くない場合など特に問題である。そうでなくても樹脂は
必らず水分を吸湿するためモノリシック集積回路の実装
時の際の熱ストレスにより樹脂とリードに必らずスキ間
ができることからその部分からの水分浸入、もしくな半
導体素子を完全なパッシベーション膜でおおったとして
もボンディングパッド部は必らず開口しなくてはなら
ず、その部分の腐食等、従来のモノリシック集積回路で
は耐湿性の問題はさけなれない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、トランジス
タ，ダイオード等を同一基板上に回路構成してなるモノ
リシック集積回路において、その基板上にモノリシック
集積回路のもつ動作機能とは関係ない発熱体を有し、そ
の発熱体をモノリシック集積素子とともに外部導出リー
ドに引き出していることを特徴とする。
タ，ダイオード等を同一基板上に回路構成してなるモノ
リシック集積回路において、その基板上にモノリシック
集積回路のもつ動作機能とは関係ない発熱体を有し、そ
の発熱体をモノリシック集積素子とともに外部導出リー
ドに引き出していることを特徴とする。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のモノリシック集積回路の
上面からの透視図である。図２はその断面図である。半
導体基板上にトランジスタ，ダイオード等を回路構成し
てモノリシック集積した半導体チップ１上にそのモノリ
シック集積素子のもつ動作機能２とは関係なく独立して
発熱体３を形成する。発熱体３は抵抗であっても良い
し、トランジスタ等接合を利用して発熱するものでも構
わない。従って、形成方法はモノリシック集積素子を形
成する抵抗トランジスタと同時につくりこむことができ
る。
る。図１は本発明の一実施例のモノリシック集積回路の
上面からの透視図である。図２はその断面図である。半
導体基板上にトランジスタ，ダイオード等を回路構成し
てモノリシック集積した半導体チップ１上にそのモノリ
シック集積素子のもつ動作機能２とは関係なく独立して
発熱体３を形成する。発熱体３は抵抗であっても良い
し、トランジスタ等接合を利用して発熱するものでも構
わない。従って、形成方法はモノリシック集積素子を形
成する抵抗トランジスタと同時につくりこむことができ
る。
【０００６】このようにして形成した半導体チップ１を
フレーム４に接着し、ボンディングワイヤ５にて外部導
出リード６に結線する。この時、半導体チップ１上のモ
ノリシック集積素子の動作機能２と発熱体３はそれぞれ
独立して、外部導出リード６に引き出す。この状態でエ
ポキシ樹脂７等により封止さて完成する。
フレーム４に接着し、ボンディングワイヤ５にて外部導
出リード６に結線する。この時、半導体チップ１上のモ
ノリシック集積素子の動作機能２と発熱体３はそれぞれ
独立して、外部導出リード６に引き出す。この状態でエ
ポキシ樹脂７等により封止さて完成する。
【０００７】このように構成したモノリシック集積回路
では、発熱体３に電圧を印加して発熱させることによ
り、半導体チップ１または樹脂７をあたため外気からの
水分や湿気をしゃ断することができる。
では、発熱体３に電圧を印加して発熱させることによ
り、半導体チップ１または樹脂７をあたため外気からの
水分や湿気をしゃ断することができる。
【０００８】使用例の１つとして、モノリシック集積素
子が本来の動作機能部が動作している状態では、そのモ
ノリシック集積素子自身で発熱があるので、半導体チッ
プ、又は樹脂が自然とあたたまり湿度の影響は受けな
い。耐湿性の問題はモノリシック集積素子が動作してい
ない場合に起こることが多く、従って、モノリシック集
積素子自身が動作している状態では発熱体に電圧印加せ
ず、モノリシック集積回路が動作していない場合に発熱
体電圧印加する。こうすることによって半導体チップま
たは樹脂は常に一定温度以上に保たれ、外気からの水分
や湿気の浸入をしゃ断する。また、モノリシック集積素
子が動作していない場合に発熱体が動作するためモノリ
シック集積回路としての消費電力は増加しない。
子が本来の動作機能部が動作している状態では、そのモ
ノリシック集積素子自身で発熱があるので、半導体チッ
プ、又は樹脂が自然とあたたまり湿度の影響は受けな
い。耐湿性の問題はモノリシック集積素子が動作してい
ない場合に起こることが多く、従って、モノリシック集
積素子自身が動作している状態では発熱体に電圧印加せ
ず、モノリシック集積回路が動作していない場合に発熱
体電圧印加する。こうすることによって半導体チップま
たは樹脂は常に一定温度以上に保たれ、外気からの水分
や湿気の浸入をしゃ断する。また、モノリシック集積素
子が動作していない場合に発熱体が動作するためモノリ
シック集積回路としての消費電力は増加しない。
【０００９】一方小信号，低消費電圧のモノリシック集
積素子の場合素子自身の自然発熱が少ないため、モノリ
シック集積素子の動作に関係なく発熱体に電圧を印加し
動作させて、発熱体により半導体チップまたは樹脂を常
に一定温度にしてもよい。また、発熱体への電圧印加量
を変えることにより発熱体の温度コントロールも可能で
あるので、モノリシック集積回路の使用上耐湿性のきび
しい環境、あるいはそうでない環境状態にあわせた対応
例が可能となり用途範囲は非常に広い。
積素子の場合素子自身の自然発熱が少ないため、モノリ
シック集積素子の動作に関係なく発熱体に電圧を印加し
動作させて、発熱体により半導体チップまたは樹脂を常
に一定温度にしてもよい。また、発熱体への電圧印加量
を変えることにより発熱体の温度コントロールも可能で
あるので、モノリシック集積回路の使用上耐湿性のきび
しい環境、あるいはそうでない環境状態にあわせた対応
例が可能となり用途範囲は非常に広い。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、モノリシ
ック集積素子の動作機能とは関係ない発熱体を有しそれ
ぞれ独立に外部導出リードに引き出したことによりモノ
リシック集積回路を常に一定温度に保つことが可能であ
るため耐湿性の問題を皆無にすることができる。
ック集積素子の動作機能とは関係ない発熱体を有しそれ
ぞれ独立に外部導出リードに引き出したことによりモノ
リシック集積回路を常に一定温度に保つことが可能であ
るため耐湿性の問題を皆無にすることができる。
【図１】本発明のモノリシック集積回路の一実施例の上
面透視図である。
面透視図である。
【図２】図１のモノリシック集積回路の断面図である。
【図３】従来のモノリシック集積回路の上面透視図であ
る。
る。
【図４】図３に示す従来のモノリシック集積回路の断面
図である。
図である。
１ 半導体チップ ２ モノリシック集積素子の機能動作領域 ３ 発熱体 ４ フレーム ５ ボンディングワイヤ ６ 外部導出リード ７ エポキシ樹脂 １１ 従来の半導体チップ
Claims (1)
- 【請求項１】 トランジスタ，ダイオード等を同一基板
上に回路構成してなるモノリシック集積回路において、
前記基板上に前記モノリシック集積素子のもつ動作機能
とは関係ない発熱体を有し該発熱体をモノリシック集積
素子とともに外部導出リードに引き出したことを特徴と
するモノリシック集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27942891A JPH05121600A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | モノリシツク集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27942891A JPH05121600A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | モノリシツク集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121600A true JPH05121600A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17610939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27942891A Pending JPH05121600A (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | モノリシツク集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121600A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102730726A (zh) * | 2012-07-02 | 2012-10-17 | 泰山医学院 | 一种利用酯化反应水热法制备勃姆石粉体的方法及装置 |
| US20130126508A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Extending Radiation Tolerance By Localized Temperature Annealing Of Semiconductor Devices |
-
1991
- 1991-10-25 JP JP27942891A patent/JPH05121600A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130126508A1 (en) * | 2011-11-17 | 2013-05-23 | Texas Instruments Incorporated | Extending Radiation Tolerance By Localized Temperature Annealing Of Semiconductor Devices |
| CN102730726A (zh) * | 2012-07-02 | 2012-10-17 | 泰山医学院 | 一种利用酯化反应水热法制备勃姆石粉体的方法及装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6426484B1 (en) | Circuit and method for heating an adhesive to package or rework a semiconductor die | |
| US6339210B1 (en) | Circuit and method for heating an adhesive to package or rework a semiconductor die | |
| EP0429282A2 (en) | Thermal protection circuit for a power semiconductor switch | |
| JPH06140451A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR980006153A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH05121600A (ja) | モノリシツク集積回路 | |
| JP2804146B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
| KR960002775A (ko) | 수지-봉합(resin-sealed) 반도체 소자 | |
| JP3311953B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0357248A (ja) | テープキャリア方式による樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH046860A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01282846A (ja) | 混成集積回路 | |
| JP2563171Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06101493B2 (ja) | プラスチツクチツプキヤリア | |
| JPS61207037A (ja) | Ｉｃパツケ−ジ | |
| JPH0536861A (ja) | 半導体デバイス | |
| KR930003333A (ko) | 반도체 디바이스 | |
| JPS5915504Y2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2524967Y2 (ja) | ワイヤボンデイング実装体 | |
| JPH05152614A (ja) | 温度を一定にした半導体集積回路装置及びそのパツケージ | |
| JPH09129812A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0794617A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2752950B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6223674B2 (ja) | ||
| KR960002764A (ko) | 캐패시터를 구비한 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990601 |