JPH0511841B2

JPH0511841B2 -

Info

Publication number: JPH0511841B2
Application number: JP61098211A
Authority: JP
Inventors: Shinji Sekya
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 1985-04-04
Filing date: 1986-04-30
Publication date: 1993-02-16
Also published as: JPS61232874A; JPS6254101A

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、対象物と作動要素との相対的移動量
における、温度変化に起因する誤差が低減された
精密装置に関する。

〈従来の技術〉例えば、半導体デバイスの製造においては、当
業者には周知の如く、略円板状の半導体ウエーハ
の表面が格子状に配列された切断ライン（かかる
切断ラインは一般にストリートと称される）によ
つて複数個の矩形領域に区画され、かかる矩形領
域の各々に所要回路パターンが施される。次い
で、上記切断ラインに沿つてウエーハが切断さ
れ、かくして回路パターンが施されている複数個
の矩形領域が個々に分離される（個々に分離され
た矩形領域は一般にチツプと称されている）。か
ようなウエーハの切断は、一般に、ダイサー又は
ダイシング装置と称される精密切断装置によつて
遂行される。上記切断ラインの幅は極めて狭く、
一般に、数十μm又はそれ以下である。従つて、
精密切断装置によるウエーハの切断は極めて精密
に遂行することが必要であり、許容誤差は、一般
に、数μm又はそれ以下である。

上記精密切断装置は、ウエーハ保持手段と、ダ
イヤモンド砥粒から形成された回転切断刃の如き
切断具を支持する支持手段とを具備している。ウ
エーハ保持手段上に保持されたウエーハにおける
複数本の切断ラインに切断具を順次に位置合せす
る所謂割出は、上記支持手段と上記保持手段との
一方を駆動源の作動によつて所定方向に移動せし
めることによつて遂行される。駆動源の制御、従
つて上記支持手段と上記保持手段との一方の移動
制御は、上記支持手段と上記保持手段との一方の
移動量の検出に基いて遂行される。移動量の検出
には、多数の被検出線を有するスケール及びこの
スケールの被検出線を検出するための検出器を有
する検出手段が使用されている。

〈発明が解決しようとする課題〉而して、本発明者の経験によれば、従来の精密
切断装置においては、切断作業を比較的長時間、
例えば８時間乃至それ以上、に渡つて連続的に遂
行すると、上記割出における誤差が漸次増大し、
許容誤差を越えてしまうという問題がある。

本発明はかかる事実に鑑みてなされたものであ
り、その技術的課題は、上記精密切断装置の如き
精密装置にして、高価な温度制御システムを組み
込む必要なくして、充分に安定して許容誤差範囲
内で比較的長時間に渡つて連続的に所要機能を遂
行することができる新規且つ優れた精密装置を提
供することである。

〈課題を解決するための手段〉本発明者は、従来の精密切断装置における上記
問題について種々の点から検討を加えた結果、次
の事実を見出した。

当初、割出における上記誤差は、装置の連続作
動による発熱によつて装置の構造部材が熱膨張す
ることに主として起因するものであると考えてい
た。しかしながら、構造部材の熱膨張も勿論上記
割出に誤差を生成せしめるが、構造部材の熱膨張
に起因する誤差は比較的小さく、割出における上
記誤差は、主として検出手段のスケールの熱膨張
に起因することが判明した。

検出手段のスケールについて更に言及すると、
従来は、熱膨張に起因する誤差の生成を低減せし
めるためには、構造部材の線膨張係数と実質上同
一乃至これに近似した線膨張係数を有する材料か
らスケールを形成することが重要であると考えら
れていた。構造部材の大部分は一般に鉄又はその
類似物から形成されており、従つて鉄又はその類
似物の線膨張係数と実質上同一又はこれに近似す
る線膨張係数を有する材料、典型例としては−20
乃至100℃の温度範囲における線膨張係数が約８
×10^-6／℃であるソーダ亜鉛ガラス、からスケー
ルを形成していた。

上述した如く、割出における上記誤差は主とし
て検出手段のスケールの熱膨張に起因するという
事実に鑑み、本発明者は、冷却水の循環によつて
スケールの温度を所要温度（例えば20℃）に制御
することを試みたところ、割出における上記誤差
を相当低減せしめることができた。しかしなが
ら、冷却水の循環の如き温度制御システムを検出
手段に組み込むと、必然的に検出手段の製造コス
ト及び運転コストが相当上昇する。加えて、スケ
ールの温度を所定温度に制御することは、実験的
には可能であるが、実際上は不可能ではないにし
ても著しく困難である。

上記事実に基づき、更に鋭意研究及び実験を遂
行した結果、本発明者は、驚くべきことに、従来
の技術常識を打破して、線膨張係数が著しく小さ
い材料からスケールを形成し、そしてかかるスケ
ールを弾性部材を介して所定位置に固定すれば、
割出における上記誤差を著しく低減せしめること
ができることを見出した。スケールを形成する材
料の線膨張係数が小さい程、割出における上記誤
差を小さくせしめることができるが、一般に−20
乃至100℃の温度範囲における線膨張係数の絶対
値が10×10^-7／℃以下の材料からスケールを形成
すれば、実用上上記目的を達成することができ
る。

かくして、本発明によれば、上記課題を解決す
る精密装置として、対象物を保持するための保持
手段と、作動要素を支持する支持手段と、検出手
段とを具備し、該保持手段と該支持手段との少な
くとも一方は所定方向に移動自在であり、該検出
手段は、多数の被検出線を有するスケール及び該
スケールの該被検出線を検出するための検出器を
含み、該保持手段と該支持手段との該一方の該所
定方向への移動量を検出する精密装置において、該検出手段の該スケールは、−20乃至100℃の温
度範囲における線膨張係数の絶対値が10×10^-7／
℃以下の材料から形成され、且つ弾性部材を介し
て所定位置に固定されている、ことを特徴とする
精密装置が提供される。

スケールを形成する好ましい材料としては、例
えば、日本電気硝子株式会社から商品名「ネオセ
ラムGC−７・Ｎ−０」として販売されている結
晶化ガラス（−20乃至100℃における線膨張係数
約0.6×10^-7／℃）、同社から商品名「ネオセラム
GC−２・Ｎ−０」として販売されている結晶化
ガラス（−20乃至100℃における線膨張係数−３
×10^-7乃至−５×10^-7／℃）、同社から商品名
「ネオセラムGC−２・Ｎ−11」として販売されて
いる結晶化ガラス（−20乃至100℃における線膨
張係数８×10^-7乃至10×10^-7／℃）、西独国の
Jena Glaswerk Schott＆Gen社から商品名
「ZERODUR」として販売されている結晶化ガラ
ス（−20乃至100℃における線膨張係数0.5×10^-7
乃至５×10^-7／℃）、石英ガラス（−20乃至100℃
における線膨張係数約5.5×10^-7／℃）或いは一
般に96％シリカガラスと称されている重量割合で
96％以上が珪酸である高珪酸ガラス（−20乃至
100℃における線膨張係数約８×10^-7／℃）等の
特殊ガラスを挙げることができる。

〈発明の好適具体例〉以下、本発明に従つて構成された精密装置の一
具体例、即ち本発明の原理が適用された精密切断
装置の一例について、添付図面を参照して詳細に
説明する。

第１図を参照して説明すると、図示の精密切断
装置は静止主基台２を具備している。この主基台
２上には、全体を番号４で示す支持手段が装着さ
れている。支持手段４は、可動支持基台６、可動
副支持基台８及び支持部材１０を含んでいる。支
持基台６は、水平部１２及び鉛直部１４を有し、
上記主基台２上に第１図において左右方向に且つ
実質上水平に移動自在に装着されている。更に詳
しくは、上記主基台２の上壁には第１図において
左右方向に実質上水平に延びる１本（又は複数
本）の案内レール１６が固定されており、支持基
台６の水平部１２が案内レール１６に沿つて滑動
自在に装着されている。上記主基台２の上壁上に
は、水平方向駆動手段１８も装着されている。こ
の駆動手段１８は、第１図において左右方向に且
つ実質上水平に延在する雄ねじロツド２０と、パ
ルスモータでよい駆動源２２とを含んでいる。雄
ねじロツド２０の左端は上記主基台２の上壁上に
固定された軸受ブロツク２４に回転自在に軸支さ
れており、右端は上記主基台２の上壁上に装着さ
れた駆動源２２の出力軸に減速機構２６を介して
接続されている。支持基台６の水平部１２内には
ブロツク２７が固定されており、このブロツク２
７には第１図において左右方向に実質上水平に延
びる貫通雌ねじ穴（図示していない）が形成され
ており、上記雄ねじロツド２０の中間部はかかる
雌ねじ穴に螺合されている。従つて、駆動源２２
が作動せしめられて雄ねじロツド２０が回転せし
められると、支持基台６が案内レール１６に沿つ
て第１図において左右方向に且つ実質上水平に移
動せしめられる。

略矩形状のブロツクでよい副支持基台８は、上
記支持基台６の鉛直部１４上に実質上鉛直に昇降
動自在に装着されている。更に詳しくは、上記支
持基台６の鉛直部１４の左側壁上には実質上鉛直
に延びる１本（又は複数本）の案内レール２８が
固定されており、かかる案内レール２８に沿つて
滑動自在に副支持基台８が装着されている。上記
支持基台６の鉛直部１４の左側壁上には、鉛直方
向駆動手段３０も装着されている。この駆動手段
３０は実質上鉛直に延在する雄ねじロツド３２と
パルスモータでよい駆動源３４とを含んでいる。
雄ねじロツド３２の下端は上記支持基台６の鉛直
部１４の左側壁上に固定された軸受ブロツク３６
に回転自在に軸支されており、上端は上記支持基
台６の鉛直部１４の左側壁上に装着された上記駆
動源３４の出力軸に減速機構３８を介して接続さ
れている。副支持基台８には鉛直に延びる貫通雌
ねじ穴（図示していない）が形成されており、上
記雄ねじロツド３２の中間部はかかる雌ねじ穴に
螺合されている。従つて、駆動源３４が作動せし
められて雄ねじロツド３２が回転せしめられる
と、副支持基台８が案内レール２８に沿つて実質
上鉛直に昇降動せしめられる。

上記支持部材１０は、円筒形状であり、上記副
支持基台８の左側壁上に溶接又はボルト止め等に
よつて固着された右端から第１図において左方へ
実質上水平に突出延在している。かかる支持部材
１０の自由端即ち左端には、軸受部材４０が固定
されている。そして、この軸受部材４０には、回
転軸４２が回転自在に且つ軸受部材４０に対して
相対的に第１図において左右方向に移動し得ない
ように装着されている。更に詳しくは、第１図に
おいて左右方向に且つ実質上水平に延在する回転
軸４２には環状フランジ４４が形成されており、
一方軸受部材４０には上記環状フランジ４４に対
応した形状の環状凹部４６が形成されており、上
記環状フランジ４４が上記環状凹部４６内に収容
されることによつて、軸受部材４０に対して回転
軸４２が第１図において左右方向に移動すること
が阻止されている。上記軸受部材４０としては、
精密軸受として当業者には周知の空気軸受が好都
合に使用され得る。回転軸４２の左端部は軸受部
材４０を越えて突出しており、その先端には実質
上鉛直に配置された薄円板形状の切断ブレード４
８が固定されている。かかる切断ブレード４８
は、ダイヤモンド砥粒の如き超砥粒を含有するそ
れ自体は周知の形態のものでよい。回転軸４２の
上記環状フランジ４４よりも右方の部分は上記支
持部材１０内を延在している。上記支持部材１０
内には電動モータでよい駆動源５０が装着されて
おり、回転軸４２の右端は駆動源５０の出力軸に
連結されている。

図示の精密切断装置においては、静止主基台２
に対する可動支持基台６の第１図において左右方
向の移動量、従つて切断ブレード４８の第１図に
おいて左右方向の移動量を検出するための全体を
番号５２で示す第１の検出手段、及び可動支持基
台６に対する可動副支持基台８の昇降動量、従つ
て切断ブレード４８の昇降動量を検出するための
全体を番号５４で示す第２の検出手段が配設され
ている。第１の検出手段５２について説明する
と、主基台２の底壁上には、一対の取付ブラケツ
ト５６によつて、第１図において左右方向に且つ
実質上水平に延在するリニアスケール５８が配設
されている。リニアスケール５８の両端は合成ゴ
ムの如き適宜の弾性部材６０を介して上記取付ブ
ラケツト５６に固定されている。かように弾性部
材６０を介してリニアスケール５８を所定位置に
固定すると、後に記載する実施例からも首肯され
る通り、主基台２の底壁或いは取付ブラケツト５
６が温度変化に起因して熱膨張又は収縮したとし
ても、かかる熱膨張又は収縮によつてリニアスケ
ール５８が許容し得ない悪影響を受けることが充
分に回避される（その理論的理由は必ずしも明白
ではないが、主基台２の底壁或いは取付ブラケツ
ト５６の熱膨張又は収縮が弾性部材６０によつて
吸収され、また弾性部材６０による主基台２の底
壁或いは取付ブラケツト５６の熱膨張又は収縮の
吸収はリニアスケールの両端において実質上同一
であり、それ故にリニアスケール全体が変位して
しまうこともないからである、と推定される）。
リニアスケール５８自体は、−20乃至100℃の温度
範囲における線膨張係数の絶対値が10×10^-7／℃
以下の材料、好ましくは上述した特殊ガラス、か
ら形成されていることが重要である。リニアスケ
ール５８には、例えば1μmの間隔で配設され幅が
1μmである多数の被検出線が形成されている。リ
ニアスケール５８を上記特殊ガラスから形成する
場合、それ自体は周知の蒸着及びエツチング法に
よつてクロム等の金属を特殊ガラス上に施すこと
によつて被検出線を形成することができる（この
場合、エツチングに使用される所謂露光マスク
も、上記特殊ガラスから形成することが好都合で
ある）。一方、上記支持基台６の水平部１２には、
上記主基台２の上壁に形成され第１図において左
右方向に延びる細長い開口を通つて下方に突出す
る垂下片６２が固定されており、そしてかかる垂
下片６２には、上記リニアスケール５８の被検出
線を検出する光電式検出器６４が装着されてい
る。それ自体は周知の形態でよい光電式検出器６
４は、上記リニアスケール５８の被検出線の検出
に応じてパルス信号を生成、従つて支持基台６が
案内レール１６に沿つて例えば1μm移動する毎に
パルス信号を生成する。光電式検出器６４が生成
するパルス信号は、駆動源２２の作動制御、従つ
て支持基台６の移動制御に使用される。第２の検
出手段５４も、上記第１の検出手段５２と同様な
構成でよい。上記支持基台６の鉛直部１４の右側
壁内面上には、一対の取付ブラケツト６６によつ
て、実質上鉛直に延在するリニアスケール６８が
配設されている。上述した第１の検出手段５２の
場合と同様に、リニアスケール６８の両端は弾性
部材７０を介して上記取付ブラケツト６６に固定
されている。リニアスケール６８自体は、−20乃
至100℃の温度範囲における線膨張係数の絶対値
が10×10^-7／℃以下の材料、好ましくは上述した
特殊ガラス、から形成されていることが重要であ
る。リニアスケール６８には、例えば1μmの間隔
で配設され幅が1μmである多数の被検出線が形成
されている。一方、上記副支持基台８には、上記
支持基台６の鉛直部１４の左側壁に形成され鉛直
に延びる細長い開口を通つて右方へ突出する突出
片７２が固定されており、かかる突出片７２に
は、上記リニアスケール６８の被検出線を検出す
る光電式検出器７４が装着されている。上述した
第１の検出手段５２における光電式検出器６４と
同様に、光電式検出器７４は、上記リニアスケー
ル６８の被検出線の検出に応じてパルス信号を生
成、従つて副支持基台８が新内レール２８に沿つ
て例えば1μm上昇又は下降する毎にパルス信号を
生成する。光電式検出器７４が生成するパルス信
号は、駆動源３４の作動制御、従つて副支持基台
８の昇降動制御に使用される。

図示の精密切断装置は、更に、全体を番号７６
で示す保持手段を具備している。この保持手段７
６は、滑動台７８及び吸着チヤツク８０を含んで
いる。滑動台７８は第１図において紙面に実質上
垂直な方向に移動自在に上記主基台２上に装着さ
れている。更に詳しくは、主基台２上には第１図
において紙面に実質上垂直な方向に延びる２本の
案内レール８２が固定されており、滑動台７８は
かかる案内レール８２に沿つて滑動自在に装着さ
れている。主基台２上には、滑動台駆動手段８４
も装着されている。かかる駆動手段８４は、主基
台２上に回転自在に装着され且つ第１図において
紙面に実質上垂直な方向に延在する雄ねじロツド
（図示していない）と、パルスモータでよい駆動
源８６とを含んでいる。滑動台７８には第１図に
おいて紙面に実質上垂直な方向に延びる貫通雌ね
じ穴が形成されているブロツク（図示していな
い）が固定され、上記雄ねじロツドの中間部が上
記雌ねじ穴に螺合されている。上記駆動源８６の
出力軸は減速機構（図示していない）を介して上
記雄ねじロツドに接続されている。かくして、駆
動源８６が作動せしめられて雄ねじロツドが回転
せしめられると、滑動台７８が案内レール８２に
沿つて移動せしめられる。上記吸着チヤツク８０
は、実質上鉛直に延びる中心軸線を中心として回
転自在に滑動台７８に装着されている。そして、
滑動台７８には、吸着チヤツク８０を回転せしめ
るための、パルスモータでよい駆動源８８も装着
されている。吸着チヤツク８０自体は、その実質
上水平な上面に開口した複数個の吸引溝を有し或
いは上面の少なくとも一部が多孔質材料から形成
され、真空源（図示していない）に選択的に連通
せしめられてその上面に載置された半導体ウエー
ハＷの如き被加工物を吸着保持することができる
形態のものであるのが好都合である。図示の精密
切断装置は、更に、上述した種々の駆動源２２，
３４，５０，８６、及び８８の作動を制御するた
めの、マイクロプロセツサでよい制御手段９０
（第２図）を具備している。

上述した通りの精密切断装置の作用を、半導体
ウエーハＷの切断を例として説明すると、次の通
りである。

第３図に図示する通り、ウエーハＷの表面に
は、格子状に配列された複数本の切断ライン、即
ち所定間隔Pxを置いて相互に平行に延びる複数
本の第１の組の切断ラインCLxと所定間隔Pyを
置いて相互に平行に延びる複数本の第２の組の切
断ラインCLyとが配設されている。第１の組の切
断ラインCLxと第２の組の切断ラインCLyとは相
互に垂直である。上記切断ラインCLx及びCLyに
よつて区画された複数個の矩形領域RAの各々に
は所要の回路パターンが施されている。第３図と
共に第１図を参照して説明を続けると、上述した
通りの切断すべきウエーハＷは、適宜の装着機構
（図示していない）によつて保持手段７６の吸着
チヤツク８０上に載置され、吸着チヤツク８０上
に吸着保持される。次いで、初期位置付けが遂行
される。この初期位置付けにおいては、ウエーハ
Ｗの表面に存在する第１の組の切断ラインCLxと
第２の組の切断ラインCLyとのいずれか一方、例
えば第１の組の切断ラインCLxが第１図において
紙面に垂直な方向に延び、そしてまたかかる第１
の組の切断ラインCLxのうちの１本（例えば最も
外側に位置する切断ライン）の第１図において左
右方向の位置が切断ブレード４８の第１図におい
て左右方向の位置に充分精密に整合せしめる。か
ような初期位置付けは、それ自体は公知の光学的
検出装置（図示していない）によつて切断ブレー
ド４８に関するウエーハＷの表面に存在する切断
ラインCLx及びCLyの位置を検出し、かかる検出
に基いて制御手段９０によつて、駆動源８８を作
動せしめて吸着チヤツク８０を所要角度回転せし
め、そしてまた駆動源２２を作動せしめて、支持
手段４の支持基台６、従つて切断ブレード４８を
第１図において、左右方向に所定量移動せしめる
ことによつて遂行することができる。支持基台６
の左右方向の移動量は、第１の検出手段５２によ
つて検出されて制御手段９０に供給され、かくし
て支持基台６の移動は充分精密に遂行される。所
望ならば、吸着チヤツク８０の回転量を検出する
ための検出手段（図示していない）を設けること
もできる。かかる検出手段は、滑動台７８に固定
された角度スケールと吸着チヤツク８０に固定さ
れた光電式検出器から構成することができる。上
述した第１及び第２の検出手段５２及び５４にお
けるリニアスケール５８及び６８と同様に、−20
乃至100℃の温度範囲における線膨張係数が10×
10^-7／℃以下である材料から形成することができ
る角度スケールには、例えば0.1度の間隔を置い
て配設され0.1度の幅を有する多数の被検出線が
形成され、検出器はかかる被検出線の検出に応じ
てパルス信号、従つて吸着チヤツク８０が0.1度
回転する毎にパルス信号を生成し、かかるパルス
信号を制御手段９０に供給する。

上記初期位置付けの後に、駆動源３４が作動せ
しめられて支持手段４の副支持基台８、従つて切
断ブレード４８を所定作用位置まで加工せしめら
れる。副支持基台８の昇降動量は、第２の検出手
段５４によつて検出され、かくして副支持基台８
の昇降動は充分精密に遂行される。次いで、駆動
源５０が作動せしめられて回転軸４２、従つて切
断ブレード４８が、例えば第１図において左方か
ら見て反時計方向に回転せしめられる。そしてま
た、駆動源８６が作動せしめられて保持手段７６
の滑動台７８、従つて吸着チヤツク８０及びこれ
に吸着保持されたウエーハＷが、第１図において
紙面に垂直な方向に後方へ往動される。かくし
て、回転せしめられている切断ブレード４８がウ
エーハＷに作用して第１の組の切断ラインCLxの
うちの１本に沿つて切断する。かかる切断が終了
すると、駆動源８６が停止せしめられて滑動台７
８の移動が停止せしめられる。次いで、駆動源３
４が作動せしめられて支持手段４の副支持基台８
が所定位置まで上昇せしめられ、かくして切断ブ
レード４８がウエーハＷに干渉しない非作用位置
まで上昇せしめられる。しかる後に、駆動源８６
が作動されて滑動台７８、従つて吸着チヤツク８
０及びこれに吸着保持されたウエーハＷが、第１
図において紙面に垂直な方向に前方へ、当初の位
置まで復動される。そしてまた、駆動源２２が作
動せしめられて支持手段４の支持基台６、従つて
切断ブレード４８が第１の組の切断ライCLxの間
隔Px（又はその整数倍）だけ第１図において左右
方向に所謂割出送りされる。上記間隔Px及びPy
の値は、予め制御手段９０に供給して、制御手段
９０に内蔵されている記憶手段９２（第２図）に
記憶しておくことができる。しかる後に、上述し
た通りの切断工程を再び遂行し、第１の組の切断
ラインCLxの次の１本に沿つてウエーハＷを切断
する。

上述した通りにして第１の組の切断ラインCLx
の全てに沿つてウエーハＷを切断し終ると、駆動
源８８が作動せしめられて吸着チヤツク８０及び
これに吸着保持されたウエーハＷが90度回転せし
められ、かくしてウエーハＷの表面に存在する第
２の組の切断ラインCLyが第１図において紙面に
垂直な方向に延びるようにせしめられる。また、
駆動源２２が作動せしめられて支持基台６、従つ
て切断ブレード４８が第１図において左右方向に
所定量移動せしめられ、かくして第２の組の切断
ラインCLyのうちの１本の第１図において左右方
向の位置が切断ブレード４８の第１図において左
右方向の位置に整合せしめられる。しかる後に、
第１の組の切断ラインCLxの場合と同様にして、
第２の組の切断ラインCLyに沿つてウエーハＷが
切断される。

〈実施例〉第１図に図示する通りの精密切断装置を使用
し、次の通りにしてシリコンウエーハの切断を遂
行した。

(1) 支持部材１０の熱膨張に起因する割出におけ
る誤差の生成を低減せしめることを目的とし
て、駆動源５０を作動せしめて回転軸４２及び
これに装着された切断ブレード４８を回転せし
める所謂アイドルリング運転を連続して３時間
遂行した。

(2) 次いで、上述した通りの様式によつてシリコ
ンウエーハＷの切断を遂行した。使用したシリ
コンウエーハＷは、直径５インチ、厚さ500μm
であつた。かかるウエーハＷにおいて、第１の
組の切断ラインCLxは24本で、間隔Pxは５mm、
切断ラインCLx自体の幅は40μmであり、第２
の組の切断ラインCLyも24本で、間隔Pyは５
mm、切断ラインCLy自体の幅は40μmであつた。
使用した切断ブレード４８は、ダイヤモンド砥
粒製で、厚さ18μmであつた。切断深さは、
250μmに設定した。

(3) ウエーハＷの切断を開始してから60枚のウエ
ーハＷの切断を遂行した後（ウエーハＷの切断
を開始してから３時間10分後）に、第１のサン
プリングウエーハSW１の第１の組の切断ライ
ンCLxに沿つた第１のサンプリング切断を遂行
した。かかるサンプリング切断においては、ダ
ミーウエーハを切断ブレード４８によつて実際
に１回切断し、ダミーウエーハの切断位置を光
学的検出手段によつて観察し、かくして第１図
において左右方向における切断ブレード４８の
実際の位置を確認した。そして、かかる確認に
基いて第１のサンプリングウエーハSW１の初
期位置付けを遂行、即ち第１のサンプリングウ
エーハSW１の第１の組の切断ラインCLxのう
ちの最も外側の１本の第１図において左右方向
の位置を切断ブレード４８に充分精密に位置合
せした。第１のサンプリングウエーハSW１の
切断における切断ブレード４８の割出送りは、
第１の検出手段５２の検出に基いて５mm毎23回
遂行した。第１の検出手段５２におけるリニア
スケール５８は、日本電気硝子株式会社から商
品名「ネオセラムGC−７・Ｎ−０」として販
売されている結晶化ガラス製であり、−20乃至
100℃の温度範囲における線膨張係数は0.6×
10^-7／℃であつた。

上記第１のサンプリングウエーハSW１にお
ける第１回目乃至第24回目の実際の切断位置と
切断ラインCLxの各々の中心線とのずれを、顕
微鏡（倍率300倍）で測定した。その結果は第
４−Ａ図の線図に実線で示す通りであつた。第
４−Ａ図において、縦軸には上記ずれの量
（μm）を、横軸には第１回目乃至第24回目の切
断を順次等間隔で表示している。

(4) 次いで、上記(2)と同様にして176枚のウエー
ハＷの切断を遂行した後（ウエーハＷの切断を
開始してから８時間45分後）に、上記(3)と同様
にして第２のサンプリングウエーハSW２の第
２のサンプリング切断を遂行した。

上記第２のサンプリングウエーハSW２にお
ける第１回目乃至第24回目の実際の切断位置と
切断ラインCLxの各々の中心線とのずれを、上
記(3)と同様にして測定した結果は、第４−Ｂ図
に実線で示す通りであつた。

〈比較例〉比較のために、第１の検出手段５２におけるリ
ニアスケール５８を、ソーダ亜鉛ガラス製で−20
乃至100℃の温度範囲における線膨張係数が約８
×10^-6／℃であるリニアスケールに代えたことを
除けば、上記実施例と全く同様にして、第１のサ
ンプリング切断及び第２のサンプリング切断を遂
行した。そして、第１のサンプリングウエーハ
SW１及び第２のサンプリングウエーハSW２に
おける実際の切断位置と切断ラインCLxの各々の
中心線とのずれを測定したところ、夫々、第４−
Ａ図及び第４−Ｂ図に破線で示す通りであつた。

第４−Ａ図及び第４−Ｂ図において、実施例の
結果を示す実線と比較例の結果を示す破線とを比
較考察すると、本発明に従つて、−20乃至100℃の
温度範囲における線膨張係数が10×10^-7／℃以下
の材料から形成されたリニアスケール５８を使用
すれば、高価な温度制御システムを組込む必要な
くして、割出における誤差が著しく低減されるこ
とが明白である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に従つて構成された精密切断
装置の一例を、一部を断面で示す側面図。第２図
は、第１図の精密切断装置の制御手段を示す簡略
ブロツク線図。第３図は、第１図の精密切断装置
によつて切断される半導体ウエーハの表面を示す
平面図。第４−Ａ図及び第４−Ｂ図は、実施例及
び比較例における割出誤差を示す線図。４……支持手段、６……可動支持基台、８……
可動副支持基台、１０……支持部材、４２……回
転軸、４８……切断ブレード（作動要素）、５２
……第１の検出手段、５４……第２の検出手段、
５８及び６８……リニアスケール、７６……保持
手段、７８……滑動台、８０……吸着チヤツク、
Ｗ……半導体ウエーハ（対象物）。

Claims

【特許請求の範囲】１対象物を保持するための保持手段と、作動要
素を支持する支持手段と、検出手段とを具備し、
該保持手段と該支持手段との少なくとも一方は所
定方向に移動自在であり、該検出手段は、多数の
被検出線を有するスケール及び該スケールの該被
検出線を検出するための検出器を含み、該保持手
段と該支持手段との該一方の該所定方向への移動
量を検出する精密装置において、該検出手段の該スケールは、−20乃至100℃の温
度範囲における線膨張係数の絶対値が10×10^-7／
℃以下の材料から形成され、且つ弾性部材を介し
て所定位置に固定されている、ことを特徴とする
精密装置。